KR0167286B1 - 반도체 확산공정용 버블러의 과부하방지장치 - Google Patents
반도체 확산공정용 버블러의 과부하방지장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR0167286B1 KR0167286B1 KR1019950049203A KR19950049203A KR0167286B1 KR 0167286 B1 KR0167286 B1 KR 0167286B1 KR 1019950049203 A KR1019950049203 A KR 1019950049203A KR 19950049203 A KR19950049203 A KR 19950049203A KR 0167286 B1 KR0167286 B1 KR 0167286B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- valve
- bubbler
- line
- way pneumatic
- pneumatic valve
- Prior art date
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/448—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
- C23C16/4481—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials by evaporation using carrier gas in contact with the source material
- C23C16/4482—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials by evaporation using carrier gas in contact with the source material by bubbling of carrier gas through liquid source material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/52—Controlling or regulating the coating process
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
Abstract
본 발명은 반도체 확산공정용 버블러의 과부하방지장치에 관한 것으로, 종래에는 3-웨이 뉴메틱 밸브의 작동이상이나 제2 온/오프 밸브가 닫힌 상태로 공정을 진행시 버블러의 압력이 과부하가 발생하여 버블러의 파손으로 장비의 손실 및 안전사고의 위험이 있는 문제점이 있었던 바, 본 발명은 3-웨이 뉴메틱밸브(30)의 작동이상이나, 제2 온/오프 밸브가 닫힌 상태로 공정을 진행하여 과부하 발생시 제5, 제6 체크밸브(42)(44)를 통하여 제2 뉴메틱 밸브(40)으로 감지하여 공급라인(20)의 질소 흐름을 차단함으로써 버블러(26)의 파손을 방지하게 되어 장비의 손실을 방지함과 아울러 안전사고를 방지하는 효과가 있다.
Description
제1도는 종래 확산공정용 버블러의 구성을 보인 배관도.
제2도는 본 발명 과부하방지장치가 구비된 반도체 확산공정용 버블러의 구성을 보인 배관도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
20,31 : 공급라인 21 : 유량조절기
22 : 제1 2-웨이 뉴메틱 밸브 23 : 제1 체크밸브
24 : 제1 온/오프 밸브 25 : 액체소스
26 : 버블러 27 : 배출라인
28 : 제2 온/오프 밸브 29 : 제2 체크밸브
30 : 3-웨이 뉴메틱 밸브 32 : 배기라인
33 : 제3 체크밸브 34 : 제4 체크밸브
40 : 제2 2-웨이 뉴메틱 밸브 41 : 제1 연결라인
42 : 제5 체크밸브 43 : 제2 연결라인
44 : 제6 체크밸브 45 : 제3 연결라인
46 : 제3 온/오프 밸브
본 발명은 반도체 확산공정용 버블러의 과부하방지장치에 관한 것으로, 특히 압력이 과부하가 발생하여 버블러가 폭발하는 것을 방지하도록 하는데 적합한 반도체 확산공정용 버블러의 과부하방지장치에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 제조공정 중 확산공정에서는 액체 소스(LIQUID SOURCE)중에 포함되어 있는 불순물을 제거함과 동시에 액체를 기체로 기화시키기 위한 버블러(BUBBLER)를 사용한다. 이와 같이 확산공정에서 사용되는 가스 시스템(GAS SYSTEM)은 주로 사용 가스 및 유량제어기(MASS FLOW CONTROLLER)의 수에 따라 3-루프(LOOP), 4-루프, 5-루프 구조로 구별되며, 공정 종류에 따라 구별적용 된다.
제1도는 종래 확산공정용 버블러의 구성을 보인 개략구성도로서, 도시된 바와 같이, 질소(N2)가스를 공급하기 위한 공급라인 상에는 질소가스의 흐름을 조절하기 위한 유량조절기(1)와, 감지되는 압력에 따라 밸브를 열고 닫는 2-웨이 뉴메틱 밸브(2-WAY PNEUMATIC VALVE)(2)와, 역류방지를 위한 제1 체크밸브(3), 일반적인 제1 온/오프 밸브(4)가 순차적으로 설치되어 있고, 그 공급라인의 단부는 액체 소스가 수납된 버블러(5)에 잠긴 상태로 설치되어 있다.
