KR0160574B1 - 무선 전화기에 사용하기에 적합한 증폭기 - Google Patents

무선 전화기에 사용하기에 적합한 증폭기 Download PDF

Info

Publication number
KR0160574B1
KR0160574B1 KR1019950703382A KR19950703382A KR0160574B1 KR 0160574 B1 KR0160574 B1 KR 0160574B1 KR 1019950703382 A KR1019950703382 A KR 1019950703382A KR 19950703382 A KR19950703382 A KR 19950703382A KR 0160574 B1 KR0160574 B1 KR 0160574B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
port
bias
control
threshold voltage
input
Prior art date
Application number
KR1019950703382A
Other languages
English (en)
Inventor
그레고리 알. 블랙
Original Assignee
롤랜드 알. 핵버트
모토롤라 인크
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 롤랜드 알. 핵버트, 모토롤라 인크 filed Critical 롤랜드 알. 핵버트
Application granted granted Critical
Publication of KR0160574B1 publication Critical patent/KR0160574B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/189—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
    • H03F3/19—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/193—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only with field-effect devices
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/189—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
    • H03F3/19—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/195—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only in integrated circuits

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Amplifiers (AREA)

Abstract

증폭기(201)은 전류 미러 구성으로 MOSFET 트랜지스터와 같은 트랜지스터(301, 303)을 사용한다. 트랜지스터(301, 303)은 표면 장착 장치로서 팩키지하기가 용이하다. 증폭기(201)의 출력 전력은 증폭기 단(201)을 통해 흐르는 바이어스 전류를 제어함으로써 제어된다. 부가적으로, 증폭기는 제어 신호 임계값에 대한 바이어스 전류의 변화에 낮은 민감성을 갖는다. 이들 특성은 증폭기를 무선 전화기(103)과 같은 무선 송신기에 사용하기에 이상적으로 만들어 준다.

