KR100196975B1

KR100196975B1 - 음극선관의 제조방법

Info

Publication number: KR100196975B1
Application number: KR1019950015339A
Authority: KR
Inventors: 가쯔히또 또꾸또메
Original assignee: 가네꼬 히사시; 닛뽕덴끼 가부시끼가이샤
Priority date: 1994-06-16
Filing date: 1995-06-12
Publication date: 1999-06-15
Also published as: JP2790042B2; KR960002457A; JPH087757A

Abstract

음극선관의 페이스 패널의 표면에 소성 온도를 높이지 않고 고내마찰 강도를 갖는 도전성 반사 방지막을 형성한다.

산화주석(SnO₂)을 주성분으로 하는 도전성 박막(10A)을 페이스 패널(1A)의 표면에 형성한 음극선관(1)의 표면 처리 공정에서, 상기 도전성 박막(10A)의 표면에 실리케이트 가수 분해물과 질산 또는 염산 또는 황산의 군에서 선정된 미량의 무기강산과 유기용제와의 희석액으로 이루어진 코팅재 용액(5)을 도포하고, 그후의 소성 처리에 의해 저굴절율 박막(10B)을 형성하여, 상기 페이스 패널(1A)의 표면에 상기 도전성 박막(10A) 및 상기 절굴절율 박막(10B)으로 이루어진 도전성 반사 방지막(10)을 형성한다.

Description

음극선관의 제조방법

제1도는 본 발명의 방법의 실시 장치예를 도시하는 부분 단면을 포함하는 정면도.

제2a도 내지 제2d도는 본 발명의 방법의 다른 실시 장치예를 도시하는 정면도.

제3도는 종래의 방법을 설명하기 위한 음극선관 및 스핀 코팅 장치를 도시하는 부분 단면을 포함하는 정면도.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명

1 : 음극선관 1A : 페이스 패널

5 : 코팅재 용액 10 : 도전성 반사 방지막

10A : 도전성 박막 10B : 저굴절율 박막

[산업상의 이용분야]

본 발명은 음극선관의 제조 방법에 관한 것으로, 더 구체적으로는 음극선관의 페이스(face) 패널의 표면에 도전성 반사 방지막을 형성하는 음극선관 제조 방법에 관한 것이다.

[종래의 기술]

음극선관은 작동시에 수십 KV 의 고전압이 인가되기 때문에 , 페이스 패널의 표면은 정전기를 띠기 쉽고, 인체의 접촉시 충격을 가하거나 티끌이 흡착 퇴적되어 화면을 시청하기 어려워지는 등의 문제가 있었다.

이들 문제를 해결하기 위해, 스핀코팅법 , 스프레이법 또는 딥코팅법등을 이용하여 페이스 패널은 표면에 도전성막을 형성하는 방법이 제안되어 왔다(예를들면, 특개소 제 54-12550호,

특개소 제 61-118946호, 특개소 제 63-124331호, 특개소 제 64-35835호, 특개평 제 3-43942호 공보등), 예를들어, 특개평 제 3-43942호 공보에는, 실리카졸 용액에 안티몬을 도핑한 산화주석의 미립자를 분산시키고 다시 금속질산을 또는 금속황산염의 1종 또는 2종 이상을 첨가한 액을 도포 및 소성하므로써 음극선관의 페이스 패널면에 도전성 막을 형성하는 것이 기재되어 있다.

또한, 특개소 제 64-35835호 공보에는, 스프레이법에 의해 실리카 형성제와 산화인듐을 적어도 포함하는 막을 음극선관은 페이스 패널면에 요철(凹凸)로 형성하고 반사광을 산란하는 등시에 도전성을 얻는 것이 기재되어 있다.

한편, 제3도는 2 층막을 스핀코팅 방식과 CVD 법을 병용해서 도전성 반사 방지막을 형성하는 요령을 예시적으로 설명하는 것으로, 우선, 페이스 패널(1A)은 표면에 CVD 법에 의해서 산화주석 (SnO₂)를 주성분으로 하는 도전성 박막(10A)을 형성한후, 음극선관(1)의 내부에 전자총을 조립하고 음극선관(1)의 내부를 진공으로 한다. 다음에, 모터(4)에 의해선 회전 운동되는 공구(3)상에 음극선관(1)을 부착하고, 노즐(2)로부터 페이스 패널(1A)의 표면에 실리케이트의 가수분해물을 에틸알콜등의 유기용제로 희석한 박막 형성용 원료액(9)을 도포하고, 회전으로 발생하는 원심력을 이용하여 상기 원료액(9)을 페이스 패널(1A) 표면 전역에 전연(展延)시키고 그후, 소성로(도시안됨)내에 도입하여 비교적 고온의 소성 온도, 예컨대 250˚C 의 온도에서 소성 처리함으로써, 원료액(9)을 경화시켜서 저굴절율 박막(10B)을 형성한다. 이것에 의해서 산화주석(SnO₂)으 이루어진 도전성 박막(10A)과 실리케이트의 가수분해물로 이루어진 저굴절율 박막(10B)이 구성되고, 도전성 박막(10A)쪽 저굴절을 박막(lOA)과의 굴절율 차이에 의해 반사광을 간섭시키는 것을 이용하는 도전성 반사 방지막(10)형성된다.

