CN100521522C - 高频接收设备和高频发送设备 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种能装于IC内、并以简单的电路构成能除去镜像的发射极接地电路。由晶体管、第1阻抗电路、第2阻抗电路构成发射极接地电路。晶体管为NPN型，基板成为发射极接地电路的输入端子。发射极通过第2阻抗电路与GND连接而接地，集电极通过第1阻抗电路连接基准电压源，成为发射极接地电路的输出端子。而且，用电感器和电容的并联谐振电路构成第2阻抗电路。

Description

高频接收设备和高频发送设备

技术领域

本发明涉及发射极接地电路以及在无线通信系统等高频频带使用的收发设备。

背景技术

作为无线通信系统的接收设备总体结构广为所知的有外差方式。该方式为将

RF接收信号一度变换成低频信号(IF信号)的方式，频率变换采用频率变换器(混频器)。现利用图12说明该外差式接收设备的构成及动作例子。RF接收信号在LNA电路8放大后，用镜像除去滤波器9除去镜频分量后在频率变换器10和本机振荡器15的振荡频率分量相加变换成IF信号。该IF信号用带通滤波器11除去不需要的频率分量后，用放大器12放大至适当的电平，再用解调器13解调，用低通滤波器14除去不需要的频率分量后输出。

这种外差方式中出现大问题的是镜像信号。外差方式中，在频率轴上以本机频率为中心，在位于高频侧、低频侧对称位置的频带能变换成相同的频带。因此，就要在频率轴上从所要接收信号中除去以本振频率为中心位于相反一侧的镜像信号。这些信号的频谱形态示于图13。除去镜像信号的最一般的方法如前说明过的那样，在频率变换器的前级设置除去镜像用的滤波器。但是这种镜像除去滤波器难以集成在半导体IC上，所以存在的问题是高频接收设备不易小型化，而且成本高。

因而，例如在日本国公开专利公报“特开平6-343088公报(公开日期：1994年12月13日)”、或日本国公开专利公报“特开平9-64649号公报(公开日期：1997年3月7日)”中阐述了有关不需要镜像除去滤波器的镜像除去型频率变换器的发明。镜像除去型频率变换器的基本考虑思路是对所要的波和镜像信号实施各自的移相操作，通过和相对镜像信号符号相反的镜像信号相加，从而将其删除。移相操作采用90度移相器。然而，当90度移相器装在半导体IC上时，由于工艺误差或寄生分量等将引起输出电平误差、相位误差。一旦这些误差存在，由于不能充分地删除镜像信号，所以存在的问题是IC的合格率降低。

以下，利用图14说明高频收发设备的一个例子。发送基带信号用低通滤波器16除去不要的频率分量后，用调制器17调制，用放大器18放大至适当的电平，再用带通滤波器19除去不要的频率分量后，输入频率变换器20。频率变换器20将输入信号和本机振荡器23的频率分量相加，变换成高频信号。变换后的高频信号用带通滤波器21除去不要的边带分量等不要的频率分量后，用功率放大器22放大后输出。

在这种高频发送设备中，频率变换器20除了所要的输出信号外，还在频率轴上以本机频率为中心、在与所要输出信号频率对称的位置上输出不要的边带信号。这些信号的频谱形态示于图15。因此，为了除去这一不要的边带信号分量，就需要带通滤波器或镜像除去型频率变换器。这些则如前所述，在小型化、降低生产成本上均存在问题，或者IC的合格率降低。

如上所述，在采用频率变换器的收发设备上为了除去不要的频率分量，需要镜像除去滤波器或镜像除去型频率变换器。可是由于镜像除去滤波器难以装入IC，所以在接收设备小型化、降低成本上存在问题。又因镜像除去型频率变换器需要90度移相器，所以除了电路变得复杂、功耗增大外，还由于工艺误差将引起电平误差、相位误差，存在IC的合格率降低等问题。

发明内容

本发明之目的在于提供一种能装在IC中而且能用简单的电路构成除去镜像的发射极接地电路、以及采用该电路的高频接收设备和高频发送设备。

为了达到上述目的，本发明涉及的高频接收设备，所述发射极接地电路设在频率变换器的前级，所述发射极接地电路为包括晶体管、在所述晶体管的集电极和基准电压源之间连接的第1阻抗电路、及在所述晶体管的发射极和GND之间连接的第2阻抗电路的发射极接地电路，其中，所述第2阻抗电路由电感器和电容的并联谐振电路构成，所述第2阻抗电路的所述并联谐振电路的谐振频率设定在所述频率变换器的镜频附近。

本发明涉及的高频接收设备，发射极接地电路设在频率变换器的前级，所述发射极接地电路包括晶体管、在所述晶体管的集电极和基准电压源之间连接的第1阻抗电路、及在所述晶体管的发射极与GND之间连接的第2阻抗电路，所述第2阻抗电路由电感器和电容的并联谐振电路构成，所述第1阻抗电路为电感器和电容的并联谐振电路，其谐振频率和所述第2阻抗电路的谐振频率不同，所述第2阻抗电路的所述并联谐振电路的谐振频率设定在所述频率变换器的镜频附近，所述第1阻抗电路的所述并联谐振电路的谐振频率设定在所述接收设备的所要信号频率附近。

