KR100233234B1 - 공통 리던던시를 갖는 다극 다위치 마이크로웨이브 스위치 - Google Patents

공통 리던던시를 갖는 다극 다위치 마이크로웨이브 스위치 Download PDF

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Abstract

공통 리던던시(redundancy)를 갖는 다극 다위치 마이크로웨이브 스위치 시스템은 다수의 고전력 RF 전송 선로 스위치를 하나의 기구적 어셈블리로 통합시킬 수 있으면서도 고전력 RF 전송 선로 스위치의 각각에 리던던트 동작을 제공할 수 있는 능력을 시스템에 부여하는 혁신적이고 신규한 RF 스위치로 조작된다. 본 발명은 공통 리던던시를 갖는 단일 유니트의 멀티플-폴-(멀티플+1)-쓰로우[(N)P(N+1)T] 다극 다위치 마이크로웨이브 스위치 시스템을 형성하기 위해 3개 또는 그 이상의 싱글-폴-더블-쓰로우[SPDT] 스위치와 하나의 싱글-폴-멀티플-쓰로우[SPMT] 스위치의 상호접속능력을 조합한다. 다중 다위치 마이크로웨이브 스위치 시스템은 스위칭 기구의 각각이 자신의 입력 및 출력 RF 커넥터와 함께 리던던트 RF 커넥터에 병렬을 이루면서 방사상으로 공통 접속되도록 함으로써 상당히 많은 리던던시를 달성한다. 입력 및 출력 커넥터의 각각의 세트가 리던던트 커넥터에 공통적으로 그리고 병렬로 접속되므로, 스위치의 수는 리던던트 RF 커넥터와 통합될 수 있는 자신의 입력 및 출력 RF 커넥터와 함께 수치적으로 또는 물리적으로 제한되지 않는다. 따라서, 본 발명은 3P4T, 4P5T, 5P6T, 6P7T, 7P8T등의, 다양한 멀티플-폴-(멀티플+1)-쓰로우 다극 다위치 마이크로웨이브 스위치 시스템의 패키징을 가능하게 한다.

Description

공통 리던던시를 갖는 다극 다위치 마이크로웨이브 스위치
본 발명은 다수의 고전력 RF 전송 선로 스위치를 하나의 기구적 어셈블리(mechanical assembly)로 통합하면서도 고전력 RF 전송 선로 스위치의 각각에 리던던트 동작(redundant operation)을 제공할 수 있는 능력을 시스템에 부여하는 다극 다위치 마이크로웨이브 스위치 시스템(multipole multiposition microwave switch system)의 혁신적이고 신규한 시스템에 관한 것이다.
더욱 더 상세하게는, 단일 유니트의 멀티플 - 폴 - (멀티플+1) - 쓰로우 (multiple - pole - (multiple+1) - throw) (이하, 간단히 "(N)P(N+1)T"이라 함) 다극 다위치 마이크로웨이브 스위치 시스템을 형성하기 위해, 특히 3개 또는 그 이상의 싱글 - 폴 - 더블 - 쓰로우 (single - pole - double - throw) (이하, 간단히 "SPDT"라 함) 스위치와 하나의 싱글 - 폴 - 멀티플 - 쓰로우 (이하, 간단히 "SPMT"라 함) 스위치의 상호접속능력(connectibility)을 조합하는 기술에 관한 것이다.
상기 SPMT라는 용어는 문자 "M" 이 주어진 스위치내의 쓰로우(throw)의 수를 나타내고 있기 때문에, SPDT, 싱글 - 폴 - 쓰리 - 쓰로우 (이하, 간단히 "SP3T"라 함), 싱글 - 폴 - 포 - 쓰로우 (이하, 간단히 "SP4T"라 함), 싱글 - 폴 - 파이브 - 쓰로우 (이하, 간단히 "SP5T"라 함) 따위 중에서 어느 하나를 지칭할 것이다. 마찬가지로, 문자 "N" 역시 동축 접속 유니트(coaxial connecting units)의 수를 식별하기 위한 변수를 나타낼 것이다.
일반적으로, RF 동축 스위치는 송신기와 수신기의 사이에서 하나의 안테나를 스위칭하기 위한 송수신 스위치용 및 다수의 전달 목적(transfer purpises)용으로 사용된다. 상기 각각의 송수신 스위치는 흔히 리던던트 시스템(redundant system)으로서 전송 및 수신하기 위해 백업 수단과 함께 사용된다. 복잡한 동작을 수용하기 위해 백업장치들과 함께 송수신 스위치의 수가 증가될때, 여러개의 SPDT 스위치가 하나의 SPMT 스위치와 함께 조합된다. 이러한 조합의 한 예가 하나의 SP4T 스위치에 연결된 4개의 개별적인 SPDT로 된 하나의 그룹일 수 있다. 이 경우 상기 SPDT 의 수가 증가될때, 외부 열결의 수가 급격하게 증가된다.
상기한 바와 같은 종래의 경우, 금속 하우징의 외부에서 연결의 수가 증가될 때 및 시스템에 의해 운송되는 신호의 주파수가 더 높이 상승될 때, 액티브 채널에 대해 최적의 임피던스 정합을 유지하여 신호들간의 낮은 간섭과, 낮은 전압 지속 파형비(VSWR: Voltage Standing Wave Ratio)를 얻기가 점점 더 어렵게 된다. 아울러 비사용 채널들에 대해 여전히 양호한 아이솔레이션(isolation) 유지하면서 적당한 RF 전압 및 RF 전력 처리 능력을 유지하는 것 또한 점점 더 어렵게 된다.
본 발명은 상기한 바와 같은 종래의 문제점들을 해결하기 위해 안출된 것으로서, 다수의 고전력 RF 전송 선로 스위치들을, 제어되는 하우징 어셈블리(housing assembly)내에 단일의 기구적인 어셈블리로 통합시킬 뿐만아니라, 고전력 RF 전송 선로 스위치의 각각에 대해 리던던트 동작을 제공할 수 있는 능력을 부여하는 다극 다위치 마이크로웨이브 스위치 시스템을 제공함에 그 목적을 두고 있다.
도 1은 여러개의 SPDT 스위치와 하나의 SPMT 스위치를 조합한 종래기술을 도시하는 개략도.
도 2는 더블-폴 쓰리-쓰로우[2P3T]의 종래기술을 도시하는 개략도.
도 3은 4P5T의 다극 다위치 마이크로웨이브 스위치 시스템의 저면도.
도 4는 4P5T의 다극 다위치 마이크로웨이브 스위치 시스템의 측면도.
도 5는 4P5T의 다극 다위치 마이크로웨이브 스위치 시스템의 평면도.
