KR0160684B1 - 표면광 레이저 - Google Patents

표면광 레이저 Download PDF

Info

Publication number
KR0160684B1
KR0160684B1 KR1019950006215A KR19950006215A KR0160684B1 KR 0160684 B1 KR0160684 B1 KR 0160684B1 KR 1019950006215 A KR1019950006215 A KR 1019950006215A KR 19950006215 A KR19950006215 A KR 19950006215A KR 0160684 B1 KR0160684 B1 KR 0160684B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
layer
light
reflector layer
reflector
electrode
Prior art date
Application number
KR1019950006215A
Other languages
English (en)
Other versions
KR960036225A (ko
Inventor
이용희
신현국
Original Assignee
김광호
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 김광호, 삼성전자주식회사 filed Critical 김광호
Priority to KR1019950006215A priority Critical patent/KR0160684B1/ko
Priority to JP05934396A priority patent/JP3288573B2/ja
Priority to GB9605931A priority patent/GB2299207B/en
Priority to CNB961031743A priority patent/CN1159808C/zh
Priority to DE19611393A priority patent/DE19611393B4/de
Priority to US08/620,324 priority patent/US5753941A/en
Publication of KR960036225A publication Critical patent/KR960036225A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR0160684B1 publication Critical patent/KR0160684B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
    • H01S5/183—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
    • H01S5/18308—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL] having a special structure for lateral current or light confinement
    • H01S5/18322—Position of the structure
    • H01S5/18327—Structure being part of a DBR
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
    • H01S5/183—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
    • H01S5/18361—Structure of the reflectors, e.g. hybrid mirrors
    • H01S5/18375—Structure of the reflectors, e.g. hybrid mirrors based on metal reflectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
    • H01S5/183—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
    • H01S5/18361—Structure of the reflectors, e.g. hybrid mirrors
    • H01S5/18377—Structure of the reflectors, e.g. hybrid mirrors comprising layers of different kind of materials, e.g. combinations of semiconducting with dielectric or metallic layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
    • H01S5/2054—Methods of obtaining the confinement
    • H01S5/2059—Methods of obtaining the confinement by means of particular conductivity zones, e.g. obtained by particle bombardment or diffusion
    • H01S5/2063—Methods of obtaining the confinement by means of particular conductivity zones, e.g. obtained by particle bombardment or diffusion obtained by particle bombardment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S2301/00—Functional characteristics
    • H01S2301/16—Semiconductor lasers with special structural design to influence the modes, e.g. specific multimode
    • H01S2301/166—Single transverse or lateral mode
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
    • H01S5/183—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
    • H01S5/18308—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL] having a special structure for lateral current or light confinement

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)

Abstract

본 발명은 광출력 특성을 개선한 표면광 레이저에 관한 것이다.
이 표면광 레이저는 전원의 한 전극이 접속되도록 된 기판(30)과, 이 기판(30) 상에 위치하며 인가 전원에 따라 전자 또는 정공을 생성하고 그 표면에 입사되는 광을 대부분 반사시키고 일부를 투과시키도록 반도체 물질로 된 제1반사기층(32)과, 이 제1반사기층(32) 상에 위치하고 전자와 정공의 재결합에 의해 레이저 광을 생성하는 활성층(34)과, 상기 활성층(34) 상에 위치하고 상기 제1반사기층(32)과 다른 반도체형으로 되고 입사되는 광을 대부분 반사시키고 일부를 투과시키도록 된 제2반사기층(36)과, 상기 제2반사기층(36) 상에 적층되고 상기 전원의 다른 전극이 접속되며 상기 반사기층을 통과한 광이 출사하는 공동(46)을 가지는 전극층(40)로 이루어진 표면광 레이저에 있어서, 상기 전극층(40)이 전원이 직접 인가되고 전기전도도가 높은 금속층(44)과, 상기 제1반사기층(32)을 투과하여 표면으로 입사하는 광을 대부분 흡수하도록 된 도전성 저반사층(42)을 포함하도록 된 것을 특징으로 한다.

