KR100257160B1

KR100257160B1 - 번인 테스트 보드

Info

Publication number: KR100257160B1
Application number: KR1019970044899A
Authority: KR
Inventors: 홍재근; 김윤철; 황원종
Original assignee: 김영환; 현대전자산업주식회사
Priority date: 1997-08-30
Filing date: 1997-08-30
Publication date: 2000-05-15
Also published as: KR19990021363A

Abstract

본 발명은 반도체 메모리소자의 번인 테스트에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 번인 테스트시 트랜지션 타임을 감소시킬 수 있는 번인 테스트용 번인 보드에 관한 것이다.

본 발명은 TDBI 시스템과의 신호전송을 위한 입출력부와, 상기 입출력부터의 신호를 다수개의 번인 소켓으로 동시에 전송하는 신호전송부를 포함하여, 상기 소켓에 장착된 반도체소자를 TDBI 시스템으로부터의 하나의 구동신호에 의해 번인 테스트를 수행하는 번인테스트 보드에 있어서, 상기 복수개의 소켓은 상기 TDBI 시스템에 대하여 소정의 개수만큼 분할 접속되며, 상기 입출력부는 상기 분할된 소켓 개수에 대응하여, 상기 TDBI 시스템에 병렬접속되어 상기 TDBI 시스템으로부터 구동신호를 입력하기 위한 다수의 입출력수단을 구비하며, 상기 신호전송부는 상기 입출력부의 입출력수단 및 분할된 소켓에 일대일 대응하여, 상기 입출력수단과 소켓사이에 접속되는 신호전송수단을 구비한다.

Description

번인 테스트 보드

일반적으로, 반도체 소자는 제조된 후(FAB out), 제품의 신뢰성을 확보하기 위하여 각종 테스트를 실시한다. 번인 테스트는 상기 테스트중의 하나로서, 반도체 소자의 입력 및 출력 단자들을 테스트 신호 발생회로와 연결하여 정상 동작조건 보다 높은 온도, 전압 및 전류등으로 스트레스를 인가하여 반도체 소자의 수명 및 결합 발생 여부를 체크하는 테스트이다.

결과적으로 번인 테스트시 정상 상태에서 사용될 때 어떤 장애를 일으킬 우려가 있는 결합이 반드시 발생하게 된다. 그러므로 번인 테스트는 테스트를 실시하는 동안 결함이 발생된 반도체 소자를 검출하여 제거하므로써 제품의 신뢰성을 보장하는 것이다.

제1도는 TDBI 시스템(Test During Burn-In System)에서 사용되어지는 일반적인 번인 테스트 보드의 등가 회로도를 도시한 것이다.

예를 들어, 16M DRAM을 번인 테스트할 경우, 가로 및 세로 방향으로 16개와 18개의 소켓이 장착되어 총 288개의 번인용 소켓이 하나의 번인 테스 보드상에 장착된다.

종래의 번인 테스트 보드(100)는, TDBI 시스템(10)으로부터 번인 테스트 보드(100)로의 신호를 입력하거나, 또는 번인 테스트보드(100)로부터 TDBI 시스템 (10)으로 신호를 전송하기 위한 입출력부(20)와; 상기 입출력부(20)에 대해 병렬로 배열되는, 테스트용 반도체 소자를 장착하기 위한 다수개의 예를 들면, 16M DRAM의 경우 144개의 번인용 소켓(30)과; 상기 번인용 소켓(30) 및 입출력부(20)사이에 접속되어 상기 번인용 소켓(30)에 일대일 대응하는, 상기 신호 입출력부(20)로부터의 신호를 상기 번인용 소켓(30)으로 전송하기 위한 신호 전송부(40)을 포함한다.

상기 입출력부(20)는 입출력 신호의 심한 파동을 방지하기 위한 10Ω 내지 15Ω의 댐핑(DAMPING) 저항(21R)과, 번인 스트레스 신호(Vih)의 입력단에 위치한 다이오드(21D, 22D)와, 1000pF정도의 노이즈 제거용 캐패시턴스(21C)로 구성된다.

