KR100225777B1 - 반도체 소재 가공용 펀칭 장치 - Google Patents

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Abstract

소정형상의 홈이 형성되고 그 홈 상면에 피가공체가 안착되는 다이와, 상기 홈을 통해 승강함으로써 상기 피가공체를 절단하는 트림펀치를 구비하는 반도체 소재 가공용 펀칭 장치에 있어서, 상기 트림펀치와 함께 발생된 스크랩이 상승되는 것을 방지하는 스크랩 상승방지수단이 더 구비 된 것을 특징으로 하는 반도체 소재 가공용 펀칭 장치가 제공된다. 본 발명의 펀칭 장치는 작업시 스크랩이 함께 상승하는 것을 방지하는 효과를 갖는다.

Description

반도체 소재 가공용 펀칭 장치
본 발명은 반도체 소재 가공용 펀칭 장치에 관한 것으로, 특히 반도체 소재 등과 같은 피가공체의 테두리가공시 발생되는 스크랩이 왕복 승강동작되는 트림펀치와 함께 상승하는 것을 방지하도록 한 펀칭가공장치에 관한 것이다.
일반적으로 집적회로가 내장되는 IC칩을 생산하는 공정은 먼저, 리드 프레임을 성형하고, 이 리드 프레임에 각종 부품을 집적한 실리콘 웨이퍼(wafer)칩을 부착시킨다.
그 후 상기 칩과 이너 리드를 골드 와이어(GOLD WIRE)로 연결하여 회로를 구성한다.
상기 구성된 회로를 컴파운드로 피복시킨 후에 아우터 리드를 절곡시키면 하나의 반도체 칩이 완성된다.
이 때 리드 프레임을 반도체 칩형태로 만들기 위해 리드를 일정한 길이로 절단하거나, 컴파운드 몰딩작업시에 컴파운드가 외측으로 흘러나오는 것을 방지하는 댐버(DEM BAR)를 펀칭가공으로 제거하는 공정을 트림(TRIM)이라 한다.
상기 리드 프레임을 펀칭 가공하는 장치는, 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 트림펀치(30)와, 상기 트림펀치(30)의 형상에 대응되는 홈(22)이 형성된 다이(DIE ; 20)를 구비한다. 이 장치는 상기 다이(20) 위에 리드 프레임과 같은 반도체 소재(10)를 안착시키고 상기 트림펀치(30)의 왕복 승강동작에 의해 반도체 소재(10)를 펀칭하도록 작동된다.
이러한 펀칭 가공중에는 반도체 소재(10)의 일측면을 절단하는 공정이 수행되는데, 이 때 트림펀치(30)의 펀칭작업 후에는 상기 반도체 소재(10)의 스크랩(SCRAP; 12)이 발생하게 된다.
상기 스크랩(12)은 트림펀치(30)의 펀칭동작에 의해 상기 다이(20)의 홈(22) 내부로 들어가게 된다.
상기 홈(22) 내부로 들어가는 스크랩(12)은 다이(20)와 트림펀치(30)의 마찰로 발생되는 자성에 의해 다이(20)의 홈(22) 내부의 측면에 부착된다.
따라서 상기 트림펀치(30)는 펀칭동작의 하강시에 상기 스크랩(12)과 서로 긁혀서 쉽게 손상되는 문제점을 갖는다.
또한 상기 스크랩(12)은 트림펀치(30)의 펀칭동작의 상승시에 트림 펀치(30)에 붙어있는 상태로 함께 상승하여 외부로 튀어 나오게 되는 문제점을 갖는다.
본 발명은 상기한 제반 문제점을 감안하여 이를 해결하고자 창출된 것으로서, 다음과 같은 목적을 갖는다.
첫째, 트림펀치의 펀칭동작시 스크랩이 상승되는 것을 방지할 수 있는 펀칭가공장치를 제공하는 것이다.
둘째, 스크랩이 다이의 홈 내부에 적층되어 트림펀치와 상호 간섭되지 아니하는 펀칭 가공 장치를 제공하는 것이다.
도 1은 통상의 반도체 소재 가공용 펀칭 장치를 나타낸 개략 평면도,
도 2는 도 1의 다이에 스크랩이 적재되는 상태를 나타낸 단면도,
도 3은 본 발명에 따른 펀칭장치를 나타낸 사시도,
도 4는 도 3의 평면도,
도 5는 본 발명의 작동상태를 나타낸 도 3의 A-A선 단면도,
도 6은 본 발명에 따른 장치의 다이에 스크랩이 적층되는 것을 나타낸 측 단면도이다.
도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
100 : 피가공체110 : 스크랩
200 : 트림펀치210 : 가이드 홈
300 : 다이(DIE)310 : 홈
312 : 가이드 돌기
상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명은, 소정형상의 홈이 형성되고 그 홈 상면에 피가공체가 안착되는 다이와, 상기 홈을 통해 승강함으로써 상기 피가공체를 절단하는 트림펀치를 구비하는 반도체 소재 가공용 펀칭 장치에 있어서, 상기 트림펀치와 함께 발생된 스크랩이 상승되는 것을 방지하는 스크랩 상승방지수단이 더 구비 된 것을 특징으로 하는 반도체 소재 가공용 펀칭 장치를 제공한다.