[발명이 해결하려는 과제]

페이스 패널 (1A)면에 저굴절율 박막(103)을 형성한 음극선관(1)을 소성로내에 도입하여 막경화를 위한 소성 처리를 실시하는 경우, 소성 온도를 높이면 저굴절율 박막(103)의 접착 강도는 향상된다. 그러나, 내부가 진공인 음극선관(1)을 고온으로 가열하면 음극선관(1)의 내벽에 흡착되어 있던 가스가 방출되어서 전자총에 부착되고, 그에 의해 음극선관의 전자 방출특성을 악화시키므로 250˚C 를 넘는 온도로 가열할 수 없다.

저골절율 박막(10B)은 형성 수단으로 상기 스핀 코팅법외에 딥코팅법이 있는데, 그 어느 코팅 방식을 채용하더라도 후속의 소성공정으로 저굴절율 박막(10B)의 접착 강도를 높이기 위해선 소성 온도를 높게 설정할 필요가 있고, 이것을 음극선관(1)의 전자 방출 특성의 유지와 양립시키는 것이 곤란했었다.

[과제를 해결하기 위한 수단]

상기 과제를 해결하기 무한 수단으로서 본 발명 방법은, 산화주석(SnO₂)을 주성분으로 하는 도전성 박막을 페이스 패널의 표면에 형성한 음극선관의 표면 처리 공정에서, 상기 도전성 박막의 표면상에 실리케이트 가수분해물과 질산 또는 염산 또는 황산의 군에서 선정된 미량의 무기강산(無機强酸)과 유기 용제와의 희석액으로 이루어진 코팅제 용액을 도포하고, 그후의 소성처리에 의해 저굴절율 박막을 형성하여, 상기 페이스 패널의 표면에 상기 도전성 박막 및 저굴절율 박막으로 이루어진 도전성 반사 방지막을 형성하는 것을 특징으로 한다.

또한, 산화주석(SnO₂)을 주성분으로 하는 도전성 박막을 페이스 패널의 표면이 형성한 음극선관의 표면 처리 공정 에서, 상기 도전성 박막의 표면상에 실리게이트 가수 분해물과 산성불화암모늄 또는 불화수소산의 군에서 선정된 미량의 산과 유기 용제와의 희석액으로 이루어진 코팅재 용액을 도포하고, 그후의 소성 처리에 의해 저굴절율 박막을 형성하여, 상기 페이스 패널의 표면에 상기 도전성 박막 및 저굴절율 박막으로 이루어진 도전성 반사 방지막을 형설하는 것을 특징으로 한다.

또한, 산화주석(SnO₂)을 주성분으로 하는 도전성 박막을 페이스 패널의 표면에 형성한 음극선관의 표면 처리 공정에서, 상기 도전성 박막의 표면을 산성불화암모늄 또는 불화수소산의 군에서 선정된 산의 희석용액으로 처리하고, 그위에 실리케이트 가수분해물을 유기 용제로 희석한 코팅재용액을 도포하고, 그후의 소성 처리에 의해 저굴절율 박막을 형성하여, 상기 페이스 패널의 표면상, 상기 도전성 박막 및 저굴절율 박막으로 이루어진 도전성 반사 방지막을 형성하는 것을 특징으로 한다.

또한, 상기 산화주석(SnO₂)을 주성분으로 하는 도전성 박막을 CVD 법에 의해 형성하고, 필요에 따라 상기 코팅재 용액을 도포한후, 250˚C 이하의 온도에서 소성 처리하는 것을 특징으로 한다.

[작용]

본 발명의 방법에서는 코팅재 용액중에 미량의 무기강산 또는 불화수소산등을 첨가하므로써 도전성 박막과 저굴절율 박막과의 결합력 이 강화된다. 또한, 코팅재 용액의 도포에 앞서서 도전성 박막의 표면은 불화수소산등의 희석용액으로 처리하므로써 도전성 박막과 저굴절율 박막과의 결합력이 강화된다. 이런 방법에 의해 후속의 소성공정에서 소성 온도를 높이지 않아도 고강도의 도전성 반사 방지막이 형성된다.

