KR0179381B1 - 액티브 필터회로 - Google Patents

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KR0179381B1
KR0179381B1 KR1019920004789A KR920004789A KR0179381B1 KR 0179381 B1 KR0179381 B1 KR 0179381B1 KR 1019920004789 A KR1019920004789 A KR 1019920004789A KR 920004789 A KR920004789 A KR 920004789A KR 0179381 B1 KR0179381 B1 KR 0179381B1
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parasitic
capacitance
voltage
differential input
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KR1019920004789A
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후다오 야마구찌
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오가 노리오
소니 가부시기가이샤
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Abstract

본원 발명은 액티브필터회로에 있어서, PNP형의 부하트랜지스터 및 NPN형의 차동입력용 트랜지스터에 기생하는 기생용량을 접지용량으로 하고, 이 접지용량이 접속되는 부하트랜지스터 및 차동입력용 트랜지스터의 접속중점을 전원전압 및 접지전위로 동작시킴으로써, 기생용량의 전압의존특성을 소멸시켜 접지용량의 전압의존특성을 일정하게 할 수 있고, 액티브필터회로를 종래에 비해 소형 또한 저소비전력으로 할 수 있다.

Description

액티브필터회로
제1도는 본원 발명에 의한 로패스필터회로의 일실시예를 나타낸 블록도.
제2도는 그 등가회로를 나타낸 접속도.
제3도는 기생용량의 전압의존특성을 나타낸 특성곡선도.
제4도는 출력단에 있어서의 접지용량의 전압의존특성을 설명하기 위한 도표.
제5도는 로패스필터의 기본구성을 나타낸 접속도.
제6도는 용량가변형 로패스필터를 설명하기 위한 접속도.
제7도는 저항가변형 로패스필터를 설명하기 위한 접속도.
제8도는 용량가변형 로패스필터의 전압의존특성을 나타낸 특성곡선도.
제9도는 저항가변형 로패스필터의 전압의존특성을 나타낸 특성곡선도.
제10도는 종래의 로패스필터의 구성을 나타낸 블록도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1, 10 : 로패스필터 11, 12 : 연산증폭기
13 : 버퍼 Cjn, Cjp: 기생용량
Q1~Q8, Q1A~Q8A, Q9 : 트랜지스터
본원 발명은 액티브필터회로에 관한 것이며, 특히 로패스필터회로에 적용하여 적합한 것이다.
종래, 집적회로(IC(integrated circuit))내에는 인덕터를 내장 할 수 없기 때문에, 콘덴서나 저항등의 수동(受動)소자 및 트랜지스터등의 능동(能動)소자의 조합에 의해 각종 필터회로를 구성하도록 되어 있다.
예를 들면 제5도에 도시한 바와 같이, 저항 R과 출력단과의 접속중점 PO에 콘덴서 C를 타단을 접지하여 접속함으로써 1차의 로패스필터를 구성할 수 있다.
이 로패스필터의 차단주파수 f는 다음식(1)로
표현할 수 있다.
그런데, IC내에 형성되는 저항 R및 콘덴서 C에는 정밀도상 각각 ±15~20[%] 및 ±6~15[%] 정도의 불균일성이 있으며, 더욱이 저항 R 에는 3000[ppm/℃]정도, 즉 100[℃]에서 30%정도의 변동량을 가진 온도특성이 있기 때문에, 차단주파수 f가 일정하지 않다는 문제가 있었다.
그래서, 이와 같은 저항 R의 저항치 또는 콘덴서 C의 용량의 변동에 의하지 않고, 차단주파수 f를 일정하게 하기 위해 제6도 및 제7도에 도시한 바와 같은 구성의 로패스필터가 고려되고 있다.
즉, 다이오드의 접합용량(이하 전압가변용량이라 함) Cj의 전압 특성(제8도)또는 디플리션형의 MOS형 트랜지스터(이하 D-MOS(depletion metal oxide semiconductor)라 함)의 가변저항치 Rj의 전압특성(제9도)을 전압제어하여, 전체로서 용량 및 저항치의 적(積) C ㆍR을 일정하게 하여, 차단주파수 f를 일정하게 하도록 되어 있다.