도 6은 4P5T의 다극 다위치 마이크로웨이브 스위치 시스템의 개략도.
도 7은 3P5T의 다극 다위치 마이크로웨이브 스위치 시스템의 간략화된 회선 개략도.
도 8은 상응하는 접속편을 사용하여 RF 스위치의 각각과 제어 스위치의 각각을 제어하기 위한 수단에 대한 간략화된 횡단면도.
도 9는 4P5T의 다극 다위치 마이크로웨이브 스위치 시스템의 간략화된 회선 개략도.
도 10 은 5P6T의 다극 다위치 마이크로웨이브 스위치 시스템의 간략화된 회선 개략도.
도 11은 5P6T의 다극 다위치 마이크로웨이브 스위치 시스템의 측면도.
도 12는 5P6T의 다극 다위치 마이크로웨이브 스위치 시스템의 평면도.
도 13은 4P5T의 다극 다위치 마이크로웨이브 스위치 시스템의 개략도.
도 14는 6P7T의 다극 다위치 마이크로웨이브 스위치 시스템의 간략화된 회선 개략도.
도 15는 4P5T의 다극 다위치 마이크로웨이브 스위치 시스템의 사시도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *
105 : 하우징
101 : 다극 다위치 마이크로웨이브 스위치 시스템
107 : 제 1 RF 입력 커넥터 109 : 제 1 RF 출력 커넥터
111 : 제 2 RF 입력 커넥터 113 : 제 2 RF 출력 커넥터
115 : 제 3 RF 입력 커넥터 117 : 제 3 RF 출력 커넥터
119 : 제 4 RF 입력 커넥터 121 : 제 4 RF 출력 커넥터
123 : 리던던트 RF 커넥터 125 : 제 1 RF 스위치
127 : 제 2 RF 스위치 129 : 제 3 RF 스위치
133 : 제 1 접속편 135 : 제 2 접속편
137 : 제 3 접속편 139 : 제 4 접속편
141 : 제 1 제어 스위치 143 : 제 2 제어 스위치
145 : 제 3 제어 스위치 147 : 제 4 제어 스위치
149 : 제 1 단부 151 : 제 2 단부
153 : 중앙부 155 : 지지체
165 : 제 5 제어 스위치 167 : 제 5 RF 출력 커넥터
169 : 제 5 RF 스위치 171 : 제 5 RF 입력 커넥터
173 : 제 6 제어 스위치 175 : 제 6 RF 출력 커넥터
177 : 제 6 RF 스위치 179 : 제 6 RF 입력 커넥터
본 발명은 다수의 고전력 RF 전송 선로 스위치를 하나의 기구적인 어셈블리로 통합시킬 수 있으면서도 고전력 RF 전송 선로 스위치의 각각에 대해 리던던트 동작을 제공할 수 있는 능력을 시스템에 부여하는 다극 다위치 마이크로웨이브 스위치 시스템의 신규하면서 혁신적인 시스템을 제공한다.
본 발명은 고주파 RF 상호접속의 대부분이 우수한 차폐를 제공하는 제어된 하우징 어셈블리 내부에서 이루어지기 때문에 신호들간의 낮은 간섭을 얻을 수 있다.
본 발명은 또한 제어된 하우징 어셈블리 내부에의 상호접속이 커넥터 인터페이스가 아닌 하드 와이어링(hard wiring)에 의해 이루어지도록 하므로써, 각각의 고주파 RF 상호접속간에 저전압손실 및 저전력손실을 획득할 수 있다.
본 발명의 제 1 실시예는 발명의 모든 구성요소들을 둘러싸는 하우징을 포함한다. 이 하우징은 어떠한 외부 전자기 간섭으로 부터도 신호를 보호하는 전기 차폐 기능을 한다.
제 1 실시예는 3개의 SPDT 스위치에 리던던시(redundancy)를 제공하기 위해 3개의 SPDT 스위치와 하나의 다른 SP3T 를 조합한다. 그러므로, 본 실시예의 다극 다위치 마이크로웨이브 스위치 시스템은 제 1 RF 입력 커넥터, 제 2 RF 입력 커넥터 및 제 3 RF 입력 커넥터로서 식별되는 3개의 RF 입력 커넥터 세트를 포함한다. 이러한 3개의 RF 입력 커넥터는 상기 하우징의 외부로 돌출되어 하우징의 외부에서 연결이 이루어지도록 한다. 이러한 3개의 RF 입력 커넥터는 RF 신호들이 상응하는 RF 출력 커넥터로 중계되도록 상기 하우징내로 인입되는 곳이다.
상기 하우징은 또한 제 1 RF 출력 커넥터, 제 2 RF 출력 커넥터 및 제 3 RF 출력 커넥터로서 식별되는 3개의 RF 출력 커넥터 세트를 포함한다. 상기 3개의 RF 입력 커넥터들로 부터의 신호는 상기 하우징의 외부로 전송되도록 상응하는 3개의 RF 출력 커넥터들로 중계된다.
상기 3개의 RF 입력 커넥터와 3개의 RF 출력 커넥터 사이의 중계 메카니즘(relay mechanism)은 3개의 RF 스위치이다. 제 1 RF 스위치는 제 1 RF 입력 커넥터와 제 1 RF 출력 커넥터의 사이에 연결되고, 제 2 RF 스위치는 제 2 RF 입력 커넥터와 제 2 RF 출력 커넥터의 사이에 연결되며, 제 3 RF 스위치는 제 3 RF 입력 커넥터와 제 3 RF 출력 커넥터의 사이에 연결된다. 상기 3개의 RF 스위치의 각각은 제어 유니트로 부터 명령을 받도록 설계된다.
본 실시예에서, 상기 제어 유니트는 상기 하우징 내에 내장될 수도 있고 하우징 외부에 위치될 수도 있다.
상기 하우징은 또한 리던던트 RF 입력 장치로 식별되는 공통 RF 입력 커넥터를 포함한다. 이러한 리던던트 RF 입력 장치를 통해 사용자는 RF 출력 커넥터의 각각에 대해 2차 RF 신호를 입력할 수 있게 된다. 이 연결 지점(connecting point)은 통상적으로 RF 출력 커넥터간에 공유된다.