[실시예]

이하, 제1도 및 제2도를 참조하여 본 발명의 3개의 실시 예를 설명한다. 또한, 제3도와 동일의 구성 부재는 원칙으로서 동일 참조번호를 표시하고 중복사항에 관해선 설명을 생략한다.

제1의 실시예로서 , 제1도에 도시되었듯이 음극선관(1)의 페이스 패널(1A)의 표면에 산화주석(SnO₂)을 주성분으로 하는 도전성 박막(10A)은 CVD 법으로 형성한후, 저굴절율 박막(10B)을 형성한다. 이 저굴절율 박막(10B)의 형성은, 도전성 박막(10A)의 표면에 스핀 코팅 방식으로 실리게이트 가수분해물 1중량부, 에틸알콜 98 중량부, 및 질산 0.02 중량부로 이루어진 코팅재 용액(5)을 도포하고, 그후, 음극선관(1)을 소성로내에 도입하여 180℃ 에서 20 분간 소성 처리를 실시함으로써 행해진다. 상기 코팅재 용액(5)이 경화되므로써 , 페이스 패널(1A)의 표면 전역에는 균일한 막두께를 가진 도전성 박막.(10A) 및 저굴절율 박막(10B)으로 이루어진 도전성 반사 방지막(10)이 생성된다.

무기강산 예컨대 상기 질산은, 산화주석(SnO₂)을 주성분으로 하는 도전성 박막(10A)과 상기 실리게이트 가수분해물을 주성분으로 하는 저굴절율 박막(10B)과의 결합력을 높이므로써 소성 처리시에 저굴절율 박막(10B)의 경화를 촉진시킨다. 이 결과, 소성 처리를 비교적 저온(180℃)에서 실시하고 있음에도 불구하고 최종적으로 형성되는 도전성 반사 방지막(10)은 종래의 것의 약 3배에 상당하는 내마모 강도를 취득하는 것이 가능해진다.

무기강산으로서는 상기 질산 외에 염산 또는 황산이 사용가능하며, 그 첨가량은 상기 코팅재 용액 100 중량부 중 0.001-0.08 중량부를 차지하도록 조절된다.

한편, 제2 의 실시 예는, CVD 법으로 형성된 도전성 박막(10A)과 저굴절율 박막(10B)과의 결합력을 높이는 매체로서 상술한 실시에의 무기강산 대신에 산성불화암모늄 또는 불화수소산의 군에서 선정된 산을 사용한다. 상기 산의 첨가량은 실리케이트 가수분해물을 주성분으로 하는 코팅재 용액 100 중량부 중 0.001-0.15 중량부를 차지하도록 조절한다. 이 경우 소성 온도가 180˚C 에 설정되고 있음에도 불구하고 최종적으로 형성되는 도전성 반사 방지막(10)은 종래의 것의 약 2 배에 상당하는 내마찰 강도를 취득하는 것이 가능하게 된다.

상술한 2 개의 실시예는 무기강산 도는 산의 첨가에 의해 도전성 박막(10A)과 저굴절 박막(10B)곽의 결합력을 강화시킴으로써 비교적 저온의 소성처리 조건하에서도 도전성 반사 방지막(10)의 내마찰 강도를 높히려는 것인데 반하여, 이하의 실시에는 코팅재 용액의 도포에 앞서서 산화주석

(SnO₂)을 주성분으로 하는 도전성 박막(10A)의 표면을 산성불화암모늄 또는 불화수소산의 희석용액으로 세척함으로써 상기 도전성 박막(10A)의 표면을 활성화시키고 이것에 의해서 상기 도전성 박막(10A)과 저굴절 도전막(10B)과의 결합력을 강화시켜 소성 온도 저하를 가능하게 하는 것이다.

구체적으로는 제2a도에 도시하듯이, 음극선관(1)의 페이스 패널(1A)의 표면에 산화주석 (SnO₂)을 주성분으로 하는 도전성 박막(10A)을 CVD 법으로 형성한후, 그 표면에: 버프(buff)(6)등에 의한 연마가공을 실시하고 미크론 정도의 먼지를 제거한다. 그후, 제2b도에 도시하듯이 스폰지(7)에 불화수소산 또는 산성불화암모늄을 유기 용제로 희석한 용액(5A)을 삼투압시켜 이 스폰지 (7)로 제1의 도전성 박막(10A)의 표면을 닦아서 활성화한다.

