KR0147404B1 - 비휘발성 메모리 소자의 프로그램 방법 - Google Patents

비휘발성 메모리 소자의 프로그램 방법

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KR0147404B1
KR0147404B1 KR1019940026253A KR19940026253A KR0147404B1 KR 0147404 B1 KR0147404 B1 KR 0147404B1 KR 1019940026253 A KR1019940026253 A KR 1019940026253A KR 19940026253 A KR19940026253 A KR 19940026253A KR 0147404 B1 KR0147404 B1 KR 0147404B1
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이병일
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문정환
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Abstract

본 발명은 비휘발성 메모리 소자에 관한 것으로 특히 일반 룸라이터(ROM writer)를 이용하여 프로그램 할 수 있는 MCU내의 비휘발성 메모리 소자의 프로그램 방법 및 장치에 관한 것이다.
상기와 같은 본 발명의 비휘발성 메모리소자의 프로그램 방법은 특정메모리의 데이터를 롬라이터를 이용하여 비휘발성 메모리에 라이트하는 방법에 있어서, 롬라이터가 사기 라이트하여야 할 데이터를 상기 특정메모리로부터 읽어내고, 읽어낸 데이터의 최종어드레스를 최초어드레스가 되도록 반전시키는 스텝과, 상기 읽어낸 데이터를 비휘발성 메모리에 라이트할때, 상기 반전된 어드레스를 재반전시키면서, 상기 롬라이터로부터 데이터를 비휘발성 메모리에 라이트하는 스텝을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하고, 본 발명의 비휘발성 메모리 소자의 프로그램 장치는 롬라이터를 이용하여 특정메모리의 데이터를 비휘발성 메모리에 라이트하는 장치에 있어서, 어드레스 입력단자에 상기 특정메모리의 어드레스를 반전시키는 제 1 인버터와, 라이트모드 신호에 의해서 오프(off)되고, 노말 모드 신호에 의해서 온(on)되어 상기 제 1 인버터로부터 출력되는 어드레스를 반전시키는 제 2 인버터와, 노말모드 신호에 의해 오프(off)되고 라이트모드 신호에 의해 온(on)되어 상기 특정메모리의 어드레스를 반전시켜 출력하는 제 3 인버터를 갖는 어드레스 반전회로를 구비하는 것을 특징으로 한다.

