KR0171713B1 - Overcurrent protection circuit of a power semiconductor transistor - Google Patents

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Abstract

이 발명은 IGBT구동 보호회로에 관한 것으로, 종래에는 IGBT 전류를 검출하기 위해서는 별도의 전류검출용 에미터단자가 있는 IGBT를 사용하였다. 이 발명은 이를 감안하여 펄스신호인 입력신호(Vin)에 응답하여 IGBT의 구동 게이트 전압을 출력시키는 구동수단과; IGBT의 콜렉터-에미터간 전류를 전압으로 검출하는 전류 검출수단과; 그 전류검출수단의 검출전압과 과전류에 대한 기준전압을 비교하여 소정시간 지연 후 상기 구동수단의 출력을 로우레벨로 오프시키도록 제어하는 과전류 제어수단과; 상기 전류 검출수단의 검출전압과 단락전류에 대한 기준전압을 비교하여 즉시 상기 IGBT의 게이트 전압을 다운시키는 단락전류 제어수단으로 구성된 IGBT 과전류 보호회로를 제공함으로써, 별도의 에미터단자가 없는 일반적인 IGBT를 사용할 수 있고, 온도변화에도 적절한 소자보호를 하게 된다.The present invention relates to an IGBT driving protection circuit. In the related art, an IGBT having a separate current detecting emitter terminal is used to detect an IGBT current. In consideration of this, the present invention provides driving means for outputting a driving gate voltage of an IGBT in response to an input signal Vin, which is a pulse signal; Current detecting means for detecting a collector-emitter current of the IGBT as a voltage; Overcurrent control means for comparing the detected voltage of the current detecting means with the reference voltage for the overcurrent and controlling to turn off the output of the driving means to a low level after a predetermined time delay; By providing an IGBT overcurrent protection circuit comprising short-circuit current control means for comparing the detection voltage of the current detection means with a reference voltage for a short-circuit current and immediately lowering the gate voltage of the IGBT, a general IGBT without a separate emitter terminal is provided. It can be used, and proper device protection against temperature changes.

Description

전력용 반도체 트랜지스터의 과전류 보호회로Overcurrent Protection Circuit of Power Semiconductor Transistor

제1도는 종래 IGBT 구동 보호회로도.1 is a conventional IGBT driving protection circuit diagram.

제2도 (a) 내지 (d)는 제1도에 따른 동작 파형도.2 (a) to (d) are operational waveform diagrams according to FIG.

제3도는 이 발명에 의한 IGBT 구동 보호회로도.3 is an IGBT driving protection circuit according to the present invention.

제4도는 IGBT의 콜렉터-에미터간 전압과 온도와의 관계를 보인 특성도이다.4 is a characteristic diagram showing the relationship between the collector-emitter voltage and the temperature of the IGBT.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for main parts of the drawings

11 : 구동부 12 : 전류검출부11 drive unit 12 current detection unit

13 : 과전류 제어부 14 : 단락전류 제어부13: overcurrent controller 14: short circuit current controller

CM1, CM2 : 비교기 Q1-Q5 : 트랜지스터CM1, CM2: Comparator Q1-Q5: Transistor

R1-R3 : 저항 D1 : 다이오드R1-R3: Resistor D1: Diode

이 발명은 전력용 반도체 트랜지스터(Insulated Bipolar Transistor : IGBT라 함의 과전류 보호회로에 관한 것으로, 별도의 전류 감지수단을 사용하지 않고 과전류 및 단락전류에 대해 IGBT 소자를 보호할 수 있도록 한 전력용 반도체 트랜지스터의 과전류 보호회로에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an overcurrent protection circuit called an insulated bipolar transistor (IGBT), which is capable of protecting an IGBT device against overcurrent and short-circuit current without using a separate current sensing means. It relates to an overcurrent protection circuit.

일반적으로, IGBT의 구동은 교류전원(AC)을 포토커플러(PC1)에 의해 펄스신호로 변환하고, 그 펄스신호를 입력신호(Vin)로 하는 구동회로에서 입력신호(Vin)에 응답하는 IGBT 구동용 게이트신호(VGE)를 발생시켜 IGBT룰 구동시키도록 되어 있다.In general, the driving of the IGBT is to convert the AC power supply AC into a pulse signal by the photocoupler PC1, and to drive the IGBT in response to the input signal Vin in the driving circuit which converts the pulse signal into the input signal Vin. The gate signal VGE is generated to drive the IGBT rule.