상기 신호 전송부(40)는 상기 각 소켓(30)에 대응되는 복수 개의 신호전송수단으로 이루어지고, 각 신호전송수단은 아이솔레이션 저항(41R)과, 상기 아이솔레이션 저항(41R)에 병렬로 접속되며, 7pF정도의 반도체 소자의 입력 캐패시턴스와, 3pF정도의 신호전송라인상의 캐패시턴스 및 콘택 캐패시턴스의 합과 동일한 캐패시턴스, 즉, 약 10PF정도의 캐패시턴스를 갖는 접속용 캐패시턴스(41C)로 구성된다.

종래의 TDBI 시스템은 144개의 반도체 메모리소자에 동일한 신호를 동시에 인가할 수 있으므로, 144개의 반도체 메모리소자를 번인 테스트하는 것이 가능케 한다.

그러나, 종래의 번인 테스트보다는 TDBI 시스템(10)으로부터 번인용 소켓 (30)에 장착된 반도체 소자로 테스트용 신호가 인가되어 질 때, 약 10ns의 TDBI 시스템 내에서의 지연과, 신호 입출력부(20)에서의 지연 및 신호 전송부(40)상에서의 지연 그리고 타임 스큐(Time Skew)가 발생하여, 아래와 같은 지연 시간을 갖게 된다.

16M의 반도체 메모리 소자를 번인 테스트할 경우, 신호 입력부(20)에서는 최대 15×1000pF, 즉 i5ns의 지연시간을 갖으며, 신호 전송부(40)상에서는 {1[1(1/680)×144)]×(10pF×144)}, 즉 6.8ns의 지연 시간을 갖고 타임 스큐는 10ns정도이다.

따라서, TDBI 시스템으로부터 신호가 번인테스트 보드에 인가되어 테스트되어질 경우에 있어서 총 지연시간은 10ns + 15ns + 6.8ns +10ns, 약 42ns정도가 된다.

본 발명은 상기한 바와 같은 종래 기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 소켓을 분할접속하여 구동하여 줌으로써, 번인 테스트시 TDBI 시스템으로부터 번인 테스트보드로의 신호전달시 시간 지연을 감소시킴으로써, 롱 사이클(Long Cycle)의 번인 테스트를 쇼트 사이클(Short Cycle) 테스트로서 가능하게 하는 번인 테스트 보드를 제공하는 것을 목적으로 한다.

제1도는 일반적인 번인 테스트 보드의 등가 회로도.

제2도는 본 발명에 따른 번인 테스트 보드의 등가 회로도.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명

10 : TDBI 시스템 20, 200 : 입출력부

201, … 212 : 입출력 수단 30 : 번인용 소켓

40, 400 : 신호 전송부 LIN410, … LIN412 : 신호전송수단

BIC : 버퍼 201C, 401C : 캐패시터

201D, 202D : 다이오드

상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명은 TDBI 시스템과의 신호전송을 위한 입출력부와, 상기 입출력부터의 신호를 다수개의 번인 소켓으로 동시에 전송하는 신호전송부를 포함하여, 상기 소켓에 장착된 반도체소자를 TDBI 시스템으로부터의 하나의 구동신호에 의해 번인 테스트를 수행하는 번인테스트 보드에 있어서, 상기 복수개의 소켓은 상기 TDBI 시스템에 대하여 소정의 개수만큼 분할 접속되며, 상기 입출력부는 상기 분할된 소켓 개수에 대응하여, 상기 TDBI 시스템에 병렬접속되어 상기 TDBI 시스템으로부터 구동신호를 입력하기 위한 다수의 입출력 수단을 구비하며, 상기 신호전송부는 상기 입출력부의 입출력수단 및 분할된 소켓에 일대일 대응하여, 상기 입출력수단과 소켓사이에 접속되는 신호전송수단을 구비하는 번인 테스트 보드를 제공하는 것을 특징으로 한다.

본 발명의 실시예에 있어서, 상기 입출력부의 각 입출력수단은 상기 TDBI 시스템에 접속된 버퍼와; 상기 버퍼에 연결된 저항과; 상기 저항에 연결되어 상기 번인 스트레스 신호를 인가하기 위한 다이오드들과; 상기 다이오드에 연결된, 상기 번인 스트레스신호의 노이즈 제거용 캐패시터로 이루어진다. 상기 저항은 약 10Ω의 저항값을 갖는다.

