KR0183408B1 - 초 고자속밀도 일방향성 전자강판 및 소재 그리고 그 제조방법 - Google Patents

초 고자속밀도 일방향성 전자강판 및 소재 그리고 그 제조방법 Download PDF

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요시오 나카무라
이사오 이와나가
노리히토 아베
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다나카 미노루
신니뽄 세이데쓰 가부시키가이샤
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Abstract

본 발명은, Si ; 2.5~4.0중량%를 함유하는 자속밀도 B81.92T 이상의 극히 높은 값을 갖는 일방향성 전자강판에 있어서 결정입경이 냉연방향, 냉연직각방향에서 특정범위에 있고, 그 2차 재결정입자 중에 일정비율로 미세 2차 재결정입자를 함유하고 있는 것을 특징으로 하는 초 고자속밀도 일방향성 전자강판 : 또한 결정방위의 이상 Goss 방위로 부터의 분산이 일정치 이하에 있는 것을 특징으로 하는 초 고자속밀도 일방향성 전자강판 ; 초 고자속밀도 일방향성 전자강판을 제조할 때, 용강에 Bi를 첨가하고, 0.0005~0.05 중량% 함유시키는 것을 특징으로 하는 초 고자속밀도 일방향성 전자강판의 제조방법 ; 및 상기 Bi 첨가 초 고자속밀도 일방향성 전자강판용 소재를 사용하여 종래 제조기술을 보다 저비용으로 제조건 완화를 도모하는 것을 특징으로 하는 초 고자속밀도 일방향성 전자강판의 제조방법을 제공하는 것이다.

Description

초고자속 밀도 일방향성 전자 강판 및 그 제조 방법
제1도는 레이저 조사에 의해 자구(磁區)가 제어되었던 3%의 Si를 함유한 두께 0.30㎜인 일방향성 전자 강판의 자속 밀도(B8)와 철손 (W17/50)의 관계를 보여주는 도표.
제2도는 Si 3.25%, 두께 0.30㎜인 일방향성 전자 강판에서 냉간 압연 방향의 결정립 입경과 자속 밀도의 관계를 보여주는 도표.
제3도는 Si 3.25%, 두께 0.30㎜인 일방향성 전자 강판에서 냉간 압연 방향에 수직인 방향의 결정립 입경과 자속 밀도의 관계를 보여주는 도표.
제4도는 Si 3%, 두께 0.30㎜인 일방향성 전자 강판에서, 미세한 2차 재결정립 함유율에 의해 자속 밀도(B8)와 철손(W17/50)의 관계를 보여주는 도표.
본 발명은 (110)(001) Goss 조직 방위를 고도로 향상시킨 변압기 등의 철심(鐵心)에 사용하기 위한 고자속 밀도의 일방향성 전자 강판 및 재료와, 그 제조방법에 관한 것이다.
연자성 재료로서 일방향성 전자 강판은 주로 변압기와 다른 전기 기기의 철심 재료로 사용되고, 따라서 자기 특성에 관하여 여자(勵磁, excitation) 특성과 철손(鐵損, core loss) 특성이 양호해야 한다.
이 여자 특성을 표시하는 경우, 일반적으로 B8(800A/m의 자기장 세기에서의 자속 밀도)의 값이 사용되고, 철손 특성을 표시하는 경우, W17/50(50Hz에서 1.7T 까지 자화시켰을 때, 단위 중량당 철손)의 값이 사용되고 있다.
최근 에너지 절약, 자원 보존에 대한 사회적 요구가 급격히 증가하고, 일방향성 전자 강판의 보다 낮은 철손 및 개선된 자화 특성에 대한 요구도 증가하고 있다. 특히 보다 낮은 철손 특성이 강하게 요구되고 있다.
철손은 잘 알고 있는 바와 같이, 이력손(履曆損, hysteresis loss)과 와전류손(渦電流損, eddy current loss)으로 이루어진다. 이력손은 강판의 결정 방위(다른 말로 표현하면, 자속 밀도), 순도, 그리고 내부 응력에 의하여 좌우되는 반면, 와전류손은 전기 저항, 판의 두께, 결정입도, 자구(磁區)의 크기, 강판의 코팅 장력에 좌우된다.
순도 및 내부 응력 등에 관해서는 오랫동안 제조 기술적으로 신중하게 고려하여 거의 한계에 도달되었었다. 전기 저항을 증가시키고 와전류손을 감소시키려는 시도로 Si 함량을 상승시켰으나, Si 함량을 높이면 제조 공정 및 제품의 가공성이 열화되기 때문에 한계에 이르고 있다. 강판의 두께를 얇게 하여 와전류손을 낮추려는 시도가 수없이 있었으나, Goss 방위를 얻기 위한 2차 재결정화를 달성하는데 본질적인 어려움 이외에도 변압기와 기타 등등의 제작에 관하여 다른 수많은 문제점이 관련되어 있으며, 동일한 철손값에 대해 보다 두꺼운 판이 보다 얇은 판보다 공업적으로 바람직하기 때문에 판의 두께를 얼마나 감소시키느냐에 대한 한계도 또한 존재한다.
강판에 코팅 장력을 부여하여 철손 특성을 개선하는 방법이 제 JP-B-51-12451 호, 제 JP-B-53-28375 호 등에 기재되어 있으나, 이들의 장력효과는 제품의 방위, 즉 자속 밀도에 의존하고, 1970년 6월에 개시된 잡지명 응용물리학(1970년 6월)의 제41권 제7호의 2981쪽 내지 2984쪽에 기술된 바와 같이, 자속 밀도(B8)가 높을수록 장력 효과는 더욱 커지게 된다. B8이 약 1.92T인 상업적인 고자속 밀도의 전자 강판의 경우 얼마나 많이 철손 특성을 향상시키느냐에 대해 한계가 존재한다. 인공적으로 자구를 세분화하여 철손을 낮추는 기술이 제 JP-B-58-5968호, 제 JP-B-58-26405호 등에 기술되어 있으나, 이들 방법에서 철손 감소 효과는 자속 밀도에 의존하고, 현재 시판되는 제품의 자속 밀도 수준에 관하여 한계가 존재한다.
2차 재결정립의 미세화는 가장 빠른 철손의 감소 방법이 되며, 이는 본 발명자중 한사람이 제 JP-B-57-9419 호에서 제안했다. 그러나, 2차 재결정립의 크기를 미세하게 하면 고자속 밀도를 얻기가 어렵다는 사실은 철손의 감소 수단으로서 2차 재결정립 미세화의 이용을 제한한다. 철손 감소의 나머지 수단으로서, 본 출원인은 자속 밀도(B8)를 현재 수준의 약 1.92T에서 더욱 이상적인 2.03T(3% Si-Fe의 포화 자속 밀도)까지 상승시키는 방법을 제 JP-B-58-50295 호에 제안했다. 우선 이 방법은 1.92T를 훨씬 초과하는 고자속 밀도(B8)를 제품에 안정적으로 제공한다. 그러나, 이 방법은 2차 재결정화 중에 온도 구배를 형성하고 공장용 코일 형태로 실시하는 경우 일단부가 가열되고, 또 다른 단부는 냉각됨으로써 높은 열 에너지 손실을 수반하기 때문에 상업적인 이용에 있어서 큰 문제점을 내포하고 있다.