상기 리던던트 RF 입력 장치와 상기 각각의 RF 출력 커넥터 사이의 중계 메카니즘(relay mechanism)은 3개의 제어 스위치이다. 제 1 제어 스위치는 리던던트 RF 입력 장치와 제 1 RF 출력 커넥터의 사이에 연결되고, 제 2 제어 스위치는 리던던트 RF 입력 장치와 제 2 RF 출력 커넥터의 사이에 연결되며, 제 3 제어 스위치는 리던던트 RF 입력 장치와 제 3 RF 출력 커넥터의 사이에 연결된다. 3개의 제어 스위치의 각각은 제어 유니트로 부터 명령을 받도록 설계된다. 본 발명의 중요한 특징은 이러한 제어 스위치가 방사상으로 배치되어 병렬 연결을 이루고 리던던트 RF 입력 커넥터에 공통 연결점(common point)을 갖는다는 점이다. 이로써 3P4T 다극 다위치 마이크로웨이브 스위치 시스템이 형성된다.
이들 제어 스위치가 방사상으로 배치되어 병렬 접속을 이루고 리던던트 RF 입력 커넥터에 공통 연결점을 갖기 때문에, 본 시스템은 RF 입력 커넥터, RF 출력 커넥터, RF 스위치 및 제어 스위치로 된 추가 세트를 구비시키되, 상기 RF 스위치를 상기 RF 입력 커넥터와 RF 출력 커넥터의 사이에 연결시키고 상기 제어 스위치를 상기 리던던트 RF 입력 커넥터와 RF 출력 커넥터의 사이에 연결시킴으로써 스위칭 용량을 용이하게 증가시킬 수 있다.
이러한 추가 세트의 각각이 리던던트 RF 입력 장치의 둘레에 방사상으로 그리고 병렬로 배열됨에 따라, (N)P(N+1)T 다극 다위치 마이크로웨이브 스위치 시스템을 얻게 된다. 그러므로, 처음으로 3P4T, 4P5T, 5P6T, 6P7T, 7P8T 및 그 이상의 스위치를 갖는 것들이 하나의 패키징내에서 가능하게 된다.
본 발명의 제 2 실시예는 각각의 RF 스위치와 각각의 제어 스위치에 명령하고 각각의 RF 스위치와 각각의 제어 스위치를 개별적으로 제어할 수 있는 수단을 더 포함한다. 각각의 RF 스위치와 각각의 제어 스위치에 명령하는 상기 수단은 하우징내에 수용될 수도 있고 하우징 외부에 별도로 패키징될 수도 있다.
본 발명의 제 3 실시예는 또한 2개의 단부를 갖는 다수의 접속편을 포함한다. 각각의 접속편은 각각의 단부(end)가 피봇(pivot)을 중심으로한 회동이 자유롭도록 접속편의 중앙부를 중심으로 피봇되는 2개의 단부를 갖는다. 상기 접속편은 접속편 일단의 어떠한 움직임도 반대 방향에 있는 타단에 의해 반작용되도록 접속편의 중앙부를 중심으로 피봇된다.
본 발명의 제 3 실시예 또한 접속편의 각각에 명령하기 위한 수단을 포함하며, 상기 접속편의 각각은 대응하는 RF 스위치 및 제어 스위치를 제어할 것이다. 상기 각 접속편이 그에 대응하는 RF 스위치와 제어 스위치의 사이에 배치되도록 하므로서, 접속편을 토글링하기 위한 단일 명령으로 상기 대응하는 RF 스위치 및 제어 스위치가 적절히 전기적 연결을 이루도록 하거나 또는 단절시킬 수 있게 한다.
참고적으로, 본 발명 기술분야의 종래기술은 앞에서 설명한 바와 같이, 여러개의 SPDT 스위치와 하나의 SPMT 스위치를 조합할 때, SPDT 의 수가 증가될 때 외부 연결의 수가 급격히 증가될 뿐만아니라, 금속 하우징 외부에서 연결의 수가 증가될 때 및 시스템에 의해 운송되는 신호의 주파수가 상승될 때 액티브 채널에 대해 최적의 임피던스 정합을 유지하기가 매우 어려워 신호들간의 낮은 간섭 및 낮은 전압 지속 파형비의 획득이 어려우며, 비사용 채널에 대해 여전히 양호한 아이솔레이션을 유지하면서 적합한 RF 전압 및 RF 전력 처리 성능을 유지하는 것이 매우 어렵다.
그러나, 본 발명은 종래기술과는 달리, SPDT 와 SPMT의 사이에 어떠한 외부 접속도 필요로 하지 않기 때문에, 액티브 채널에 대해 최적화된 임피던스 정합을 유지하기가 보다 용이해지고, 신호들간의 낮은 간섭을 획득하기가 더욱 쉬워진다. 또한, 요구되는 커넥터의 수가 감소되므로, 전압손실이 경감되고, 이로써 RF 전력 처리 효율이 향상된다.
한편, 본 발명 기술분야의 다른 종래기술로서 더블-폴-쓰리플-쓰로우(2P3T)를 갖는 것이 있는데, 이러한 구성은 스위치가 리던던트 RF 커넥터와 직렬로 배치되므로 2P3T 의 스위칭 성능에 한계를 갖게 된다.
그러나 이와 달리, 본 발명의 다극 다위치 마이크로웨이브 스위치 시스템에서는 스위치들을 상기 리던던트 RF 커넥터를 중심으로 병렬 및 방사상으로 배치시킨다. 즉, 스위칭 기구의 각각이 자신의 입력 및 출력 RF 커넥터와 함께 상기 리던던트 RF 커넥터에 병렬을 이루면서 방사상으로 공통 접속되기 때문에, 그러한 스위치의 수는 입력 및 출력 RF 커넥터와 함께 물리적으로 제한되지 않는다.
따라서, 본 발명은 3P4T, 4P5T, 5P6T, 6P7T, 7T8P 또는 그 이상의 스위치를 갖는 것 등의, 다양한 (N)P(N+1)T 다극 다위치 마이크로웨이브 스위치 시스템의 단일 패키징을 가능하게 된다.
본 발명의 또다른 장점은 기존의 장치들을 현저하게 간략화한다는 점이다. 즉, 다수의 SPDT들이 본 발명에 의해 하나의 패키징내에 조합될 수 있다. 이러한 특징은 시스템이 설계의 간략화로 인해 더 높은 스위칭 주파수를 요구하고 다수의 채널간에 공유된 하나의 리던던트 접속이 시스템 고장의 가능성을 경감시키는 경우에 특히 중요하게 된다. 더우기, 본 발명은 스위치간의 배선이 불필요하므로 오퍼레이터의 귀중한 시간을 절감시킬 수 있다.
본 발명의 상기한 특징 및 장점과 그 외의 특징 및 장점은 다음의 상세한 설명, 첨부된 특허청구의 범위 및 도면을 참고하여 명확히 이해될 수 있을 것이다.