根据上述的各发明，由于在频率变换器的前级设置能衰减特定频率分量的发射极接地电路，所以能除去在频率变换器中成为问题的镜频分量。因而起到不需要镜像除去滤波器、及镜像除去型频率变换器的效果。再通过第1阻抗电路的并联谐振电路的谐振频率设定在接收设备所要信号频率附近，能取得使所要频率分量和镜频分量之电平差增大的效果。

本发明涉及的高频接收设备，发射极接地电路设在频率变换器的前级，所述发射极接地电路包括晶体管、在所述晶体管的集电极和基准电压源之间连接的第1阻抗电路、及在所述晶体管的发射极与GND之间连接的第2阻抗电路，所述第2阻抗电路由电感器和电容的并联谐振电路构成，所述第2阻抗电路的所述电容为可变电容，还具有与所述发射极接地电路连接的、控制所述第2阻抗电路的所述可变电容的控制部。

本发明涉及的高频接收设备，发射极接地电路设在频率变换器的前级，所述发射极接地电路包括晶体管、在所述晶体管的集电极和基准电压源之间连接的第1阻抗电路、及在所述晶体管的发射极与GND之间连接的第2阻抗电路，所述第2阻抗电路由电感器和电容的并联谐振电路构成，所述第1阻抗电路为电感器和电容的并联谐振电路，其谐振频率和所述第2阻抗电路的谐振频率不同，所述第1阻抗电路的所述电容为可变电容，还具有与所述发射极接地电路连接的、控制所述第1阻抗电路的所述可变电容的控制部。

集成在IC中的电感器或电容由于工艺误差或寄生分量等引起数值变化。因此，有时LC并联谐振电路的谐振频率偏移，不能得到所需的特性。而根据上述各发明，由于能控制LC并联谐振电路的可变电容，从而取得的效果是能调整谐振频率，使其获得最佳的特性。

本发明涉及的高频接收设备，发射极接地电路设在频率变换器的前级，所述发射极接地电路包括晶体管、在所述晶体管的集电极和基准电压源之间连接的第1阻抗电路、及在所述晶体管的发射极与GND之间连接的第2阻抗电路，所述第2阻抗电路由电感器和电容的并联谐振电路构成，所述第2阻抗电路的所述电容为可变电容，还具有：与所述发射极接地电路的输入端连接的、产生和所述频率变换器的镜频相等频率的信号的信号发生部、与所述发射极接地电路的输出端连接的、对所述发射极接地电路的输出电平检波的电场强度检测部、及与所述发射极接地电路连接的、根据所述输出电平的检测电平相应控制所述第2阻抗电路的所述可变电容的电容值的控制部。

本发明涉及的高频接收设备，发射极接地电路设在频率变换器的前级，所述发射极接地电路包括晶体管、在所述晶体管的集电极和基准电压源之间连接的第1阻抗电路、及在所述晶体管的发射极与GND之间连接的第2阻抗电路，所述第2阻抗电路由电感器和电容的并联谐振电路构成，所述第1阻抗电路为电感器和电容的并联谐振电路，其谐振频率和所述第2阻抗电路的谐振频率不同，所述第1阻抗电路的所述电容为可变电容，还包括：与所述发射极接地电路的输入端连接的、产生和所述接收设备的所要信号频率相等频率的信号的信号发生部、与所述发射极接地电路的输出端连接的、对所述发射极接地电路的输出电平检波的电场强度检测部、及与所述发射极接地电路连接的、根据所述输出电平的检测电平相应控制所述第1阻抗电路的所述可变电容的电容值的控制部。

根据上述的各发明，高频接收设备的信号发生手段在输出和频率变换器的镜频相等频率的信号时，发射极接地电路对这一信号进行衰减。在发射极接地电路的输出信号中含有镜频的电流分量越多，该电流引起的辐射电场就越大。因而，用电场强度检测手段检测该输出信号产生的辐射电场。只要该输出电平比所要的电平大，控制手段就改变可变电容的电容值，使输出电平衰减。由此，取得的效果是即使LC并联谐振电路的谐振频率由于工艺误差或寄生分量等而偏移，也能通过调整而得到所要的特性。

另外，高频接收设备的信号发生手段在输出和所要频率相等频率的信号时，相反，如调整可变电容使输出电平变大，则也能取得同样的效果。

本发明的高频发送设备，在频率变换器的后级设置所述发射极接地电路，所述发射极接地电路为包括晶体管、在所述晶体管的集电极和基准电压源之间连接的第1阻抗电路、及在所述晶体管的发射极和GND之间连接的第2阻抗电路的发射极接地电路，其中，所述第2阻抗电路由电感器和电容的并联谐振电路构成，所述第2阻抗电路的所述并联谐振电路的所述谐振频率设在所述频率变换器的所述不要边带频率附近。