그리고, 상기 버블러(5)의 상부에 설치되어 있는 배출라인 상에는 제2 온/오프 밸브(6)와, 역류방지용 제2 체크밸브(7)와, 압력에 따라 밸브를 열고 닫는 3-웨이 뉴메틱 밸브(8)가 설치되어 있고, 그 3-웨이 뉴메틱 밸브(8)에서 공정 튜브로 연결되는 연결라인과 타측의 배기라인 상에는 역류방지용 제3 체크밸브(9)와 제4 체크밸브(10)가 각각 설치되어 있다.
상기와 같이 구성되어 있는 종래 확산공정을 버블러의 동작을 설명하면 다음과 같다.
질소(N2)가스를 공급하기 위한 공급라인으로 질소가스가 공급되면 유량조절기(1)에서 흐르는 가스의 양이 조절되며 2-웨이 뉴메틱 밸브(2)와, 제1 체크밸브(3)와, 제1 온/오프 밸브(40를 거쳐 버블러(5)에 수납되어 있는 액체 소스의 내부에 공급된다.
상기와 같이 액체 소스의 내부에 질소가스가 공급되면 액체 소스가 기화되어 배출라인 상에 설치되어 있는 제2 온/오프 밸브(6), 제2 체크 밸브(7), 3- 웨이 뉴메틱 밸브(8)를 거쳐, 공급라인의 제3 체크밸브(9)를 통하여 공정 튜브의 내부로 공급되는 것이다.
그리고, 상기와 같은 기화된 공정 가스를 외부로 배출할때는 배기라인 상에 설치되어 있는 제4 체크밸브(10)를 통하여 장비의 외부로 배출하게 된다.
그러나, 상기와 같이 버블러(5)를 이용하여 액체 소스를 기화하고, 그 기화된 공정가스를 공정 튜브의 내부로 투입시에 3-웨이 뉴메틱 밸브(8)가 동작불량을 일으키거나, 혹은 배출라인 상에 설치되어 있는 제2 온/오프 밸브(6)가 닫힘상태에서 공정을 진행하여 캐리어 질소(CARRIER N2)에 의해 버블러(5)에 과도한 압력부하가 일어날 수 있다. 이와 같은 상황에서 과부하로 인한 버블러(5)의 폭발 가능성이 있으며, 버블러(5)의 폭발시 장비의 손실뿐 아니라, 액체 소스에서 발생하는 유해 가스로 인하여 작업자의 안전사고가 문제점이 있었다.
상기와 같은 문제점을 감안한 본 발명의 목적은 공정 진행중에 3- 웨이 뉴메틱 밸브가 동작불량을 일으키거나 혹은 배출라인의 제2 온/오프 밸브가 닫힌 상태에서 공정을 진행하여도 캐리어 질소의 압력에 의한 버블러의 파손을 방지하도록 하는데 적합한 반도체 확산공정용 버블러의 과부하방지장치를 제공함에 있다.
상기와 같은 본 발명의 목적을 달성하기 위하여 질소가스를 공급하기 위한 공급라인 상에 유량조절기, 2-웨이 뉴메틱 밸브, 제1 체크밸브, 제1 온/오프 밸브가 설치되어 있고, 버블러에서 기화된 공정가스를 배출하기 위한 배출라인 상에는 제2 온/오프 밸브, 제2 체크밸브, 3-웨이 뉴메틱 밸브가 설치되어 있으며, 상기 3-웨이 뉴메틱 밸브의 일측에 설치되어 공정 튜브로 공정가스를 공급하기 위한 공급라인 상에는 제3 체크밸브가 설치되어 있고, 타측의 배기라인 상에는 제4 체크밸브가 설치되어 있는 반도체 확산공정용 버블러에 있어서, 상기 공급라인 상의 2-웨이 뉴메틱 밸브와 제1 체크밸브 사이에 노말리 오픈 타입의 2-웨이 뉴메틱 밸브를 설치하고, 그 2-웨이 뉴메틱 밸브를 배출라인의 제2 온/오프 밸브와 제2 체크밸브 사이에 연결한 제1 연결라인 상에 역류를 방지하기 위한 제5 체크밸브를 설치하며, 상기 제1 연결라인을 상기 공급라인에 연결한 제2 연결라인 상에 역류 방지용 제6 체크밸브를 설치하여 과부하 발생시 소정압력이 감지되면 상기 2-웨이 뉴메틱 밸브를 잠글 수 있도록 구성된 것을 특징으로하는 반도체 확산공정용 버블러의 과부하방지장치가 제공된다.
이하, 상기와 같이 구성되어 있는 본 발명 반도체 확산공정용 버블러의 과부하방지장치의 실시례를 첨부된 도면을 참고로 하여 보다 상세히 설명하면 다음과 같다.
