KR100214509B1 - 반도체 메모리 동작모드 변경회로 - Google Patents

Abstract

본 발명은 반도체 메모리의 동작모드 변경회로에 관한 것으로, 종래의 반도체 메모리의 동작모드 변경은 반도체 메모리의 제조공정 중에 이루어지므로 반도체 메모리를 완성한 후에는 그 동작모드를 변경할 수 없어 제품의 다양화가 용이하지 않은 문제점이 있었다. 이러한 문제점을 감안한 본 발명은, 특정 반도체 모드의 벤더 테스트 모드신호를 저전위로 입력하여 그 입력된 벤더 테스트 모드신호를 고전위로 변환하여 출력하는 회로를 메모리와 함께 제조함으로써, 반도체 메모리의 모드 변경이 메모리의 패키지 공정 전은 물론 메모리의 패키지 공정 후에도 가능해져 반도체 메모리의 동작모드를 용이하게 다양화 시킬 수 있는 효과가 있다.

Description

반도체 메모리 동작모드 변경회로

본 발명은 반도체 메모리의 동작 모드 변경에 관한 것으로 특히, 메모리 제조공정의 마지막 단계인 패키지(package)공정 전 또는 후에 반도체 메모리의 동작모드를 변경하는 것이 가능한 반도체 메모리 동작모드 변경회로에 관한 것이다.

종래에는 반도체 메모리의 동작모드를 변경시키기 위하여 크게 두종류의 방법을 사용 하였다. 파생 제품, 즉 기본적인 동작은 동일하나 옵션(option)을 추가하여 동작범위를 넓히거나 특수한 기능이 가능하도록 기본이 되는 제품을 변경한 제품을 제조하기 위한 첫번째 방법은 포토 마스크 변경(photo mask change)방법이다. 이 방법은 메모리 제조공정단계에 있어 웨이퍼 수준(wafer level)에서 기본 제품과 다른 회로를 구성하기 위해 별도의 마스크를 사용하여 공정함으로써, 메모리의 동작모드를 변경하는 것이 가능하게 하는 방법이다.

메모리의 동작모드를 변경하기 위한 종래의 두번째 방법은 메모리 제조공정의 마지막 단계인 패키지공정시에 기본 제품과는 그 본딩(bonding)방법을 다르게 하여 상기 기본 제품의 동작모드를 변경하는 방법이다.

그러나, 상기와 같은 종래의 기술은 반도체 메모리 제조공정 중에 메모리의 동작모드가 결정됨으로써, 소비자의 욕구에 충족하는 다양한 동작모드가 반도체 메모리의 제공이 용이하지 않은 문제점이 있었다.

상기와 같은 문제점을 감안한 본 발명은, 반도체 메모리의 제조공정시 및 상기 메모리가 완성된 후에 그 동작모드를 변경할 수 있는 반도체 메모리 동작모드 변경회로의 제공에 그 목적이 있다.

제1도는 본 발명에 의한 반도체 메모리 동작모드 변경회로도.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명

VTM : 벤더 테스트 모드신호. PAD : 슈퍼 전원 전압 패드.

F1 : 퓨즈. PM1-PM4 : 피모스.

NM : 엔모스. I1-I3 : 인버터.

상기한 목적은 제작자가 임의의 방법을 사용하여 완성된 소자의 내부상태를 파악하는 방법인 벤더 테스트 모드신호(vender test mode)를 조절하여 반도체 메모리의 특성을 저전위상태로 만든 후, 본 발명의 반도체 메모리 동작모드 변경회로에 입력하여 고전위 상태의 출력을 얻어냄으로써 달성되는 것으로, 이를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.

제1도는 본 발명의 반도체 메모리 동작모드 변경회로도로서, 이에 도시한 바와 같이 벤더 테스트 모드신호(VTM)를 게이트에 인가받고 슈퍼 전원 전압 패드(PAD)에 소스가 접속된 제1피채널 모스 전계효과 트랜지스터(이하, 피모스)(PM1); 상기 벤더 테스트 모드신호(VTM)를 제1인버터(I1)를 통해 게이트에 인가받고 전원 전압(VCC)를 소스에 인가받는 제2피모스(PM2) 및 제3피모스(PM3)와; 상기 제2피모스(PM2) 및 제3피모스(PM3)의 드레인에 드레인 및 소스가 각각 접속된 엔채널 모스 전계효과 트랜지스터(이하, 엔모스)(NM1) 및 제4피모스(PM4)와; 상기 제1 및 제4피모스(PM1)(PM4)의 드레인 및 상기 엔모스(NM1)의 소스에 공통접속된 접지의 퓨즈(F1)와; 상기 퓨즈(F1)측 접속점 신호를 반전하여 상기 엔모스(NM1) 및 제4피모스(PM4)의 게이트에 인가하는 제2인버터(I2)및 그 제2인버터의 출력신호를 반전하여 모드 변경 출력신호(OUT)로 출력하는 제3인버터(I3)로 구성된다. 이와 같이 구성된 본 발명의 동작을 반도체 메모리 패키지 공정 전 또는 후로 구분하여 상세히 설명하면 다음과 같다.