Description

표면광 레이저
제1도는 종래의 표면광 레이저의 개략적인 구성을 보인 단면도.
제2도는 본 발명에 따른 표면광 레이저의 개략적인 구성을 보인 단면도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
30 : 기판 32 : 제1반사기층
34 : 활성층 36 : 제2반사기층
38 : 고저항부 40 : 전극층
42 : 저반사층 44 : 금속층
본 발명은 표면광 레이저(VCSEL:vertical cavity surface emitting laser)에 관한 것으로, 더 상세하게는 출사광의 광 특성을 향상할 수 있도록 전극층의 구조를 개선한 표면광 레이저에 관한 것이다.
일반적으로 표면광 레이저는 모서리 발광 레이저와는 달리 적층된 반도체 물질에 대하여 수직한 방향으로 광을 출사한다. 또한, 모서리 발광레이저에 비하여 원형광에 가까운 가우시안 빔을 출사하므로 출사광의 형상 보정을 위한 광학계가 불필요하다. 그리고, 그 크기를 작게 할 수 있고, 일 반도체 웨이퍼 상에 복수개의 표면광 레이저가 집적가능하므로 이차원 배열이 용이하다. 따라서, 전자계산기, 음향 영상기기, 레이저 프린터, 레이저 스캐너, 의료장비 및 통신분야 등 광응용 분야에서 널리 응용될 수 있다.
제1도는 종래 표면광 레이저의 일 형태를 도시한 개략적인 단면도이다.
도시한 바와 같이 표면광 레이저는 한 쌍의 제1 및 제2반사기층(12,16)과, 이 두 반사기층 사이에 위치된 활성층(14)이 기판(10) 상에 적층되어 이루어져 있다.
상기 기판(10)은 n형 불순물을 함유하는 반도체물질 예를 들면, n형 GaAs 등으로 도핑 되어 있다. 상기 제1반사기층(12)은 상기 기판(10) 상에 형성되어 있으며, 상기 기판(10)과 같은 형의 불순물 예를 들면, n형 AlXGa1-XAs 와 AlAs 가 교대로 적층되어 이루어진다. 이 제1반사기층(12)은 전체적으로 대략 99.9% 이상의 높은 반사율을 가지며, 상기 활성층(12)에서 레이징된 광중 일부 광을 투과시킬 수 있다. 상기 제2반사기층(16)은 상기 제1반사기층(12)과 같은 반도체 물질로 이루어진 층이며, 제1반사기층(12)과 반대의 반도체형을 가지는 불순물 반도체물질로 되어있다. 즉, p형 AlXGa1-XAs 와 AlAs 가 적층 도핑 되어 있으며, 상기 활성층(12)에서 레이징 된 광이 출사될 수 있도록 상기 제1반사기층(12) 보다는 반사율이 낮은 대략 99.6% 내외의 반사율을 가진다. 또한, 상기 제1 및 제2반사기층(16)에서는 외부에서 인가되는 전원에 의하여 전자와 정공의 흐름을 유도한다. 상기 활성층(12)은 전자와 정공의 재결합으로 인한 에너지 천이에 의하여 광을 발생시키는 영역으로 단일 또는 다중 양자-우물 구조 또는 슈퍼래티스(superlattice) 구조일 수 있으며, 단일 반도체물질 또는 비전도체물질일 수 있다.
또한, 표면광 레이저는 상기 제2반사기층(16) 상에 일 전극층(20)이 형성되어 있다. 이 전극층(20)에는 상기 제2반사기층(16)을 투과하는 출사광이 통과할 수 있도록 공동(22)이 형성되어 있으며, 외부의 전원과 전기적 접촉시 전기전달이 용이하도록 높은 전기전도도를 가지는 금속층으로 되어있다. 이 전극층(20)과 상기 기판(10) 사이에 전원이 인가되어 상기 표면광 레이저의 내부로 전류가 흐르게 된다.
상기 공동(22)에서 출사되는 광출력을 향상시키기 위하여 상기 공동(22)의 저면을 제외한 상기 제1반사기층(12) 내부에 이온주입 또는 양성자 주입하여 고저항부(18)를 형성하였다.
그러나, 상기 제2반사기층(16)의 고저항부가 형성되지 않은 부분을 통과한 광중 그 일부는 상기 공동(22)을 통과하지 않고 상기 전극층(20)으로 향한다. 상기 전극층(20)은 전기전도도가 높은 금, 구리 등의 금속으로 된 금속층으로 되어 있어서, 이 금속층에 입사되는 광은 대부분 반사되어 상기 제2반사기층(16)으로 향하게된다. 상기 제2반사기층(16) 쪽으로 향하는 광은 투과 및 재반사되어 상기 공동을 통하여 출사되는 광에 영향을 미치게 된다. 즉, 레이징 되는 광의 단일 횡모드 유지 및 균일 출사광량 유지에 영향을 미치게 된다.
