KR0183775B1 - 감열기록소자의 에이징 방법 - Google Patents

Abstract

신규한 감열기록소자의 에이징 방법이 개시되어 있다. 기판 및 방열판을 구비하는 감열기록소자에 있어서, 상기 기판 주위 또는 방열판 중의 어느 하나의 온도를 소정온도 이상으로 유지시켜 에이징을 실시한다. 에이징에 의해 나타나는 발열체의 저항값 불균일 현상을 최소화할 수 있다.

Description

감열기록소자의 에이징 방법

제1도는 종래의 에이징 방법에 의해 얻어진 저항값의 분포를 나타내는 그래프.

제2도는 본 발명에 의한 감열기록소자의 개략적인 구성도.

제3도는 본 발명의 에이징 방법에 의해 얻어진 저항값의 분포를 나타내는 그래프.

본 발명은 감열기록소자의 제조방법에 관한 것으로, 특히 에이징(aging)에 의해 나타나는 발열체의 저항값 불균일 현상을 최소화할 수 있는 감열기록소자의 에이징 방법에 관한 것이다.

일반적인 감열기록소자의 구조는 크게 기판과 방열판으로 구성되는데, 감열기록소자의 축·방열구조는 기판에서 방열판으로 전달되는 열의 흐름구조에 의해 거의 결정된다.

감열기록소자의 저항분포는 열을 발산하는데 있어서 매우 중요한 역할을 한다. 초기에 가졌던 저항값이 구동후에도 항상 똑같아야만 감열기록소자가 신뢰성이 있다고 할 수 있다.

저항값의 변화가 없도록 하기 위해서는, 일반적으로 에이징이라는 방법으로 사용에너지보다 더 큰 에너지에서 저항값을 충분히 떨어뜨려서 감열기록소자의 사용에너지 조건에서 저항변화가 거의 없도록 해준다.

에이징을 하는 방법은 여러가지가 있는데, 주로 후막공정에서 사용하는 트리밍법과 박막공정에서 사용하는 열어닐링 방법, 및 최종제품에서 사용하는 에이징 방법 등이 있다. 박막공정에서 사용하는 에이징은 일반적으로 전발열체에 대하여 한번에 같은 에너지를 주어서 저항값을 한꺼번에 떨어뜨리는 방법을 사용한다.

에이징이란, 스퍼터링등에 의해 구성되어 있는 막의 불안정한 상태를 그 자체의열에 의해 재배치하여 안정화시키는 것을 의미한다. 따라서, 에이징은 열의 생성량에 영향을 받는다. 이러한 생성열은 열역학적으로 주위의 구조에 영향을 받는데, 주위의 구조가 불균일할 경우 에이징되는 저항체의 저항 변화율도 불균일하게 된다. 특히, 한 발열체씩 에이징을 할 경우, 주위의 구조에 의한 영향은 더 크게 나타난다.

따라서, 주위의 방열구조가 불균일한 감열기록 소자를 에이징할 경우 몇개의 발열체의 저항값이 다른 발열체의 저항값에 비해 덜 떨어지게 되어 전체 저항분포에 나쁜 영향을 미치게 된다. 이를 제1도에 도시하였다.

본 발명의 목적은 에이징에 의해 나타나는 발열체의 저항값 불균일 현상을 최소화할 수 있는 감열기록소자의 에이징 방법을 제공하는데 있다.

상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, 기판 및 방열판을 구비하는 감열기록소자의 에이징 방법에 있어서, 상기 기판 주위 또는 방열판 중의 어느 하나의 온도를 30~80℃로 유지시키는 것을 특징으로 하는 감열기록소자의 에이징 방법을 제공한다.

상기 기판 주위의 온도는 고온챔버를 사용하여 유지시킬 수 있다. 상기 방열판의 온도는 상기 방열판의 밑에 열판을 설치하여 유지시킬 수 있다.

이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명하고자 한다.

제2도는 본 발명에 의한 감열기록소자의 개략적인 구성도이다. 여기서, 참조부호 1은 인쇄회로판(printed circuit board; PCB)을, 2는 기판을, 3은 방열판을, 4는 열판을, 5는 핀을, 6은 커넥터를, 7은 에이징 콘트롤러를, 그리고 8은 온도 콘트롤러를 각각 나타낸다.

제2도를 참조하면, 감열기록소자의 축·방열구조는 기판(2)에서 방열판(3)으로 전달되는 열의 흐름구조에 의해 거의 결정되어지는데, 에이징 방법에서 문제가 되는 것은 기판(2)에서 방열판(3)으로 열의 흐름구조가 차이가 있기 때문이다. 실온에서 에이징을 하는 경우, 방열판에 전달되는 열의 흐름의 경로가 길게 느껴져서 기판(2)과 방열판(3)의 축·방열구조가 그대로 에이징에 악영향을 미치게 된다. 열의 흐름의 경로가 길게 느껴진다는 것은 에이징에 의해 나타난 열과 실온과의 차이가 크다는 것을 의미한다. 이러한 열의 흐름을 짧게 해주기 위해 주위의 온도를 소정 온도 이상, 예컨대 30~80℃로 올려 두면 된다. 이를 위해, 고온 챔버 내에서 에이징을 하거나 열판(4)을 사용하여 방열판(3)의 온도를 올려주어 열의 흐름의 경로를 짧게 할 수 있다. 이렇게 함으로써, 열의 불균일 발생을 최소화시켜 안정된 에이징 공정을 구현할 수 있다.

예를 들어, 방열판(3) 밑에 온도 콘트롤러(8)를 설치하고, 상기 방열판(3)에 30~80℃의 온도를 가하여 한 발열체씩 에이징을 실시한 결과, 얻어진 저항분포의 그래프가 제3도에 도시되어 있다.

제3도에 도시된 저항분포와 종래의 에이징에 의해 얻어진 제1도의 저항분포를 비교해 보면, 본 발명에 의한 에이징 방법을 사용한 경우가 거의 균일한 저항분포를 얻음을 알 수 있다.

이상, 상술한 바와 같이 본 발명에 의하면, 감열기록소자를 구성하고 있는 기판과 방열판 주위의 온도를 소정온도 이상, 예컨대 30~80℃로 유지시켜서 열의 흐름의 경로를 짧게 하여 에이징을 실시한다. 따라서, 열의 불균일 발생을 억제하여, 에이징에 의해 나타나는 발열체의 저항값 불균일 현상을 최소화할 수 있다.

본 발명이 상기 실시예에 한정되지 않으며, 많은 변형이 본 발명의 기술적 사상내에서 당분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해여 가능함은 명백하다.

Claims (3)

1. 기판 및 방열판을 구비하는 감열기록소자의 에이징 방법에 있어서, 상기 기판 주위 또는 방열판 중의 어느 하나의 온도를 30~80℃로 유지시키는 것을 특징으로 하는 감열기록소자의 에이징 방법.
2. 제1항에 있어서, 상기 기판 주위의 온도는 고온챔버를 사용하여 유지시키는 것을 특징으로 하는 감열기록소자의 에이징 방법.
3. 제1항에 있어서, 상기 방열판의 온도는 상기 방열판의 밑에 열판을 설치하여 유지시키는 것을 특징으로 하는 감열기록소자의 에이징 방법.