제1도는 종래 IGBT 과전류 보호회로도로서, 이에 도시된 바와 같이 입력신호(Vin)를 베이스에 인가받는 트랜지스터(Q1)의 콜렉터를 트랜지스터(Q2)와 피엔피 트랜지스터(Q3)의 베이스에 공통으로 연결함과 아울러 저항(R1)을 퉁해 전원단자(VD)에 연결하며, 그 트랜지스터(Q2),(Q3)의 에미터 공통 접속점이 저항(R2)을 통해 IGBT의 게이트에 연결된다.FIG. 1 is a diagram of a conventional IGBT overcurrent protection circuit, in which a collector of a transistor Q1 receiving an input signal Vin is connected to a base of a transistor Q2 and a PNP transistor Q3 in common. In addition, the resistor R1 is connected to the power supply terminal VD, and the emitter common connection point of the transistors Q2 and Q3 is connected to the gate of the IGBT through the resistor R2.

또한, 상기한 IGBT의 별도의 에미터단자에 전류 검출용 저항(R5)을 연결함과 아울러 그 접속접을 과전류 비교기(CM1) 및 단락전류 비교기(CM2)에 연결하고, 과전류 기준전압(Vr1)과 비교하는 상기 과전류 비교기(CM1)의 출력단자는 지연기(1)를 통해 트랜지스터(Q4)의 베이스에 연결하고, 그 트랜지스터(Q4)의 콜렉터 출력단자는 상기한 입력단의 트랜지스터(Q2),(Q3)의 베이스 공통단자에 연결하며, 상기 IGBT의 에미터 검출전압과 단락전류 기준접압(Vr2)을 비교하는 상기 단락전류 비교기(CM2)의 출력단자는 트랜지스터(Q5)의 베이스에 연결하고, 그 트랜지스터(Q5)의 콜렉터는 저항(R4)을 통하여 상기 IGBT의 게이트 단자에 연결하여 구성된다.In addition, the current detection resistor R5 is connected to the separate emitter terminal of the IGBT, and the connection contact is connected to the overcurrent comparator CM1 and the short-circuit current comparator CM2, and the overcurrent reference voltage Vr1 and The output terminal of the overcurrent comparator CM1 to be compared is connected to the base of the transistor Q4 through the delay unit 1, and the collector output terminal of the transistor Q4 is connected to the transistors Q2 and Q3 of the input terminal. The output terminal of the short-circuit current comparator CM2, which is connected to the base common terminal and compares the emitter detection voltage of the IGBT with the short-circuit current reference voltage Vr2, is connected to the base of the transistor Q5, and the transistor Q5. The collector of is connected to the gate terminal of the IGBT through a resistor (R4).

이와같이 구성된 종래 IGBT 구동회로는, 먼저, 제2도 (a)에 도시된 바와 같이 정상적인 경우에, 입력신호(Vin)가 하이(H)이면, 트랜지스터(Q1)는 온되고, 이에 따라 트랜지스터(Q2)는 오프, 피엔피 트랜지스터(Q3)은 온되어 제2도 (b)와 같이 로우(L)신호가 IGBT의 게이트에 인가되므로, 그 IGBT는 오프된다. 반대로 입력신호(Vin)가 로우인 경우에는 트랜지스터(Q1)는 오프, 트랜지스터(Q2)는 온, 피엔피 트랜지스터(Q3)는 오프되어 하이신호가 IGBT의 게이트에 인가되므로, IGBT는 온된다.In the conventional IGBT driving circuit configured in this way, first, in the normal case as shown in FIG. 2A, when the input signal Vin is high (H), the transistor Q1 is turned on, and accordingly, the transistor Q2. ) Is turned off, and the PNP transistor Q3 is turned on so that the low L signal is applied to the gate of the IGBT as shown in FIG. On the contrary, when the input signal Vin is low, the transistor Q1 is turned off, the transistor Q2 is turned on, the PNP transistor Q3 is turned off, and the high signal is applied to the gate of the IGBT, so that the IGBT is turned on.