본 발명의 목적은 상기 철손 감소 수단을 대신하여, 고자속 밀도를 가진 일 방향성 전자 강판 및 재료와, 그 제조 방법을 제공하는 것이다.
초고자속 밀도를 가진 일방향성 전자 강판을 세심하게 열심히 연구한 결과, 본 발명자는 통상의 1.92T 이상의 초고자속 밀도를 갖는 제품을 안정적으로 얻는데 성공했으며, 그 제품을 해석했을 때, 먼저 2차 재결정립의 형상과 이상적인 Goss 방위간 기울기의 한계 범위 안에 초고자속 밀도를 얻기 위한 상업적인 수단을 발견했다. 다시 말하면, 2차 재결정립 기지(matrix)에서 결정립 입경이 냉간 압연 방향에 수직인 방향으로 50~5㎜, 그리고 냉간 압연 방향으로 100~10㎜인 것이 80% 이상을 점하고, 2차 재결정 기지에서 결정립 중에 평균 입경이 5㎜ 이하인 미세 2차 재결정립을 포함하는 것이 50% 이상인 것이 필요하고, 2차 재결정립 및 미세한 2차 재결정립의 결정 방위가 TD축 둘레로 각각 이상적인 Goss의 5°이내와 10°이내, 그리고 ND축 둘레로 각각 이상적인 Goss의 5°이내와 10°이내에 존재할 필요가 있고, 이것은 결정립의 90% 이상인 경우에도 필요하다는 것이 발견되었다.
본 발명은 AℓN을 억제제로서 사용하는 고자속 밀도 일방향성 전자 강판의 제조에 있어서, 레이들(ladle) 분석치로 Bi=0.0005~0.05중량%(이하 단순히 %로만 기재)를 얻기 위해 용융강에 Bi 또는 Bi 함유물을 첨가하면 그러한 강판을 얻을 수 있다는 것을 확인했다. 제안되었던 고자속 밀도를 가진 일방향성 전자 강판의 제조의 다양한 방법중 어느 하나를 답습할 수 있는 반면, 다음과 같은 제조 방법도 또한 가능하다. 즉, 초고자속 밀도를 가진 두께 0.23㎜ 이하의 일방향성 강판은 바람직하다고 여겨지는 50% 또는 50% 이하의 냉간 압연율의 예비 냉간 압연을 생략하고, 단지 강력한 1회의 냉간 압연 방법을 사용하여 제조 가능하다. 냉간 압연 과정중에 시효 처리, 즉 리버스 냉간 압연 방법을 이용하는 바람직한 공업 기술에 있어서, 본 발명의 성분계에서는 시효 처리가 없는 탠덤 (tandem) 냉간 압연을 이용하여 강판이 제조 가능하다는 것이 또한 명백해졌다. 게다가, 최종 냉간 압연에 앞서 실행되는 고온의 연속 풀림(annealing)의 경우, 보다 낮은 온도에서도 풀림을 이용하여 초고자속 밀도를 가진 일방향성 전자 강판을 얻을 수가 있고, 이 고온 연속 풀림 이후의 냉각에 있어서, 보다 느린 냉각 속도가 이용될 수 있다는 것을 알아냈다.
본 발명자는 제품에 초고자속 밀도를 제공하기 위해 필요한 조건에 관해 여러가지 연구를 수행하였고, 2.5~4.0% 범위의 Si를 함유하는 일방향성 전자 강판의 2차 재결정 기지 결정립과 이 기지 결정립의 미세한 2차 재결정립을 제어함으로써 초고자속 밀도와 우수한 철손 감소 효과를 구비한 일방향성 전자 강판을 개발하는데 성공했다.
이하에서 본 발명을 상세하게 설명한다.
우선, 조성 조건의 세부 사항으로부터 시작한다. Si 함량은 전자 강판의 고유 저항에 영향을 미침으로써 철손 특성에 상당한 영향을 준다. 따라서, Si 함량이 2.5% 미만이면, 고유 저항이 감소되고 와전류손이 증가하므로 2.5% 미만의 Si 함량은 바람직하지 않다. 다른 한편으로 함량이 4.0%를 초과하면 가공성(workability)이 떨어지고, 강의 제조 및 가공이 곤란하므로 바람직하지 않다.
이제 자속 밀도를 한정하는 이유에 대하여 설명한다.
제1도는 3% Si를 함유하는 0.30㎜ 두께의 일방향성 전자 강판에 대해 표면의 유리 피막을 산용액으로 세척하여 제거하고, 냉간 압연 방향과 직각으로 5㎜ 피치로 레이저 비임 조사 후에 장력 1.5kg/㎟에서 자기 측정을 한 상기 강판의 자속 밀도(B8)와 철손과의 관계를 도시한다. 0.30㎜ 제품에서도 우수하다고 할 수 있는 1.0 W/kg의 철손(W17/50)은 1.92T 또는 1.92T 이상의 자속 밀도에 대해서이고, 특히 우수하다 할 수 있는 0.90W/kg의 철손(W17/50)은 1.95T 또는 1.95T 이상의 자속 밀도에 대해서이므로 본 발명에서는 자속 밀도(B8)를 1.92T 이상으로 한정한다.
이제 본 발명의 핵심인 2차 재결정립 입경에 대하여 설명한다.
전술한 바와 같이, 일반적으로 2차 재결정립 입경을 감소시키면 자속 밀도를 감소시키는 경향이 있으나, 본 발명의 경우에는 여러 방법으로 제조된 일방향성 전자 강판에서 결정립 입경과 자속 밀도의 관계를 연구한 연후에, 본 발명자는 제2도, 제3도에 보여준 결과를 얻었다. 결정립 입경은 2차 재결정립 기지의 80% 이상의 영역을 점하는 (냉간 압연 방향에서 5㎜미만의 미세한 결정립을 제외한) 입경 5㎜ 이상의 결정립의 최대 길이에 대해 평균했다.
제2도는 냉간 압연 방향에서 결정립 입경과 자속 밀도의 관계를 나타낸다. 1.92T 이상의 자속 밀도는 2차 재결정립 기지에서 결정립 입경이 10㎜ 이상인 경우에 안정적으로 얻을 수 있으며, 특히 1.95T의 달성은 결정립 입경이 10㎜ 이상인 경우로 제한된다.