따라서, 본 발명은 상술한 바와 같은 점을 개선하기 위하여 안출된 것으로써, 전극층의 구조를 개선하여 전극층의 후면으로 입사되는 광을 대부분 흡수하여 반사기층으로 반사되는 것을 최소로 하여 균일 출사광량을 얻고자 하는데 그 목적이 있다.
상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, 전원의 한 전극이 접속되도록 된 기판과, 이 기판 상에 위치하며 인가 전원에 따라 전자 또는 정공을 생성하고 그 표면에 입사되는 광을 대부분 반사시키고 일부를 투과시키도록 반도체 물질로 된 제1반사기층과, 이 제1반사기층 상에 위치하고 전자와 정공의 재결합에 의해 레이저 광을 생성하는 활성층과, 상기 활성층 상에 위치하고 상기 제1반사기층과 다른 반도체형으로 되고 입사되는 광을 대부분 반사시키고 일부를 투과시키도록 된 제2반사기층과, 상기 제2반사기층 상에 적층되고 상기 전원의 다른 전극이 접속되며 상기 반사기층을 통과한 광이 출사하는 공동을 가지는 전극층으로 이루어진 표면광 레이저에 있어서, 상기 전극층이 전원이 직접 인가되고 전기전도도가 높은 금속층과, 상기 제1반사기층을 투과하여 표면으로 입사하는 광을 대부분 흡수하도록 된 도전성 저반사층으로 포함하도록 된 것을 특징으로 한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 일 실시예를 상세히 설명한다.
제2도는 본 발명에 따른 표면광 레이저의 개략적인 구성을 보인 단면도이다.
이 표면광 레이저는 외부 전원의 한 전극이 접속되도록 된 기판(30)과, 이 기판(30) 상에 위치하고 전자와 정공의 재결합에 따른 에너지 천이에 의하여 광을 생성하는 활성층(34)과, 이 활성층(34)의 양쪽 적층면에 위치하는 한 쌍의 반사기층(32,36)과, 상기 외부전원의 다른 전극이 연결되고 그 내부에 전류의 흐름을 발생시키는 전극층(40)으로 이루어져 있다.
상기 한 쌍의 반사기층은 상기 활성층(34)과 기판(30) 사이에 적층된 제1반사기층(32)과 상기 활성층(34)의 다른 쪽에 위치한 제2반사기층(36)로 되어 있으며, 상기 활성층(34)에서 출사되는 광의 대부분을 반사시키고 일부를 투과시키도록 되어 있다. 특히, 제2반사기층(36)의 반사율이 상기 제1반사기층(32)의 반사율 보다 낮아 생성 투과되는 광의 대부분이 제2반사기층(36) 쪽을 투과한다. 상기 제2반사기층(36)에는 활성층(34)에서 생성되어 투과되는 광의 효율을 개선하기 위하여 이온주입 또는 양성자주입에 의하여 제2반사기층(36)의 일부를 파괴 형성한 고저항부(38)가 더 구비될 수 있다.
이와 같은 기판(30)과, 반사기층 그리고 활성층(34)은 앞서 언급한 바와 같은 반도체 물질들로 이루어져 있다.
상기 전극층(40)은 상기 제2반사기층(36) 상에 적층되어 있으며, 반사기층을 투과한 광이 출사되도록 소정의 크기를 가지는 공동(46)이 형성되어 있다. 이 전극층(40)은 표면광 레이저 내부에 인가되는 전원의 특성을 고려하여 높은 전기전도도를 가지는 금속층(44)과, 상기 제2반사기층(36)을 투과하여 상기 공동(46)을 향하는 광과 상기 금속층(44) 면으로 향하는 광 사이의 반사율 차이를 줄이기 위하여 상기 금속층(44)에 비하여 98% 내지 99% 내외의 저반사율을 가지는 저반사층(42)로 이루어져 있다. 상기 금속층(44)은 금, 은 등의 금속으로 이루어진 층이며, 상기 저반사층(42)은 니켈, 몰리브덴, 백금, 크롬등의 금속으로 이루어진 층이다.
상기 저반사층(42)은 상기 제2반사기층(36)과 상기 금속층(44) 사이에 위치하며, 입사광의 반사율을 낮게 하여 고차 횡모드 발생을 억제하여 결과적으로 저노이즈의 광출사를 가능하게 한다.
따라서, 본 발명에 따른 표면광 레이저는 공동을 통하여 출사되는 광이 TEM0 0의 기본 모드로 유지되도록 하여 출사광의 광특성을 개선해 주는 등 매우 유용하다.