제2도는 본 발명 과부하방지장치가 구비된 반도체 확산공정용 버블러의 구성을 보인 배관도로서, 도시된 바와 같이 본 발명 과부하방지장치가 구비된 반도체 확산공정용 버블러는 질소(N2)가스를 공급하기 위한 공급라인(20) 상에는 질소(N2)가스의 흐름을 조절하기 위한 유량조절기(21)와, 감지되는 압력에 따라 밸브를 열고 닫는 2-웨이 뉴메틱 밸브(2-WAY PNEUMATIC VALVE)(22)와, 역류를 방지하기 위한 제1 체크밸브(23), 일반적인 제1 온/오프 밸브(24)가 순차적으로 설치되어 있고, 그 공급라인(20)의 단부는 액체 소스(25)가 수납된 버블러(26)에 잠긴 상태로 설치되어 있으며, 상기 버블러(26)의 상부에 설치되는 배출라인(27)상에는 제2 온/오프 밸브(28)와, 역류를 방지하기 위한 제2 체크밸브(29)와, 압력에 따라 밸브를 열고 닫는 3-웨이 뉴메틱 밸브(30)가 순차적으로 설치되어 있고, 그 3-웨이 뉴메틱 밸브(30)에서 공정 튜브로 연결되는 연결라인(31)과 타측의 배기라인(32)상에는 역류를 방지하기 위한 제3 체크밸브(33)와 제4 체크밸브(34)가 각각 설치되어 있는 구성은 종래와 동일하다.
여기서, 본 발명은 상기 공급라인(20) 상의 2-웨이 뉴메틱 밸브(22)와 제1 체크밸브(23) 사이에 노말리 오픈 타입(NORMALLY OPEN TYPE)의 2-웨이 뉴메틱 밸브(40)를 설치하고, 그 2-웨이 뉴메틱 밸브(40)를 배출라인(21)의 제2 온/오프 밸브(28)와 제2 체크밸브(29) 사이에 연결한 제1 연결라인(41) 상에 역류를 방지하기 위한 제5 체크밸브(42)를 설치하며, 상기 제1 연결라인(41)을 상기 공급라인(20)에 연결한 제2 연결라인(43) 상에 역류방지용 제6 체크밸브(44)를 설치하여 상기 제5, 제6 체크밸브(42)(44) 중 어느한 곳을 통하여 소정압력이 상기 2-웨이 뉴메틱 밸브(40)에 전해지면 그 2-웨이 뉴메틱 밸브가 잠기도록 구성된 것이다.
그리고, 상기 제2 체크밸브(29)와 3-웨이 뉴메틱 밸브(30) 사이의 배출라인(27)과 상기 3-웨이 뉴메틱 밸브(30)와 제6 체크밸브(34) 사이의 배기라인(32)을 연결하는 제3 연결라인(45) 상에 일반적인 제3 온/오프 밸브(46)를 설치하여 장비 이상시 배출라인(27)의 캐리어 질소를 배기라인(32)으로 배출하도록 구성된 것이다.
그리고, 상기 제1 뉴메틱 밸브(22)는 평상시에는 닫혀 있다가 공정 진행시 열리는 노말리 클로즈 타입이고, 상기 제2 뉴메틱 밸브(40)는 평상시에는 열려 있다가 동작시에는 닫히는 노말리 오픈 타입이며, 상기 3-웨이 뉴메틱 밸브(30)는 공급라인(31) 쪽은 노말리 클로즈 타입이고 배기라인(32) 쪽은 노말리 오픈 타입이다.
상기와 같이 구성되어 있는 본 발명 과부하방지장치가 구비된 반도체 확산공정용 버블러의 동작은 종래의 범주를 크게 벗어나지 않는다.
즉, 질소(N2)가스를 공급하기 위한 공급라인(20)으로 질소가스가 공급되면 유량조절기(21)에서 흐르는 가스의 양이 조절되며, 소정압력의 질소가스가 2-웨이 뉴메틱 밸브(22)와, 제1 체크밸브(23)와, 제1 온/오프 밸브(24)를 거쳐 버블러(26)에 수납되어 있는 액체 소스(25)의 내부에 공급되고, 상기와 같이 액체 소스(25)의 내부에 질소가스가 공급되면 액체소스(25)가 기화되어 배출라인(27) 상에 설치되어 있는 제2 온/오프 밸브(28), 제2 체크 밸브(29), 3-웨이 뉴메틱 밸브(30)를 거쳐, 공급라인(31)의 제3 체크밸브(33)를 통하여 공정 튜브의 내부로 공급되며, 상기와 같은 기화된 공정 가스를 외부로 배출할때는 배기라인(32) 상에 설치되어 있는 제4 체크밸브(34)를 통하여 장비의 외부로 배출하게 된다.