여기서, D-MOS는 드레인소스전압 VD을 가하는 것만으로 전류 ID가 흐르고, 게이트전류 VG가 마이너스방향으로 증가함에 따라 드레인 전류 ID가 감소하는 성질을 가지고 있다.
제6도에 도시한 바와 같이, 전압가변용량 Cj을 가변하여 저항 R이나 용량 C에 발생한 불균일을 보정하고, C ㆍR의 값을 일정하게 제어하는 경우, 전압가변용량 Cj을 ±20% 이상 가변할 필요가 있으므로, 접합간(接合間)역바이어스전압 VR(0)으로 하여 전압의존이 가장 큰 0~2[V]의 영역을 사용하지 않으면 안된다(제8도).
그런데, 이 영역을 사용하여 전압가변용량 Cj을 가변하는 경우, 비선형(非線型)영역을 이용하기 때문에, 출력신호의 왜곡을 1%이내로 하기 위해서는 입력신호레벨을 0.2[Vp-p] 정도로 크게 취할 수 없었다.
또, 입력신호레벨을 크게 할 수 없기 때뭉에, 신호대 잡음비(이하 SN(signal to noise)비라 함)의 열화를 피할 수 없는 문제가 있었다.
한편, 제7도에 도시한 바와 같이, 가변저항치 Rj를 가변하여 저항 R이나 용량 C에 발생한 불균일을 보정하고, C ㆍR의 값을 일정하게 제어하는 경우에도, 가변저항치 Rj를 크게 가변할 필요때문에, 비선형 영역을 이용할 필요가 있고, 입력신호레벨을 크게 할 수 없는 문제가 있었다(제9도).
그러므로, 입력신호레벨을 크게 취할 수 있도록 상호콘덕턴스가변형의 차동증폭회로를 사용한 로패스필터(1)가 제안되어 있다(제10도).
로패스필터(1)는 2단의 로패스필터로 이루어지며, 입력신호 VIN를 커렌트미러형의 차동증폭회로구성으로 이루어지는 제1 및 제2의 연산증폭기(2) 및 (3)을 통한 후, 버퍼(4)로부터 출력신호 VOUT로서 출력하도록 되어 있다.
여기서, 제1의 연산증폭기(2)의 차동출력 V1은 제2의 연산증폭기(3)의 비반전입력단에 입력되고, 증폭회로(2)의 출력단과 증폭회로(3)의 비반전입력단과의 접속중점 P1에는 콘덴서 C1가 접속되어 있다.
연산증폭기(3)의 창동출력 V2은 버퍼(4)에 공급되는 동시에, 제2의 연산증폭기(3)의 출력단과 버퍼(4)의 입력단과의 접속중점 P2에 는 콘덴서 C2가 접속되어 있다.
또, 제1 및 제2의 연산증폭기(2) 및 (3)의 반전입력단에는 출력신호 VOUT가 각각 귀환되고, 입력신호 VIN및 출력신호 V1 와 출력신호 VOUT와의 전위차를 증폭하도록 되어 있다.
여기서, 콘덴서 C1 및 C2의 용량은 제1 및 제2의 연산증폭기(2) 및 (3)에 기생하여 전압에 의존해서 용량이 변동하는 기생용량에 의해 용량이 변동하지 않도록 접속된 MIS(Metal Insulator Semiconductor) 또는 MOS(Metal Oxide SemiConductor)콘덴서로 이루어지는 전압의존성이 없는 콘덴서이며, 기생용량에 대해 1자리수 큰 용량(즉 1[pF]에 대햐여 10[pF])으로 선정되어 있다.
그런데, 이와 같이 IC내에 형성되는 콘덴서 C1 및 C2의 용량을 크게 취하기 위해서는, 예를 들면 100×100[㎛]의 크기를 필요로 하고, 15×20[㎛]으로 이루어지는 트랜지스터에 대해 IC자체가 커지지 않을 수 없었다.