Description

무선 전화기에 사용하기에 적합한 증폭기
종래에는 무선 전화기와 같은 무선 통신 장치용 전력 증폭기는 바이폴라 트랜지스터를 사용해 왔다. 증폭기를 설치하기 위한 가장 간단하고 가격면에서 효과적인 방법은 산업 표준 플라스틱 표면 장착가능 팩키지에 바이폴라 트랜지스터 다이를 장착하고, 회로 보드에 이 팩키지를 납땜하는 것이다.
바이폴라 트랜지스터는 바이폴라 트랜지스터 다이의 한 측면에서 나오는 출력 신호와 히트 싱크를 갖고 트랜지스터 다이의 다른 측면에서 나오는 입력 신호와 RF 접지를 갖기 때문에 많은 전력 트랜지스터 응용시에 표준 표면 장착 팩키징을 사용하기에는 부적합하다는 문제가 야기된다. 다이의 한 측면상에 저 손실 출력 신호용 전기적 경로와 열 발산용 열 전도성 경로를 제공하고, 다이의 다른 측면에서부터는 입력 신호용 저 손실 전기적 경로와 RF 접지용 전기적 전도성 경로를 제공하는 요건은 트랜지스터를 회로 보드에 결합하기 위해 온보드(onboard) 다이 부착 공정과 와이어 본드 공정의 사용을 필요로 한다.
다른 목적 중에서, 요구된 이득, 출력 전력 및 효율을 달성하기 위한 최적 레벨로 바이어스 전류를 설정하기 위한 회로 설계의 요건이 있다. 부가적으로, 무선 전화기 응용에서는 출력 전력이 제어 가능하여야 하는 요건이 있다. 좋은 전력 효율을 위해서는 바이어스 전류를 변화시킴으로써 출력 전력을 제어하는 것이 바람직하다. 바이어스 전류는 출력 전압 신호의 변화에 응답한다. 각 전력 증폭기 단을 위한 출력 전력 제어 범위는 증폭기 이득에 의해 상한선으로 제한되고 제어 전압, 및 나아가 바이어스 전류가 0으로 설정될 때 입력과 출력 사이의 절연에 의해 하한선으로 제한된다. 이 범위 내에서는 출력 전력은 바이어스 전류의 제곱에 거의 비례한다. 바이어스 전류는 회로 파라메타의 변화에 바이어스 전류가 극도로 민감함으로 인해 그것의 최적 값으로 유지될 수 없다는 잠재적인 문제가 존재한다.
단일 단 증폭기에서, 민감성 문제는 파라메타 시프트를 자동적으로 보상하기 위해 출력 전력 제어 루프를 사용함으로써 경감될 수 있다. 그러나, 다단 바이폴라 증폭기의 최종 단만이 출력 전력 제어 루프에 의해 최적으로 제어될 수 있다. 그러므로, 다단 증폭기는 회로 파라메타가 시프트되는 경우 최적 성능점으로 모든 단에서 적절히 바이어스될 수 없다. 부가적으로, 파라메타가 극도로 변화하는 경우, 다단 증폭기의 구동기 단은 너무 많은 바이어스 전류로 인해 생기는 과잉 발산에 의해 손상될 수 있다.
바이어스 전류는 바이폴라 트랜지스터를 사용할 때 제어 전압의 변화와 지수관계에 있다. 이 지수적 관계는 회로 파라메타의 조그만 변화에도 바이어스 전류가 매우 민감함으로 인해 잠재적 문제를 일으켰다. 특히, 바이어스 전류는 바이어스 전류가 흐르기 시작하는 전압 이상의 임계 전압의 변화에 주로 민감하다. 다행히도, 바이폴라 트랜지스터의 경우에, 임계값은 실리콘 pn 접합의 고정 전위에 주로 의존하기 때문에, 이 파라메타 변화로 인한 바이어스 전류 변화는 충분히 낮았다.
그러나, 온보드 다이 부착 및 와이어 본딩은 그에 따라 제거될 수 없었다.
팩키지하기 쉬운 장치를 사용하고, 제어 신호 임계값 변화에 대해 바이어스 전류의 낮은 민감성으로, 바이어스 전류를 변화시킴으로써 제어 가능한 출력 전력을 갖는 단일 단 또는 다단 증폭기를 제공하는 것이 바람직하다.
본 발명은 일반적으로 증폭기에 관한 것으로, 특히 전류 미러 구성으로 MOSFET 트랜지스터(금속 산화물 전계 효과 트랜지스터)와 같은 트랜지스터를 사용하는 전력 증폭기에 관한 것이다.
제1도는 본 발명을 채용할 수 있는 무선 전화 통신 시스템을 블럭도 형태로 도시한 도면.
제2도는 본 발명에 따른 송신기를 블럭도 형태로 도시한 도면.
제3도는 본 발명에 따른 전력 증폭기의 상세한 도시도.
제1도는 무선 전화 통신 시스템을 블럭도 형태로 도시한 것이다.
