KR0135294B1 - 덴드리틱 실리콘 웨브 자동 분리장치 - Google Patents

덴드리틱 실리콘 웨브 자동 분리장치

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KR0135294B1 KR1019890004311A KR890004311A KR0135294B1 KR 0135294 B1 KR0135294 B1 KR 0135294B1 KR 1019890004311 A KR1019890004311 A KR 1019890004311A KR 890004311 A KR890004311 A KR 890004311A KR 0135294 B1 KR0135294 B1 KR 0135294B1
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테레사 샤라 크리스텐
베네딕트 쿠리크 데이비드
유잉 맥킬베인 소코트
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리차드 로시
에바라 솔라 인코오포레이티드
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내용 없음

Description

덴드리틱 실리콘 웨브 자동 분리장치
제 1도는 덴드리틱 웨브의 평면도,
제 2도는 제1도의 선 Ⅱ-Ⅱ를 따라서 본 웨브 단면도,
제 3도는 제1도 웨브 조각상의 광전지 배양도,
제 4도 및 제4a도는 본 발명의 관념에 따라 구성된 데드리틱 실리콘 웨브 자동 분리장치의 평면도,
제 5도 및 제5a도는 제4도 및 제4a도의 장치의 측면도,
제 6도는 제5도의 선 Ⅵ-Ⅵ을 따라서 본 단면도,
제 7도는 제5a도의 선 Ⅶ-Ⅶ을 따라서 본 단면도,
제 8도는 절단 후에 덴드리틱 웨브를 저장하는 데 사용되는 보우트의 사시도이다.
*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명*
24 : 본 발명의 장치,26 : 테이블,
30 : 푸시 플레이트,50 :제1워크스테이션,
56 : 제2워크스테이션,66 : 시프트 플레이트,
58 : 스크라이브,82,84 : 엘리베이터,
86 :보우트
본 발명은 일반적으로, 웨브를 미리 정해진 길이의 조각으로 절단할 수 있는 장치에 관한 것이며, 구제적으로는, 길이가 긴 덴드리틱 실리콘 웨브(Dendritic Silicon Web)를 후속 공정을 위해 더 작은 조각으로 자동적으로 절단하는 기계에 관한 것이다.
규모의 경제성을 확보하게 위해서는 대량 생산 기법에 따라 광전지를 생산하는 것이 바람직하다. 종래에는, 둥근 실리콘 웨이퍼를 사용하여 광전지를 자동 생산하였다. 이러한 둥근 웨이퍼를 가공하기 위해서 이러한 웨이퍼를 조작하고 절단하고 저장할 수 있는 특별한 장치가 출현하였다. 불행하게도, 이러한 둥근 웨이퍼들은 정방형 또는 장방형의 조각으로 잘라 낼 때의 손실량이 크다. 그러므로, 손실을 줄이고 경비를 절감하기 위해서는, 다른 형상의 단결정 실리콘을 사용하여 작업하는 것이 바람직하다.
단결정 덴드리틱 실리콘 웨브를 17m정도로 길게 성장시키는 것이 공지되었다. 그렇지만, 그러한 덴드리틱 웨브를 자동적으로 가공할 수 있는 장치는 없다. 현재는, 다이아몬드 팁 스크라이빙 공구(Diamond Tipped Scribing Tools)를 손으로 잡고 수동식으로 크기에 막게 덴드리틱 웨브를 절단하여야만 한다. 이러한 수동식 생산기술은 비용면에서 비효율적이며 광전지 패널(panel)제조에 필요한 정확도 및 반복성을 제공하지 못하므로, 따라서, 이러한 덴드리틱 웨브를 처리할 수 있는 자동식 장치가 요구된다.
본 발명은 덴드리틱 실리콘 웨브를 미리 정해진 길이의 조각들로 자동 절단하는 기계에 관한 것이다. 이 기계의 제1워크스테이션(Work Station)에서는 웨브에 선을 그어(scribe)소정 길이의 웨브 조각의 경계를 정한다, 제2워크스테이션에서는 경계가 정해진 웨브 조각에 후속 공정을 위해 90℃모서리를 표시하고, 덴드리틱 웨브로 부터 미리 정해진 길이의 웨브 조각을 떼어 낸다. 제1 및 제2워크스테이션을 통해 덴드리틱 웨브를 미리 정해진 길이 만큼 씩 전진 시키기 위해 소정의 어셈블리를 설치한다.