本发明涉及的高频发送设备，发射极接地电路设在频率变换器的后级，所述发射极接地电路包括晶体管、在所述晶体管的集电极和基准电压源之间连接的第1阻抗电路、及在所述晶体管的发射极与GND之间连接的第2阻抗电路，所述第2阻抗电路由电感器和电容的并联谐振电路构成，所述第1阻抗电路为电感器和电容的并联谐振电路，其谐振频率和所述第2阻抗电路的谐振频率不同，所述第2阻抗电路的所述并联谐振电路的谐振频率设定在所述频率变换器的不要边带频率附近，所述第1阻抗电路的所述并联谐振电路的谐振频率设在所述发送设备的所要输出信号频率附近。

根据上述各发明，由于在频率变换器的后级设置能衰减特定频率分量的发射极接地电路，故能除去在频率变换器中成为问题的不要的边带频率分量。因而能起到不需要带通滤波器、及镜像除去型频率变换器的效果。再在第1阻抗电路的并联谐振电路的谐振频率设定在发送设备的所要输出信号频率附近时，能起到使所要频率分量和不要边带分量间的电平差增大的效果。

本发明涉及的高频发送设备，发射极接地电路设在频率变换器的后级，所述发射极接地电路包括晶体管、在所述晶体管的集电极和基准电压源之间连接的第1阻抗电路、及在所述晶体管的发射极与GND之间连接的第2阻抗电路，所述第2阻抗电路由电感器和电容的并联谐振电路构成，所述第2阻抗电路的所述电容为可变电容，还包括与所述发射极接地电路连接的、控制所述第2阻抗电路的所述可变电容的控制部。

本发明涉及的高频发送设备，发射极接地电路设在频率变换器的后级，所述发射极接地电路包括晶体管、在所述晶体管的集电极和基准电压源之间连接的第1阻抗电路、及在所述晶体管的发射极与GND之间连接的第2阻抗电路，所述第2阻抗电路由电感器和电容的并联谐振电路构成，所述第1阻抗电路为电感器和电容的并联谐振电路，其谐振频率和所述第2阻抗电路的谐振频率不同，所述第1阻抗电路的所述电容为可变电容，还包括与所述发射极接地电路连接的、控制所述第1阻抗电路的所述可变电容的控制部。

根据上述的各发明，即使集成在IC内的电感器或电容由于工艺误差或寄生分量引起数值变化，使LC并联谐振电路的谐振频率偏移，也仍能通过控制LC并联谐振电路的可变电容，从而调整谐振频率，起到最佳特性的效果。

本发明涉及的高频发送设备，发射极接地电路设在频率变换器的后级，所述发射极接地电路包括晶体管、在所述晶体管的集电极和基准电压源之间连接的第1阻抗电路、及在所述晶体管的发射极与GND之间连接的第2阻抗电路，所述第2阻抗电路由电感器和电容的并联谐振电路构成，所述第2阻抗电路的所述电容为可变电容，还包括：与所述发射极接地电路的输入端连接的、产生和所述频率变换器的不要边带频率相等频率的信号的信号发生部、与所述发射极接地电路的输出端连接的、对所述发射极接地电路的输出电平检波的电场强度检测部、及与所述发射极接地电路连接的、根据所述输出电平的检测电平相应控制所述第2阻抗电路的所述可变电容的电容值的控制部。

本发明涉及的高频发送设备，发射极接地电路设在频率变换器的后级，所述发射极接地电路包括晶体管、在所述晶体管的集电极和基准电压源之间连接的第1阻抗电路、及在所述晶体管的发射极与GND之间连接的第2阻抗电路，所述第2阻抗电路由电感器和电容的并联谐振电路构成，所述第1阻抗电路为电感器和电容的并联谐振电路，其谐振频率和所述第2阻抗电路的谐振频率不同，所述第1阻抗电路的所述电容为可变电容，还包括：与所述发射极接地电路的输入端连接的、产生和所述频率变换器的所要输出信号频率相等频率的信号的信号发生部、与所述发射极接地电路的输出端连接的、对所述发射极接地电路的输出电平进行检波的电场强度检测部、及与所述发射极接地电路连接的、根据所述输出电平的检测电平相应控制所述第1阻抗电路的所述可变电容的电容值的控制部。

根据上述的各发明，在高频发送设备的信号发生手段输出和频率变换器的不要边带频率相等频率的信号时，发射极接地电路对这一信号进行衰减。而且，用电场强度检测手段检测发射极接地电路的输出电平，如该输出电平大于所要的电平，控制手段就使可变电容的电容值变化，使输出电平衰减。通过这样，即使LC并联谐振电路的谐振频率由于工艺误差或寄生分量等引起偏移，也能通过调整，起到最佳特性的效果。