이어서, 제2c도에 도시하듯이 도전성 박막(10A)의 표면을 물(8)로 세척하고 그후, 제2d도에 도시하듯이 실리케이트 가수분해물을 갖는 유기 용제로 회식한 코팅 용액(5)을 상기 도전성 박막(10A) 위에 도포하고 스핀 코팅에 의해 절연시켜서 저굴절율 박막(10B)을 형성한다.

마지막으로 음극선관(1)을 소성로내에 도입하여 180˚C의 온도에서 20 분간 소성 처리를 실시한다. 코팅재 용액(5)이 경화하므로써 페이스 패널(1A)의 표면 전역에 균일한 막두께를 갖는 도전성 박막(10A)과 저굴절율 박막(10B)으로 이루어진 도전성 반사 방지막(10)이 형성된다.

또한, 활성화재로서 사용하는 불화수소산 또는 산성불화암모늄의 농도는 희석제로서 사용되는 유기용제의 100 중량부 중 불화수소산 0.5-1중량부, 산성불화암모늄 5-20 중량부를 차지하도록 조절한다. 상세히 설명하면, 불화화수소산의 농도가 0.5 중량부, 산화불화암모늄의 농도가 5중량부를 각각 밑돌면 도전성 박막(10A)의 활성화에 장시간이 필요하고, 또한 상기 불화수소산의 농도가 1중량부, 산성불화암모늄의 농도가 20 중량부를 각각 윗돌면 도전성 박막(10A)의 막두께가 부분적으로 변화해서 외관이 균일해지지 않게 된다.

[발명의 효과]

본 발명의 방법에 의하면 코팅재 용액중에 미량의 무기강산 또는 불화수소산등을 첨가하므로써 저굴절율 박막과의 결합력이 강화된다. 또, 코팅재 용액의 도포에 앞서서 도전성 박막과의 표면은 불화암모늄등의 희석용액으로 처리하므로써 도전성 박막에 대한 저굴절율 박막의 결합력이 강화된다. 이런 방법에 의해, 후속의 소성공정에서 소성 온도를 높이지 않아도 도전성 반사 방지막의 강도가 양호한 수준으로 유지되며 높은 내마찰 강도가 확보된다.

Claims

산화주석 (SnO₂)을 주성분으로 하는 도전성 박막을 페이스 패널의 표면에 형성한 음극선관의 표면 처리 공정에서, 상기 도전성 박막의 표인데 실리케이트 가수분해 물과 질산 포는 염산 또는 황산의 군에서 선택된 미량의 무기강산 유기 용제와의 희석액으로 이룩어진 코팅재 용액을 도포하고, 그후 소성 처리에 의해 저굴절율 박막을 형성하여 상기 페이스 패널의 표면에 상기 도전성 박막 및 상기 저굴절율 박막으로 이루어진 도전성 반사 방지막을 형성하는 것을 특징으로 하는 음극선관의 제조방법.
산화주석(SnO₂)을 주성분으로 하는 도전성 박막을 페이스 패널의 표면에 형성한 음극선관의 표면 처리 공정에서, 상기 도전성 박약의 표면상에 실리케이트 가수분해물과 산성불화암모늄 또는 불화수소산의 군에서 선택된 미량의 산과 유기 용제와의 희석 액으로 이루어진 코팅재 용액을 도포하고, 그후 소성 처리에 의해서 저굴절율 박막을 형성하여, 상기 페이스 패널의 표면에 상기 도전성 박막 및 상기 저굴절율 박막으로 이루어진 도전성 반사막을 형성하는 것을 특징으로 하는 음극선관의 제조방법.
산화주석(SnO₂)을 주성분으로 하는 도전성 박막을 페이스 패널의 박막의 표면을 산화불화암모늄 또는 불화수소산의군에서 선택된 산의 희석용액으로 처리하고, 그 위에 실리케이트 가수분해물을 유기 용제로 희석한 코팅재 용액을 도포하고, 그후의 소성처리에 의해 저굴절율 박막을 형성하여, 상기 페이스 패널의 표면에 상기 도전성 박막 및 상기 저굴절율 박막으로 이루어진 도전성 반사 방지막을 형성하는 것을 특징으로 하는 음극선관의 제조방법.
제1항에 있어서, 상기 산화주석(SnO₃)을 주성분으로 하는 도전성 박막을 CVD법으로 형성하는 것을 특징으로 하는 음극선관의 제조방법.
제4항에 있어서, 상기 코팅재 용액을 도포한후, 250˚C 이하의 온도에서 소성처리하는 것을 특징으로 하는 음극선관의 제조방법.