또, 이 로패스필터(1)의 차단주파수 f는 다음 식(2)
로 표현되는 상호콘덕턴스 gm 및 내장용량 C을 사용하여 다음 식(3)
으로 표현되나, 이 차단주파수 f의 값을 일정하게 유지하기 위해서는 용량 C에 비례하여 상호콘덕턴스 gm를 크게 할 필요가 있으며, 연산증폭기(2) 및 (3)에 공급되는 전류 Ix를 크게 취하지 않으면 안되었다.
이 때문에 상호콘덕턴스가변형의 차동증폭회로 구성으로 이루어지는 로패스필터의 경우, 입력신호의 다이나믹레인지가 확대되는 한편, IC내에 접하는 콘덴서 C1및 C2의 면적이 증가하기 때문에 칩이 커져서, IC칩에 공급되는 소비전력도 증가된다는 문제가 있었다.
본원 발명은 이상의 점을 고려하여 이루어진 것이며, 간이한 구성에 의해 고대역, 고 SN비 그리고 저소비전력의 액티브필터회로를 제안하려고 하는 것이다.
이러한 과제를 해결하기 위해 제1의 발명에 있어서는 상호콘덕턴스가변형의 차동증폭회로로 이루어지는 액티브필터회로에 있어서, PNP형 트랜지스터로 이루어지며, 제1의 기준전압 Vcc[V]이 공급되는 부하용 트랜지스터 Q8, Q8A 와, NPN 형 트랜지스터로 이루어지며, 제2의 기준전압 0[V]이 공급되는 차동입력용 트랜지스터 Q4, Q4A 와, 부하용 트랜지스터 Q8, Q8A 및 제1의 기준전압 Vcc[V]간에 기생하는 제1의 기생용량 Cjp및 차동증폭용 트랜지스터 Q4, Q4A 및 제2의 기준전압 0[V]간에 기생하는 제2의 기생용량 Cjn으로 이루어지는 접지 용량 CT을 구비하고, 접지용량 CT이 기생하는 부하용 트랜지스터 Q8, Q8A및 차동입력용 트랜지스터 Q4, Q4A와의 접속중점 P10, P11을 제1 및 제2의 기준전압 Vcc[V] 및 0[V]의 중간전위 Vcc/2[V]로 구동하고, 접속중점 P10, P11으로부터 차동증폭용 트랜지스터에 입력되는 입력신호 Vin 및 V2, V1 및 V2의 차분(差分)에 따른 차동출력 신호 V1, V2를 출력하도록 한다.
또, 제2의 발명에 있어서는 차동입력용 트랜지스터 Q4, Q4A는 부하용 트랜지스터 Q8, Q8A에 대해 소정배의 크기를 가짐으로써, 제1의 기생용량 Cjp의 전압의존특성을 제2의 기생용량 Cjn의 전압의 존특성으로 소멸시키고, 접지용량 CT의 전압의존특성을 일정하게 하도록 한다.
차동입력용 트랜지스터 Q4, Q4A 및 부하용 트랜지스터 Q8, Q8A와의 접속중점 P10, P11과 제1및 제2의 기준전압 Vcc[V] 및 0[V]과의 사이에 기생하는 제1 및 제2의 기생용량 Cjp및 Cjn의 동작점을 제1밍 제2의 기준전압 Vcc[V] 및 0[V]과의 중간전위 Vcc/2[V]로 하고, 제1 및 제2의 기생용량 Cjp및 Cjn의 전압의 특성을 전체로서 소명시킴으로써, 고대역, 고 S/N/비 또한 저소비전력이며 칩사이즈가 한층 작은 액티브필터회로를 얻을 수 있다.
다음에, 도면에 따라서 본원 발명의 일실시예에 대하여 상세히 설명한다.
제1도에 있어서, 로패스필터(10)는 상호 콘덕턴스가변형의 차동증폭회로이며, 2단의 연산증폭기(11), (12) 및 버퍼(13)로 구성되며, 차단주파수 f이하의 입력신호 VIN만을 출력신호 VOUT로서 출력하도록 되어 있다.