한편, 과전류(0.C) 보호인 경우에는 IGBT의 콜렉터 전류 ic가 증가하여 전류검출용 저항(R5)의 양단 전압(VS)이 증가한다. 그 전류검출용 저항(R5)의 양단 전압(VS)이 과전류 비교기(CM1)의 기준전압(Vr1)보다는 높고, 단락전류 비교기(CM2)의 기준전압(Vr2) 보다는 낮은 경우에 과전류 비교기(CM1)의 출력이 하이신호로 출력되고, 지연기(1)의 지연시간후에 트랜지스터(Q4)가 턴온되어 피엔피 트랜지스터(Q3)를 턴온 시키므로, 제2도 (b)에 도시된 바와 같이 과전류가 검출되면 지연시간 후에 피엔피 트랜지스터(Q3)가 온되어 IGBT를 오프시킨다.On the other hand, in the case of overcurrent (0.C) protection, the collector current ic of the IGBT increases to increase the voltage VS across both ends of the current detection resistor R5. The overcurrent comparator CM1 when the voltage VS at both ends of the current detecting resistor R5 is higher than the reference voltage Vr1 of the overcurrent comparator CM1 and lower than the reference voltage Vr2 of the short circuit current comparator CM2. Is output as a high signal, and the transistor Q4 is turned on after the delay time of the delayer 1 to turn on the PNP transistor Q3. Therefore, when an overcurrent is detected as shown in FIG. After the delay time, the PNP transistor Q3 is turned on to turn off the IGBT.

또한, 단락전류(S.C) 보호인 경우에는 전류검출용 저항(R5)의 양단 전압(VS)이 단락전류 비교기(CM2)의 기준전압(Vr2 ; Vr2 Vr1)보다 높아지고, 이에따라 두 개의 비교기(CM1), (CM2) 모두다 하이신호를 출력하게 된다. 단락전류 비교기(CM2)가 하이신호를 출력하면, 즉시 트랜지스터(Q5)가 턴온되어 IGBT의 게이트 전압을 1차로 다운시키고, 상기 지연기(1)의 지연시간후에 트랜지스터(Q4) 및 피엔피 트랜지스터(Q3)가 턴온되어 IGBT를 오프시킨다. 즉, 단락전류 감지시에는 제2도 (d)와 같이 2단으로 제어하여 IGBT를 오프시킨다.In the case of the short-circuit current SC protection, the voltage VS at both ends of the current detection resistor R5 is higher than the reference voltage Vr2 (Vr2 Vr1) of the short-circuit current comparator CM2, thereby providing two comparators CM1. And (CM2) all output high signal. When the short-circuit current comparator CM2 outputs a high signal, the transistor Q5 is immediately turned on to bring down the gate voltage of the IGBT to the primary, and after the delay time of the delay unit 1, the transistors Q4 and PNP transistors ( Q3) is turned on to turn off the IGBT. That is, when detecting a short circuit current, the IGBT is turned off by controlling in two stages as shown in FIG.

그러나, 이와같은 종래 IGBT 구동회로에 의하면, IGBT의 에미터 전류분류가 있는 즉, 멀티 에미터를 가진 IGBT를 사용해야만 과전류 및 단락전류를 감지할 수 있게 되고, IGBT의 접합부 온도(junction temperature)와 관계없이 과전류(SC) 보호동작이 수행된다.However, according to the conventional IGBT driving circuit, the overcurrent and short-circuit current can be detected only by using the IGBT with the emitter current classification of the IGBT, that is, the multi-emitter, and the junction temperature of the IGBT and the junction temperature. Regardless, the overcurrent (SC) protection operation is performed.

이 발명은 이를 감안하여 IGBT의 CE간 전압을 이용하여 IGBT에 흐르는 전류를 검출해 과전류 및 단락전류 보호동작을 수행할 수 있도록 한 IGBT의 과전류 보호회로를 제공함에 목적이 있다.In view of this, it is an object of the present invention to provide an overcurrent protection circuit of an IGBT that detects a current flowing through the IGBT using a CE-to-CE voltage of the IGBT and performs an overcurrent and short circuit current protection operation.

이와같은 이 발명의 목적은, 펄스신호인 입력신호(Vin)에 응답하여 IGBT의 구동 게이트 전압을 출력시키는 구동수단과; IGBT의 게이트와 연결된 저항 및 그 IGBT의 콜렉터와 캐소드가 연결된 다이오드로 이루어져 그 다이오드의 애도우드와 저항의 접속점을 통해 IGBT의 콜렉터-에미터간 전류를 검출하는 전류 검출수단과; 그 전류 검출수단의 검출전압과 과전류에 대한 기준전압을 비교하여 상기 구동수단의 출력을 로우레벨로 오프시키도록제어하는 과전류 제어수단과; 상기 전류 검출수단의 점출전압과 단락전류에 대한 기준전압을 비교하여 상기 IGBT의 게이트 전압을 다운시키는 단락전류 제어수단; 으로 구성함으로써, 달성되는 것이다.This object of the present invention comprises: driving means for outputting a driving gate voltage of the IGBT in response to an input signal Vin which is a pulse signal; Current detecting means comprising a resistor connected to the gate of the IGBT and a diode connected to the collector and the cathode of the IGBT to detect current between the collector-emitter of the IGBT through the junction point of the diode and the resistor of the diode; Overcurrent control means for comparing the detected voltage of the current detecting means with the reference voltage for the overcurrent and controlling to turn off the output of the driving means to a low level; Short-circuit current control means for reducing the gate voltage of the IGBT by comparing the discharge voltage of the current detection means with a reference voltage for the short-circuit current; It is achieved by configuring.

이하, 이 발명의 실시예를 첨부된 도면을 참조해서 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

제2도는 이 발명에 의 한 IGBT 과전류 보호회로도로서, 이에 도시된 바와 같이 입력신호(Vin)에 응답하여 IGBT의 구동 게이트 전압을 출력시키는 구동부(11)는, 입력신호(Vin)를 베이스에 인가받는 트랜지스터(Q1)의 콜렉터를 엔피엔 트랜지스터(Q2)와 피엔피 트랜지스터(Q3)의 베이스에 공통으로 연결함과 아울러 저항(R1)을 통해 전원단자(VD)에 연결하며, 그 트랜지스터(Q2)C(Q3)의 에미터 공통 접속점이 저항(R2)을 통해 IGBT의 게이트에 연결된다.2 is an IGBT overcurrent protection circuit according to the present invention. As shown therein, the driver 11 for outputting the driving gate voltage of the IGBT in response to the input signal Vin applies the input signal Vin to the base. The collector of the receiving transistor Q1 is commonly connected to the bases of the NP transistor Q2 and the PNP transistor Q3, and is connected to the power supply terminal VD through the resistor R1, and the transistor Q2. The emitter common junction of C (Q3) is connected to the gate of the IGBT via resistor R2.

또, 상기 IGBT의 콜렉터-에미터간 전류를 검출하는 전류검출부(12)는 IGBT의 게이트와 연결된 저항(R3) 및 그 IGBT의 콜렉터와 캐소드가 연결된 다이오드(D1)로 이루어져 그 다이오드(D1)의 애도우드와 저항(R3)의 접속점을 통해 IGBT의 콜렉터-에미터간 전류를 검출하도록 이루어진다.In addition, the current detector 12 detecting the collector-emitter current of the IGBT includes a resistor R3 connected to the gate of the IGBT and a diode D1 connected to the collector and the cathode of the IGBT, and mourns the diode D1. The junction between the wood and resistor R3 is made to detect the collector-emitter current of the IGBT.

또, 과전류 검출시 IGBT를 오프시키도록 제어하는 과전류 제어부(13)는 상기 전류 검출부(12)의 출력전압과 과전류 기준전압(Vr1)을 비교하는 과전류 비교기(CM1)와, 그 과전류 비교기(CM1)의 출력신호를 일정시간 지연시키는 지연기(1)와, 그 지연기(1)의 출력신호에 의해 제어되어 상기 구동부(11)의 트랜지스터(Q2),(Q3)를 제어하는 트랜지스터(Q4)로 구성되며, 단락전류 검출시 IGBT의 게이트 전압을 1차로 다운시키는 단락전류 제어부(14)는 상기 전류 검출부(12)의 출력전압과 단락전류 기준전압(Vr2)을 비교하는 단락전류 비교기(CM2)와, 그 단락전류 비교기(CM2)의 출력신호에 의해 제어되어 상기 IGBT의 게이트 전압을 제어하는 트랜지스터(Q5), 저항(R4)으로 구성된다.In addition, the overcurrent control unit 13 which controls to turn off the IGBT upon overcurrent detection includes an overcurrent comparator CM1 for comparing the output voltage of the current detector 12 with the overcurrent reference voltage Vr1, and the overcurrent comparator CM1. To a delay (1) for delaying the output signal of the predetermined time, and a transistor (Q4) for controlling the transistors (Q2) and (Q3) of the driver (11) controlled by the output signal of the delay (1). And a short circuit current control unit 14 which firstly lowers the gate voltage of the IGBT when detecting a short circuit current, and a short circuit current comparator CM2 for comparing the output voltage of the current detector 12 with the short circuit current reference voltage Vr2. And a transistor Q5 and a resistor R4 controlled by the output signal of the short-circuit current comparator CM2 to control the gate voltage of the IGBT.