무선 전화 시스템(100)은 고정된 지리적 영역 내에서 무선 전화기에 그리고 무선 전화기로부터 무선 주파수(RF) 신호를 송신 및 수신하는 원격 송수신기(101)을 포함한다. 무선 전화기(103)은 지리적 영역 내에 포함되어 있는 하나의 그러한 무선 전화기이다. 무선 전화기(103)은 안테나(105), 수신기(107), 송신기(109), 제어기(111), 및 사용자 인터페이스(113)을 포함한다.
RF 신호의 수신시에, 무선 전화기(103)은 안테나(105)를 통해 RF 신호를 수신한다. 안테나(105)는 수신된 RF 신호를 수신기(107)이 사용하기 위한 전기적 RF 신호로 변환시킨다. 수신기(107)은 전기적 RF 신호를 복조하여 RF 신호와 함께 송신된 데이타를 회복하고 이 데이타를 제어기(111)에 출력한다. 제어기(111)은 데이타를 사용자 인터페이스(113)에 의해 사용하기 위한 인식가능한 음성 또는 정보로 포맷시킨다. 사용자 인터페이스(113)은 수신된 정보 또는 음성을 사용자와 통신한다. 전형적으로, 사용자 인터페이스는 디스플레이, 키 패드, 스피커 및 마이크로폰을 포함한다.
무선 주파수 신호를 무선 전화기(103)에서 원격 송수신기(101)로 송신할 때, 사용자 인터페이스(113)은 사용자 입력 데이타를 제어기(111)에 송신한다. 제어기(111)은 전형적으로 마이크로프로세서, 메모리, 및 전력 증폭기 제어 회로를 포함한다. 제어기(111)은 사용자 인터페이스로부터 얻은 정보를 포맷시키고 RF 변조 신호로 변환하기 위해 이 정보를 데이타 라인(115)를 경유하여 송신기(109)에 전송한다.
부가적으로, 제어기(111)은 소정 전압 레벨을 갖는 제어 신호(117)을 송신기(109)에 공급한다. 제어 신호(117)의 전압 레벨은 송신기(109)로부터 출력된 RF 신호의 전력을 결정한다. 양호한 실시예에서, 송신기(109)는 다단 전력 증폭기 구성을 포함한다. 제어 신호(117)의 전압은 제어기(111) 내에 포함된 제어 회로에 의해 결정된다.
제어 회로는 전력 출력 피드백 신호(119)를 사용하여 제어 신호(117)의 적절한 전압을 결정한다.
제2도는 제1도에서 앞서 도시된 송신기(109)를 블럭도 형태로 도시한 것이다.
여기서, 송신기(109)는 제1전력 증폭기 모듈(201), 제2전력 증폭기 모듈(203), 및 레벨 시프터(205)를 포함한다. 제어기(111)로부터 출력된 데이타 신호(115)는 제1전력 증폭기 모듈(201)에 입력된다. 제1전력 증폭기 모듈을 통해 흐르는 바이어스 전류는 제어 신호(117)의 전압으로부터 유도된 제어 전류와 선형 관계이다. 둘다 본 출원과 동일한 양수인에게 양도된 Gregory R. Black에 의해 발명된 미국 특허 제5,220,290호 및 5,160,898호에 이미 논의된 바와 같이, 레벨 시프터(205)는 제어 신호를 제2전력 증폭기 모듈(203)으로 입력하기 전에 제어 신호(117)의 전압을 선정된 양만큼 시프트시킨다. 양호한 실시예에서, 제어 신호의 전압은 0.7 볼트만큼 시프트 다운된다. 출력 라인(207)을 통해 제1전력 증폭기 모듈(201)로부터 출력된 증폭된 데이타는 제2전력 증폭기 모들(203)에 입력된다. 제2전력 증폭기 모듈(203)은 제2전력 증폭기의 증폭 레벨을 제어하기 위한 바이어스 전류를 갖는다. 제2바이어스 전류는 제2제어 전류와 선형 관계이다. 제2제어 전류는 레벨 시프터(205)로부터 출력된 제어 신호(117)의 시프트된 제어 전압으로부터 유도된다. 제2의 증폭된 데이타 신호(209)는 제2전력 증폭기 모듈(203)으로부터 출력된다. 제2의 증폭된 데이타 신호(209)는 제1도의 안테나(105)상에 출력하기 위한 RF 변조 및 증폭된 데이타를 포함한다. 부가적으로, 제2의 증폭된 데이타 신호(209)는 피드백 제어 신호(119)를 통해 제1도의 제어기(111)에 피드백된다. 피드백 제어 신호(119)는 제2전력 증폭기 단(203)으로부터 제1도의 제어기(111) 내에 포함된 전력 증폭기 제어 회로까지의 전력 출력 레벨을 표시한다.