다만, 평상시 버블러(26)에 압력 과부하가 인가되지 않을때에는 제5, 제6 체크밸브(42)(43)를 통해 제2 뉴메틱 밸브(40)으로 인가되는 압력이 낮기 때문에 제2 뉴메틱 밸브(40)는 노말리 오픈 타입으로 정상적인 공정이 진행되나, 2-웨이 밸브(30)의 오동작으로 인한 막힘현상이 발생할 경우에는 과부하가 발생한 배출라인(27)의 압력이 제5 체크밸브(42)를 거쳐 제2 뉴메틱 밸브(40)에 전달되고, 그 전달압력이 설정압력에 도달할 경우 제2 뉴메틱 밸브(40)를 작동시켜 공급라인(20)의 질소 흐름을 차단함으로써 압력 과부하에 의한 버블러(26)의 폭발을 막을 수 있다.
또한, 상기 제2 온/오프 밸브(28)가 닫힌 상태로 공정을 진행하여 버블러(26)의 내부가 캐리어 질소로 인한 과도한 압력이 인가되면, 상기 제1, 제6 체크밸브(23)(44)에 동일한 압력이 인가되고, 상기 제6 체크밸브(44)를 통해 제2 뉴메틱 밸브(40)의 구동 포트(PORT)로 시그널을 보내어 역시 제2 뉴메틱 밸브(40)를 작동시켜 공급라인(20)의 질소 흐름을 차단함으로써 버블러(26)의 파손을 방지하게 된다.
그리고, 상기와 같이 장비의 이상 발생시 제2 뉴메틱 밸브(40)가 작동하여 공급라인(20)으로 흐르는 질소의 공급을 중단시키면 버블러(26)의 압력을 정상 상태로 만들기 위해 제3 온/오프 밸브(46)를 얻어 캐리어 질소를 배기라인(32)으로 배기시킨다.
이상에서 상세히 설명한 바와 같이 본 발명은 3-웨이 뉴메틱 밸브의 작동이상이나 제2 온/오프 밸브가 닫힌 상태로 공정을 진행하여 버블러의 압력이 과부하가 발생시 제5, 제6 체크밸브를 통하여 제2 뉴메틱 밸브로 감지하여 공급라인의 질소흐름을 차단함으로써 버블러의 파손을 방지하게 되어 장비의 손실을 방지함과 아울러 유해가스로 부터의 안전사고를 방지하는 효과가 있다.
Claims (2)
- 질소가스를 공급하기 위한 공급라인 상에 유량조절기, 2-웨이 뉴메틱 밸브, 제1 체크밸브, 제1 온/오프 밸브가 설치되어 있고, 버블러에서 기화된 공정가스를 배출하기 위한 배출라인 상에는 제2 온/오프 밸브, 제2 체크밸브, 3-웨이 뉴메틱 밸브가 설치되어 있으며, 상기 3-웨이 뉴메틱 밸브의 일측에 설치되어 공정 튜브로 공정가스를 공급하기 위한 공급라인 상에는 제3 체크밸브가 설치되어 있고, 타측의 배기라인 상에는 제4 체크밸브가 설치되어 있는 반도체 확산공정용 버블러에 있어서, 상기 공급라인 상의 2-웨이 뉴메틱 밸브와 제1 체크밸브 사이에 노말리 오픈 타입의 2-웨이 뉴메틱 밸브를 설치하고, 그 2-웨이 뉴메틱 밸브를 배출라인의 제2 온/오프 밸브와 제2 체크밸브 사이에 연결한 제1 연결라인 상에 역류를 방지하기 위한 제5 체크밸브를 설치하며, 상기 제1 연결라인을 상기 공급라인에 연결한 제2 연결라인 상에 역류 방지용 제6 체크밸브를 설치하여 과부하 발생시 소정압력이 감지되면 상기 2-웨이 뉴메틱 밸브가 잠기도록 구성된 것을 특징으로하는 반도체 확산공정용 버블러의 과부하방지장치.