Claims (2)

  1. 전원의 한 전극이 접속되도록 된 기판과, 이 기판 상에 위치하며 인가 전원에 따라 전자 또는 정공을 생성하고 그 표면에 입사되는 광을 대부분 반사시키고 일부를 투과시키도록 반도체 물질로 된 제1반사기층과, 이 제1반사기층 상에 위치하고 전자와 정공의 재결합에 의해 레이저 광을 생성하는 활성층과, 상기 활성층 상에 위치하고 상기 제1반사기층과 다른 반도체형으로 되고 입사되는 광을 대부분 반사시키고 일부를 투과시키도록 된 제2반사기층과, 상기 제2반사기층 상에 적층되고 상기 전원의 다른 전극이 접속되며 상기 반사기층을 통과한 광이 출사하는 공동을 가지는 전극층으로 이루어지는 표면광 레이저에 있어서, 상기 전극층의 전원이 직접 인가되고 전기전도도가 높은 금속층과, 상기 제1반사기층을 투과하여 표면으로 입사하는 광을 대부분 흡수하도록 된 도전성 저반사층으로 포함하도록 된 것을 특징으로 하는 표면광 레이저.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제2반사기층에는 상기 전극층의 공동으로 출사되는 광량을 증대시키기 위하여 소정 직경의 공동을 가지는 고저항부가 이온주입 또는 양성자 주입되어 형성된 것을 특징으로 하는 표면광 레이저.
KR1019950006215A 1995-03-23 1995-03-23 표면광 레이저 KR0160684B1 (ko)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019950006215A KR0160684B1 (ko) 1995-03-23 1995-03-23 표면광 레이저
JP05934396A JP3288573B2 (ja) 1995-03-23 1996-03-15 表面光レ−ザ
GB9605931A GB2299207B (en) 1995-03-23 1996-03-21 Vertical cavity surface emitting laser
CNB961031743A CN1159808C (zh) 1995-03-23 1996-03-22 垂直腔表面发射激光器
DE19611393A DE19611393B4 (de) 1995-03-23 1996-03-22 Vertikalhohlraumresonator-Oberflächenemissionslaser (VCSEL)
US08/620,324 US5753941A (en) 1995-03-23 1996-03-22 Vertical cavity surface emitting laser

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019950006215A KR0160684B1 (ko) 1995-03-23 1995-03-23 표면광 레이저

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR960036225A KR960036225A (ko) 1996-10-28
KR0160684B1 true KR0160684B1 (ko) 1999-02-01

Family

ID=19410426

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019950006215A KR0160684B1 (ko) 1995-03-23 1995-03-23 표면광 레이저

Country Status (6)

Country Link
US (1) US5753941A (ko)
JP (1) JP3288573B2 (ko)
KR (1) KR0160684B1 (ko)
CN (1) CN1159808C (ko)
DE (1) DE19611393B4 (ko)
GB (1) GB2299207B (ko)

Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3797748B2 (ja) * 1997-05-30 2006-07-19 シャープ株式会社 発光ダイオードアレイ
JP3697903B2 (ja) 1998-07-06 2005-09-21 富士ゼロックス株式会社 面発光レーザおよび面発光レーザアレイ
US6542527B1 (en) 1998-08-27 2003-04-01 Regents Of The University Of Minnesota Vertical cavity surface emitting laser
DE19904374A1 (de) * 1999-02-03 2000-08-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Berührungssensitive Eingabefläche
US6751245B1 (en) 1999-06-02 2004-06-15 Optical Communication Products, Inc. Single mode vertical cavity surface emitting laser
CA2380659C (en) * 1999-06-02 2008-08-05 Cielo Communications, Inc. Single mode vertical cavity surface emitting laser
AU7114100A (en) * 1999-08-30 2001-03-26 Siros Technologies, Inc. Near field optical apparatus
US7095767B1 (en) * 1999-08-30 2006-08-22 Research Investment Network, Inc. Near field optical apparatus
US6277668B1 (en) 2000-01-04 2001-08-21 Lucent Technologies, Inc. Optical detector for minimizing optical crosstalk
US7069569B2 (en) * 2000-02-01 2006-06-27 Research Investment Network, Inc. Near-field optical head system with integrated slider and laser
US6937637B1 (en) 2000-02-01 2005-08-30 Research Investment Network, Inc. Semiconductor laser and associated drive circuit substrate
US6963530B1 (en) 2000-02-01 2005-11-08 Research Investment Network, Inc. Near-field optical head system with integrated slider and laser
US6515305B2 (en) 2000-09-18 2003-02-04 Regents Of The University Of Minnesota Vertical cavity surface emitting laser with single mode confinement
US6529541B1 (en) 2000-11-13 2003-03-04 Fuji Xerox Co., Ltd. Surface emitting semiconductor laser
US6650683B2 (en) * 2000-11-20 2003-11-18 Fuji Xerox Co, Ltd. Surface emitting semiconductor laser
US6768757B2 (en) * 2002-03-29 2004-07-27 Nortel Networks, Ltd. Cavity mirror for optically-pumped vertical-cavity surface-emitting laser (VCSEL)
US6717974B2 (en) * 2002-04-01 2004-04-06 Lumei Optoelectronics Corporation Apparatus and method for improving electrical conduction structure of a vertical cavity surface emitting laser
US7218660B2 (en) * 2003-10-27 2007-05-15 Avago Technologies Fiber Ip (Singapore) Pte. Ltd. Single-mode vertical cavity surface emitting lasers and methods of making the same
JP2009049267A (ja) * 2007-08-22 2009-03-05 Toshiba Corp 半導体発光素子及びその製造方法
TWI404925B (zh) * 2008-05-28 2013-08-11 Delta Electronics Inc 生物感測器
KR101103963B1 (ko) * 2009-12-01 2012-01-13 엘지이노텍 주식회사 발광소자 및 그 제조방법
JP6208051B2 (ja) 2014-03-06 2017-10-04 大同特殊鋼株式会社 点光源発光ダイオード