양호한 실시예에서, 증폭기 모듈을 포함하는 능동 장치로서 사용되는 트랜지스터는 접지된 소스 구성으로 접속된 n-채널 엔헨스먼트 모드 실리콘 MOSFET이다. MOSFET는 소스 포트가 벌크 실리콘 웨이퍼 물질을 통해 다이의 후면에 접속되도록 전기적 전도성 실리콘으로부터 처리된다. 실리콘 MOSFET의 후면 소스는 열을 제거하는 열적 경로가 크게 만들어질 수 있기 때문에 팩키지 설계를 매우 단순화시키고, 동시에 접지로의 전기적 경로를 개선시킨다. 본 발명자들은 다른 전계 효과 트랜지스터(FET)와 같은, 본 출원에서 다른 동등하게 충분한 트랜지스터의 사용을 예상한다.
MOSFET의 경우, 바이어스 전류는 상호 콘덕턴스 파라메타 β와, 게이트 전압 Vg와 임계 전압 Vt의 차의 제곱에 비례한다.
Id =(β/2)*[(Vg-Vt)]^2
게이트 전압과 임계 전압간의 제곱 관계로 인해, 증폭기 바이어스 전류는 Vt의 변화로 인해 심각하게 변화하는 가능성이 있다. 임계 전압이 실리콘의 진성 특성에 의존하는 바이폴라 트랜지스터의 경우와는 다르게, MOSFET 임계 전압은 공정에 따라 변화할 수 있는 도핑 농도에 의존한다. Vt의 변화는 전형적으로 +/-50% 로 규정된다. Vt의 변화에 대한 Id의 민감성은 다음과 같이 계산된다:
Svt = γ(Id)/γ(Vt)
= β*(Vg+vt)
민감성은 제어 전압 Vg가 증가함에 따라 증가한다. 임계값 변화로 인한 부정확한 바이어스 전류의 문제를 해결하기 위한 여러가지 방법이 있다. 첫째, 이득과 출력 전력과 같은 주요 속성 중의 여러가지가 임계값 변화에 견디는데 충분한 마진을 갖도록 증폭기를 설계할 수 있다. 둘째, 측정된 임계값에 따라 장치를 그레이드(grade)시킬 수 있고, 장치의 각 그레이드를 위해 다른 바이어싱 저항 키트를 이용할 수 있다. 셋째, 모듈 조립 중에 트리밍 기술을 이용하여 바이어싱 저항을 조정할 수 있다. 마지막으로, 부호(201)로 도시한 바와 같이 구성된 바이어스 회로 내에 전류 미러를 채용하는 것이 바람직하다. 제2트랜지스터(301)의 게이트 길이와 제1트랜지스터(303)의 게이트 길이의 비를 K로 표시하면, Rset의 저항성 소자, 및 Vref의 제어 전압, 나아가 제2트랜지스터의 바이어스 전류 Id는 다음 식으로 근사적으로 표현된다.
Id = K*(Vref-Vt)/Rset
Id와 Vref 사이의 선형 관계는 미러 장치가 바이어스 전류를 임계 전압의 변화에 덜 민감하게 하는 이유이다. 이 경우에 민감성은 제어 전압이 증가함에 따라 일정하게 남고 따라서 고 제어 전압에서 종전보다 작다.
Svt = γ(Id)/γ(Vt)
= K/Rset
제3도는 제2도의 전력 증폭기 모듈(201)의 상세한 도면이다. 양호한 실시예에서, 제2전력 증폭기 모듈(203)은 장치 크기와 바이어스 설정 저항이 각 단의 피크 출력 전력 요건에 따라 스케일되는 것을 제외하고, 제1전력 증폭기 모듈(201)과 동일하다. 다르게는 제2전력 증폭기는 단들 사이의 임계값 불일치로 인해 제1단 내에서 보다 높은 바이어스 변화가 있긴 하지만 전류 미러 없이 MOSFET 장치를 이용할 수 있다. 왜냐하면 출력 전력 제어 루프는 출력 단의 최적 바이어스 점에 대한 제어 전압을 설정하기 때문이다.
도시를 용이하게 하기 위해, 제1전력 증폭기 모듈(210)만이 도시된다. 제1전력 증폭기 모듈(201)은 드레인, 소스 및 드레인을 갖는 제2트랜지스터(301), 드레인, 소스 및 게이트를 갖는 제1트랜지스터, 제1저항성 소자(307), 제1유도성 소자(305) 및 전기적 접지(309)를 포함한다. 데이타 입력 신호(115)는 제2트랜지스터(301)의 게이트에 결합된다. 제어 신호(117)은 제1저항성 소자(307)을 통해 제2트랜지스터의 드레인 및 게이트와 제1트랜지스터(303)의 게이트에 결합된다. 양호한 실시예에서, 제1저항성 소자(307)은 510Ω 값을 갖는 저항이다. 제2트랜지스터(301)의 소스는 전지적 접지(309)에 결합된 제1트랜지스터(303)의 소스에 결합된다.
제1트랜지스터의 드레인은 제1유도성 소자(305)를 통해 바이어스 전압 VB+에 결합된다. 양호한 실시예에서, 제1유도성 소자(305)는 39nH 값을 갖는 인덕터이다. 다르게는 제1유도성 소자는 다층 인쇄 회로 보드상의 신호 및 접지 트레이스로 이루어진 전송 라인이다. 제1트랜지스터의 드레인은 또한 증폭된 데이타 출력 신호(207)에 결합된다.