도 3, 도 4 및 도 5는 각각 다극 다위치 마이크로웨이브 스위치 시스템(101)의 밑면도, 측면도 및 평면도를 도시한다. 도 3 및 도 4는 다극 다위치 마이크로웨이브 스위치 시스템(101)의 하우징(105)에 돌출되어 있는 스탠더드(standard) "D" 형 커넥터(103)를 도시한다. 스탠더드 "D" 형 커넥터(103)는 다극 다위치 마이크로웨이브 스위치 시스템(101)내의 다수의 스위치들의 스위칭하는 제어 명령을 운송한다.
도 3, 도 4 및 도 5는 다극 다위치 마이크로웨이브 스위치 시스템(101)의 4P5T 실시예의 외관도이다. 본 실시예는 제 1 RF 입력 커넥터(107)와 제 1 RF 출력 커넥터(109), 제 2 RF 입력 커넥터(111)와 제 2 RF 출력 커넥터(113), 제 3 RF 입력 커넥터(115)와 제 3 RF 출력 커넥터(117), 제 4 RF 입력 커넥터(119)와 제 RF 출력 커넥터(121), 및 리던던트 RF 입력 커넥터(123)를 포함한다.
도 6은 4P5T 의 다극 다위치 마이크로웨이브 스위치 시스템(101)의 개략도이다. 본 개략도는 다극 다위치 마이크로웨이브 스위치 시스템(101)의 간략함을 나타내고 있다.
본 개략도에 도시된 바와 같이, 제 1 RF 입력 커넥터(107)는 제 1 RF 스위치(125)에 연결되고, 제 2 RF 입력 커넥터(111)는 제 2 RF 스위치(127)에 연결되며, 제 3 RF 입력 커넥터(115)는 제 3 RF 스위치(129)에 연결되고, 제 4 RF 입력 커넥터(119)는 제 4 RF 스위치(131)에 연결된다. 마찬가지로, 제 1 RF 출력 커넥터(109)는 제 1 접속편(133)에 접속되고, 제 2 RF 출력 커넥터(113)는 제 2 접속편(135)에 접속되며, 제 3 RF 출력 커넥터(117)는 제 3 접속편(137)에 접속되고, 제 4 RF 출력 커넥터(121)는 제 4 접속편(139)에 접속된다.
리던던트 RF 입력 커넥터(123)는 제 1 제어 스위치(141), 제 2 제어 스위치(143), 제 3 제어 스위치(145) 및 제 4 제어 스위치(147)에 공통적으로 그리고 병렬로 접속된다. 리던던트 RF 입력 커넥터(123)가 제 1 제어 스위치(141), 제 2 제어 스위치(143), 제 3 제어 스위치(145) 및 제 4 제어 스위치(147)에 공통적으로 그리고 병렬로 접속되기 때문에, 리던던트 RF 입력 커넥터(123)에 의해 제공된 하나의 외부 접속 지점이 제 1 제어 스위치(141), 제 2 제어 스위치(143), 제 3 제어 스위치(145) 및 제 4 제어 스위치(147)의 각각에 리던던트 전기 경로를 제공할 수 있음을 알 수 있다.
접속편(133, 135, 137, 139)가 이들 접속편에 대응하는 RF 스위치(125,127,129,131)와 제어 스위치(141, 143, 145, 147)의 사이에서 토글(toggle)될 때, RF 입력 커넥터(107, 111, 115, 119)에 의해 운송된 각각의 전기 입력은 단일 리던던트 RF 입력 커넥터(123)에 의해 대응하는 RF 출력 커넥터(109, 113, 117, 121)로 전송될 수 있다.
도 7은 다른 실시예의 다극 다위치 마이크로웨이브 스위치 시스템(101), 즉 3P4T 시스템의 간략화된 회선 개략도이다. 제 1 접속편(133), 제 2 접속편(135) 및 제 3 접속편(137)가 개략도의 간략화를 위해 도시되지 않았지만, 본 발명의 가장 단순한 형태가 전체적으로 예시되어 있다. 도 7로 부터 리던던트 RF 입력 커넥터(123)가 3개의 제어 스위치(141, 143, 145)의 각각에 공통 접속 및 직렬 접속되어 있음을 알 수 있다.
도 8은 대응하는 접속편(133, 135, 137, 139)의 사용에 의해 RF 스위치(125, 127, 129, 131)의 각각 및 제어 스위치(141, 143, 145, 147)의 각각을 제어하기 위한 수단에 대한 간략화된 횡단면도이다. 도 8에 도시된 바와 같이, 제 1 RF 입력 커넥터(107), 제 1 RF 출력 커넥터(109) 및 리던던트 RF 입력 커넥터(123)는 상기 하우징(105)의 외부로 돌출되어 있다.
제 1 제어 스위치(141)는 2개의 단부를 포함하며, 한 단부는 리던던트 RF 입력 커넥터(123)와 전기 접촉을 이룰 수 있고 다른 단부는 제 1 RF 출력 커넥터(109)와 전기 접속을 이룰 수 있다. 상기 제 1 제어 스위치(141)는 제 1 제어 스위치(141)의 두 단부가 리던던트 RF 입력 커넥터(123) 및 제 1 RF 출력 커넥터(109)와 전기적 접촉시 리던던트 RF 입력 커넥터(123)와 제 1 RF 출력 커넥터(109) 사이에 전기 회로가 형성되도록 전기 전도성 물질로 구성된다.
상기 제 1 RF 스위치(125)는 2개의 단부를 포함하며, 한 단부는 제 1 RF 입력 커넥터(107)와 전기적 접촉을 이룰 수 있고 다른 단부는 제 1 RF 출력 커넥터(109)와 전기적 접촉을 이룰 수 있다. 제 1 RF 스위치(125)는 제 1 RF 스위치(125)의 두 단부가 제 1 RF 입력 커넥터(107) 및 제 1 RF 출력 커넥터(109)와 전기적 접촉시 제 1 RF 입력 커넥터(107)와 제 1 RF 출력 커넥터(109) 사이에 전기 회로가 형성되도록 전기 전도성 물질로 구성된다.
도 8에 도시된 바와 같이, 제 1 접속편(133)는 제 1 제어 스위치(141)와 제 1 RF 스위치(125)의 사이에 위치된다. 제 1 접속편(133)는 제 1 접속편의 제 1 단부(149), 제 1 접속편의 제 2 단부(151) 및 제 1 접속편의 중앙부(153)를 포함한다. 상기 제 1 접속편의 제 1 단부(149)는 제 1 RF 스위치(125)로 부터의 연장부에 밀착되고, 상기 제 1 접속편의 제 2 단부(151)는 제 1 제어 스위치(141)로 부터의 연장부에 밀착되며, 상기 제 1 접속편의 중앙부(153)는 하우징(105)에 고정 부착되는 제 1 접속편 지지체(155) 상에 피봇식으로 힌지(hinge)된다.