제1 및 제2의 연산증폭기(11) 및 (12)의 반전입력단에는 트랜지스터로 구성되는 버퍼(13)로부터의 출력신호 VOUT가 각각 귀환하도록 되어 있다.
여기서, 제1 및 제2의 연산증폭기(11) 및 (12)의 출력단에는 제1의 연산증폭기(11)와 제2의 연산증폭기(12)와의 접속중점 P10 및 제2의 연산증폭기(12)와 버퍼(13)와의 접속중점 P11 에는 전원전압 Vcc 및 접지전위간에 기생용량 Cjn및 Cjp이 전기적으로 병렬로 접지되어서 접속되어 있다.
여기서, 기생용량 Cjn및 Cjp은 각각 PNP트랜지스터 및 NPN트랜지스터의 콜렉터로부터 전원전압 Vcc 또는 접지전위에 PN결합에 의해 형성되는 접합용량이며, 서로 같은 전압의존특성을 가지고 있다.
여기서, 로패스필터(10)는 제2도에 도시한 바와 같은 등가회로에 의해 구성되어 있다.
연산증폭기(11)는 커렌트미러형의 차동증폭회로에 의해 구성되어 있으며, 전원전압 Vcc및 접지전위간에는 각각 NPN형의 트랜지스터로 이루어지는 트랜지스터 Q1 및 Q2가 병렬로 접속되고, 트랜지스터 Q1 및 Q2를 통해 차동입력용의 트랜지스터 Q3 및 Q4에 입력신호 VIN및 출력신호 V2가 공급되도록 되어 있다.
여기서, 트랜지스터 Q1 및 Q2의 에미터는 저항 R1, R2 및 다이오드 D1, 다이오드 D2 를 통해 공퉁의 정전류원(定電流源)(14)에 접속되어 있다.
정전류원(14)은 NPN형의 트랜지스터 Q5 및 저항 R3으로 이루어지며, 기준전류 I 에 의해 정전류원(14)을 흐르는 정전류 I1를 제어 하도록 되어 있다.
저항 R1 과 다이오드 D1의 접속중점 P13 및 저항 R2과 다이오드 D2의 접속중점 P14에는 차동입력용의 NPN형 트랜지스터 Q3및 Q4의 베이스가 접속되고, 이 트랜지스터 Q3 및 Q4의 베이스에 입력신호 VIN및 출력신호 V2가 공급되도록 되어 있다.
트랜지스터 Q3 및 Q4의 에미터는 서로 접속되고, 정전류원(15)의 NPN형 트랜지스터 Q6의 콜렉터에 접속된다.
트랜지스터 Q6의 에미터는 저항 R4을 통해 접지되고, 베이스에 입력되는 기준전류 I 에 의해 차동증폭회로에 흐르는 전류(12)를 제어하도록 되어 있다. 트랜지스터 Q3 및 Q4의 각 콜렉터는 각각 NPN형 트랜지스터로 이루어지고, 능동부하로서의 트랜지스터 Q7 및 Q8의 콜렉터에 접속되어 있다.
부하트랜지스터 Q7 및 Q8의 각 에미터는 저항 R5 및 R6을 통해 전원전압 Vcc에 접속되고, 베이스는 서로 트랜지스터 Q7의 콜렉터에 접속되어 있다.
이로써, 부하트랜지스터 Q7의 콜렉터 및 베이스간의 PN접합부에는 다이오드 D3가 형성되어 있다.
연산증폭기(11)는 차동입력트랜지스터 Q4 및 부하트랜지스터 Q8의 콜렉터끼리를 접속한 접속중점 P10으로부터 출력신호 VI를 다음단의 연산증폭기(12)에 공급하도록 되어 있다.
이 실시예의 경우, 차동입력용 트랜지스터 Q3 및 Q4의 베이스는 부하트랜지스터 Q7 및 Q8의 베이스면적의 2배로 형성되고, 차동입력용 트랜지스터 Q4의 콜렉터 및 기판간의 PN 접합부에 발생하는 기생 용량 Cjn과 부하트랜지스터 Q8의 콜렉터 및 전원전압간의 PN 접합부에 발생하는 기생용량 Cjp이 같은 전압의존특성을 갖도록 되어 있다.