Claims (10)

  1. 바이어스 제어 포트, 바이어스 포트, 입력 포트 및 출력 포트를 가지며, 상기 입력 포트는 입력 전력 레벨을 갖는 입력 신호를 수신하고, 상기 출력 포트는 출력 전력 레벨을 갖는 출력 신호를 방출하고, 상기 바이어스 제어 포트는 제어 전류를 갖는 바이어스 제어 신호를 수신하며, 상기 바이어스 포트는 바이어스 전류를 수신하는 증폭기에 있어서, 제1드레인 포트, 제1소스 포트, 제1게이트 포트 및 제1임계 전압을 가지며, 상기 제1드레인 포트는 상기 신호 출력과 상기 바이어스 입력에 결합된 제1트랜지스터, 및 제2드레인 포트, 제2소스 포트, 제2게이트 포트 및 제2임계 전압을 가지며, 상기 제1게이트 포트, 상기 제2게이트 포트 및 상기 제2드레인 포트는 상기 신호 입력과 상기 바이어스 제어 입력에 결합되며, 상기 제1소스와 상기 제2소스 는 전기적 접지에 결합되고, 상기 제1임계 전압과 상기 제2임계 전압은 실질적으로 동일한 제2트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 증폭기.
  2. 제1항에 있어서, 상기 바이어스 제어 입력은 제1저항을 통해 상기 제1게이트 포트, 상기 제2게이트 포트 및 제2 드레인 포트에 결합되는 것을 특징으로 하는 증폭기.
  3. 제1항에 있어서, 상기 바이어스 입력은 제1유도성 소자를 통해 상기 제1드레인 포트에 결합되는 것을 특징으로 하는 증폭기.
  4. 제1항에 있어서, 상기 바이어스 입력은 제1전송 라인을 통해 상기 제1드레인 포트에 결합되는 것을 특징으로 하는 증폭기.
  5. 제1항에 있어서, 상기 제1트랜지스터 및 상기 제2트랜지스터는 벌크 실리콘이 전기적 전도성인 제1다이상에 배치되고, 상기 제1소스와 상기 제2소스는 벌크 실리콘에 접속된 것을 특징으로 하는 증폭기.
  6. 제어 전압을 갖는 제1제어 신호; 제1바이어스 전류, 제1제어 전류 및 제1임계 전압을 가지며, 상기 제1제어 전류는 상기 제어 전압과 상기 제1임계 전압으로부터 유도되고, 상기 제1바이어스 전류는 상기 제1제어 전류와 선형 관계인 제1트랜지스터 증폭기 단으로서, 제1드레인 포트, 제1소스 포트, 및 제1게이트 포트를 가지며, 상기 제1드레인 포트는 상기 신호 출력과 상기 바이어스 입력에 결합된 제1트랜지스터와, 제2드레인 포트, 제2소스 포트, 제2게이트 포트 및 제2임계 전압을 가지며, 상기 제1게이트 포트, 상기 제2게이트 포트 및 상기 제2드레인 포트는 상기 신호 입력과 상기 바이어스 제어 입력에 결합되고, 상기 제1소스와 상기 제2소스는 전기적 접지에 결합되며, 상기 제1임계 전압과 상기 제2임계 전압은 실질적으로 동일하여, 상기 출력 전력 레벨은 상기 입력 전력 레벨과 상기 제1바이어스 전류와 관계가 있으며, 상기 제1바이어스 전류는 상기 제1제어 전류와 선형 관계인 제2트랜리스터를 포함하는 제1트랜지스터 증폭기 단; 및 제2바이어스 전류, 제2제어 전류 및 제3임계 전압을 가지며, 상기 제2제어 전류는 상기 제어 전압과 상기 제3임계 전압으로부터 유도되는 제2트랜지스터 증폭기 단을 포함하는 것을 특징으로 하는 다단 증폭기.
  7. 제6항에 있어서, 상기 제2트랜지스터 증폭기 단은 제1드레인 포트, 제1소스 포트, 제1게이트 포트 및 제1임계 전압을 가지며, 상기 제1드레인 포트는 상기 신호 출력과 상기 바이어스 입력에 결합된 제1트랜지스터, 및 제2드레인 포트, 제2소스 포트, 제2게이트 포트 및 제2임계 전압을 가지며, 상기 제1게이트 포트, 상기 제2게이트 포트 및 상기 제2드레인 포트는 상기 신호 입력과 상기 바이어스 제어 입력에 결합되고, 상기 제1소스와 상기 제2소스는 전기적 접지에 결합되며, 상기 제1임계 전압과 상기 제2임계 전압은 실질적으로 동일하여, 상기 출력 전력 레벨이 상기 입력 전력 레벨과 상기 바이어스 전류와 관계가 있으며, 상기 바이어스 전류는 상기 제어 전류와 선형 관계인 제2트랜지스터를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 다단 증폭기.
  8. 제어 전압을 갖는 제1제어 신호를 발생하는 제어기; 및 제1바이어스 전류, 제1제어 전류 및 제1임계 전압을 가지며, 상기 제1제어 전류는 상기 제어 전압과 상기 제1임계 전압으로부터 유도되고, 상기 제1바이어스 전류는 상기 제1제어 전류와 선형 관계인 제1트랜지스터 증폭기 단으로서, 제1드레인 포트, 제1소스 포드, 및 제1게이트 포트를 가지며, 상기 제1드레인 포트는 상기 신호 출력과 상기 바이어스 입력에 결합된 제1트랜지스터와, 제2드레인 포트, 제2소스 포트, 제2게이트 포트 및 제2임계 전압을 가지며, 상기 제1게이트 포트, 상기 제2게이트 포트 및 상기 제2드레인 포트는 상기 신호 입력과 상기 바이어스 제어 입력에 결합되고, 상기 제1보스와 상기 제2소스는 전기적 접지에 결합되며, 상기 제1임계 전압과 상기 제2임계 전압은 실질적으로 동일하여, 상기 출력 전력 레벨은 상기 입력 전력 레벨과 상기 제1바이어스 전류와 관계가 있고, 상기 제1바이어스 전류는 상기 제1제어 전류와 선형 관계인 제2트랜지스터를 포함하는 제1트랜지스터 증폭기 단, 및 제2바이어스 전류, 제2제어 전류 및 제3임계 전압을 가지며, 상기 제2제어 전류는 상기 제어 전압과 상기 제2임계 전압으로부터 유도되는 제2트랜지스터 증폭기 단을 포함하는 송신기를 포함하는 것을 특징으로 하는 무선 전화기.
  9. 제8항에 있어서, 상기 제2바이어스 전류는 상기 제2제어 전류와 선형 관계인 것을 특징으로 하는 무선 전화기.
  10. 제8항에 있어서, 상기 제2트랜지스터 증폭기 단은 제1드레인 포트, 제1소스 포트, 제1게이트 포트 및 제1임계 전압을 가지며, 상기 제1드레인 포트는 상기 신호 출력과 상기 바이어스 입력에 결합되는 제1트랜지스터, 및 제2드레인 포트, 제2소스 포트, 제2게이트 포트 및 제2임계 전압을 가지며, 상기 제1게이트 포트, 상기 제2게이트 보트 및 상기 제2드레인 포트는 상기 신호 입력과 상기 바이어스 제어 입력에 결합되고, 상기 제1소스와 상기 제2소스는 전기적 접지에 결합되며, 상기 제1임계 전압과 상기 제2임계 전압은 실질적으로 동일하여, 상기 출력 전력 레벨이 상기 입력 전력 레벨과 상기 바이어스 전류와 관계가 있으며, 상기 바이어스 전류는 상기 제어 전류와 선형 관계인 제2트랜지스터를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 무선 전화기.
KR1019950703382A 1993-12-13 1994-11-03 무선 전화기에 사용하기에 적합한 증폭기 KR0160574B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US08/166,054 US5410275A (en) 1993-12-13 1993-12-13 Amplifier circuit suitable for use in a radiotelephone
US8/166,054 1993-12-13
PCT/US1994/012636 WO1995017042A1 (en) 1993-12-13 1994-11-03 An amplifier for use in a radiotelephone