유사하게 제3도로부터, 냉간 압연 방향에 수직인 방향에서 결정립 입경이 5㎜ 이상인 경우에 1.92T 이상의 자속 밀도를 안정적으로 얻을 수 있거나, 특히 우수한 1.95T 이상의 자속 밀도를 얻을 수 있으며, 1.95T 이상의 상기 우수한 자속 밀도는 결정립 입경이 10㎜ 이상인 경우에 실질적으로 보장된다는 것을 알 수 있다.
다음에 2차 재결정립 기지에서 한계 크기 이상의 조대한 결정립의 비율에 관하여, 상기 도면 및 설명으로 보여준 바와 같이 냉간 압연 방향에서 입경이 10㎜미만, 냉간 압연 방향에 수직인 방향에서 5㎜ 미만의 2차 재결정립은 자속 밀도가 낮고, 그 존재 비율이 20%를 초과하면 제품 전체의 자속 밀도에 영향을 주고, 1.92T 이상의 자속 밀도 또는 1.95T 이상의 초고자속 밀도를 가진 제품을 얻는 것은 불가능하다.
기지 결정립에서의 미세한 2차 재결정립의 상태를 설명한다.
제4도는 Si 3%의 두께 0.30㎜인 (장력 코팅된) 일방향성 전자 강판의 제품의 자속 밀도와 철손의 관계를 도시한다. 자속 밀도와 철손 사이에 대략적인 일치를 알 수 있으나, 제1도의 레이저 빔이 조사된 재료의 경우와 달리, 동일 자속 밀도에 대해 철손값의 상당한 변화가 존재한다. 가장 양호한 철손값은 레이저 빔이 조사된 값과 동등하였다. 이와 같이 우수한 철손값을 가진 제품에 대하여 본 발명자가 상세하게 연구한 결과, 도면에 분류된 바와 같이 기지 2차 재결정립은 5㎜를 초과하지 않는 입경을 가진 50% 이상의 미세한 2차 재결정립을 포함하며, 1.92T 이상의 자속 밀도에서 1.00W/kg 이하의 철손(W17/50), 또는 1.95T 이상의 자속밀도에서 0.95W/Kg 이하의 철손(W17/50)을 갖는 제품이 얻어졌다는 것이 판명되었다.
이 철손 감소의 메카니즘은 명확하지는 않지만, 본 발명이 의도하는 초고자속 밀도의 일방향성 전자 강판에서, 미세한 2차 재결정립을 포함하지 않는 경우 자구벽이 결정립을 계속해서 관통하고, 이로 인해 더욱 조대화되는 반면, 미세한 2차 재결정립을 포함할 경우에는 그 미세한 결정으로부터 새로운 자구가 발생되어 자구세분화 효과를 발생시킨다는 것을 본 발명자는 확인했다.
이제 결정 방위 분포에 대해 설명한다. 일방향성 전자 강판의 자속 밀도와 그 강판의 2차 재결정립 방위 사이에 어떤 관계가 존재한다는 것은 잘 공지되어 있다. 그러나 지금까지 본 발명과 같이 조대한 기지 2차 재결정립과 그 기지 결정립내에 미세한 2차 결정립 모두를 포함하는 경우에, 방위 분포에 대하여 언급된 연구보고서는 없었다. 특히, 본 발명처럼 1.92T 이상의 자속 밀도, 심지어 1.95T 이상의 극히 높은 수준까지 자속 밀도를 나타내는 일방향성 전자 강판의 결정립 방위 분포에 관하여 공지된 것은 전혀 없었다.
본 발명자는 본 발명에 따른 초고자속 밀도를 가진 일방향성 전자 강판의 방위 분포를 측정한 결과, 이하의 새로운 정보를 얻었다. 본 발명자는 특허, 1.92T 이상, 심지어 1.95T 이상의 자속 밀도(B8)를 나타내는 초고자속 밀도 일방향성 전자 강판에 대해 기지 2차 재결정립 중에서, (110)(001) 축들이 압연면에 대해 TD 축 및 ND 축 둘레로 5°이내로 경사진 결정립이 90% 이상 점하고, (110)(001)축들이 압연면에 대해 TD축 및 ND축 둘레로 10°이내로 경사진 미세한 2차 재결정립이 90% 이상 점하는 것이 필요하다는 것을 알게 되었다. 이 범위를 벗어나면 본 발명의 목적, 즉 1.92T 이상, 그리고 심지어 1.95T 이상의 자속 밀도(B8)를 나타내는 초고자속 밀도 일방향성 전자 강판을 얻기 곤란하다.
또 다른 설명은 차례대로 본 발명의 요약서에 언급된 2차 재결정립 기지의 최대 결정립 입경에 관한 것이다. 결정립 입경을 냉간 압연 방향에 수직인 방향에서 50㎜ 이하로 한정하는 것은 자기 물성의 관점에서는 필요 없으나, 현실의 제품에서는 이보다 조대한 결정립이 좀처럼 얻어지지 않기 때문에 단지 한정했을 뿐이다. 다른 한편으로, 냉간 압연 방향에서 결정립 입경은 전술한 방위 분포와 관련된다. 만약 2차 재결정 풀림이 잘린 판재에 대하여 평평한 상태에서 실시되면, 본 발명에 의해 정해진 100㎜ 이하로 한정하는 것은 결정 방위와의 관계에 관한한 불필요하다. 그러나, 실제의 공업적 생산에서 2차 재결정 풀림은 코일 상태로 된 판재에 대해 통상 실시된다. 이 경우, 만약 2차 재결정립 입경이 코일의 종방향, 즉 냉간 압연 방향으로 길다면, 압연면에 관하여 그 결정립의 (110)(001) 축들의 경사는 결정립의 후연부에서 TD 축 둘레로 크게 어긋나고, 전술한 5°의 한계를 벗어날 수 있다. 이 때문에 본 발명은 냉간 압연 방향에서 2차 재결정립의 길이를 100㎜이하로 제한한다.
이제, 본 발명에 따라 초고자속 밀도를 가진 일방향성 전자 강판을 생산하는데 사용되는 재료 성분이 설명될 것이고, 이어 생산 공정이 설명될 것이다. 초고자속 밀도를 가진 일방향성 전자 강판은 AℓN을 주 억제제로 사용하는 일반적인 고자속 밀도의 일방향성 전자 강판으로부터 생상되는 것 이외에 중량으로 0.0005~0.05%의 Bi를 또한 함유한다. AℓN을 주 억제제로 사용하는 고자속 밀도의 일방향성 전자 강판은 통상적으로 열간 압연시 1280℃이상의 고온으로 슬래브를 가열하는 고온 슬래브 가열 방법(제 JP-B-46-23820 호의 방법과 같이)과, 열간 압연시 1270℃를 초과하지 않는 온도로 슬래브를 가열하는 저온 슬래브 가열 방법(제 JP-A-59-56522 호의 방법과 같이)에 의해 생산된다. 이들 방법중 어느 것이라도 본 발명에 따른 수량의 Bi 첨가에 의하여 초고자속 밀도의 제품을 얻는데 사용될 수 있다. 0.005% 미만의 Bi 함량에서는 자속 밀도의 개량 효과가 작은 반면, 0.05% 이상의 함량에서는 자속 밀도의 증가 효과가 포화되므로, 이러한 범위를 벗어나는 Bi 첨가는 비경제적이다. 또한 Bi 함량이 높으면 열간 압연중 연부에 균열을 발생시키므로 상한을 0.05%로 정한다. 자속 밀도의 개량 효과와 경제적인 역효과(Bi 첨가에 의한 비용 상승 및 연부 균열에 의한 수율 저하)의 관점으로부터 Bi 함량은 0.0005~0.01%로 되는 것이 바람직하다.