- 제1항에 있어서, 상기 제2 체크밸브와 3-웨이 뉴메틱 밸브 사이의 배출라인과 상기 3-웨이 뉴메틱 밸브와 제6 체크밸브 사이의 배기라인을 연결하는 제3 연결라인 상에 일반적인 제3 온/오프 밸브를 설치하여 장비 이상시 배출라인의 캐리어 질소를 배기라인으로 배출하도록 구성된 것을 특징으로 하는 반도체 확산공정용 버블러의 과부하방지장치.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950049203A KR0167286B1 (ko) | 1995-12-13 | 1995-12-13 | 반도체 확산공정용 버블러의 과부하방지장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950049203A KR0167286B1 (ko) | 1995-12-13 | 1995-12-13 | 반도체 확산공정용 버블러의 과부하방지장치 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970052097A KR970052097A (ko) | 1997-07-29 |
| KR0167286B1 true KR0167286B1 (ko) | 1999-02-01 |
Family
ID=19439553
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950049203A KR0167286B1 (ko) | 1995-12-13 | 1995-12-13 | 반도체 확산공정용 버블러의 과부하방지장치 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR0167286B1 (ko) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100485537B1 (ko) * | 2002-10-22 | 2005-04-27 | 동부아남반도체 주식회사 | 반도체 칠러 및 정전척 시스템에서의 염수 드레인 장치 |
| KR20200062352A (ko) * | 2017-10-23 | 2020-06-03 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 낮은 증기압 화학물질 전달 |
| KR20200082514A (ko) | 2018-12-28 | 2020-07-08 | 노승호 | p-하이드록시아세토페논의 제조방법 및 p-하이드록시아세토페논을 포함하는 화장료 조성물 |
| KR20230046796A (ko) | 2021-09-30 | 2023-04-06 | 노승호 | 파라하이드록시아세토페논의 제조방법 및 파라하이드록시아세토페논을 포함하는 화장료 조성물 |
-
1995
- 1995-12-13 KR KR1019950049203A patent/KR0167286B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100485537B1 (ko) * | 2002-10-22 | 2005-04-27 | 동부아남반도체 주식회사 | 반도체 칠러 및 정전척 시스템에서의 염수 드레인 장치 |
| KR20200062352A (ko) * | 2017-10-23 | 2020-06-03 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 낮은 증기압 화학물질 전달 |
| KR20200082514A (ko) | 2018-12-28 | 2020-07-08 | 노승호 | p-하이드록시아세토페논의 제조방법 및 p-하이드록시아세토페논을 포함하는 화장료 조성물 |
| KR20230046796A (ko) | 2021-09-30 | 2023-04-06 | 노승호 | 파라하이드록시아세토페논의 제조방법 및 파라하이드록시아세토페논을 포함하는 화장료 조성물 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR970052097A (ko) | 1997-07-29 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR930002799B1 (ko) | 체크밸브겸 차단밸브 | |
| EP0893293B1 (en) | Gas fuel supply piping system | |
| KR0167286B1 (ko) | 반도체 확산공정용 버블러의 과부하방지장치 | |
| US4755196A (en) | Air-drying apparatus | |
| US6435202B2 (en) | Two out of three voting solenoid arrangement | |
| US4830045A (en) | Breaker valve | |
| KR0147634B1 (ko) | 에어밸브 구동시스템 | |
| US5137054A (en) | Flow and pressure responsive valve | |
| JPH0414440Y2 (ko) | ||
| JPH11190499A (ja) | シリンダキャビネット | |
| CN100400960C (zh) | 用于惰性气体的阀系统 | |
| JP2528363Y2 (ja) | ガス供給システム | |
| KR20040025478A (ko) | 반도체 제조 공정으로 가스를 공급하기 위한 가스 운반시스템 | |
| KR19990043659A (ko) | 안전 밸브를 갖춘 스피너 장치 | |
| JP3287011B2 (ja) | 産業用ロボット | |
| KR102478495B1 (ko) | 백업라인을 갖춘 가스절체기 | |
| KR20020080925A (ko) | 반도체장치 제조설비의 가스 공급시스템 | |
| JP3353628B2 (ja) | 耐震貯水槽用緊急弁 | |
| JPH04285307A (ja) | 油圧回路における安全装置ならびに圧抜き弁 | |
| JP3137806B2 (ja) | 真空室の大気開放方法及びその装置 | |
| JPH10281009A (ja) | 圧縮天然ガス自動車の燃料配管装置 | |
| JPH06331097A (ja) | 低温タンク設備 | |
| SU1247589A1 (ru) | Пневмопривод | |
| KR20020031248A (ko) | 공기압으로 구동되는 설비에 적용되는 안전장치 | |
| JPS63180799A (ja) | タンク過圧防止設備 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20050824 Year of fee payment: 8 |
|
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |