KR0137619B1 - Manufacturing method of semiconductor device - Google Patents
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Abstract
본 발명은 금속배선막(1)과 TiN막(2)을 차례로 형성하고 소자 보호용 절연막(3,4)을 형성한 후 패드식각 장벽용 감광막(5)을 패터닝하는 단계, 상기 감광막(5)을 식각장벽으로 하여 절연막(4,3)을 식각하는 단계, 노출된 TiN막(2)을 CF4및 O2가스를 사용한 플라즈마 식각으로 제거하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 패드 형성 방법에 관한 것으로, 패드 식각시 잔류 TiN막이 발생하지 않도록 하여 와이어 본딩시의 와이어 접촉을 향상시키는 동시에 리페어 회로 부위의 하부절연막의 식각을 방지하여 반도체 소자의 신뢰도 및 수율을 향상시키는 효과가 있다.According to the present invention, the metal wiring film 1 and the TiN film 2 are sequentially formed, the device protection insulating films 3 and 4 are formed, followed by patterning the photoresist film 5 for the pad etching barrier. Etching the insulating films 4 and 3 as an etch barrier, and removing the exposed TiN film 2 by plasma etching using CF 4 and O 2 gases. In this way, the residual TiN film is not generated during the pad etching, thereby improving wire contact during wire bonding, and preventing etching of the lower insulating layer in the repair circuit area, thereby improving reliability and yield of the semiconductor device.
Description
제1a도 내지 제1c도는 본 발명의 일실시예에 따른 반도체 장치 제조 공정 단면도1A to 1C are cross-sectional views of a semiconductor device manufacturing process according to an embodiment of the present invention.
*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명** Description of the symbols for the main parts of the drawings *
1:알루미늄막2:TiN막1: aluminum film 2: TiN film
3:산화막4:질화막3: oxide film 4: nitride film
5:감광막5: photosensitive film
본 발명은 반도체 장치 제조 방법에 관한 것으로 특히, 반사방지막으로 사용되는 TiN막을 효율적으로 제거하는 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor device, and more particularly, to a method for efficiently removing a TiN film used as an antireflection film.
일반적으로, 집적도가 높은 반도체 장치를 제조하기 위한 사진 식각 공정에서 난반사를 방지하기 위하여 TiN막을 사용하는데, TiN막을 효율적으로 제거하기가 어려워 문제점이 유발되고 있는 실정이다.In general, a TiN film is used to prevent diffuse reflection in a photolithography process for manufacturing a highly integrated semiconductor device, which is difficult to remove the TiN film efficiently.
이하, 패드 형성 공정을 예로 들어 TiN막 식각의 문제점을 설명한다.Hereinafter, the problem of etching the TiN film will be described using the pad forming process as an example.
알루미늄 배선을 형성하기 위한 사진식각 공정을 실시하기 위하여 알루미늄막 상에 TiN막을 형성하고 알루미늄막 및 TiN막을 패터닝한다. 이어서, 상기 TiN막 상에 소자 보호용 절연막을 형성한 후 알루미늄막의 패드(pad) 부위를 노출하는 식각 공정을 실시하여 절연막 및 TiN막을 제거하는데, 알루미늄막 상의 TiN막이 완전히 제거되지 않아 이후에 와이어 본딩(wire bonding)을 방해한다. 상기 식각 과정에서 TiN막을 남기지 않기 위해 과도 식각을 실시하기도 하는데, 이 경우 패드 접촉 부위의 금속막인 알루미늄막이 손상을 입게 되고 또한 리페어 회로 부위의 하부 절연막까지 식각되어 리페어 회로에 손상을 주게 된다.In order to perform the photolithography process for forming the aluminum wiring, a TiN film is formed on the aluminum film and the aluminum film and the TiN film are patterned. Subsequently, an insulating film for protecting a device is formed on the TiN film, and an etching process of exposing a pad portion of the aluminum film is performed to remove the insulating film and the TiN film, but the TiN film on the aluminum film is not completely removed. wire bonding). In the etching process, excessive etching may be performed so as not to leave a TiN film. In this case, the aluminum film, which is a metal film of the pad contact portion, is damaged, and the lower insulating film of the repair circuit portion is etched to damage the repair circuit.
따라서, TiN막을 효과적으로 제거할 수 있는 반도체 장치 제조 방법을 제공하는데 그 목적이 있다. 또한, 본 발명은 패드 형성시 TiN막이 알루미늄막 상에 잔류하지 않도록 하여 와이어 본딩시의 와이어 접촉을 향상시키어, 리페어 회로 부위의 하부 절연막의 식각을 방지할 수 있는 반도체 장치 제조 방법을 제공하는데 그 다른 목적이 있다.It is therefore an object of the present invention to provide a method for manufacturing a semiconductor device capable of effectively removing a TiN film. In addition, the present invention provides a method for manufacturing a semiconductor device that can prevent the TiN film from remaining on the aluminum film during pad formation to improve wire contact during wire bonding, thereby preventing etching of the lower insulating film at the repair circuit portion. There is a purpose.