另外，高频发送设备的信号发生手段在输出和所要频率相等频率的信号时，相反，如调整可变电容使得输出电平变大，也能得到同样的效果。

本发明再有其它的目的、特征及优点等通过以后的阐述将会得以充分理解。另外，本发明之长处通过参照附图及以后的说明亦将会更加明了。

附图说明

图1为表示本发明实施形态的图，为表示发射极接地电路的构成方框图。

图2为表示本发明实施形态的图，为表示发射极接地电路的其它的构成方框图。

图3为表示本发明实施形态的图，为表示高频接收设备的构成方框图。

图4为表示本发明实施形态的图，为表示高频接收设备的其它的构成方框图。

图5为表示本发明实施形态的图，为表示高频接收设备的又一种构成方框图。

图6为表示本发明实施形态的图，为表示高频接收设备的又一种构成方框图。

图7为表示本发明实施形态的图，为表示高频发送设备的构成方框图。

图8为表示本发明实施形态的图，为表示高频发送设备的其它的构成方框图。

图9为表示本发明实施形态的图，为表示高频发送设备的又一种其它的构成方框图。

图10为表示本发明实施形态的图，为表示高频发送设备的又一种其它的构成方框图。

图11为表示成为本发明的实施形态基本形式的发射极接地电路的构成方框图。

图12为表示已有的高频接收设备的构成方框图。

图13为图12的高频接收设备的信号频谱图。

图14为表示现有的高频发送设备的构成方框图。

图15为图14的高频发送设备的信号频谱图。

具体实施方式

参照图1至图11对本发明的实施形态说明如下。

首先，本实施形态的发射极接地电路的基本形式的发射极接地电路51示于图11。该发射极接地电路51为晶体管的发射极通过阻抗与GND连接的发射极接地放大电路。发射极接地电路51包括晶体管3、第1阻抗电路2、第2阻抗电路1。晶体管3为NPN型，基极为发射极接地电路51的输入端子6。发射极通过第2阻抗电路1与GND5连接而接地。集电极通过第1阻抗电路2接基准电压4，成为发射极接地电路51的输出端子7。

在这种发射极接地电路51中，设第2阻抗电路1的阻抗为Ze，该发射极接地电路51的传输电导变成1/(1+gm·Ze)倍。gm为晶体管3的互导。这里称为发射极负反馈。据此，当Ze变大，发射极接地电路51的传输电导就减少，输入信号衰减后输出。即输入端子6输入的输入信号包含的交流信号分量的电压分压成与各频率相对应的由集电极电流在第2阻抗电路1上产生的电压降部分、和晶体管3的基—发射极间电压的变化部分，但是在各种频率的交流信号电压中基—发射极间电压的变化部分所占的比列变小。供给放大的部分减少。

在连接第1阻抗电路2的路径上，除了第1阻抗电路2之外，还适当地连接用于设定来自输出端子7的输出信号偏置的负载、或使流过该路径的交流电流的大小衰减的负载。而且，如流过第1阻抗电路2的电流所含的、某频率的交流电流越小，则减去流过第2阻抗电路1的集电极电流(与发射极电流大致相等)的该频率的交流电流后从输出端子7流出的输出电流越大。如流过第1阻抗电路2的电流中不含该频率的交流电流分量，则输出电流的这一频率分量变成和上述集电极电流大小相等、相位相反的电流。因此，在对于某个频率的交流信号的传输电导变小时，对该交流信号的发射极接地电路51的输出电流就变小。

图1中表示本实施形态的发射极接地电路61的构成。还有，和图11相同的部分上标注同一标号。发射极接地电路61在本实施形态中作为特定频率信号衰减电路起作用。发射极接地电路61为用电感器L1和电容C1的并联谐振电路构成图11的发射极接地电路51的第2阻抗电路1的电路。这样，发射极接地电路61为能装入IC的构成。还有，第2阻抗电路1的电感器L1也可以为适于装在IC中的、设置在半导体基板上的螺旋形电感器，另外电容C1也可为可变电容。

图2中表示具体示出所述发射极接地电路61的第1阻抗电路2的构成的发射极接地电路71的构成。发射极接地电路71在本实施形态中作为特定频率信号衰减电路起作用。该发射极接地电路71为第1阻抗电路用电感器L2和电容C2的并联谐振电路构成的电路。这样，发射极接地电路71为能装入IC的构成。还有，第1阻抗电路2的电感器L2也可以为适合装入IC中的、设置在半导体基板上的螺旋形电感器，另外，电容C2也可以为可变电容。

图3表示本实施形态的高频接收设备81的构成。还有，在与图12相同的部分上标注同一标号。另外，由于和图12相同部分的作用也相同，故其说明亦从略。RF接收信号用LNA电路8放大后，输入发射极接地电路24a。发射极接电电路24a将图1的发射极接地电路61的电容C1作为可变电容使用。而且，具有控制该电容C1的电容值的控制部(控制手段)25a。发射极接地电路24a的输出信号输入频率变换器10。发射极接地电路24a的LC并联谐振电路的谐振频率设在频率变换器10的镜频附近。因此，如实施形态开头部分说过的那样，对于镜频附近的Ze变大，传输电导变小。由此，发射极接地电路24a和镜像除去滤波器一样，能使镜频分量大幅度地衰减。因而，在高频接收设备81上就不需要镜像除去滤波器、或镜像除去型频率变换器。再有，在由于工艺误差等影响致使谐振频率值偏移时，也能通过控制部25a调整LC并联谐振电路内的电容C1的电容值，从而能获得所要的谐振频率。

图4表示本实施形态的其它高频接收设备91的构成。还有和图12相同的部分标注同一标号。另外，因和图12相同部分的作用也相同，故其说明亦从略。RF接收信号用LNA电路8放大后，输入发射极接地电路24b。发射极接地电路24b为将图2的发射极接地电路71的电容C2作为可变电容使用的电路。而且具有控制该电容C2的电容值的控制部(控制手段)25b。发射极接地电路24b的输出信号输入频率变换部10。用发射极接地电路24b的电感器L1和电容C1构成的LC并联谐振电路的谐振频率设定在频率变换器10的镜频附近。因此，该发射极接地电路24b和镜像除去滤波器一样，能使镜频分量大幅度衰减。