상기 제 1 접속편 제 1 단부(149)용의 제 1 솔레노이드(157)와 제 2 단부(151)용의 제 2 솔레노이드(159), 및 상기 제 1 접속편(133)용의 영구자석(161)은 제 1 접속편 지지체(155)에 대향되게 위치된다. 조작자는 제 1 접속편의 제 1 단부(149)용의 제 1 솔레노이드(157) 또는 제 1 접속편의 제 2 단부(151)용의 제 2 솔레노이드(159)중의 하나에 전류를 선택적으로 전송함으로써 제 1 접속편의 제 1 단부(149)와 제 1 접속편의 제 2 단부(151)의 토글링을 제어할 수 있다. 상기 제 1 접속편(153)의 중앙부(153)가 제 1 접속편 지지체(155) 상에 회전가능하게 피봇되므로, 제 1 접속편(133)는 전후로 시소(seesaw)운동을 할 것이고, 이로써 제 1 RF 스위치(125)와 제 1 제어 스위치(141)의 온(on) 및 오프(off)가 가능하게 된다.
도 9는 도 3, 4, 5 및 6 에 도시된 4P5T 의 다극 다위치 마이크로웨이브 스위치 시스템(101)의 간략화된 회선 개략도이다. 도 7과 마찬가지로, 제 1 접속편(133), 제 2 접속편(135), 제 3 접속편(137) 및 제 4 접속편(139)는 개략도의 간략화를 위해 도시되어 있지 않다. 도 9로 부터 리던던트 RF 입력 커넥터(123)가 4개의 제어 스위치(141, 143, 145, 147)의 각각에 공통적으로 그리고 직렬로 접속되어 있음을 알 수 있다.
도 10은 5P6T 의 다극 다위치 마이크로웨이브 스위치 시스템(101)의 간략화된 회선 개략도이다. 도 7 및 도 9와 마찬가지로, 제 1 접속편(133), 제 2 접속편(135), 제 3 접속편(137), 제 4 접속편(139) 및 제 5 접속편(163: 도 13에 도시됨)는 개략도의 간략화를 위해 도시되어 있지 않다. 도 10으로 부터 리던던트 RF 입력 커넥터(123)가 4개의 제어 스위치(141, 143, 145, 147) 및 제 5 제어 스위치(165)의 각각에 공통 접속적으로 그리고 직렬로 접속됨을 알 수 있다. 제 5 제어 스위치(165)는 리던던트 RF 입력 커넥터(123)와 제 5 RF 출력 커넥터(167) 사이를 접속시킨다. 또한, 제 5 RF 스위치(169)는 제 5 RF 출력 커넥터(167)와 제 5 RF 입력 커넥터(171) 사이를 연결시킨다.
도 11 및 도 12에는 각각 5P6T 의 다극 다위치 마이크로웨이브 스위치 시스템(101)의 측면도 및 평면도가 도시되어 있다. 도 11 및 도 12에는 다극 다위치 마이크로웨이브 스위치 시스템(101)의 외부로 돌출하는 스탠더드 "D" 형 커넥터(103)가 도시되어 있다. 스탠더드 "D" 형 커넥터(103)는 다극 다위치 마이크로웨이브 스위치 시스템(101)내의 다수의 스위치의 스위칭을 제어하기 위한 제어 명령을 운송한다.
5P6T 의 실시예는 제 1 RF 입력 커넥터(107)와 제 1 RF 출력 커넥터(109), 제 2 RF 입력 커넥터(111)와 제 2 RF 출력 커넥터(113), 제 3 RF 입력 커넥터(115)와 제 3 RF 출력 커넥터(117), 제 4 RF 입력 커넥터(119)와 제 4 RF 출력 커넥터(121), 제 5 RF 입력 커넥터(171)와 제 5 RF 출력 커넥터(167), 및 리던던트 RF 입력 커넥터(123)를 포함한다.
도 13은 5P6T 의 다극 다위치 마이크로웨이브 스위치 시스템(101)의 개략도이다. 도 13에는 도 6에 도시된 소자외에 제 5 접속편(163), 제 5 제어 스위치(165), 제 5 RF 출력 커넥터(167), 제 5 RF 스위치(169) 및 제 5 RF 입력 커넥터(171)가 도시되어 있다.
도 14는 6P7T 의 다극 다위치 마이크로웨이브 스위치 시스템(101)의 간략화된 회선 개략도이다. 상기 도 7, 도 9 및 도 10과 마찬가지로, 제 1 접속편(133), 제 2 접속편(135), 제 3 접속편(137), 제 4 접속편(139), 제 5 접속편(163), 제 6 접속편은 개략도의 간략화를 위해 도시되어 있지 않다.
도 14로 부터, 리던던트 RF 입력 커넥터(123)가 5개의 제어 스위치(141, 143, 145, 147, 165)의 각각 및 제 6 제어 스위치(173)에 공통적으로 그리고 병렬로 접속되어 있음을 알 수 있다. 제 6 제어 스위치(173)는 리던던트 RF 입력 커넥터(123)와 제 6 RF 출력 커넥터(175) 사이를 연결시킨다. 또한, 제 6 RF 스위치(177)는 제 6 RF 출력 커넥터(175)와 제 6 RF 입력 커넥터(179) 사이를 연결시킨다.
같은 방법으로, 7P8T 마이크로웨이브 스위치 시스템(도시되지 않음)은, 상기 도 14의 구성에다 제 7 제어스위치, 제 7 RF 스위치, 제 7 RF 입력 커넥터 및 제 7 RF 출력 커넥터를 더 구비시키되, 상기 제 7 제어 스위치는 리던던트 RF 입력 커넥터와 상기 제 7 RF 출력 커넥터 사이에 연결시키고, 상기 제 7 RF 스위치는 상기 제 7 RF 출력 커넥터와 상기 제 7 RF 입력 커넥터 사이에 연결시키므로써, 쉽게 얻을 수 있다.
도 7, 9, 10 및 14에 도시된 바와 같이, 스위칭 기구의 각각이 자신의 입력 및 출력 RF 커넥터와 함께 리던던트 RF 커넥터(123)에 병렬을 이루면서 방사상으로 공통 접속되므로, 스위치의 수는 자신의 입력 및 출력 RF 커넥터와 함께 물리적으로 제한되지 않는다. 그러므로, 본 발명은 3P4T, 4P5T, 5P6T, 6P7T, 7P8T 및 그 이상의 스위치를 갖는 것과 같은 다양한 멀티플-폴-(멀티플+1)-쓰로우[(N)P(N+1)T] 다극 다위치 마이크로웨이브 스위치 시스템의 패키징이 가능하다.