먼저, 반도체 메모리 패키지공정 후 본 발명에 의한 반도체 메모리 동작 모드 변경방법은, 메모리가 반도체 메모리 동작 변경회로에 접속 되었는지 확인하기 위해 벤더 테스트 모드신호(VTM)에 의해 제1피모스(PM1)는 오프(OFF)되고, 그 고전위의 벤더 테스트 모드신호(VTM)는 제1인버터(I1)를 통해 저전위로 반전되므로 제2피모스(PM2) 및 제3피모스(PM3)는 온(ON)이 된다. 이때 접지의 퓨즈에 의해 제2인버터(I2)의 입력측 접속점에 저전위가 인가되므로 그 제2인버터(I2)에서 고전위 신호가 출력되어, 제4피모스(PM4)는 오프되고 엔모스(NM1)는 도통된다. 따라서 이때 제2피모스(PM2)의 소스에 인가된 전원 전압(VCC)에 의해 제2피모스(PM2), 엔모스(NM1) 및 퓨즈(F1)를 통해 전류가 접지로 흐르는 커런트 패스(current path)가 형성된다. 이에 따라 제2인버터(I2) 및 제3인버터(I3)를 통하여 출력되는 모드 출력신호(OUT)는 저전위로 나타나 메모리가 반도체 메모리 동작모드 변경회로에 바르게 접속되었음을 알 수 있다. 반도체 메모리의 동작모드를 변경할 필요성이 없다면 이하 설명하는 동작모드 변경의 방법을 사용하지 않는다.

한편, 제조된 반도체 메모리의 동작모드 변경이 필요하다면 벤더 테스트 모드신호(VTM)를 저전위로 입력하고, 슈퍼 전원 전압 패드(PAD)에 7V정도의 슈퍼 전원 전압을 인가하면, 저전위의 벤더 테스트 모드신호(VTM)에 의해 제1피모스(PM1)는 도통되고 그 저전위의 벤더 테스트 모드신호(VTM)는 제1인버터(I1)를 통해 고전위로 반전되므로 제 2피모스(PM2) 및 제 3피모스(PM3)는 오프된다. 따라서, 이때 패드(PAD)에 인가된 7V정도의 슈퍼 전원 전압(SUPER VCC)에 의해 발생한 과전류가 제1피모스(PM1)를 통해 퓨즈(F1)로 흘러 그 퓨즈(F1)가 끊어진다. 이에따라 제2인버터(I2)의 입력측 접속점에 고전위가 인가되므로 제2 및 제3인버터(I2),(I3)를 통해 모드 변경 출력신호(OUT)가 고전위로 출력된다.

또한, 반도체 메모리의 패키지 공정전의 본 발명에 의한 반도체 메모리의 모드 변경 방법은 웨이퍼 상에서 레이저를 사용하여 상기 퓨즈(F1)를 끊어줌으로써, 상기한 메모리의 패키지 공정후의 모드 변경 방법과 동일한 효과를 얻을 수 있다.

상술한 바와 같이 본 발명에 의한 반도체 메모리 동작모드 변경회로는 반도체 메모리의 모드 변경이 메모리의 패키지 공정 전은 물론 메모리의 패키지 공정 후에도 가능하게 함으로써, 반도체 메모리의 동작모드를 용이하게 다양화 시킬 수 있는 효과가 있다.

Claims (1)

1. 벤더 테스트 모드신호를 게이트에 인가받고 슈퍼 전원 전압 패드에 소스가 접속된 제1피모스와; 상기 벤더 테스트 모드신호를 제1인버터를 통하여 게이트에 공통인가 받고 전원 전압을 소스에 공통인가 받는 제2, 제3피모스와; 상기 제2, 제3피모스의 드레인에 드레인 및 소스가 각기 접속된 엔모스 및 제4피모스와; 상기 제1, 제4피모스의 드레인 및 상기 엔모스의 소스에 공통 접속되어 상기 제1피모스를 통하는 슈퍼 전원 전압에 의해 끊어지는 접지의 퓨즈와; 상기 퓨즈측 접속점 신호를 반전하여 상기 엔모스 및 제4피모스의 게이트에 공통 인가하는 제2인버터 및 그 제2인버터의 출력신호를 반전하여 모드 변경 출력신호로 출력하는 제3인버터로 구성된 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 동작모드 변경회로.