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR0160574B1 true KR0160574B1 (ko) 1999-03-20

Family

ID=22601620

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019950703382A KR0160574B1 (ko) 1993-12-13 1994-11-03 무선 전화기에 사용하기에 적합한 증폭기

Country Status (15)

Country Link
US (2) US5410275A (ko)
JP (1) JPH08507192A (ko)
KR (1) KR0160574B1 (ko)
CN (1) CN1037056C (ko)
AU (1) AU1087595A (ko)
BR (1) BR9405759A (ko)
CA (1) CA2154584C (ko)
DE (2) DE4499891T1 (ko)
FR (1) FR2713857B1 (ko)
GB (1) GB2294832B (ko)
RU (1) RU2170488C2 (ko)
SE (1) SE9502813L (ko)
SG (1) SG52466A1 (ko)
WO (1) WO1995017042A1 (ko)
ZA (1) ZA948745B (ko)

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5410275A (en) * 1993-12-13 1995-04-25 Motorola Inc. Amplifier circuit suitable for use in a radiotelephone
JP3139734B2 (ja) * 1995-11-07 2001-03-05 日本電気株式会社 可変利得増幅器
JP3881079B2 (ja) * 1997-03-14 2007-02-14 株式会社アドバンテスト 半導体集積回路素子
US6191656B1 (en) 1999-07-23 2001-02-20 Rf Micro Devices, Inc. High efficiency, unilateral dual stage RF amplifier
JP2001127701A (ja) * 1999-10-28 2001-05-11 Hitachi Ltd 電力増幅器モジュール
US6448855B1 (en) * 2000-04-13 2002-09-10 Koninklijke Philips Electronics N.V. Accurate power detection circuit for use in a power amplifier
WO2002003543A1 (fr) * 2000-06-30 2002-01-10 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Amplificateur haute frequence
WO2002003544A1 (fr) 2000-06-30 2002-01-10 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Amplificateur haute frequence
JP2005526440A (ja) * 2002-05-16 2005-09-02 コーニンクレッカ　フィリップス　エレクトロニクス　エヌ　ヴィ 電力増幅器最終段回路
ATE385625T1 (de) * 2002-05-31 2008-02-15 Ericsson Telefon Ab L M Leistungsverstärker
US6784745B2 (en) * 2003-01-31 2004-08-31 Lsi Logic Corporation Adjustable current-mode equalizer
KR100663450B1 (ko) * 2003-05-19 2007-01-02 삼성전자주식회사 집적 가능한 전압조정 초고주파 전력 증폭기
CN101071312B (zh) * 2006-05-12 2010-04-21 苏州中科集成电路设计中心有限公司 共源共栅电流镜偏置方法及其偏置电路
AU2008237210B2 (en) 2007-04-05 2012-08-16 Avery Dennison Corporation Pressure sensitive shrink label
US8282754B2 (en) 2007-04-05 2012-10-09 Avery Dennison Corporation Pressure sensitive shrink label
US9221573B2 (en) 2010-01-28 2015-12-29 Avery Dennison Corporation Label applicator belt system
CN104508975B (zh) * 2012-06-14 2018-02-16 天工方案公司 工艺补偿的hbt功率放大器偏置电路和方法
RU2571402C1 (ru) * 2014-11-17 2015-12-20 Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Донской Государственный Технический Университет" (Дгту) Свч избирательный усилитель на основе планарной индуктивности с низкой добротностью
KR101796989B1 (ko) * 2016-04-29 2017-11-13 현대자동차주식회사 차량용 앰프 및 그를 포함하는 차량