본 발명의 실시예에 있어서, 상기 신호전송부의 각 신호전송수단은, 상기 입출력부의 각 입출력수단에 접속된 아이솔레이션 저항과, 상기 아이솔레이션 저항에 병렬로 접속된 접속 캐패시터를 포함한다. 접속 캐패시터는 상기 신호전송부의 전송라인상의 캐패시턴스와, 소켓에 장착된 반도체 소자의 입력 캐패시턴스 및 반도체 소자와 소켓과의 접촉 캐패시턴스의 합과 동일한 캐패시턴스를 갖으며, 상기 아이솔레이션 저항은 분할 접속된 상기 번인 테스트용 소켓에 장착된 반도체 소자들중에서 페일이 발생하는 경우, 페일이 발생한 반도체 소자로부터의 이상 신호가 인접한 다른 반도체 소자로 전송되어지는 것을 방지하기 위한 것이다.

[실시예]

이하 첨부한 도면에 의거하여 본 발명의 바람직한 실시예를 자세히 설명하도록 한다.

제2도는 본 발명에 따른 번인 테스트용 보드의 등가 회로를 도시한다.

본 발명에 따른 번인 테스트 보드(100')는, TDBI 시스템(10)에 각각 병렬로 접속되며, 각각 TDBI 시스템과의 신호를 입출력하는 버퍼(BIC)와, 상기 버퍼의 출력에 연결된 약 10Ω정도의 저항(201R)과, 상기 저항(201R)에 접속된 번인 스트레스 신호(vih)의 안정적인 입력을 위한 다이오드(201D, 202D)와, 번인 스트레스 신호(vih)의 노이즈를 제거하기 위하여 다이오드(201D, 202D)에 병렬로 접속한 노이즈 제거용 캐패시터(201C)로 구성되는 복수개의 입출력 수단(201-212)을 구비한 입출력부(200)를 포함한다.

또한, 번인 테스트보드는 입출력부(200)의 각각의 입출력 수단(201-212)에 접속되며, 각각 아이솔레이션 저항(401R)과, 접속 캐패시터(401C)로 구성된 복수개의 신호전송수단(LIN401-LIN412)을 구비한 신호 전송부(400)와, 상기 신호전송부 (400)의 각 신호전송수단(LIN401, …, LIN412)에 일대일 대응하여 접속된 복수개의 번인 테스트용 소켓(300)으로 구성된다.

상기 각 신호전송수단(LIN401-LIN412)의 아이솔레이션 저항(401R)은 병렬로 접속된 소켓(30)에 장착된 번인 테스트용 반도체 소자들중에서 페일이 발생하는 경우, 페일이 발생한 반도체 소자로부터 발생되는 이상 신호가 다른 인접한 반도체 소자로 전송되어지는 것을 방지하기 위하여, 약 680Ω 정도의 크기의 저항값을 갖는다.

또한, 접속 캐패시터(401C)는, 약 7pF 정도의 반도체 소자의 입력 캐패시턴스와, 전송 라인상의 캐패시턴스 및 반도체 소자의 접속시 발생하는 3pF 정도의 캐패시턴스의 합과 동일한 크기, 즉, 약 10pF 정도의 캐패시턴스를 갖는다.

상기와 같은 구성을 갖는 번인 테스트 보드(100')는 하나의 TDBI 시스템(10)에 입출력부(20)의 12개의 버퍼(BIC)가 동시에 접속되어지며, 하나의 버퍼(BIC)에는 144개의 번인용 소켓(300)이 12개씩 분할되어 각각 접속되어지게 된다.

따라서 하나의 입출력 수단(201, …, 212)이 각각 12개의 번인 소켓에 장착된 반도체 소자를 번인 테스트 하게 된다. 즉, 하나의 TDBI 시스템(10)은 번인 테스트용 반도체 소자를 장착한 144개의 번인 테스트용 소켓(300)에 대응하며, 동일한 신호로 동시에 144개의 반도체 소자를 번인 테스트를 할 수 있다.

이때, TDBI 시스템(10)으로부터의 번인 테스트를 위한 신호를 입력으로하여 번인 테스트를 실시할 때, 번인 소켓을 12씩 분할하여 입력버퍼에 접속함으로써, 지연 요인이 되는 입출력 수단(201-212)내의 저항값은, 종래의 15Ω에 비하여 10Ω정도의 저항(201R)에 의해 약 5Ω정도 감소된다. 그러므로, 입출력수단(201-212)에서의 지연시간이 약 5ns정도 감소된다.