이와같이 구성된 이 발명의 특징은 종래에는 IGBT의 별도의 에미터에서 전류를 검출하였으나, 이 발명에서는 IGBT의 게이트와 콜렉터에 각기 연결된 저항(R3)과 다이오드(D1)의 접속점을 통해 IGBT의 콜렉터-에미터간 전류를 검출하여 과전류 및 단락전류를 판단하여 제어할 수 있도록 한 것이다.While the present invention is conventionally configured to detect current in a separate emitter of the IGBT, in the present invention, the collector-emi of the IGBT is connected through a connection point of the resistor R3 and the diode D1 respectively connected to the gate and the collector of the IGBT. It detects over-current and judges overcurrent and short-circuit current to control.

먼저, 정상적인 경우에, 입력신호(Vin)가 로우이면 구동부(11)의 트랜지스터(Q1)는 오프, 트랜지스터(Q2)는 온, 피엔피 트랜지스터(Q3)는 오프되어 하이신호가 IGBT의 게이트에 인가되므로, 그 IGBT는 온된다. 반대로 입력신호(Vin)가 하이(H)이면, 트랜지스터(Q1)는 온, 트랜지스터(Q2)는 오프, 피엔피 트랜지스터(Q3)는 온되어 IGBT는 오프된다.First, in the normal case, when the input signal Vin is low, the transistor Q1 of the driving unit 11 is turned off, the transistor Q2 is turned on, the PNP transistor Q3 is turned off, and the high signal is applied to the gate of the IGBT. Therefore, the IGBT is on. In contrast, when the input signal Vin is high (H), the transistor Q1 is turned on, the transistor Q2 is turned off, the PNP transistor Q3 is turned on, and the IGBT is turned off.

한편, 과전류(0.C) 보호인 경우에는, IGBT의 콜렉터 전류 ic가 증가하여 IGBT의 C-E간 전압 VCE(sat)이 증가하고, 이에 따라 저항(R3)과 다이오드(D1)의 접속점 전압이 상승된다. 이와 같이 비교기(CM1), (CM2)의 비반전 입력단자의 입력전압(V1)이 상승되어 과전류 기준전압(Vr1)보다는 높고, 단락전류 비교기(CM2)의 기준전압(Vr2)보다는 낮은 경우에 과전류 비교기(CM1)의 출력이 하이신호로 출력되고, 지연기(1)의 지연시간후에 트랜지스터(Q4)가 턴온되어 피엔피 트랜지스터(Q3)를 턴온시키므로, 과전류가 검출되면 지연시간후에 피엔피 트랜지스터(Q3)가 온되어 IGBT를 오프시킨다.On the other hand, in the case of overcurrent (0.C) protection, the collector current ic of the IGBT increases to increase the voltage VCE (sat) between CEs of the IGBT, thereby increasing the connection point voltage of the resistor R3 and the diode D1. do. As such, when the input voltage V1 of the non-inverting input terminals of the comparators CM1 and CM2 rises to be higher than the overcurrent reference voltage Vr1 and lower than the reference voltage Vr2 of the short-circuit comparator CM2, the overcurrent The output of the comparator CM1 is output as a high signal, and the transistor Q4 is turned on after the delay time of the delayer 1 to turn on the PNP transistor Q3. Q3) is turned on to turn off the IGBT.

또한, 단락전류(S.C) 보호인 경우에는, 전류검출(12)의 검출전압(V1)이 단락전류 비교기(CM2)의 기준전압(Vr2 ; Vr2 Vr1)보다 높아지면, 두 개의 비교기(CM1),(CM2) 모두 다 하이신호를 출력하게 된다. 단락전류 비교기(CM2)가 하이신호를 출력하면, 즉시 트랜지스터(Q5)가 턴온 되어 IGBT의 게이트 전압을 1차로 다운시키고, 상기 지연기(1)의 지연시간후에 트랜지스터(Q4) 및 피엔피 트랜지스터(Q3)가 턴온되어 IGBT를 오프시킨다. 즉, 단락전류 감지시에는 즉시 IGBT의 게이트 전압을 1차로 다운시킨 후, 지연시간 후에 완전히 오프시킨다.In the case of the short-circuit current SC protection, when the detected voltage V1 of the current detection 12 becomes higher than the reference voltage Vr2; Vr2 Vr1 of the short-circuit current comparator CM2, two comparators CM1, (CM2) All output high signal. When the short-circuit current comparator CM2 outputs a high signal, the transistor Q5 is immediately turned on to bring down the gate voltage of the IGBT to the primary, and after the delay time of the delay unit 1, the transistors Q4 and PNP transistors ( Q3) is turned on to turn off the IGBT. That is, upon detection of short-circuit current, the gate voltage of the IGBT is immediately lowered to the first and then completely turned off after the delay time.