본 발명의 다른 특징에 따르면, 상기 스크랩 상승방지수단은 상기 홈의 내면에 상기 스크랩의 일측을 가이드하도록 형성된 가이드 돌기와, 홈의 가이드 돌기와 대응하도록 상기 트림 펀치에 형성된 가이드 홈을 구비한다.
이하, 본 발명의 바람직한 일 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 설명하기로 한다.
본 발명에 따른 펀칭가공장치는, 도 3 및 도 4에 도시된 바와 같이, 피가공체(100)의 펀칭동작시 발생되는 스크랩(110)이 상승하지 못하도록 다이(300)의 홈(310) 내측면에 상기 스크랩(110)의 외측 부위가 간섭되어 접촉되는 가이드 돌기(312)를 형성하고, 이 가이드 돌기(312)에 대응되는 가이드 홈(210)을 트림펀치(200)의 일측면에 형성하는 구조로 되어 있다.
더욱 상세하게 설명하면 상기 가이드 돌기(312)는 스크랩(110)의 외측면과 접촉되도록 상기 홈(310)의 내측면에 돌출 형성하고, 이에 대응되는 가이드 홈(210)은 트림펀치(200)의 일측면에 형성함으로써, 가이드 돌기(312)와 가이드 홈(210)이 서로 대향되는 요철 형상을 갖도록 한다.
또한 상기 가이드 돌기(312)와 가이드 홈(210)사이에는 가공 여유를 감안하여 소정의 틈새를 두는 것이 바람직하다.
한편, 상기 가이드 돌기(312)의 끝단은 상기 트림펀치(200)의 하강으로 인해 트림펀치(200)가 홈(310) 내부로 삽입될 때 상기 스크랩(110)의 간섭부위가 홈(310) 내측면에 압착될 수 있도록 소정의 굴곡을 갖는다.
상기 트림펀치(200)는 일측면에 상기 가이드 홈(210)이 형성되고, 타측면은 피가공체의 테두리를 펀칭가공할 수 있도록 형성된다.
상기 트림펀치(200)는 기본적으로 복수개의 가이드 홈(210)을 갖도록 하되, 그 길이가 25mm 미만일 때는 스크랩(110)의 크기에 대응되도록 하나의 가이드 홈(210)만을 형성한다.
이러한 구조를 갖는 본 발명의 작동과정을 도 5 및 도 6을 참조하여 설명하면, 먼저 다이(300)의 홈(310)에 수직으로 피가공체(100)의 일면이 위치하도록 한다.
그 후에 상측에 위치한 트림펀치(200)를 하측으로 하강시켜 펀칭작업을 하면, 상기 피가공체(100)의 일면은 트림펀치(200)에 의해 절단되고, 이에 따라 피가공체(100)의 일면 테두리가 떨어져 나가면서 스크랩(110)이 발생된다.
이 때 상기 피가공체(100)에서 이탈된 스크랩(110)은 그 일부분이 홈(310)의 가이드 돌기(312)에 간섭되지만 하강하는 트림펀치(200)의 하강력에 의해 무시되면서 홈(310)의 내부로 떨어진다.
따라서, 상기한 스크랩(110)은 트림펀치(200)의 펀칭동작이 반복됨에 따라 순차적으로 다이(300)의 홈(310) 내부에 들어가서 적층된다.
상기 홈(310) 내부에 적층된 스크랩(110)은 트림펀치(200)의 반복적인 승강동작에 의해 홈(310) 내부에 정렬되면서 적층되므로 상기 트림펀치(200)가 왕복 승강하더라도 상호 간섭작용이 발생되지 않는다.
본 발명은 다음과 같은 유용한 효과를 갖는다.
첫째, 트림펀치의 펀칭작업시 스크랩이 함께 상승하는 것을 방지하는 효과를 갖는다.
둘째, 스크랩이 다이 내부의 홈에 적층되므로 트림펀치와의 간섭으로 인한 트림펀치의 파손을 방지하는 효과를 갖는다.
이상과 같이 설명한 본 발명은 앞서 기술한 실시예에만 한정되는 것이 아니라, 본 발명 기술적사상의 범주에 해당되는 다른 실시예도 포함되는 것이 당연하다.

Claims (2)

  1. 소정형상의 홈이 형성되고 그 홈 상면에 피가공체가 안착되는 다이와, 상기 홈을 통해 승강함으로써 상기 피가공체를 절단하는 트림펀치를 구비하는 반도체 소재 가공용 펀칭 장치에 있어서,
    상기 트림펀치와 함께 발생된 스크랩이 상승되는 것을 방지하는 스크랩 상승방지수단이 더 구비 된 것을 특징으로 하는 반도체 소재 가공용 펀칭 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 스크랩 상승방지수단은 상기 홈의 내면에 상기 스크랩의 일측을 가이드하도록 형성된 가이드 돌기와, 홈의 가이드 돌기와 대응하도록 상기 트림 펀치에 형성된 가이드 홈을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 소재 가공용 펀칭 장치.
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