Description

비휘발성 메모리 소자의 프로그램 방법 및 장치
제1도 (a)는 일반적인 프로그램 제어회로의 구성블럭도.
(b)는 일반적인 메모리맵.
제2도는 (a)는 주소반전 회로의 내부회로도.
(b)(c)는 주소반전 회로의 동작모드에 따른 블럭도.
제3도 (a)는 일반적인 메모리맵.
(b)는 본 발명의 ROM 라이터의 어드레스 변환의 예.
제4도는 본 발명의 외장형 주소반전 회로의 예
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
40 : ROM 라이터 41 : MCU
42 : 어드레스 반전회로
본 발명은 비휘발성 메모리 소자에 관한 것으로, 특히 일반 롬 라이터(ROM writer)를 이용하여 프로그램 할 수 있는 MCU내의 비휘발성 메모리 소자의 프로그램 방법 및 장치에 관한 것이다.
일반적으로 비휘발성 메모리 소자는 전기적으로 프로그램 가능한 PROM(Prog rammable Read Only Memory)과 다시 자외선을 이용하여 입력데이타를 소거할 수 있는 EPROM (Erasable PROM)과 전기적으로 입력데이타를 소거할 수 있는 E2RPOM(Electriccally Erasable PROM) 등으로 구분할 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참고하여 종래의 일반적인 MCU내의 비휘발성 메모리 소자의 프로그램 방법 및 장치에 대하여 설명하면 다음과 같다.
제1도는 (a)는 일반적인 프로그램 제어회로의 구성블록도이고, (b)는 일반적인 메모리맵을 나타낸 것이다.
어드레스 검출회로(1)에서 메모리맵상의 빈공간을 지정하는 어드레스가 검출되면 라이트 제어부(2)에서 고레벨의 φc를 출력시켜 ROM 라이터가 에러를 인식하지 못하게 된다.
외부전원(Vpp)을 인가받는 제어발생 회로(3)는 MCU내의 EPROM에 필요하게 되는 제어신호 및 EPROM 직접 액세스 모드를 표시하는 칩셀렉트 신호를 출력한다.
그리고 MCU내의 메모리맵은 제1도 (b)에서와 같이 구성되어 일반적인 ROM 라이터를 이용하여 메모리맵상의 ROM 부분에 프로그램 할 때 ROM 라이터는 φφ번지로 부터 프로그램을 시작하게 되고, 이때 라이트의 성공여부를 판단하여 다음번지를 넘가게 된다.
그러나 상기와 같은 메모리맵의 구조에서는 φφ번지가 롬라이터로 부터 프로그램 되지 않으며 제1도 (b)에서와같이 ROM 라이터가 프로그램하게 되는 번지가 빈공간 일때는 더욱 그러하다.
따라서, ROM 라이터 프로그래밍 한 뒤에도 성공적으로 라이트(write)했는지 여부를 확인할 수 없게 된다.
그리고 상기 제1도 (a)와 같은 프로그램 제어회를 사용한 프로그램 방법에 있어서는 어드레스가 많아질 때 많은 하드웨어를 부가해야 하고 전메모리맵에 대하여 프로그램 하는 것과 같으므로 프로그램의 효율이 낮아지는(라이트 해야 할 비휘발성 메모리의 크기가 작을 경우에는 처음부터 전체를 써야하므로) 문제점이 있었다.
본 발명은 상기와 같은 종래의 비휘발성 메모리 소자의 프로그램 방법이 문제점을 해결하기 위하여 안출한 것으로써, 어드레스 반전회로를 사용하여 보다 효율적인 비휘발성 메모리 소자의 프로그램 방법 및 장치를 제공하는데 그 목적이 있다.
상기의 목적을 달성하기 위한 본 발명의 비휘발성 메모리 소자의 프로그램 방법을 첨부된 도면을 참고하여 설명하면 다음과 같다.
주소반전 회로의 내부회로도인 제2도 (a)와, 주소반전 회로의 동작모드에 따른 블럭도인 제2도 (b)(c)에서와 같이, 주소반전 회로는 주소입력단자로 들어오는 어드레스를 반전시키는 제 1 인버터와, 라이트(write)와 노말(normal)동작시의 각기 다른 레벨의 제어신호를 받아 어드레스를 반전시키는 제 2 인버터로 구성된다.
노말동작시에는 제 1 인버터와 제 2 인버터를 거쳐 원래의 어드레스가 출력단으로 출력되고, 라이트(write) 동작시에는 제 2 인버터만을 거쳐 반전된 어드레스가 출력되게 된다.
그리고 ROM 라이터의 어드레스 변환의 예를 일반적인 메모리맵을 나타낸 제3도 (a)와, 본 발명의 ROM 라이터의 어드레스 변화의 예를 나타낸 제3도 (b)를 참고하여 설명하면 다음과 같다.
MCU의 프로그램을 OPT(One Time Programmable, EPROM 내장) MCU 또는 MTP(Multi Time Programmable, Window 달린 EPROM 또는 EPROM 내장형) MCU에 프로그래밍 하고자 할 때, 처음 동작으로 프로그램상의 최종번지 내용을 기계어나 HEXA 코드등의 ROM 라이터 데이타로 변환시킬때 최종번지(FF)의 데이타를 최초번지 (φφ)로 변환시키는 방법으로 순차적으로 어드레스를 변환시켜 ROM 라이터로 변환한다.
그리고 ROM 라이터로 부터 MCU내의 EPROM에 프로그래밍 할 때는 ROM 라이터로 부터의 신호, 혹은 MCU 내부,외부에서 발생하는 라이팅 모드신호를 이용하여 ROM 라이터 로 부터의 어드레스를 다시 반전시켜 MCU내의 비휘발성 메모리에 프로그래밍을 하게 된다.
예를들면, MCU내의 메모리맵이 제3도 (a)와 같을때, 이 내용를 ROM 라이터 데이타로 변환시에 (FF)번지의 내용를 (φφ)번지로 바꾸어(어드레스를 반전시켜) 변환시키고, 이를 MCU내의 비휘발성 메모리에 써넣을 때 ROM 라이터로 부터의 신호, 혹은 MCU의 ROM 프로그래밍을 나타내는 신호를 받아 어드레스를 다시 반전시키게 된다.
이때, ROM의 센스앰프로 부터 출력되는 값은 주소가 지정되지 않은 대기 상태 일때는 MCU의 특성에 따라 항상 일정한 값을 출력하게 되어 있으므로 이를 고레벨로 출력하도록 만들어 놓은 상태에서 빈공간을 지정하는 주소가 입력되면 ROM의 어느 부분도 지정되지 않으므로 대기상태의 값이 출력되게 된다.
따라서, ROM의(FF) 번지로부터 ROM 라이터가 지정하는 최종번지(이 번지는 빈 공간의 어디엔가 놓이게 됨)까지 전부 에러없이 쓰여지게 된다.
그리고 본 발명의 외장형 주소반전 회로의 예를 나타낸 제4도에서와 같이, ROM 라이터(40)와 MCU(41) 사이의 외부에 어드레스 반전회로(42)를 설치할 경우 변환규칙을 설정하여 이 규칙의 해독방법으로 변환장치를 구성하면 이 변환장치가 없는한 ROM의 프로그램을 해독할 수 없는 프로그램 보호장치로 사용할 수 있는 효과가 있다.