Bi가 2차 재결정에 영향을 주고, 자속 밀도를 현저히 높이며, 2차 재결정립의 형상을 변화시키는 원인에 대해서는 전적으로는 명확하지 않다. 그러나, 본 발명자가 주의 깊게 연구하여 지금까지 다음과 같은 점을 밝히고 있다. 첫째, Bi가 그 자체로 억제제이 효과를 가진다. Bi는 강 중에서 실질적으로 고용도를 갖지 않기 때문에, 응고할 때 이미 미세 분산하여 억제제 효과를 지닌다. 또한, 2차 재결정 온도 구역에서 이른바 오스트 왈드(Ostwald) 성장을 일으킬 것같지 않기 때문에 고온까지 억제제 효과가 지속된다. 둘째, Bi는 AℓN, MnS의 석출에도 또한 영향을 주어 이러한 종래 억제제의 미세 분산 강화를 도와준다. 셋째, 탈탄 풀림중에 강판 표면의 산화물의 형태를 변화시키고, 이러한 방식으로 2차 재결정 풀림중에 분위기에 대해 차폐 효과를 강화하고, 따라서 질화, 탈질을 억제함으로써 억제제효과를 변화시키는 것이 발견되었다.
일방향성 전자 강판 재료의 제조중에 Bi의 첨가는 일본국 특허 제 JP-A-50-72817 호, 제 JP-A-51-78733호, 제 JP-A-53-39922 호에 기재되어 있다. 이들의 특허는 기본적으로 Al을 함유하지 않은 일방향성 전자 강판을 개시하고, 그 명세서에서도 Bi는 입계 편석 원소(粒界偏析元簫)인 Sb의 치환 원소로서 첨가되고 있다는 것을 기술한다. 따라서, 본 발명과는 달리 Bi는 0.01~0.02% 이상이 첨가 되어야 한다. 또 일본국 특허 제 JP-A-51-107499 호, 제 JP-A-63-100127 호에는 또한 Bi 첨가를 개시한다. 비록 전술한 이들 특허와 같이, 주 억제제로써 AℓN을 사용하는 점에서는 본 발명과 유사하다할지라도, 이들 특허 또한 치환 임계 편석 원소로써 Sb를 정의하고, 0.01~0.02% 이상의 Bi 함량을 필요로 한다. 따라서, 본 발명은 그 기술 개념과 구성에 있어서, 선행 기술의 참고 자료와는 완전히 다르다.
이제 기타의 재료 성분에 대하여 설명한다.
C : 고온 슬래브 가열 방법에 있어서, 0.03% 미만의 C 함량은 바람직하지 않다. 그 이유는 열간 압연하기 전에 실시하는 슬래브 가열중에 비정상적인 결정립 성장을 일으키고, 선상 결함(streaks)으로 알려진 결함있는 2차 재결정을 유발하기 때문이다. 저온 슬래브 가열 방법에 있어서, 0.03% 미만의 C 함량은 바람직하지 않다. 그 이유는 2차 재결정이 불안정해지고, 그때 2차 재결정 일어나더라도 자속밀도가 극히 열화되기 때문이다. 다른 한편으로, 0.15% 이상의 C 함량은 공업적으로 바람직하지 않다. 그 이유는 정상적인 시간의 탈탄 풀림에서도 탈탄이 불충분해지고, 그에 따라 제품의 자기 시효를 야기시키기 때문이다.
Si : 2.5% 미만의 Si 함량은 제품의 와전류손을 증가시키는 반면, 4.0% 이상의 Si 함량은 냉간 압연이 상온에서 곤란하게 되므로 바람직하지 않다.
Mn : 고온 슬래브 가열 방법에 있어서, 0.02~0.30%의 Mn 함량은 AℓN의 보조 억제제로서 MnS를 석출시키기 위해 필요하다. 하한 미만의 함량은 억제제가 부족하기 때문에 부적합하다. 상한 이상의 함량은 슬래브 가열중에 MnS가 용해되지 않은 채로 남아 열간 압연 후에 조대한 석출물을 형성하기 때문에 부적합하며, 이는 억제제 효과를 약화시켜 불안정한 2차 재결정을 유발시킨다. 저온 슬래브 가열 방법에 있어서, 고자속 밀도를 얻기 위해서는 0.10~0.80%의 Mn 함량이 필요하다.
S : 고온 슬래브 가열 방법에 있어서, 보조 억제제로서 MnS를 확보하기 위해서 0.005~0.040%의 S 함량이 필요하다. 저온 슬래브 가열 방법에 있어서, S편석으로 인한 부분적인 2차 재결정 결함을 방지하기 위해 0.010% 이하의 S 함량이 요구된다.
산가용성 Aℓ(acid soluble Al) : 산가용성 Aℓ은 고자속 밀도 일방향성 전자 강판 제조에서 주 억제제 원소로서 역할을 한다. 이러한 점에서, 산가용성 Aℓ은 또한 본 발명에서 중요한 구성 요소이다. 0.010% 미만의 산가용성 Aℓ은 석출되는 AℓN의 양이 부족하여 억제제 강도를 저하시키기 때문에 부적합하다. 다른 한편으로, 0.065% 이상의 함량에서 AℓN 석출물은 조대화되고, 이것 또한 억제제 강도를 저하시키므로 부적합하다.
N : 산가용성 Aℓ과 마찬가지로 N은 주 억제제 구성 원소이며, 0.0030~0.0150%의 범위 밖의 함량은 최적의 억제제 상태를 파괴하고, 그 자체로 부적합하다.
Sn : Sn은 박막 제품의 2차 재결정을 안정화시키는 원소로서 효과적이다. 따라서, 0.05% 이상으로 함유될 필요가 있다. 그 상한은 0.50% 이상에서 그 작용 효과가 포화되고, 더 많은 양의 첨가는 단지 비용만 상승시키기 때문에 0.50%로 한정한다.
Cu : Cu는 Sn 첨가에 의해 제조된 유리 피막을 개선하는 원소로서 효과적이다. 0.01% 미만의 함량은 효과의 발생이 거의 없는 반면, 0.10% 이상의 함량은 제품의 자속 밀도를 저하시킨다.