즉, 접속중점 P10(P11)에 형성되는 기생용량중 트랜지스터 Q8의 콜렉터와 전원전압간에 형성되는 기생용량 Cjp은 빌트인전압 Ø,전압의존계수 n(=1)를 사용하여 다음 식(4)
로 표현할 수 있고, 트랜지스터 Q5의 콜렉터와 접지 전위간에 형성되는 기생용량 Cjn은 다음식(5)
로 표현할 수 잇다.
여기서, 기생용량 Cjp및 기생용량 Cjn은 전기적으로 병렬접지라고 볼 수 있으므로, 증폭회로의 출력으로 본 전접지용량 CT은 다음 식(6)
으로 얻을 수 있다.
여시서, 계수 k1및 k2는 일정치 k로 되도록, NPN형의 트랜지스터 Q4의 크기는 부하트랜지스터 Q8의 2배가 되도록 선정되어 있음으로써, (6)식은 공통의 계수 k로 묶을 수 있으므로 다음 식(7)
로 표현할 수 있다.
이 실시예의 경우, 전원전압 Vcc으로서 5[V], 접속중점 P10(P11)의 동작점을 Vcc/2, 즉 2.5[V]로 하고, 전접지용량 CT을 구하면, 제3도에 도시한 바와 같이 접지용량 CT의 전압의존성을 대략 없앨 수 있다.
연산증폭기(12)는 연산증폭기(11)와 같은 구성을 가지며, 부하트랜지스터 Q8A와 차동입력용 트랜지스터 Q4A와의 접속중점 P11에는 기생용량 Cjn및 Cjp이 각각 형성되어 있다.
여기서, 연산증폭기(12)는 출력신호 V2를 접속중점 P11으로부터 차동입력용 트랜지스터 Q2A 및 1단째의 연산증폭기(11)의 트랜지스터 Q2의 베이스에 공급하는 동시에, PNP형 트랜지스터로 이루어지는 버퍼트랜지스터 Q9의 베이스에 공급하고, 트랜지스터 Q9의 에미터로부터 연산증폭기(11) 및 (12)의 2단에서 증폭된 출력신호 VOUT를 출력시키도록 되어 있다.
이상의 구성에 있어서, 입력신호 VIN가 일정전위일 때, 차동입력용 트랜지스터 Q4(Q4A) 및 Q5(Q5A)에는 동일전위의 입력신호 VIN및 출력신호 V2(출력신호 V1 및 V2)가 부여되고, 콜렉터전류가 동등하게 흐른다.
이 때, 기생용량 Cjp및 기생용량 Cjn은 빌트인전압 ø으로서 0.7[V], 용량계수 Cjo로서 0.8[pF]로 하면, 제4도에 도시한 바와 같이, 접속중점 P10에 있어서의 전위 Vr가 2.5[V]일 때, 각각 0.4677[pF]이며, 연산증폭기(11), (12)의 전접지용량 Ct은 0.9354[pF]로 되어 있다.
이 때, 접속중점 P10의 전위는 2.5[V]로 유지되어 있으며, 이 상태에서 입력신호 VIN가 △V[V]증가하면, 트랜지스터 Q3(Q3A)의 전류구동능력이 증대하여 부하트랜지스터 Q7(Q7A)를 흐르는 전류가 증가한다.
한편, 부하트랜지스터 Q8(Q8A)에 흐르는 전류는 감소하고, 이 결과 접속중점 P10의 전위도 증가한다.
이 때, 접속중점 P10(P11)의 전위 Vr가 3.0[V]로 되면 기생용량 Cjp및 Cjn의 용량은 각각 0.4350[pF] 및 0.5092[pF]로 되고, 전접지용량 CT은 0.9442[pF]로 된다.