再有，用发射极接地电路24b的电感器L2和电容C2构成的LC并联谐振电路的谐振频率设定在高频接收设备91的所要输入信号频率附近。因此，所要输入信号频率的负载阻抗Zc变大，流过Zc的所要输入信号频率的电流分量变小。即来自输出端子7的输出电流所含的所要输入信号频率的电流分量变大，传输电导变大。所以在所要输入信号分量和镜频分量同时输入高频接收设备91时，这些分量的电平差就能增大。再在由于工艺误差等影响致使谐振频率的值偏移时，由于通过控制部25b能调整LC并联谐振电路内的电容C2的电容值，故能获得所要的谐振频率。

图5表示本实施形态又一种其它的高频接收设备101的构成。还有，在和图12相等的部分上标注同一标号。另和图12相同部分的作用也相同，故其说明从略。RF接收信号用LNA电路8放大后，与信号发生部(信号发生手段)26a来的信号叠加，输入发射极接地电路24c。信号发生部26a产生和频率变换器10的镜频相等频率的信号。当该信号输入发射极接地电路24c时就被衰减输出。发射极接地电路24c为将图1的发射极接地电路61的电容C1作为可变电容使用的电路。而且，具有控制该电容C1的电容值的控制部(控制手段)25c。发射极接地电路24a的输出信号输入频率变换器10。发射极接地电路24c的LC并联谐振电路的谐振频率设在频率变换器10的镜频附近。

输出端子7的输出信号用电场强度检测部(电场强度检测手段)27a作为输出电平通过检波检测其辐射电场强度。如发射极接地电路24c正在正常工作，则因输出信号所含镜频的电流分量小，所以电场强度也应足够小。但由于工艺误差等，在LC并联谐振电路的谐振频率偏离所要的值时，由于发射极接地电路24c不能充分地衰减镜频信号分量，故电场强度变大。于是控制部25c根据由电场强度检测部27a检测出的电场强度，调整发射极接地电路24c中LC并联谐振电路的电容C1的值，使其为最佳的电容值。通过以上一系列的动作，即使在LC并联谐振电路的谐振频率偏离所需的值时，也能自动地控制谐振频率使发射极接地电路24c能正常动作。还有该一系列的动作能在不影响接收动作时进行，例如在电源刚接通之后进行。

图6表示本实施形态的又一种高频接收设备111的构成。还有，在和图12相同的部分上标注同一标号。并因和图12相同部分的作用也相同，故其说明亦从略。RF接收信号用LNA电路8放大后，与来自信号发生部(信号发生手段)26b的信号叠加，输入发射极接地电路24d。发射极接地电路24d为将图2的发射极接地电路71的电容C2作为可变电容使用的电路。而且，具有能控制该电容C2的电容值的控制部(控制手段)25d。信号发生部26b产生和高频接收设备111所要信号频率相等频率的信号。该信号输入发射极接地电路24d并放大。用发射极接地电路24d的电感器L1和电容器C1构成的LC并联谐振电路的谐振频率设定在频率变换器10的镜频附近。发射极接地电路24d的输出信号输入频率变换器10。

输出端子7的输出信号用电场强度检测部(电场强度检测手段)27b作为输出电平通过检波检测其辐射电场强度。如发射极接地电路24b在正常工作，则因输出信号中含的所要信号频率的电流分量变得适当的大小，所以电场强度应为表示适当的值。但由于工艺误差等，LC并联谐振电路的谐振频率偏离所要的值时，发射极接地电路24d可能使所要接收信号衰减。于是，根据由电场强度检测部27b检测出的电场强度，控制部25d相应地调整发射极接地电路24d中LC并联谐振电路的电容C2的值，决定电容值使所要接收信号能正常地输出。还有这一系列动作能在不影响接收动作时进行，例如在电源刚接通后进行。

图7表示本实施形态的高频发送设备121的构成。还有，在和图14相同的部分上标注同一标号。又因和图14相同部分的作用也相同，故其说明亦从略。频率变换器20除所要频率信号之外，还输出不要的边带信号。该信号输入发射极接地电路24e。发射极接地电路24e为将图1的发射极接地电路61的电容C1作为可变电容使用的电路。而且，具有控制该电容C1的电容值的控制部(控制手段)25e。发射极接地电路24e的输出信号输入功率放大器22。发射极接地电路24e的LC并联谐振电路的谐振频率设在不要边带频率附近。因此，不要边带频率分量的传输电导变得足够小。于是，当频率变换器20的输出信号输入发射极接地电路24e时，不要边带频率分量大幅度地衰减输出。因此，就不需要除去不要的频率分量用的带通滤波器、或镜像除去型频率变换器。还有，在由于工艺误差等影响致使谐振频率偏移时，通过利用控制部25e调整LC并联谐振电路内电容C1的值，从而能获得所要的谐振频率。