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5086430A (en) * 1990-12-14 1992-02-04 Bell Communications Research, Inc. Phase-locked array of reflectivity-modulated surface-emitting lasers
US5212703A (en) * 1992-02-18 1993-05-18 Eastman Kodak Company Surface emitting lasers with low resistance bragg reflectors
US5274655A (en) * 1992-03-26 1993-12-28 Motorola, Inc. Temperature insensitive vertical cavity surface emitting laser
US5317587A (en) * 1992-08-06 1994-05-31 Motorola, Inc. VCSEL with separate control of current distribution and optical mode
US5351257A (en) * 1993-03-08 1994-09-27 Motorola, Inc. VCSEL with vertical offset operating region providing a lateral waveguide and current limiting and method of fabrication
JPH06291406A (ja) * 1993-03-31 1994-10-18 Fujitsu Ltd 面発光半導体レーザ
US5412680A (en) * 1994-03-18 1995-05-02 Photonics Research Incorporated Linear polarization of semiconductor laser
US5633527A (en) * 1995-02-06 1997-05-27 Sandia Corporation Unitary lens semiconductor device

Also Published As

Publication number Publication date
KR960036225A (ko) 1996-10-28
GB2299207A (en) 1996-09-25
DE19611393A1 (de) 1996-09-26
JPH08274408A (ja) 1996-10-18
DE19611393B4 (de) 2005-07-28
GB2299207B (en) 1999-05-12
JP3288573B2 (ja) 2002-06-04
CN1159808C (zh) 2004-07-28
GB9605931D0 (en) 1996-05-22
CN1137188A (zh) 1996-12-04
US5753941A (en) 1998-05-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR0160684B1 (ko) 표면광 레이저
JPH04294591A (ja) 高密度、個別アドレス可能型表面発光半導体レーザー／発光ダイオードアレイ
US20070153865A1 (en) Vertical cavity surface emitting laser
JPWO2007029538A1 (ja) ２次元フォトニック結晶面発光レーザ光源
EP1490931B1 (en) Apparatus and method for improving electrical conduction structure of a vertical cavity surface emitting laser
JP2004128482A (ja) 面発光半導体レーザ装置および光伝送モジュールおよび光伝送システム
JP2021086999A (ja) 面発光レーザ、面発光レーザ装置、光源装置及び検出装置
JPS63188983A (ja) 半導体発光装置
KR0160686B1 (ko) 표면광 레이저
KR0183707B1 (ko) 표면광 레이저
US6501778B1 (en) Plane emission type semiconductor laser and method of manufacturing the same
CN114552380A (zh) 谐振腔、激光单元及芯片和激光器及形成方法、激光雷达
WO2019107273A1 (ja) 面発光半導体レーザ
KR980012739A (ko) 표면광 레이저
KR100224877B1 (ko) 표면광 레이저
KR100224883B1 (ko) 표면광 레이저 제조방법
CN112544021B (zh) 半导体激光光束整形器
CN215119533U (zh) 一种高光电转换率的垂直腔面激光器
KR0129466Y1 (ko) 광검출기 일체형 표면광 레이저
KR100224879B1 (ko) 표면광 레이저
WO2021193375A1 (ja) 面発光レーザ
KR100224878B1 (ko) 표면광 레이저
KR100224881B1 (ko) 표면광 레이저
KR100195113B1 (ko) 표면광 레이저 및 그 제조방법
KR100224882B1 (ko) 표면광 레이저 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20080731

Year of fee payment: 11

LAPS Lapse due to unpaid annual fee