이에 대하며 입력신호 VIN가 △V[V] 감소하면 트랜지스터 Q3의 전류는 감소하고, 결과로서 접속중점 P10의 출력도 감소한다.
이 때, 접속중점 P10에 있어서의 전위 Vr가 2.0[V]로 되면, 기생용량 Cjp및 기생용량 Cjn은 각각 0.5092[pF] 및 0.4350[pF]로 되고, 건전지용량 CT은 0.9442[pF]로 된다.
이와 같이, 전접지용량 CT의 변동량은 중심전위 2.5[V]에 있어서의 전접지용량 CT(0.9354[pF])를 1.0000 으로 하여 정규화하면, 접속중점 P10(P11)에 있어서의 전위 Vr가 2.0[V] 또는 3.0[V]로 된 경우에 있어서도 전접지용량 CT은 모두 1.0094로 되어, 전접지용량 CT의 변동량은 입력신호의 진폭이 1[V]변동해도 ±1%이내로 안정된다.
이 결과, 출력단에 접속되는 접지용량 CT의 전압의존특성은 일정하고, 종래 기생용량 Cjp및 Cjn이 전압에 의존하여 변동하는 영향을 피하기 위해 필요로 했던 MIS 또는 MOS 콘덴서가 필요없게 된다.
또, 로패스필터(10)의 차단주파수 f는 (3)식으로 표현한 바와 같이 용량 C와 상호콘덕턴스 gm로 구할 수 있으나, 종래 약 10[pF] 필요했던 용량을 약 1[pF]로 즉 10분의 1로 할 수 있으므로, 종래와 같이 차단주파수 f를 얻는데 있어서, 차동증폭기에 접속된 전류원에 흐르는 전류 I2, (I2A)를 10분의 1로 할 수 있고, 로패스필터전체로서의 소비전력을 감소시킬 수 있다.
또 이와는 역으로, 종래와 같은 소비전력으로 사용하면, (3)식에서 표현한 차단주파수 f는 분모의 용량이 10분의 1이 됨으로써, 10배의 대역을 가진 필터설계가 가능하게 된다.
또, 접속중점 P10(P11)의 출력전압 V1(V2)은 입력신호 VIN의 진폭이 1[VP-P] 변동해도 전접지용량 CT이 일정하게 됨으로써, 차단주파수 f 의 변동이나 파형의 왜곡이 없는 로패스필터를 얻을 수 있다.
이 결과, 필터특성은 종래에 비하여 20(dB) 개선할 수 있다.
이상의 구성에 의하면, 차동증폭용 트랜지스터 Q2(Q2A)의 부하트랜지스터 Q8(Q8A)로서 NPN형의 트랜지스터를 사용하고, 차동증폭용 트랜지스터 Q2(Q2A)와 부하트랜지스터 Q8(Q8A)와의 접속중점 P10의 동작전위를 전위전압 Vcc(=5[V])의 중간전위 Vcc/2 로 구동시킴으로써, 전원측에 붙은 기생용량 Cjp과 접지측에 붙는 기생용량 Cjn의 합성 용량 CT의 전압의존성을 대략 없앨 수 있다.
이로써, 입력신호레벨에 의해 차단주파수 f가 변동하거나, 파형이 왜곡되거나 하는 신호의 열화를유효하게 회피할 수 있다.
또, 전접지용량은 기생용량분(약 1[pF])만으로, 즉 종래의 대략 10분의 1의 용량으로 할 수 있으므로, 종래의 1/10 의 전류에 의해 종래와 대략 같은 차단주파수 f를 얻을 수 있는 동시에, 종래와 대략 같은 소비전력으로 하면, 종래에 비해 약 10배의 광대역필터를 설계할 수 있다.
또한, IC칩에 대해 수직방향으로 형성되는 기생용량을 이용함으로써, 웨이퍼표면상의 핀홀 및 먼지등에 의한 오차를 없앨 수 있으므로, 로패스필터의 신뢰성을 한층 향상시킬 수 있다.
또, 종래와 같이 로패스필터에 사용되는 용량 C상에 알루미늄층이 형성되지 않으므로, 알루미늄전극에 의한 특성의 열화를 고려할 필요가 없어진다.