이제 제조 공정의 조건을 설명한다. 본 발명의 일 특징은 용융강에 Bi 첨가는 Bi로 환산하여 용융강중 100g~5000g/ton에서 이루어져야 하는 필요 조건이 있다. Bi의 공급원은 특별히 한정되지 않고 금속 Bi 또는 Bi 함유물이면 어느 것이나 될 수 있다.
조성이 전술한 방식으로 조정된 용융강은 통상적인 방법으로 주조된다. 주조법에 대해 특별하게 한정되지 않는다.
다음에 주물을 열간 압연 코일로 열간 압연한다. 열간 압연시 슬래브 가열온도는 고온 슬래브 가열 방법의 경우, 1280℃ 이상, 저온 슬래브 가열 방법의 경우 1270℃ 이하가 바람직하다. 다음에, 최종 열간 압연 강판 두께의 판을 얻기 위해 단일 단계의 냉간 압연, 또는 중간 풀림을 이용한 복수 단계의 냉간 압연을 실시한다. 고자속 밀도의 일방향성 전자 강판을 얻는데 목적이 있기 때문에, 최종 냉간 압연의 압연률(단일 단계의 냉간 압연의 경우, 그 압연률)은 65%~95%가 바람직하다. 본 발명의 경우, 0.23㎜ 이하의 두께를 가진 제품을 제조하는데 적합하다고 인식되었던 50% 미만의 냉간 압연률(JP-A-59-126722)을 생략 가능하고, 단지 단일 단계의 강력한 일회 냉간 압연법을 이용하여 0.23㎜ 이하의 두께를 가진 얇은 제품의 제조가 가능하다. 지금까지는 이것이 불가능했었다. 그 이유는 0.23㎜ 이하의 두께가 가진 얇은 제품을 얻기 위해 단지 강력한 일회 냉간 압연하면 Goss핵의 수를 현저히 감소시켜 종래의 조성을 가진 억제제로는 2차 재결정 기회가 줄어들고, 결국 결함 있는 2차 재결정립을 가진 제품으로 귀착하기 때문이다. 그러나, 본 발명에서 전술된 바와 같이 Bi 첨가에 의한 억제제 강화 효과는 고온까지 억제제 효과가 유지되고, 고온 영역에서 입계 이동이 가속되는 공정에서 선택적으로 Goss핵의 성장이 가능하다. 이는 2차 재결정을 진행 시킬 수 있는 것으로 생각된다. 일본국 특허 제 JP-B-54-13846호에 기술된 중간 시효를 가진 냉간 압연이 일반적으로 냉간 압연시 실시되지만, 본 발명의 조성에서는 중간 시효 처리가 없는 탠덤 냉간 압연법을 이용하여 우수한 자속 밀도를 가진 제품을 얻을 수 있다. 그러므로 상기 선행 기술에 의존할 필요는 없다.
최종 냉간 압연 전에, 상기 강판을 JP-B-46-23820에 기재된 고온 풀림하고, 다음에 급냉시킨다. 본 발명의 조성은 이 고온 풀림 조건의 범위를 확대시킬 수 있다. 그 중의 하나는 풀림 온도이다. 일반적으로 고온 풀림은 950~1200℃, 바람직하게는 1050~1200℃, 더욱 바람직하게는 1100℃ 이상에서 실시된다. 그러나, 본 발명의 조성에서는, 850~1100℃의 온도범위 내에서 풀림을 실시할 경우에도 우수한 자속 밀도의 제품을 얻을 수 있다. 이것은 풀림 온도의 하강과 비례하는 에너지의 절약이 가능할 뿐만 아니라 고온 풀림으로 수반되는 강판 취성을 완화할 수 있기 때문에, 공업적으로 유리하다. 또한 그것은 급냉 조건을 확대시킬 수 있다. JP-B-46-23820는 2초~20초 동안 온도를 950℃에서 400℃로 하강시키는 냉각 속도로 고온 풀림후의 급냉을 필요로 한다. 선행 기술의 참조가 되는 제4도에 따라 지속 밀도가 높은 제품을 얻기 위해서는 냉각 속도는 빠른 것이 바람직하다. 예를 들어, 1150℃의 풀림 온도로 자속 밀도 1.92T의 제품을 얻기 위해서, 950℃에서 400℃로의 냉각은 20초 이내로 실시되는 것이 필요하다가 기재되어 있다. 그러나 본 발명의 조성에서는, 이 냉각 조건이 서냉쪽으로 확대될 수 있다. 특히 30초 이상 동안이나 온도가 950℃에서 400℃로 하강되는 서냉을 이용하더라도 우수한 자속 밀도를 나타내는 제품을 얻을 수 있다. 실제 공장 규모의 제조에 있어서, 냉각 조건의 완화는 균일한 냉각을 좀 더 쉽게 달성할 수 있도록 해주고, 담금질 조각을 연화시킴으로써 강판 취성이 완화될 수 있도록 해준다. 따라서, 이와 같은 냉각 조건의 완화는 공업적으로 매우 중요하고, Si 함유량을 증가시켜 철손 특성을 향상시키는 것과 함께 적극적으로 추진되리라 기대될 수 있다.
최종 제품 판두께로 냉간 압연된 판을 풀림 실시하고, 다음에 통상의 방법으로 탈탄 풀림을 실시한다. 비록 탈탄 풀림의 방법은 특별하게 규정되지 않았다하더라도, 700 내지 900℃에서 30초 내지 30분 동안 습윤(濕潤)한 수소 또는 수소, 질소의 혼합 기체 분위기에서 실시되는 것이 바람직하다.
2차 재결정 풀림중에 늘어붙기(sticking)를 방지하고 유리 피막을 만들기 위하여, 탈탄 풀림한 강판의 표면을 통상의 방법으로 통상 조성의 풀림 분리제로 코팅한다. 2차 재결정 풀림은 1000℃ 이상의 온도로 5시간 동안 수소 또는 질소 또는 이들의 혼합물의 분위기에서 실시한다.
여분의 풀림 분리제를 제거한 후, 판은 코일의 비틀림 특성을 교정하기 위해 판을 연속 풀림한다. 동시에 절연 코팅을 도포하고, 베이킹 처리한다. 만약 필요하면, 레이저 빔 따위로 조사시켜 자구 세분화 처리를 실시한다. 본 발명은 자구 세분화 처리 방법을 특별하게 설명하지 않는다.