상기 목적을 달성하기 위하여 안출된 본 발명은 반도체 장치 제조 방법에 있어서, 반도체 기판 상에 금속막 및 TiN이 적충된 패턴을 형성하는 단계; 전체 구조 상부에 절연막을 형성한 후 선택적으로 식각하여 상기 TiN막의 소정 영역을 노출하는 단계; 상기 노출된 TiN막을 CF4및 O2가스를 사용한 플라즈마 식각으로 제거하여 상기 금속막의 소정 영역을 노출하는 단계를 포함하여 이루어진다.In order to achieve the above object, the present invention provides a method of manufacturing a semiconductor device, comprising: forming a pattern in which a metal film and TiN are stacked on a semiconductor substrate; Forming an insulating film on the entire structure and then selectively etching to expose a predetermined region of the TiN film; And removing the exposed TiN film by plasma etching using CF 4 and O 2 gas to expose a predetermined region of the metal film.
TiN+*F→TiF3+N2---------식1TiN + * F → TiF 3 + N 2 --------- Equation 1
본 발명은 식1과 같이 TiN을 불소(F) 계열 가스를 이용한 고온 플라즈마로 제거하는 방법이다.The present invention is a method of removing TiN by a high temperature plasma using a fluorine (F) -based gas as shown in equation 1.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명을 상세히 설명한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described in detail the present invention.
제1a도 내지 제1c도는 본 발명의 일실시예에 따른 반도체 장치 제조 공정 단면도이다. 본 발명의 일실시예에 따른 반도체 장치 제조 방법은 다음과 같이 이루어진다.1A to 1C are cross-sectional views illustrating a process of manufacturing a semiconductor device in accordance with an embodiment of the present invention. A semiconductor device manufacturing method according to an embodiment of the present invention is performed as follows.
먼저, 제1a도에 도시한 바와 같이 알루미늄막(1)과 TiN막(2)을 증착한 후 사진식각 공정을 실시하여 소정의 패턴을 형성한다. 이어서, 산화막(3)과 질화막(4)으로 보호막을 형성한 후 패드식각(pad etch)을 실시하기 위하여 식각장벽막으로 감광막(5)을 패턴을 형성한다.First, as shown in FIG. 1A, an aluminum film 1 and a TiN film 2 are deposited, and then a photolithography process is performed to form a predetermined pattern. Subsequently, after the protective film is formed of the oxide film 3 and the nitride film 4, a pattern of the photosensitive film 5 is formed as an etch barrier film in order to perform pad etching.
다음으로, 제1b도에 도시한 바와 같이 상기 감광막(5)을 식각장벽으로 하여 질화 막(4) 및 산화막(3)을 차례로 식각하여 패드 부위의 상기 알루미늄막(1) 상에 형성된 상기 TiN막(2)을 노출시킨다.Next, as shown in FIG. 1B, the TiN film formed on the aluminum film 1 of the pad region by sequentially etching the nitride film 4 and the oxide film 3 using the photosensitive film 5 as an etch barrier. Expose (2).
다음으로, 제1c도에 도시한 바와 같이 상기 감광막(5)을 제거하고, CF4및 O2가스를 사용한 200℃ 내지 300℃의 고온의 플라즈마에 상기 TiN막(2) 노출시켜 상기 TiN막이 잔류됨 없이 제거해서 상기 알루미늄막(1)이 노출되도록 한다.Next, as shown in FIG. 1C, the photoresist film 5 is removed, and the TiN film 2 is exposed by exposing the TiN film 2 to a high temperature plasma at 200 ° C. to 300 ° C. using CF 4 and O 2 gas. The aluminum film 1 is exposed so that the aluminum film 1 is exposed.
상기에 설명한 본 발명의 일실시예에서 패드 식각시 식각 장벽막으로 이용되는 감광막을 TiN막 제거한 후 제거할 수도 있다.In the above-described embodiments of the present invention, the photoresist layer used as the etching barrier layer during the pad etching may be removed after the TiN layer is removed.
상기와 같이 이루어지는 본 발명은 반사방지막으로 이용되는 TiN막을 효과적으로 제거하여 반도체 소자의 특성을 향상시킬 수 있다. 또한, 반도체 장치 제조 공정 중 패드 식각시 TiN막이 금속상에 잔류되지 않도록 하여 와이어 본딩시의 와이어 접촉을 향상시키는 동시에 리페어 회로 부위의 하부 절연막의 식각을 방지하여 반도체 소자의 신뢰도 및 수율을 향상시키는 효과가 있다.The present invention as described above can effectively remove the TiN film used as the anti-reflection film to improve the characteristics of the semiconductor device. In addition, the TiN film does not remain on the metal during pad etching during the semiconductor device manufacturing process, thereby improving wire contact during wire bonding, and preventing etching of the lower insulating film at the repair circuit portion, thereby improving reliability and yield of the semiconductor device. There is.
이상에서 설명한 본 발명은 전술한 실시예 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.The present invention described above is not limited to the above-described embodiments and the accompanying drawings, and various substitutions, modifications, and changes can be made in the art without departing from the technical spirit of the present invention. It will be apparent to those of ordinary knowledge.
Claims (3)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940011333A KR0137619B1 (en) | 1994-05-24 | 1994-05-24 | Manufacturing method of semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940011333A KR0137619B1 (en) | 1994-05-24 | 1994-05-24 | Manufacturing method of semiconductor device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR950034634A KR950034634A (en) | 1995-12-28 |
| KR0137619B1 true KR0137619B1 (en) | 1998-06-01 |
Family
ID=19383700
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019940011333A KR0137619B1 (en) | 1994-05-24 | 1994-05-24 | Manufacturing method of semiconductor device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR0137619B1 (en) |
-
1994
- 1994-05-24 KR KR1019940011333A patent/KR0137619B1/en not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR950034634A (en) | 1995-12-28 |
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