도 15는 상기 4P5T 다극 다위치 마이크로웨이브 스위치 시스템(101)의 사시도로서, 본 발명이 전술한 바와 같이 패키징되어 간략화됨을 잘 나타내고 있다.
본 발명이 비록 특정 실시예를 참고로 상세하게 설명되기는 하였지만 다른 실시예도 가능하다. 예를들어, 다극 다위치 마이크로웨이브 스위치 시스템(101)은 접속편을 사용하지 않고서도 제어 스위치 및 RF 스위치의 각각을 스위칭하는 상이한 수단을 포함할 수 있다. 그리고, 그러한 수단은 상기 제어 스위치와 RF 스위치의 각각을 작동시키는 솔레노이드 그룹을 사용하여 실시할 수도 있다.
본 발명의 다른 실시예로는 도면에 도시된 것과 반대의 개념으로도 본 발명의 시스템을 구현할 수 있다. 즉, 상기 리던던트 RF 입력 커넥터(123) 대신에 RF 출력 커넥터에 리던던트 기능을 제공할 수도 있다. 그러므로, 첨부된 특허청구의 범위의 기술사상은 본 명세서에 바람직한 실시예로서 개시된 설명만으로 제한되어서는 안된다.
도 1에 도시되어 있는 본 기술분야의 종래기술과 본 발명을 비교해 보면, 종래의 경우는 도 1에 도시한 방식으로 여러개의 SPDT 스위치가 하나의 SPMT 스위치와 조합된다. 도 1에는 4개의 개별적인 SPDT 가 하나의 SP4T 스위치에 접속되어 있는 조합의 일례가 도시되어 있다. 하나의 SPMT 와 다수의 SPDT 의 이러한 조합이 갖는 한가지 문제점은 SPDT 의 수가 증가될때 외부 연결의 수가 급격히 증가된다는 점이다. 그리고, 금속 하우징 외부에서 연결의 수가 증가될 때 및 시스템에 의해 운송되는 신호의 주파수가 상승될 때, 액티브 채널에 대해 최적의 임피던스 정합을 유지하기가 매우 어렵다. 그러므로, 신호들간의 낮은 간섭 및 낮은 전압 지속 파형비의 획득이 용이하지 않게 된다. 또한, 비사용 채널에 대해 여전히 우수한 아이솔레이션을 유지하면서 적합한 RF 전압 및 RF 전력 처리 성능을 유지하는 것이 매우 어렵다.
한편, 다른 종래기술로는 더블-폴-쓰리플-쓰로우(2P3T)를 갖는 것이 있다. 그러나, 이러한 개념의 구성은 스위치가 리던던트 RF 입력 커넥터(123)와 직렬로 배치되므로 2P3T 의 스위칭 성능이 제한된다.
그러나, 본 발명은 도면에 도시된 바와 같이, (N)P(N+1)T 를 형성하기 위해 추가의 접속을 필요로 하지 않기 때문에, 액티브 채널에 대해 최적의 임피던스 정합을 유지하기가 더욱 용이해지고, 이로써 신호들간의 낮은 간섭을 획득하기가 더욱 쉬워진다. 또한, 요구되는 커넥터의 수가 감소되므로, 전압손실 또한 최소화되어 RF 전력 처리 효율이 향상된다.
한편, 도면에 도시된 바와 같이, 스위칭 기구의 각각이 자신의 입력 및 출력 RF 커넥터와 함께 리던던트 RF 입력 커넥터(123)에 병렬을 이루면서 방사상으로 공통 접속되므로, 스위치의 수는 입력 및 출력 RF 커넥터와 함께 물리적으로 제한되지 않는다. 그러므로, 본 발명은 3P4T, 4P5T, 5P6T, 6P7T, 7P8T 및 그 이상의 스위치를 갖는 것과 같은 다양한 멀티플-폴-(멀티플+1)-쓰로우((N)P(N+1)T)의 패키징이 가능하다.
또한, 본 발명은 구성을 현저하게 간략화하는 효과가 있다. 즉, 다수의 SPDT들이 본 발명에 의해 하나의 패키징내에 조합될 수 있다. 이러한 특징은 시스템이 설계의 간략화로 인해 더 높은 스위칭 주파수를 요구하고 다수의 채널간에 공유된 하나의 리던던트 접속이 시스템 고장의 가능성을 경감시킬때 특히 중요하게 된다. 더우기, 스위치간의 배선에 대한 필요성이 없기 때문에, 본 발명은 조작자의 시간을 덜 소요하게 하는 효과가 있다.

Claims (15)

  1. 공통 리던던시(redundancy)를 갖는 다극 다위치 마이크로웨이브 스위치 시스템에 있어서,
    하우징과;
    상기 하우징에 부착된 제 1 RF 입력 커넥터, 제 2 RF 입력 커넥터 및 제 3 RF 입력 커넥터와;
    상기 하우징에 부착된 제 1 RF 출력 커넥터, 제 2 RF 출력 커넥터 및 제 3 RF 출력 커넥터와;
    상기 제 1 RF 입력 커넥터와 상기 제 1 RF 출력 커넥터의 사이에 연결된 제 1 RF 스위치와;
    상기 제 2 RF 입력 커넥터와 상기 제 2 RF 출력 커넥터의 사이에 연결된 제 2 RF 스위치와;
    상기 제 3 RF 입력 커넥터와 상기 제 3 RF 출력 커넥터의 사이에 연결된 제 3 RF 스위치와;
    상기 하우징에 부착된 리던던트 RF 입력 수단과;
    상기 리던던트 RF 입력 수단과 상기 제 1 RF 출력 커넥터의 사이에 연결된 제 1 제어 스위치와;
    상기 리던던트 RF 입력 수단과 상기 제 2 RF 출력 커넥터의 사이에 연결된 제 2 제어 스위치와;
    상기 리던던트 RF 입력 수단과 상기 제 3 RF 출력 커넥터의 사이에 연결된 제 3 제어 스위치
    를 포함하는 다극 다위치 마이크로웨이브 스위치 시스템.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 하우징에 부착된 제 4 RF 입력 커넥터와;
    상기 하우징에 부착된 제 4 RF 출력 커넥터와;
    상기 제 4 RF 입력 커넥터와 상기 제 4 RF 출력 커넥터의 사이에 연결된 제 4 RF 스위치와;
    상기 리던던트 RF 입력 수단과 상기 제 4 RF 출력 커넥터의 사이에 연결된 제 4 제어 스위치
    를 더 포함하는 다극 다위치 마이크로웨이브 스위치 시스템.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 하우징에 부착된 제 5 RF 입력 커넥터와;
    상기 하우징에 부착된 제 5 RF 출력 커넥터와;
    상기 제 5 RF 입력 커넥터와 상기 제 5 RF 출력 커넥터의 사이에 연결된 제 5 RF 스위치와;
    상기 리던던트 RF 입력 수단과 상기 제 5 RF 출력 커넥터의 사이에 연결된 제 5 제어 스위치
    를 더 포함하는 다극 다위치 마이크로웨이브 스위치 시스템.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 하우징에 부착된 제 6 RF 입력 커넥터와;
    상기 하우징에 부착된 제 6 RF 출력 커넥터와;
    상기 제 6 RF 입력 커넥터와 상기 제 6 RF 출력 커넥터의 사이에 연결된 제 6 RF 스위치와;
    상기 리던던트 RF 입력 수단과 상기 제 6 RF 출력 커넥터의 사이에 연결된 제 6 제어 스위치
    를 더 포함하는 다극 다위치 마이크로웨이브 스위치 시스템.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 하우징에 부착된 제 7 RF 입력 커넥터와;
    상기 하우징에 부착된 제 7 RF 출력 커넥터와;
    상기 제 7 RF 입력 커넥터와 상기 제 7 RF 출력 커넥터의 사이에 연결된 제 7 RF 스위치와;
    상기 리던던트 RF 입력 수단과 상기 제 7 RF 출력 커넥터의 사이에 연결된 제 7 제어 스위치
    를 더 포함하는 다극 다위치 마이크로웨이브 스위치 시스템.