图8表示本实施形态涉及的其它高频发送设备131的构成。还有，在和图14相同的部分上标注同一标号。因和图14相同部分的作用也相同，所以其说明亦从略。频率变换器20输出所要频率信号之外，还输出不要的边带信号。该信号输入发射极接地电路24f。发射极接地电路24f为将图2的发射极接地电路71的电容C2作为可变电容使用的电路。而且，具有控制该电容C2的电容值的控制部(控制手段)25f。发射极接地电路24f的输出信号输入功率放大器22。

用发射极接地电路24f的电感器L1和电容C1构成的LC并联谐振电路的谐振频率设在不要的边带频率附近。因此，不要边带频率分量的传输电导变得足够小。又用发射极接地电路24f的电感器L2和电容C2构成的LC并联谐振电路的谐振频率设在高频发送设备131的所要输出频率附近。因而，所要输出频率分量的传输电导变大。于是，当频率变换器20的输出信号一输入发射极接地电路24f，一方面不要的边带分量大幅地衰减，而另一方面所要输出频率分量不衰减。还有，在由于工艺误差等影响致使谐振频率的值偏离时，也能通过利用控制部25f调整LC并联谐振电路内的电容C2的值，从而得到所要的谐振频率。

图9表示本实施形态又一种其它的高频发送设备141的构成。频率变换器20除所要频率信号外，还输出不要的边带信号，来自信号发生部(信号发生手段)26c的信号与它们叠加，输入发射极接地电路24g。发射极接地电路24g为将图1的发射极接地电路61的电容C1作为可变电容使用的电路。而且，还具有控制该电容C1的电容值的控制部(控制手段)25g。发射极接地电路24g的LC并联谐振电路的谐振频率设在不要边带频率附近。信号发生部26c产生和频率变换器20的不要边带频率相等的频率信号。该信号输入发射极接地电路24g，并被衰减。发射极接地电路24g的输出信号输入功率放大器22。

输出端子7的输出信号用电场强度检测部(电场强度检测手段)27c作为输出电平通过检波检测其辐射电场强度。如发射极接地电路24g在正常工作，则不要边带频率附近的电流分量变得足够小，因而电场强度也应该为足够小。但由于工艺误差等致使LC并联谐振电路的谐振频率偏离所要的值时，因为发射极接地电路24g不能充分地使不要边带频率分量衰减，故输出电平变大。于是，控制部25g根据由电场强度检测部27检测出的电场强度，相应调整发射极接地电路24g中LC并联谐振电路的电容C1的值，使其为最佳的电容值。通过以上一系列的动作，即使在LC并联谐振电路的谐振频率偏离所要的值时，仍能自动地控制谐振频率，使得发射极接地电路24g能正常工作。还有上述一系列动作能在不影响发送动作时进行，例如在电源刚接通后进行。

图10表示本实施形态又一种其它的高频发送设备151的构成。频率变换器20除了所要频率信号外，还输出不要的边带信号，信号发生部(信号发生手段)26d的信号与它们叠加，输入发射极接地电路24h。发射极接地电路24h为将发射极接地电路71的电容C2作为可变电容使用的电路。而且，还具有控制这一电容C2的电容值的控制部(控制手段)25h。信号发生部26d产生和高频发送设备151所要输出频率相等频率的信号。该信号输入发射极接地电路24h，并放大。用发射极接地电路24h的电感器L1和电容C1构成的并联谐振电路的谐振频率设定在频率变换器20的不要边带频率附近，发射极接地电路24h的输出信号输入功率放大器22。

输出端子7的输出信号用电场强度检测部(电场强度检测手段)27d作为输出电平通过检波检测其辐射电场强度。如发射极接地电路24h在正常工作，则电场强度应为表示适当的值，但由于工艺误差等，在用电感器L2和电容C2构成的LC并联谐振电路的谐振频率偏离所要的值时，发射极接地电路24h有可能使所要输出频率信号衰减。于是，根据由电场强度检测部27d检测出的电场强度，控制部25h相应地调整发射极接地电路24h中LC并联谐振电路的电容C2的值，决定电容值，使所要输出频率信号分量正常输出。还有，该一系列的动作能在不影响接收动作时进行，例如在电源刚接通后进行。

如上所述，本发明的发射极接地电路用简单的电路构成，能使特定的频率分量衰减。再有，通过将本发明的发射极接地电路设置在高频接收设备上，能使频率变换器上成问题的镜频分量衰减。另外，通过将本发明的发射极接地电路设置在高频发送设备上，能使不要的边带分量衰减。

本发明适合外差式收发设备使用。

还有，本发明详细说明的栏目中所作的具体实施形态或实施例，归根结底，是为便于对本发明技术内容的理解而阐述的，不应仅限于其具体的示例狭义地解释，在本发明的精神和后述的权利要求范围内，可以作各种变更并实施。

Claims (26)