[실시예 1]
C ; 0.06~0.09%, Si ; 3.0~3.35%, Mn ; 0.08%, S ; 0.025%, 산가용성 Al ; 0.020~0.035%, N ; 0.008%, Sn ; 0~0.15%, Cu ; 0~0.05%, Bi ; 0.0005~0.05%, 나머지 : 철과 불가피한 불순물(unavoidable impurities)로 구성된 전자 강판용 슬래브를 1320℃로 가열하고 2.3㎜ 두께의 판으로 열간 압연하였다. 다음에 열간 압연된 판을 0.30㎜ 및 0.23㎜ 두께의 판재를 얻기 위해 냉간 압연 하였고, 이들 중 일부는 냉간 압연중에 200℃에서 5회 시효 처리하였다. 최종 냉간 압연 전에, 1120℃에서 2분 동안 고온 풀림을 실시하였다. 다음에, 그 강판을 850℃에서 탈탄 풀림하였고, MgO를 주성분으로 하는 풀림 분리제로 코팅하고 나서 1200℃에서 2차 재결정 풀림을 실시하였다. 잔류하는 풀림 분리제를 제거한 후, 자기 특성을 측정하기 위해 가로와 세로 60㎜×300㎜ 칫수로 된 조각을 시편으로 절단하였고, 내부 응력을 제거하기 위해 850℃에서 풀림을 실시하였다. 이어서 절연 코팅을 시편에 도포하고, 베이킹 처리하였다. 일부 시편의 자기 특성은 5㎜ 간격으로 레이저 빔으로 조사한 후에 측정하였다. 다음에 강산으로 세척한 후, 결정립 입경 등을 측정했다. 결과를 표 1에 나타낸다.
Bi를 함유한 시료 번호 2, 3은 1.95T를 초과하는 자속 밀도, 80%를 초과하는 2차 재결정립 기지의 조대한 결정립 면적 비율, 그리고 레이저 빔 조사 후 0.90w/kg에 훨씬 못미치는 철손을 가지며, 이는 0.30㎜ 두께의 제품에 대해 종래 제품의 한도를 초과하는 훌륭한 특성으로 설명될 수 있다. Bi를 함유한 시료 번호 4, 5는 1.95T를 초과하는 자속 밀도, 80%를 초과하는 2차 재결정립 기지의 조대한 결정립 면적 비율을 가지고, 그 기지의 조대한 결정립은 또한 50% 이상의 미세한 2차 재결정립을 포함하고 있어 레이저 빔 처리가 없는 경우에도 0.95w/kg를 초과하지 않는 철손을 나타내며, 이들은 0.30㎜ 두께의 제품으로서는 극히 우수한 특성으로 설명된다. 시료 번호 9,10,11도 0.23㎜ 두께의 제품이지만, 0.30㎜ 두께의 제품과 동일하게 본 발명 범위의 제품으로서 레이저 빔이 조사된 제품으로서 특히 우수한 특성을 나타낸다.
[실시예 2]
시료는 실시예 1과 동일한 제조 방법으로 제조된 두께 0.30㎜의 판을 준비했고, 시료의 자기 특성을 측정했다. 그다음 강산으로 세척한 후, 각각의 시료에 대해 라우에(Laue)법을 이용하여 결정립의 방위를 20개 측정했다. 결과를 표 2에 작성한다.
주 : 결정 방위는 냉간 압연하는 면 방향으로 이상적인 Goss 방위로부터 회전한 각도로 표시한다.
표 2 에 의해 보내주는 바와 같이 1.95T 또는 그 이상의 자속 밀도를 가진 시료에서, 이상적인 Goss 방위, 즉 (110)(001) 방위로부터 5°이하, 미세 결정립에 대해 10°이하의 회전각을 가진 기지 결정립은 면적의 90% 이상을 점한다.
[실시예 3]
C ; 0.08%, Si ; 3.05%, Mn ; 0.08%, S ; 0.025%, 산가용성 Al ; 0.025%, N ; 0.009%를 함유하는 강에 Bi를 0.0005~0.05% 첨가했다. 슬래브를 1320℃로 가열한 후 2.3㎜의 판 두께로 열간 압연하였다. 다음에 열간 압연판을 1100℃에서 풀림 처리하고, 세척후 냉간 압연 중에 250℃에서 5회 시효 처리했고 이것에 의해 판재를 0.30㎜까지 냉간 압연했다. 다음에 판재를 850℃에서 탈탄 풀림 처리하고, MgO를 주성분으로 하는 풀림 분리제를 도포한 후 1200℃에서 2차 재결정 완성 풀림을 실시했다. 그렇게 해서 얻어진 제품의 Bi 함량과 자속 밀도의 관계를 표-3에 나타낸다.
표 3으로부터 알 수 있듯이, Bi의 첨가에 의해 선행 기술의 방법으로는 얻을 수 없었던 1.95T 이상의 자속 밀도(B)를 가진 극히 우수한 제품을 얻었다.
[실시예 4]
C ; 0.09%, Si ; 3.3%, Mn ; 0.07%, S ; 0.025%, 산가용성 Al ; 0.026%, N ; 0.009%, Sn ; 0.15%, Cu ; 0~0.07%를 함유하는 강에 Bi를 0.009% 첨가시키고, 그 후의 공정은 판재가 0.23㎜의 두께로 냉간 압연되는 것만 제외하면 실시예 3의 공정과 동일하다. 그렇게 해서 얻어진 제품의 특성을 표 4에 표시한다.
표 4로부터 명확한 바와 같이, 심지어 Sn 또는 Sn과 Cu를 첨가했던 강에 대해서 조차도 Bi 첨가에 의하여 극히 자속 밀도가 높은 제품을 얻을 수 있다.
[실시예 5]
실시예 4에서 얻은 제품에 5㎜의 피치로 레이저 빔 조사를 이용하여 자구세분화 처리를 실시했다. 결과를 표-5에 표시한다.
표 5로부터 명확한 바와 같이, 본 실시예의 시료는 매우 높은 자속 밀도를 가지며, 자구 세분화 후 0.6 w/kg의 우수한 철손까지 도달하는 우수한 것을 얻을 수 있다.
[실시예 6]
C ; 0.06%, Si ; 3.2%, Mn ; 0.13%, S ; 0.007%, 산가용성 Al ; 0.028%, N ; 0.008% 및 Sn ; 0~0.12%를 함유한 강에 Bi를 0.008% 첨가했다. 슬래브를 1150℃로 가열하고, 1.8㎜의 판 두께로 열간 압연했다. 그리고 나서 열간 압연판을 1100℃에서 풀림처리하였고, 세척 후 냉간 압연중에 180℃로 5회 시효 처리했고, 이것에 의해 판재는 0.23㎜까지 냉간 압연되었다. 계속해서 830℃에서 탈탄 풀림을 실시하고 나서 암모니아를 함유한 분위기에서 750℃에서 30초동안 질화 처리를 실시했다. 다음에 이 강판에 MgO를 주성분으로 하는 풀림 분리제를 도포한 후 1200℃에서 완성 풀림을 실시했다. 이와 같이 하여 얻은 제품의 특성을 표 6에 표시한다.