또한, 하나의 번인 스트레스 신호(Vih)가 인가되어 144개의 소켓에 장착된 반도체소자를 동시에 번인 테스트하는 경우에 있어서도, 신호 전송부(400)와 번인 테스트용 소켓(300)상에서 발생하는 지연은 하나의 입출력수단(201-212)에 12개의 반도체 소자가 각각 접속되어 있으므로 종래에 144개가 접속되어 있었던 경우보다, 타임 스큐가 감소하게 되어 지연 시간이 감소하게 된다.

따라서 종래의 경우보다 약 15ns정도의 트랜스미션 타임을 줄일 수 있으므로, 번인 테스트 사이클을 40％이상 감소시킬 수 있어 쇼트 사이클의 번인 테스트를 가능하게 된다.

상기한 바와 같은 본 발명에 따르면, 번인 시스템내 하나의 신호 구동단에 복수개의 버퍼 IC가 대응되도록 하고, 하나의 TDBI 시스템에 대하여 복수개의 소켓을 다수개씩 분할 접속하여 줌으로써, 번인 테스트시 번인 스트레스신호를 입력하는 입출력 수단에 접속된 번인 테스트용 반도체 소자의 개수를 줄여 타임 스큐를 감소시킬 수 있다.

또한, TDBI 시스템으로부터 신호를 버퍼를 통해 입력함으로써 0번인 테스트보드의 입력부에서의 저항값을 감소시켜 종래보다 지연시간을 단축할 수 있게 되므로, 번인 테스트를 쇼트 싸이클로 테스트를 실시할 수 있게 된다.

Claims

TDBI 시스템과의 신호전송을 위한 입출력부와, 상기 입출력부터의 신호를 다수개의 번인 소켓으로 동시에 전송하는 신호전송부를 포함하여, 상기 소켓에 장착된 반도체소자를 TDBI 시스템으로부터의 하나의 구동신호에 의해 번인 테스트를 수행하는 번인테스트 보드에 있어서, 상기 복수개의 소켓은 상기 TDBI 시스템에 대하여 소정의 개수만큼 분할 접속되며, 상기 입출력부는 상기 분할된 소켓 개수에 대응하여, 상기 TDBI 시스템에 병렬접속되어 상기 TDBI 시스템으로부터 구동신호를 입력하기 위한 다수의 입출력수단을 구비하며, 상기 신호전송부는 상기 입출력부의 입출력수단 및 분할된 소켓에 일대일 대응하여, 상기 입출력수단과 소켓사이에 접속되는 신호전송수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 번인 테스트 보드.
제1항에 있어서, 상기 입출력부의 각 입출력수단은 상기 TDBI 시스템에 접속된 버퍼와; 상기 버퍼에 연결된 저항과; 상기 저항에 연결되어 상기 번인 스트레스 신호를 인가하기 위한 다이오드들과; 상기 다이오드에 연결된, 상기 번인 스트레스신호의 노이즈 제거용 캐패시터로 이루어진 것을 특징으로 하는 번인 테스트 보드.
제2항에 있어서, 상기 저항은 약 10Ω의 저항값을 갖는 것을 특징으로 하는 번인 테스트 보드.
제1항에 있어서, 상기 신호전송부의 각 신호전송수단은, 상기 입출력부의 각 입출력수단에 접속된 아이솔레이션 저항과, 상기 아이솔레이션 저항에 병렬로 접속된 접속 캐패시터를 포함하는 것을 특징으로 하는 번인 테스트 보드.
제4항에 있어서, 접속 캐패시터는 상기 신호전송부의 전송라이상의 캐패시턴스와, 소켓에 장착된 반도체 소자의 입력 캐패시턴스 및 반도체 소자와 소켓과의 접속 캐패시턴스의 합과 동일한 캐패시턴스를 갖는 것을 특징으로 하는 번인 테스트 보드.
제4항에 있어서, 상기 아이솔레이션 저항은 분할 접속된 상기 번인 테스용 소켓에 장착된 반도체 소자들중에서 페일이 발생하는 경우, 페일이 발생한 반도체 소자로부터의 이상 신호가 인접한 다른 반도체 소자로 전송되어지는 것을 방지하기 위한 것임을 특징으로 하는 번인 테스트 보드.