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5949604B2 (ja) * 1974-12-13 1984-12-04 ソニー株式会社 トランジスタのバイアス回路
US4618815A (en) * 1985-02-11 1986-10-21 At&T Bell Laboratories Mixed threshold current mirror
US4694201A (en) * 1985-04-30 1987-09-15 Motorola, Inc. Current-saving CMOS input buffer
US4990976A (en) * 1987-11-24 1991-02-05 Nec Corporation Semiconductor device including a field effect transistor having a protective diode between source and drain thereof
JPH0229543U (ko) * 1988-08-15 1990-02-26
US4896121A (en) * 1988-10-31 1990-01-23 Hughes Aircraft Company Current mirror for depletion-mode field effect transistor technology
US4896061A (en) * 1988-12-13 1990-01-23 Siemens Aktiengesellschaft GaAs analog switch cell with wide linear dynamic range from DC to GHz
US4975632A (en) * 1989-03-29 1990-12-04 Texas Instruments Incorporated Stable bias current source
US5126688A (en) * 1990-03-20 1992-06-30 Oki Electric Co., Ltd. Power amplifying apparatus for wireless transmitter
US5079456A (en) * 1990-11-05 1992-01-07 Motorola, Inc. Current monitoring and/or regulation for sense FET's
US5142696A (en) * 1991-04-16 1992-08-25 Motorola, Inc. Current mirror having increased output swing
US5220290A (en) * 1991-06-03 1993-06-15 Motorola, Inc. Power amplifier
US5160898A (en) * 1991-06-03 1992-11-03 Motorola, Inc. Power amplifier
DE69427378T2 (de) * 1993-01-08 2002-04-25 Sony Corp Monolithische integrierte Mikrowellenschaltung
US5410275A (en) * 1993-12-13 1995-04-25 Motorola Inc. Amplifier circuit suitable for use in a radiotelephone

Also Published As

Publication number Publication date
GB2294832A (en) 1996-05-08
WO1995017042A1 (en) 1995-06-22
ZA948745B (en) 1995-07-10
JPH08507192A (ja) 1996-07-30
CA2154584A1 (en) 1995-06-22
GB9516176D0 (en) 1995-10-11
US5410275A (en) 1995-04-25
BR9405759A (pt) 1995-11-28
RU2170488C2 (ru) 2001-07-10
SE9502813D0 (sv) 1995-08-11
US5477192A (en) 1995-12-19
CA2154584C (en) 1998-08-18
DE4499891T1 (de) 1997-07-31
FR2713857A1 (fr) 1995-06-16
SE9502813L (sv) 1995-10-13
AU1087595A (en) 1995-07-03
FR2713857B1 (fr) 1996-09-06
SG52466A1 (en) 1998-09-28
DE4499891C2 (de) 1998-06-10
CN1037056C (zh) 1998-01-14
CN1117774A (zh) 1996-02-28
GB2294832B (en) 1997-11-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR0160574B1 (ko) 무선 전화기에 사용하기에 적합한 증폭기
US6288612B1 (en) Radio communication apparatus and radio frequency power amplifier
US7078974B2 (en) High frequency power amplifier circuit
US6753735B2 (en) High frequency power amplifier and wireless communication module
US6897728B2 (en) High frequency power amplifier module and wireless communication system
US6194968B1 (en) Temperature and process compensating circuit and controller for an RF power amplifier
KR100937308B1 (ko) 전력 증폭기 출력 전력의 정밀 제어를 위한 전력 제어 회로
US7190935B2 (en) Amplifier power detection circuitry
TW548894B (en) High frequency power amplifying method and wireless communication apparatus
JPH09260957A (ja) 半導体増幅回路
GB2327308A (en) Controlling the drain voltages of a two-stage FET rf amplifier to control the ouput level and improve efficiency
JP4088358B2 (ja) 温度補償レベル・シフタを有する電力増幅回路
JP2006303850A (ja) 高周波電力増幅回路および無線通信端末
US11652451B2 (en) Power amplifier device
GB2332797A (en) Low voltage biasing for an FET using a diode limiter
JP2005020383A (ja) 高周波電力増幅回路および無線通信システム
US6535067B1 (en) Power saturation control of class C bipolar amplifiers
KR20000043008A (ko) 핀 다이오드 및 스위칭 트랜지스터를 이용한 전력증폭 모듈의동작 범위 조절 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20120727

Year of fee payment: 15

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130729

Year of fee payment: 16

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140730

Year of fee payment: 17

EXPY Expiration of term