  6. 공통 리던던시를 갖는 다극 다위치 마이크로웨이브 스위치 시스템에 있어서,
    하우징과;
    상기 하우징에 부착된 제 1 RF 입력 커넥터, 제 2 RF 입력 커넥터 및 제 3 RF 입력 커넥터와;
    상기 하우징에 부착된 제 1 RF 출력 커넥터, 제 2 RF 출력 커넥터 및 제 3 RF 출력 커넥터와;
    상기 제 1 RF 입력 커넥터와 상기 제 1 RF 출력 커넥터의 사이에 연결된 제 1 RF 스위치와;
    상기 제 2 RF 입력 커넥터와 상기 제 2 RF 출력 커넥터의 사이에 연결된 제 2 RF 스위치와;
    상기 제 3 RF 입력 커넥터와 상기 제 3 RF 출력 커넥터의 사이에 연결된 제 3 RF 스위치와;
    상기 하우징에 부착된 리던던트 RF 입력 수단과;
    상기 리던던트 RF 입력 수단과 상기 제 1 RF 출력 커넥터의 사이에 연결된 제 1 제어 스위치와;
    상기 리던던트 RF 입력 수단과 상기 제 2 RF 출력 커넥터의 사이에 연결된 제 2 제어 스위치와;
    상기 리던던트 RF 입력 수단과 상기 제 3 RF 출력 커넥터의 사이에 연결된 제 3 제어 스위치와;
    각각의 상기 RF 스위치 및 각각의 상기 제어 스위치를 개별적으로 제어할 수 있는 각각의 상기 RF 스위치 및 각각의 상기 제어 스위치에 명령하기 위한 수단
    을 포함하는 다극 다위치 마이크로웨이브 스위치 시스템.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 하우징에 부착된 제 4 RF 입력 커넥터와;
    상기 하우징에 부착된 제 4 RF 출력 커넥터와;
    상기 제 4 RF 입력 커넥터와 상기 제 4 RF 출력 커넥터의 사이에 연결된 제 4 RF 스위치와;
    상기 리던던트 RF 입력 수단과 상기 제 4 RF 출력 커넥터의 사이에 연결된 제 4 제어 스위치
    를 더 포함하는 다극 다위치 마이크로웨이브 스위치 시스템.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 하우징에 부착된 제 5 RF 입력 커넥터와;
    상기 하우징에 부착된 제 5 RF 출력 커넥터와;
    상기 제 5 RF 입력 커넥터와 상기 제 5 RF 출력 커넥터의 사이에 연결된 제 5 RF 스위치와;
    상기 리던던트 RF 입력 수단과 상기 제 5 RF 출력 커넥터의 사이에 연결된 제 5 제어 스위치
    를 더 포함하는 다극 다위치 마이크로웨이브 스위치 시스템.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 하우징에 부착된 제 6 RF 입력 커넥터와;
    상기 하우징에 부착된 제 6 RF 출력 커넥터와;
    상기 제 6 RF 입력 커넥터와 상기 제 6 RF 출력 커넥터의 사이에 연결된 제 6 RF 스위치와;
    상기 리던던트 RF 입력 수단과 상기 제 6 RF 출력 커넥터의 사이에 연결된 제 6 제어 스위치
    를 더 포함하는 다극 다위치 마이크로웨이브 스위치 시스템.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 하우징에 부착된 제 7 RF 입력 커넥터와;
    상기 하우징에 부착된 제 7 RF 출력 커넥터와;
    상기 제 7 RF 입력 커넥터와 상기 제 7 RF 출력 커넥터의 사이에 연결된 제 7 RF 스위치와;
    상기 리던던트 RF 입력 수단과 상기 제 7 RF 출력 커넥터의 사이에 연결된 제 7 제어 스위치
    를 더 포함하는 다극 다위치 마이크로웨이브 스위치 시스템.