Claims (3)

  1. 특정메모리의 데이터를 롬라이터를 이용하여 비휘발성 메모리에 라이트하는 방법에 있어서, 롬라이터가 상기 라이트하여야 할 데이터를 상기 특정메모리로부터 읽어내고, 읽어낸 데이터의 최종어드레스를 최초어드레스가 되도록 반전시키는 스텝고, 상기 읽어낸 데이터를 비휘발성 메모리에 라이트할 때, 상기 반전된 어드레스를 재반전시키면서, 상기 롬라이터로부터 데이터를 비휘발성 메모리에 라이트하는 스텝을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리소자의 프로그램 방법.
  2. 제 1 항에 있어서, EPROM에 프로그래밍시에, 프로그램 순서를 일정한 규칙에 의해 변환하고 이를 다시 MUC내에 프로그램 할 때는 상기 일정한 규칙의 역순으로 프로그램 하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자의 프로그램 방법.
  3. 롬라이터를 이용하여 특정메모리의 데이터를 비휘발성 메모리에 라이트하는 장치에 있어서, 어드레스 입력단자에 입력되는 상기 특정메모리의 어드레스를 반전시키는 제 1 인버터와, 라이트모드 신호에 의해서 오프(off)되고, 노말모드 신호에 의해서 온(on) 상기 제 1 인버터로부터 출력되는 어드레스를 반전시키는 제 2 인버터와, 노말모드 신호에 의해 오프(off)되고 라이트모드 신호에 의해 온(on)되어 상기 특정메모리의 어드레스를 반전시켜 출력하는 제 3 인버터를 갖는 어드레스 반전회를 구비하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리소자의 프로그램 장치.
KR1019940026253A 1994-10-13 1994-10-13 비휘발성 메모리 소자의 프로그램 방법 KR0147404B1 (ko)

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JPH01150954A (ja) * 1987-12-07 1989-06-13 Nec Corp 読出し専用メモリ
JPH02236647A (ja) * 1989-03-10 1990-09-19 Mitsubishi Electric Corp 変換装置

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