표 6으로부터 명확한 바와 같이, 저온 슬래브 가열 방법으로 제조된 강에 대해서도 Bi 첨가에 의하여 매우 높은 자속 밀도를 가진 제품을 얻을 수 있다.
[실시예 7]
C : 0.08%, Si ; 2.98%, Mn ; 0.08%, S ; 0.023%, 산가용성 Al ; 0.025% 질소 ; 0.008%를 함유하는 용융강중에 100~5000g/ton의 금속 Bi를 첨가했다. 실시예 3과 동일한 공정이 이용되었고 제품의 자기 특성이 측정되었다. 결과를 표 7에 표시한다.
표 7로부터 알 수 있듯이, 금속 Bi의 첨가에 의하여 종래 기술의 방법으로는 얻을 수가 없었던 1.95T 이상의 자속 밀도(B)를 가진 극히 우수한 제품을 얻을 수 있었다.
[실시예 8]
C ; 0.08%, Si ; 3.05%, Mn ; 0.08%, S ; 0.025%, 산가용성 Al ; 0.026%, N ; 0.008%를 함유하는 강에 Bi를 첨가하지 않거나, 0.010% Bi를 첨가했다. 슬래브를 1320℃로 가열하고, 2.3㎜의 판 두께로 열간 압연했다. 다음에 이 열간 압연판을 1100℃에서 풀림처리하고, 세척 후 냉간 압연 중에 250℃로 시효 처리를 5회 실시했거나, 시효 처리를 실시하지 않았으며, 이것에 의해 0.30㎜ 두께의 냉간 압연판을 2가지 조건을 이용하여 얻었다. 다음에 판재를 850℃에서 탈탄 풀림하였다. MgO를 주성분으로 하는 풀림 분리제를 도포한 후 1200℃에서 2차 재결정 완성 풀림을 실시했다. 자기 측정의 결과를 표 8에 표시한다.
표 8로부터 명확한 바와 같이, Bi 첨가에 의하여 선행 기술의 방법으로는 얻을 수 없었던 극히 높은 자속 밀도의 제품을 얻을 수 있고, 게다가 어떠한 중간시효를 실시하지 않았을 때 조차도, Bi를 첨가하지 않았을 때와는 다르게 자속 밀도의 저하가 없었으며, 또한 약간 증가했다. 이와 같은 효과는 종래 기술을 사용했을 경우 예상되는 것과는 정반대의 것이다.
[실시예 9]
C ; 0.09%, Si ; 3.2%, Mn ; 0.08%, S ; 0.026%, 산가용성 Al ; 0.026%, N ; 0.008% Sn ; 0.15%, Cu ; 0.07%를 함유하는 강에 Bi를 첨가하지 않았거나, 0.006%의 Bi를 첨가했다. 슬래브를 1320℃로 가열하고 2.3㎜의 판 두께로 열간 압연했다. 다음에, 열간 압연판을 850~1150%에서 풀림 처리하였고, 세척 후 냉간 압연중에 시효 처리를 250℃에서 5회 실시했거나, 시료 처리를 실시하지 않았으며, 이것에 의해 0.30㎜ 두께의 냉간 압연판을 얻었다. 다음에 850℃에서 탈탄 풀림을 실시했다. MgO를 주성분으로 하는 풀림 분리제를 도포한 후 1200℃에서 2차 재결정 완성 풀림을 실시했다. Bi 함량, 열간 압연판 풀림 온도와 판재에 실시되었던 반복 굴곡회수 및 제품 판재의 자속 밀도(B)의 관계를 표 9에 표시한다.
표 9로부터 명확히 알 수 있듯이, Bi 첨가에 의하여 선행 기술의 방법으로는 달성할 수 없는 매우 높은 자속 밀도를 가진 제품을 얻을 수 있고, 심지어 1100℃를 초과하지 않는 열간 압연된 판재의 풀림 온도에서도 Bi를 첨가하지 않았던 경우와 달리 자속 밀도의 저하는 거의 없었으며, 또는 약간 증가했다. 이와 같은 효과는 선행 기술로는 기대되지 않았었다. 또 1100℃를 초과하는 열간 압연판 풀림 온도에서 연속 라인의 상업용 판재의 기준으로 이용되는 풀림이 실시된 판재의 굴곡 횟수가 5회 이하인 반면, Bi가 첨가되었던 본 발명의 강에 대해서, 5회 이상의 굴곡이 1100℃를 초과하지 않은 풀림 온도로도 보장될 수 있다.
[실시예 10]
C ; 0.09%, Si ; 3.3%, Mn ; 0.07%, S ; 0.025%, 산가용성 Al ; 0.027%, N ; 0.009% Sn ; 0.15%를 함유하는 강에 Bi를 첨가하지 않았거나, 0.010%의 Bi를 첨가했다. 열간 압연판을 1050℃에서 풀림 처리하였고, 다음에 100℃ 물속에서의 급냉, 강제 풍냉, 공냉의 세가지 방법 중 하나로 냉각하였고, 세척 후 판재를 0.30㎜의 두께로 냉간 압연했다. 다음에, 그 판재를 850℃에서 탈탄 풀림하였고, MgO를 주성분으로 하는 풀림 분리제를 도포한 후 1200℃에서 2차 재결정 완성 풀림을 실시했다. Bi 함량, 열간 압연된 판재의 풀림 조건과 냉각 조건, 풀림 처리된 판재에 실시되었던 반복 굴곡 횟수 및 제품의 자속 밀도(B)의 관계를 표 10에 표시한다.
표 10로부터 알 수 있는 바와 같이, Bi 첨가에 의하여 선행 기술의 방법으로는 얻을 수가 없었던 매우 높은 자속 밀도를 가진 제품을 얻을 수 있고, 또 열간 압연판 풀림후의 냉각이 100℃ 정도의 물속에서 서냉시킴으로서 풀림을 실시하는 경우 조차도 Bi를 첨가하지 않았던 경우와 달리 자속 밀도의 저하는 거의 없고 약간 증가하였다. 이와 같은 효과는 종래 기술에서는 기대될 수 없다. 또 30℃/초의 냉각 속도로 풀림이 실시된 판재의 굴곡 횟수가 연속 라인의 상업용 판재의 기준으로 이용되는 5회 이하인 반면, 본 발명의 Bi의 첨가되었던 본 발명에 강에 대해서 이용된 서냉 조건으로 5회 이상의 굴곡이 보장될 수 있다.