1.一种高频接收设备，发射极接地电路设在频率变换器的前级，其特征在于，

所述发射极接地电路包括晶体管、在所述晶体管的集电极和基准电压源之间连接的第1阻抗电路、及在所述晶体管的发射极与GND之间连接的第2阻抗电路，

所述第2阻抗电路由电感器和电容的并联谐振电路构成，

所述第2阻抗电路的所述并联谐振电路的谐振频率设定在所述频率变换器的镜频附近。

2.一种高频接收设备，发射极接地电路设在频率变换器的前级，其特征在于，

所述发射极接地电路包括晶体管、在所述晶体管的集电极和基准电压源之间连接的第1阻抗电路、及在所述晶体管的发射极与GND之间连接的第2阻抗电路，

所述第2阻抗电路由电感器和电容的并联谐振电路构成，

所述第1阻抗电路为电感器和电容的并联谐振电路，其谐振频率和所述第2阻抗电路的谐振频率不同，

所述第2阻抗电路的所述并联谐振电路的谐振频率设定在所述频率变换器的镜频附近，

所述第1阻抗电路的所述并联谐振电路的谐振频率设定在所述接收设备的所要信号频率附近。

3.一种高频接收设备，发射极接地电路设在频率变换器的前级，其特征在于，

所述发射极接地电路包括晶体管、在所述晶体管的集电极和基准电压源之间连接的第1阻抗电路、及在所述晶体管的发射极与GND之间连接的第2阻抗电路，

所述第2阻抗电路由电感器和电容的并联谐振电路构成，

所述第2阻抗电路的所述电容为可变电容，

还具有与所述发射极接地电路连接的、控制所述第2阻抗电路的所述可变电容的控制部。

4.一种高频接收设备，发射极接地电路设在频率变换器的前级，其特征在于，

所述发射极接地电路包括晶体管、在所述晶体管的集电极和基准电压源之间连接的第1阻抗电路、及在所述晶体管的发射极与GND之间连接的第2阻抗电路，

所述第2阻抗电路由电感器和电容的并联谐振电路构成，

所述第1阻抗电路为电感器和电容的并联谐振电路，其谐振频率和所述第2阻抗电路的谐振频率不同，

所述第1阻抗电路的所述电容为可变电容，

还具有与所述发射极接地电路连接的、控制所述第1阻抗电路的所述可变电容的控制部。

5.一种高频接收设备，发射极接地电路设在频率变换器的前级，其特征在于，

所述发射极接地电路包括晶体管、在所述晶体管的集电极和基准电压源之间连接的第1阻抗电路、及在所述晶体管的发射极与GND之间连接的第2阻抗电路，

所述第2阻抗电路由电感器和电容的并联谐振电路构成，

所述第2阻抗电路的所述电容为可变电容，

还具有：

与所述发射极接地电路的输入端连接的、产生和所述频率变换器的镜频相等频率的信号的信号发生部、

与所述发射极接地电路的输出端连接的、对所述发射极接地电路的输出电平检波的电场强度检测部、及

与所述发射极接地电路连接的、根据所述输出电平的检测电平相应控制所述第2阻抗电路的所述可变电容的电容值的控制部。

6.如权利要求5所述的高频接收设备，其特征在于，

若所述发射极接地电路的输出电平大于所述接收设备所要的电平，所述控制部通过使所述第2阻抗电路的可变电容的电容值变化，从而使所述发射极接地电路的输出电平衰减。

7.一种高频接收设备，发射极接地电路设在频率变换器的前级，其特征在于，

所述发射极接地电路包括晶体管、在所述晶体管的集电极和基准电压源之间连接的第1阻抗电路、及在所述晶体管的发射极与GND之间连接的第2阻抗电路，

所述第2阻抗电路由电感器和电容的并联谐振电路构成，

所述第1阻抗电路为电感器和电容的并联谐振电路，其谐振频率和所述第2阻抗电路的谐振频率不同，

所述第1阻抗电路的所述电容为可变电容，

还包括：

与所述发射极接地电路的输入端连接的、产生和所述接收设备的所要信号频率相等频率的信号的信号发生部、

与所述发射极接地电路的输出端连接的、对所述发射极接地电路的输出电平检波的电场强度检测部、及

与所述发射极接地电路连接的、根据所述输出电平的检测电平相应控制所述第1阻抗电路的所述可变电容的电容值的控制部。

8.如权利要求7所述的高频接收设备，其特征在于，

若所述发射极接地电路的输出电平低于所述接收设备所要的电平，所述控制部则通过使所述第1阻抗电路的可变电容的电容值变化，从而增大所述发射极接地电路的输出电平。

9.如权利要求1所述的高频接收设备，其特征在于，

所述第2阻抗电路的所述电感器为设置在半导体基板上的螺旋形电感器。

10.如权利要求1所述的高频接收设备，其特征在于，

所述第2阻抗电路的所述电容为可变电容。

11.如权利要求1所述的高频接收设备，其特征在于，

所述第1阻抗电路为电感器和电容的并联谐振电路，其谐振频率和所述第2阻抗电路的谐振频率不同。

12.如权利要求11所述的高频接收设备，其特征在于，

所述第1阻抗电路的所述电感器为设置在半导体基板上的螺旋形电感器。

13.如权利要求11所述的高频接收设备，其特征在于，

所述第1阻抗电路的所述电容为可变电容。

14.一种高频发送设备，发射极接地电路设在频率变换器的后级，其特征在于，