그리고, 제4도에 도시된 바와 같이 IGBT의 C-E간 전압 VCE(sat)이 접합부 온도에 따라 달라져서 온도가 높을수록 VCE(sat)가 상승되는데, 이 발명에서는 저항(R3)과 다이오드(D1)에 의해 IGBT의 C-E간 전압 VCE(sat)을 감지하여 이에 따른 과전류 기준전압 및 단락전류 기준전압과 비교하여 제어하므로, 온도에 따른 변화에도 자동 대응한다.As shown in FIG. 4, the voltage VCE (sat) between the CEs of the IGBT varies depending on the junction temperature, and as the temperature is higher, the VCE (sat) is increased. In the present invention, the resistance R3 and the diode D1 are increased. By detecting the voltage VCE (sat) between the CE of the IGBT by comparing with the over-current reference voltage and the short-circuit current reference voltage according to this, it automatically responds to changes in temperature.

이상에서 상세히 설명한 바와 같이 이 발명에 의하면, IGBT의 별도의 전류 검출용 에미터가 필요치 않아 일반적인 IGBT를 사용하면서도 과전류 보호 및 단락전류 보로동작을 수행할 수 있는 효과가 있다. 또한, IGBT의 접합부 온도가 높을 때 좀더 낮은 전류치에서 과전류 및 단락전류 보호동작을 수행할 수 있게 되어 온도변화에 대해서도 적절한 소자 보호기능을 수행할 수 있는 효과가 있다.As described in detail above, according to the present invention, there is no need for a separate current detecting emitter of the IGBT, and thus there is an effect of performing overcurrent protection and short-circuit current operation while using a general IGBT. In addition, when the junction temperature of the IGBT is high, the overcurrent and short-circuit current protection operations can be performed at a lower current value, so that an appropriate device protection function can be performed even with a temperature change.

Claims (2)

펄스신호인 입력신호(Vin)에 응답하여 IGBT의 구동 게이트 전압을 출력시키는 구동수단과; IGBT의 콜렉터-에미터간 전류를 전압으로 검출하는 전류 검출수단과; 그 전류 검출수단의 검출전압과 과전류에 대한 기준전압을 비교하여 소정시간 지연후 상기 구동수단의 출력을 로우레벨로 오프시키도록 제어하는 과전류 제어수단과; 상기 전류 검출수단의 검출전압과 단락전류에 대한 기준전압을 비교하여 즉시 상기 IGBT의 게이트 전압을 다운시키는 단락전류 제어수단; 으로 구성된 것을 특징으로 하는 전력용 반도체 트랜지스터의 과전류 보호회로.Driving means for outputting a driving gate voltage of the IGBT in response to an input signal Vin which is a pulse signal; Current detecting means for detecting a collector-emitter current of the IGBT as a voltage; Overcurrent control means for comparing the detected voltage of the current detecting means with the reference voltage for the overcurrent and controlling to turn off the output of the driving means to a low level after a predetermined time delay; Short-circuit current control means for immediately lowering the gate voltage of the IGBT by comparing the detection voltage of the current detection means with a reference voltage for a short-circuit current; An overcurrent protection circuit of a power semiconductor transistor, characterized in that consisting of. 제1항에 있어서, 전류검출수단은, IGBT의 게이트와 연결된 저항(R3) 및 그 IGBT의 콜렉터에 캐소드가 연결된 다이오드(D1)로 이루어져 그 다이오드(D1)의 애도우드와 저항(R3)의 접속점을 통해 IGBT의 콜렉터-에미터간 전류를 전압으로 검출하도록 구성된 것을 특징으로 하는 전력용 반도체 트랜지스터의 과전류 보호회로.The current detecting means comprises a resistor (R3) connected to a gate of the IGBT and a diode (D1) having a cathode connected to the collector of the IGBT, and a connection point between the adode of the diode (D1) and the resistor (R3). The over-current protection circuit of the power semiconductor transistor, characterized in that configured to detect the collector-emitter current of the IGBT as a voltage through.
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