Claims (15)

  1. 중량%로, C ; 0.03~0.15%, Si : 2.5~4.0%, Mn : 0.02~0.30%, S ; 0.005~0.040%, 산가용성 Al(acid soluble Al) : 0.010~0.065%, N ; 0.0030~0.0150%, Bi ; 0.0005~0.05%, 잔부는 Fe와 불가피한 불순물을 포함하고, 1.92T 이상의 매우 높은 자속 밀도(B8)를 가지며, 냉간 압연 방향으로 100㎜ 이하 10㎜ 이상, 그리고 냉간 압연 방향에 직각인 방향으로 50㎜ 이하 5㎜ 이상의 입경을 가지는 기지(matrix)의 2차 재결정립이 면적비로 80% 이상을 점하고, 상기 기지의 결정립 중에서 평균 직경이 5㎜ 이하인 미세한 2차 재결정립이 존재비로 50% 이상을 점하며, 상기 Bi 및 산가용성 Al은 억제제 성분으로서 포함되는 것을 특징으로 하는 초고자속 밀도 일방향성 전자 강판.
  2. 제1항에 있어서, 상기 기지의 2차 재결정립 중에서, (110)(001) 축들이 압연면에 대해 TD 축 또는 ND 축 둘레로 5°이내로 기울어져 있는 결정립이 90% 이상 점하고, (110)(001) 축들이 압연면에 대해 TD 축 또는 ND 축 둘레로 10°이내로 기울어져 있는 미세한 2차 재결정립이 90% 이상 점하는 것을 특징으로 하는 초고자속 밀도 일방향성 전자 강판.
  3. 제1항에 있어서, Sn : 0.05~0.50%을 함유하는 것을 특징으로 하는 초고자속 밀도 일방향성 전자 강판.
  4. 제3항에 있어서, Cu :0.01~0.10%를 함유하는 것을 특징으로 하는 초고자속 밀도 일방향성 전자 강판.
  5. 중량%로, C ; 0.03%~0.15%, Si : 2.5~4.0%, Mn ; 0.10~0.80%, S : 0.010% 이하, 산가용성 Al(acid soluble Al) ; 0.010~0.065%, N ; 0.0030~0.0150%, Bi ; 0.0005~0.05%, 잔부는 Fe와 불가피한 불순물을 포함하고, 1.92T 이상의 매우 높은 자속 밀도(B8)를 가지며, 냉간 압연 방향으로 100㎜ 이하 10㎜ 이상, 그리고 냉간 압연 방향에 직각인 방향으로 50㎜ 이하 5㎜ 이상의 입경을 가지는 기지의 2차 재결정립이 면적비로 80% 이상을 점하고, 상기 기지의 결정립 중에서 평균 직경이 5㎜ 이하인 미세한 2차 재결정립이 존재비로 50% 이상을 점하며, 상기 Bi 및 산가용성 Al은 억제제 성분으로서 포함되는 것을 특징으로 하는 초고자속 밀도 일방향성 전자 강판.
  6. 청구항 제1항에 따른 초고자속 밀도 일방향성 전자 강판의 제조 방법으로서, 강 슬래브를 형성하기 위하여 초고자속 밀도 일방향성 전자 강판 재료를 주조하는 공정과, 상기 슬래브를 1280℃ 이상으로 가열하는 공정과, 상기 슬래브를 열간 압연하는 공정과, 필요에 따라 최종 냉간 압연 전에 상기 강을 고온 풀림 및 냉각하는 공정과, 상기 강을 1단계로, 또는 단계 사이에 65~95% 압축률의 최종 냉간 압연을 포함하는 중간 풀림을 실시하는 2단계 이상으로 상기 강을 냉간 압연하는 공정과, 탈탄 풀림하고 풀림 분리제를 도포하는 공정과, 2차 재결정 최종 풀림을 실시하는 공정을 포함하며, 산가용성 Al과 함께 억제제 성분으로 작용하도록 상기 용융강에 Bi 또는 Bi 함유 화합물을 Bi로 환산하여 100~5000 g/(용융강 ton) 첨가하는 것을 특징으로 하는 초고자속 밀도 일방향성 전자 강판의 제조 방법.
  7. 청구항 제5항에 따른 초고자속 밀도 일방향성 전자 강판의 제조 방법으로서, 강 슬래브를 형성하기 위하여 초고자속 밀도 일방향성 전자 강판 재료를 주조하는 공정과, 상기 슬래브를 1270℃ 이하로 가열하는 공정과, 상기 슬래브를 열간 압연하는 공정과, 필요에 따라 최종 냉간 압연전에 상기 강을 고온 풀림 및 냉각하는 공정과, 상기 강을 1단계로, 또는 단계 사이에 65~95% 압축률의 최종 냉간 압연을 포함하는 중간 풀림을 실시하는 2단계 이상으로 상기 강을 냉간 압연하는 공정과, 탈탄 풀림하고 질화 처리하는 공정과, 풀림 분리제를 도포하는 공정과, 2차 재결정 최종 풀림을 실시하는 공정을 포함하며, 산가용성 Al과 함께 억제제 성분으로 작용하도록 상기 용융강에 Bi 또는 Bi 함유 화합물을 Bi로 환산하여 100~5000 g/(용융강 ton) 첨가하는 것을 특징으로 하는 초고자속 밀도 일방향성 전자 강판의 제조 방법.
  8. 제6항에 있어서, 1회의 강한 냉간 압연을 실시하여 0.23~0.15㎜ 두께의 제품을 얻는 것을 특징으로 하는 제조 방법.
  9. 제6항에 있어서, 탠덤 냉각 압연(tandem cold rolling)을 하는 것을 특징으로 하는 초고자속 밀도 일방향성 전자 강판의 제조 방법.
  10. 제6항에 있어서, 최종 냉각 압연 이전에 30초~30분 동안 850~1100℃에서 고온 풀림을 실시하는 것을 특징으로 하는 초고자속 밀도 일방향성 전자 강판의 제조 방법.
  11. 제6항에 있어서, 최종 냉각 압연 이전의 고온 풀림 이후에, 950℃ 이하의 온도에서 400℃로의 냉각을 30℃/초보다 느린 냉각 속도로 실시하는 것을 특징으로 하는 초고자속 밀도 일방향성 전자 강판의 제조 방법.
  12. 제7항에 있어서, 1회의 강한 냉간 압연을 실시하여 0.23~0.15㎜ 두께의 제품을 얻는 것을 특징으로 하는 초고자속 밀도 일방향성 전자 강판의 제조 방법.
  13. 제7항에 있어서, 탠덤 냉각 압연을 하는 것을 특징으로 하는 초고자속 밀도 일방향성 전자 강판의 제조 방법.
  14. 제7항에 있어서, 최종 냉각 압연 이전에 30초~30분 동안 850~1100℃에서 고온 풀림을 실시하는 것을 특징으로 하는 초고자속 밀도 일방향성 전자 강판의 제조 방법.
  15. 제7항에 있어서, 최종 냉각 압연 이전의 고온 풀림 이후에, 950℃ 이하의 온도에서 400℃로의 냉각을 30℃/초보다 느린 냉각 속도로 실시하는 것을 특징으로 하는 초고자속 밀도 일방향성 전자 강판의 제조 방법.
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