  11. 공통 리던던시를 갖는 다극 다위치 마이크로웨이브 스위치 시스템에 있어서,
    하우징과;
    상기 하우징에 부착된 제 1 RF 입력 커넥터, 제 2 RF 입력 커넥터 및 제 3 RF 입력 커넥터와;
    상기 하우징에 부착된 제 1 RF 출력 커넥터, 제 2 RF 출력 커넥터 및 제 3 RF 출력 커넥터와;
    상기 제 1 RF 입력 커넥터와 상기 제 1 RF 출력 커넥터의 사이에 연결된 제 1 RF 스위치와;
    상기 제 2 RF 입력 커넥터와 상기 제 2 RF 출력 커넥터의 사이에 연결된 제 2 RF 스위치와;
    상기 제 3 RF 입력 커넥터와 상기 제 3 RF 출력 커넥터의 사이에 연결된 제 3 RF 스위치와;
    상기 하우징에 부착된 리던던트 RF 입력 수단과;
    상기 리던던트 RF 입력 수단과 상기 제 1 RF 출력 커넥터의 사이에 연결된 제 1 제어 스위치와;
    상기 리던던트 RF 입력 수단과 상기 제 2 RF 출력 커넥터의 사이에 연결된 제 2 제어 스위치와;
    상기 리던던트 RF 입력 수단과 상기 제 3 RF 출력 커넥터의 사이에 연결된 제 3 제어 스위치와;
    제 1 단부, 제 2 단부 및 중앙부를 가지며, 상기 제 1 단부가 상기 제 1 RF 스위치에 부착되고 상기 제 2 단부가 상기 제 1 제어 스위치에 부착되도록 상기 제 1 RF 스위치와 상기 제 1 제어 스위치의 사이에 위치되며, 상기 제 1 단부의 어떠한 움직임도 반대 방향에 있는 상기 제 2 단부에 의해 반작용되도록 상기 중앙부를 중심으로 피봇되는 제 1 접속편과;
    제 1 단부, 제 2 단부 및 중앙부를 가지며, 상기 제 1 단부가 상기 제 2 RF 스위치와 접촉을 이룰 수 있고 상기 제 2 단부가 상기 제 2 제어 스위치와 접촉을 이룰 수 있도록 상기 제 2 RF 스위치와 상기 제 2 제어 스위치의 사이에 위치되며, 상기 제 1 단부의 어떠한 움직임도 반대 방향에 있는 상기 제 2 단부에 의해 반작용되도록 상기 중앙부를 중심으로 피봇되는 제 2 접속편과;
    제 1 단부, 제 2 단부 및 중앙부를 가지며, 상기 제 1 단부가 상기 제 3 RF 스위치와 접촉을 이룰 수 있고 상기 제 2 단부가 상기 제 3 제어 스위치와 접촉을 이룰 수 있도록 상기 제 3 RF 스위치와 상기 제 3 제어 스위치의 사이에 위치되며, 상기 제 1 단부의 어떠한 움직임도 반대 방향에 있는 상기 제 2 단부에 의해 반작용되도록 상기 중앙부를 중심으로 피봇되는 제 3 접속편과;
    각각의 상기 접속편을 명령하되, 자신의 상응하는 RF 스위치 및 제어 스위치를 제어하도록 명령하는 수단
    을 포함하는 다극 다위치 마이크로웨이브 스위치 시스템.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 하우징에 부착된 제 4 RF 입력 커넥터와;
    상기 하우징에 부착된 제 4 RF 출력 커넥터와;
    상기 제 4 RF 입력 커넥터와 상기 제 4 RF 출력 커넥터의 사이에 연결된 제 4 RF 스위치와;
    상기 리던던트 RF 입력 수단과 상기 제 4 RF 출력 커넥터의 사이에 연결된 제 4 제어 스위치와;
    제 1 단부, 제 2 단부 및 중앙부를 가지며, 상기 제 1 단부가 상기 제 4 RF 스위치와 접촉을 이룰 수 있고 상기 제 2 단부가 상기 제 4 제어 스위치와 접촉을 이룰 수 있도록 상기 제 4 RF 스위치와 상기 제 4 제어 스위치의 사이에 위치되며, 상기 제 1 단부의 어떠한 움직임도 반대 방향에 있는 상기 제 2 단부에 의해 반작용되도록 상기 중앙부를 중심으로 피봇되는 제 4 접속편과;
    상기 제 4 접속편을 제어하기 위한 수단
    을 더 포함 다극 다위치 마이크로웨이브 스위치 시스템.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 하우징에 부착된 제 5 RF 입력 커넥터와;
    상기 하우징에 부착된 제 5 RF 출력 커넥터와;
    상기 제 5 RF 입력 커넥터와 상기 제 5 RF 출력 커넥터의 사이에 연결된 제 5 RF 스위치와;
    상기 리던던트 RF 입력 수단과 상기 제 5 RF 출력 커넥터의 사이에 연결된 제 5 제어 스위치와;
    제 1 단부, 제 2 단부 및 중앙부를 가지며, 상기 제 1 단부가 상기 제 5 RF 스위치와 접촉을 이룰 수 있고 상기 제 2 단부가 상기 제 5 제어 스위치와 접촉을 이룰 수 있도록 상기 제 5 RF 스위치와 상기 제 5 제어 스위치의 사이에 위치되며, 상기 제 1 단부의 어떠한 움직임도 반대 방향에 있는 상기 제 2 단부에 의해 반작용되도록 상기 중앙부를 중심으로 피봇되는 제 5 접속편과;
    상기 제 5 접속편을 제어하기 위한 수단
    을 더 포함하는 다극 다위치 마이크로웨이브 스위치 시스템.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 하우징에 부착된 제 6 RF 입력 커넥터와;
    상기 하우징에 부착된 제 6 RF 출력 커넥터와;
    상기 제 6 RF 입력 커넥터와 상기 제 6 RF 출력 커넥터의 사이에 연결된 제 6 RF 스위치와;
    상기 리던던트 RF 입력 수단과 상기 제 6 RF 출력 커넥터의 사이에 연결된 제 6 제어 스위치와;
    제 1 단부, 제 2 단부 및 중앙부를 가지며, 상기 제 1 단부가 상기 제 6 RF 스위치와 접촉을 이룰 수 있고 상기 제 2 단부가 상기 제 6 제어 스위치와 접촉을 이룰 수 있도록 상기 제 6 RF 스위치와 상기 제 6 제어 스위치의 사이에 위치되며, 상기 제 1 단부의 어떠한 움직임도 반대 방향에 있는 상기 제 2 단부에 의해 반작용되도록 상기 중앙부를 중심으로 피봇되는 제 6 접속편과;
    상기 제 6 접속편을 제어하기 위한 수단
    을 더 포함하는 다극 다위치 마이크로웨이브 스위치 시스템.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 하우징에 부착된 제 7RF 입력 커넥터와;
    상기 하우징에 부착된 제 7RF 출력 커넥터와;
    상기 제 7RF 입력 커넥터와 상기 제 7RF 출력 커넥터의 사이의 연결된 제 7RF 스위치와;
    상기 리던던트 RF 입력 수단과 상기 제 7RF 출력 커넥터의 사이에 연결된 제 7 제어 스위치와;
    제 1 단부, 제 2 단부 및 중앙부를 가지며, 상기 제 1 단부가 상기 제 7RF 스위치와 접촉을 이룰 수 있고 상기 제 2 단부가 상기 제 7 제어 스위치와 접촉을 이룰 수 있도록 상기 제 7RF 스위치와 상기 제 7 제어 스위치의 사이에 위치되며, 상기 제 1 단부의 어떠한 움직임도 반대 방향에 있는 상기 제 2 단부에 의해 반작용되도록 상기 중앙부를 중심으로 퍼봇되는 제 7 접속편과;
    상기 제 7 접속편을 제어하기 위한 수단을 더 포함하는 다극 다위치 마이크로웨이브 스위치 시스템.
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