所述发射极接地电路包括晶体管、在所述晶体管的集电极和基准电压源之间连接的第1阻抗电路、及在所述晶体管的发射极与GND之间连接的第2阻抗电路，

所述第2阻抗电路由电感器和电容的并联谐振电路构成，

所述第2阻抗电路的所述并联谐振电路的谐振频率设置在所述频率变换器的不要边带频率附近。

15.一种高频发送设备，发射极接地电路设在频率变换器的后级，其特征在于，

所述发射极接地电路包括晶体管、在所述晶体管的集电极和基准电压源之间连接的第1阻抗电路、及在所述晶体管的发射极与GND之间连接的第2阻抗电路，

所述第2阻抗电路由电感器和电容的并联谐振电路构成，

所述第1阻抗电路为电感器和电容的并联谐振电路，其谐振频率和所述第2阻抗电路的谐振频率不同，

所述第2阻抗电路的所述并联谐振电路的谐振频率设定在所述频率变换器的不要边带频率附近，

所述第1阻抗电路的所述并联谐振电路的谐振频率设在所述发送设备的所要输出信号频率附近。

16.一种高频发送设备，发射极接地电路设在频率变换器的后级，其特征在于，

所述发射极接地电路包括晶体管、在所述晶体管的集电极和基准电压源之间连接的第1阻抗电路、及在所述晶体管的发射极与GND之间连接的第2阻抗电路，

所述第2阻抗电路由电感器和电容的并联谐振电路构成，

所述第2阻抗电路的所述电容为可变电容，

还包括与所述发射极接地电路连接的、控制所述第2阻抗电路的所述可变电容的控制部。

17.一种高频发送设备，发射极接地电路设在频率变换器的后级，其特征在于，

所述发射极接地电路包括晶体管、在所述晶体管的集电极和基准电压源之间连接的第1阻抗电路、及在所述晶体管的发射极与GND之间连接的第2阻抗电路，

所述第2阻抗电路由电感器和电容的并联谐振电路构成，

所述第1阻抗电路为电感器和电容的并联谐振电路，其谐振频率和所述第2阻抗电路的谐振频率不同，

所述第1阻抗电路的所述电容为可变电容，

还包括与所述发射极接地电路连接的、控制所述第1阻抗电路的所述可变电容的控制部。

18.一种高频发送设备，发射极接地电路设在频率变换器的后级，其特征在于，

所述发射极接地电路包括晶体管、在所述晶体管的集电极和基准电压源之间连接的第1阻抗电路、及在所述晶体管的发射极与GND之间连接的第2阻抗电路，

所述第2阻抗电路由电感器和电容的并联谐振电路构成，

所述第2阻抗电路的所述电容为可变电容，

还包括：

与所述发射极接地电路的输入端连接的、产生和所述频率变换器的不要边带频率相等频率的信号的信号发生部、

与所述发射极接地电路的输出端连接的、对所述发射极接地电路的输出电平检波的电场强度检测部、及

与所述发射极接地电路连接的、根据所述输出电平的检测电平相应控制所述第2阻抗电路的所述可变电容的电容值的控制部。

19.如权利要求18所述的高频发送设备，其特征在于，

若所述发射极接地电路的输出电平比所述发送设备所要的电平大，所述控制部则通过使所述第2阻抗电路的可变电容的电容值变化，从而使所述发射极接地电路的输出电平衰减。

20.一种高频发送设备，发射极接地电路设在频率变换器的后级，其特征在于，

所述发射极接地电路包括晶体管、在所述晶体管的集电极和基准电压源之间连接的第1阻抗电路、及在所述晶体管的发射极与GND之间连接的第2阻抗电路，

所述第2阻抗电路由电感器和电容的并联谐振电路构成，

所述第1阻抗电路为电感器和电容的并联谐振电路，其谐振频率和所述第2阻抗电路的谐振频率不同，

所述第1阻抗电路的所述电容为可变电容，

还包括：

与所述发射极接地电路的输入端连接的、产生和所述频率变换器的所要输出信号频率相等频率的信号的信号发生部、

与所述发射极接地电路的输出端连接的、对所述发射极接地电路的输出电平进行检波的电场强度检测部、及

与所述发射极接地电路连接的、根据所述输出电平的检测电平相应控制所述第1阻抗电路的所述可变电容的电容值的控制部。

21.如权利要求20所述的高频发送设备，其特征在于，

若所述发射极接地电路的输出电平比所述发送设备所要的电平小，所述控制部则通过改变所述第1阻抗电路的可变电容的电容值从而增大所述发射极接地电路的输出电平。

22.如权利要求14所述的高频发送设备，其特征在于，

所述第2阻抗电路的所述电感器为设置在半导体基板上的螺旋形电感器。

23.如权利要求14所述的高频发送设备，其特征在于，

所述第2阻抗电路的所述电容为可变电容。

24.如权利要求14所述的高频发送设备，其特征在于，

所述第1阻抗电路为电感器和电容的并联谐振电路，其谐振频率和所述第2阻抗电路的谐振频率不同。

25.如权利要求24所述的高频发送设备，其特征在于，

所述第1阻抗电路的所述电感器为设置在半导体基板上的螺旋形电感器。

26.如权利要求24所述的高频发送设备，其特征在于，

所述第1阻抗电路的所述电容为可变电容。

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