또, 종래 기생용량의 전압의존성에 의한 전접지용량 CT의 변동을 감소시키기 위해 필요했던 MOS콘덴서등의 내장용량이 필요없게 되고, IC를 대폭 작게 할 수 있다.
그리고, 전술한 실시예에 있어서는 전원측 및 접지측에 형성되는 기생용량 Cjp및 Cjn으로서 0.5 [pF]의 용량을 가지고, 합성용량으로서 1[pF]의 것을 사용하는 경우에 대해 설명하였으나, 본원 발명은 이에 한하지 않고, 여러가지 용량의 경우에 적용할 수 있다.
또한, 전술한 실시예에 있어서는 2단의 로패스필터를 사용하는 경우에 대해 설명하였으나, 본원 발명은 이에 한하지 않고, 1차의 로패스필터나 3창 이상의 로패스필터에 적용해도 된다.
그리고, 전술한 실시예에 있어서는 전원전압으로서 5[V]의 경우에 대하여 설명하였으나, 본원 발명은 이에 한하지 않고, 요는 접속 중점 P10을 전원전압과 접지전위와의 중점으로 구동하도록 하면 된다.
또한, 전술한 실시예에 있어서는 차동입력트랜지스터를 부하트랜지스터의 2배의 면적을 갖도록 형성하는 경우에 대해 설명하였으나, PNP 형의 트랜지스터와 NPN형의 트랜지스터의 콜렉터에 기생하는 기생용량이 같아지도록 n배의 면적을 갖도록 형성해도 된다.
또한, 전술한 실시예에 있어서는 로패스필터에 본원 발명을 적용하는 경우에 대하여 설명하였으나, 하이패스필터등 다른 필터에 적용해도 된다.
전술한 바와 같이, 본원 발명에 의하면 차동입력용 트랜지스터 및 부하용 트랜지스터의 접속중점에 차동입력용 트랜지스터와 제1의 기준전압간에 기생하는 제1의 기생용량 및 부하용 트랜지스터와 제2의 기준전압간에 기생하는 제2의 기생용량으로 이루어지는 접지용량을 접속하는 동시에, 그 접속중점을 제1 및 제2의 기준전압의 중간전위로 동작시켜서, 제1 및 제2의 기생용량에 의한 전압의존특성을 서로 소멸시켜서 접지용량의 전압의존특성을 안정시킴으로써, 소비전력이 작고 광대역의 액티브필터회로를 얻을 수 있다.

Claims (2)

  1. 상호콘덕턴스가변형의 차동증폭회로로 이루어지는 액티브필터 회로에 있어서, PNP형 트랜지스터로 이루어지며, 제1의 기준전압이 공급되는 부하용 트랜지스터와, NPN형 트랜지스터로 이루어지며, 제2의 기준전압이 공급되는 차동입력용 트랜지스터와, 상기 부하용 트랜지스터 및 상기 제1의 기준전압 간에 기생하는 제1의 기생용량 및 상기 차동입력용 트랜지스터 및 제2의 기준 전압간에 기생하는 제2의 기생용량으로 이루어지는 접지용량을 구비하고, 상기 접지용량이 기생하는 상기 부하용 트랜지스터 및 상기 차동입력용 트랜지스터와의 접속중점을 상기 제1 및 제2의 기준전압의 중간전위로 구동하고, 상기 접속중점으로부터 상기 차동입력용 트랜지스터에 입력되는 입력신호의 차분(差分)에 따른 차동출력신호를 출력하는것을 특징으로 하는 액티브필터회로.
  2. 제1항에 있어서, 상기 차동입력용 트랜지스터는 상기 부하용 트랜지스터에 대해 소정배의 크기를 가짐으로써, 상기 제1의 기생용량의 전압의존특성을 상기 제2의 기생용량의 전압의존특성으로 소멸시키고, 상기 접지용량의 전압의존특성을 일정하게 하는 것을 특징으로 하는 액티브필터회로.
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