본 발명의 한 실시예에 있어서, 제1워크스테이션에는 자동식 다이아몬드 팁 스크라이브 아암(Automatic Diamond Tipped Scribe)이 구비되어 있다. 본 발명의 다른 실시예에서는 제1 및 제2워크스테이션의 기능을 수행하는데 웨이퍼 나이프 또는 메이저 등을 사용할 수도 있다.
본 발명의 장치는 길이가 긴 덴드리틱 웨브를 후속 공정을 위해, 미리 정해진 길이로 정밀하게 자동 절단할 수 있다.
덴드리틱 웨브를 미리 정해진 길이로 절단하는 것 이외에도, 후속 공정을 가능하게 하기 위해 각각의 조각에 표시를 한다.
그러므로, 본 발명의 장치는 덴드리틱 실리콘 웨브를 반복하여 소정의 길이로 자동 절단한다. 이러한 장치는 대량생산 기법을 이러한 웨브의 가공에 적용 가능케하므로, 규모의 경제성을 도모할 수 있게 된다. 본 발명의 이러한 그리고 여타의 잇점 및 이익에 대하여는 하기의 바람직한 실시예에 관하 설명으로부터 명확하게 알 수 있을 것이다.
본 발명을 명료하게 파악하고 용이하게 실시할 수 있게 하기 위해, 단지 예시로서, 첨부 도면과 관련하여 바람직한 실시예들을 설명하겠다.
실리콘 웨브(10)은, 제1도와 같이, 두 개의 덴드라이트(12) 및 (14)사이에서 공지된 기술에 따라 성장된다. 웨브(10)은, 미리 정해진 폭에 도달할 때까지 계속하여 웨브(10)의 폭을 증가시키는 방식으로 용해 실리콘 저장기로 부터 끌어 낸 실리콘 단결정이다. 웨브(10)이 덴드라이트(12),(14)사이에서 뻗기 때문에, 웨브(10)을 덴드리틱 웨브라고 부를 수 있다. 덴드리틱 웨브(10)의 단면도 제2도에 예시했다. 덴드리틱 웨브(10)의 최대 폭은, 예를 들어, 78㎜로 할 수 있다.
제1도의 덴드리틱 웨브(10)은, 공지된 가공 기술에 따라 광전지를 만들기 위해, 편리한 길이로 자를 수 있다.
제3도는 단일의 광전지를 수용하도록 절단된 덴드리틱 웨브(10)의 한부분(15)이다. 덴드리틱 웨브(10)이 최대 폭에 도달하기 전에 광전지(16)을 덴드리틱 웨브의 한 부분에 설치하는 것을 알 수 있다. 이 때문에 웨브(10)의 조각(15)를 트래퍼조이드(Trapezoid)라고 부를 수 있다.
제3도의 덴드리틱 웨브(10)의 조각(15)위의 광전지(16)은 전도성 동 패드(Copper Conductive Pade)(20)과 함께 여러 개의 동 전도체(Copper Conductors)(18)을 부착시켜 구성한다. 웨브(10)의 반대면에는 같은 형상의 동 전도체(18)과 동 패드(20)을 이미 부착된 전도체(18) 및 패드(20)에 정확히 일치시켜 부착 시켜야만 하기 때문에, 웨브 조각(15)의 90°모서리 확인을 위해 표시 원(Scribed Circle)(22) 등의 표시를 갖출 필요가 있다. 표시 원(22)를 이용하므로써, 웨브 조각(15)의 양면상의 형을 정밀하게 일치시키기위해 동 전도체(18) 및 동 패드(20) 부착용 마스크들(Masks) 을 정렬시킬 수가 있다.
제4도, 제4A도, 제5도 및 제5A도는 각각 본 발명의 기술에 의해 구성된 덴드리틱 실리콘 웨브 자동 분리기(24)의 평면도 및 측면도이다. 장치(24)는 길이가 긴 덴드리틱 실리콘 웨브를 광전지 제조에 적합한 길이로 가공해 낼 수 있다. 이 장치는, 적당한 길이의 웨브 조각을 제공하는 이외에도, 각각의 조각에 가공 목적상 필요한 90°모서리 식별 표시 원(22) 등의 표시를 한다. 장치(24)는, 웨브 조각을 절단해 내고 표시한 후에는, 마지막으로, 후속 공정을 위해 웨브 조각들을 보우트 또는 카세트 안에 적재한다. 장치(24)는 대량 생산을 목적으로 웨브 조각들을 좁은 공차 범위 내에서 자동적으로 그리고 반복적으로 제조해 낼 수 있다.
장치(24)는 길다란 테이블(26)을 갖는다. 덴드리틱 웨브를 밀기 위해서, 테이블(26)의 길이 대부분에 걸쳐 이동할 수 있는 푸셔 바아(Pusher Bar)(28)을 설치한다. 푸셔 바아(28)은 푸시 플레이트(30)에 접속된다. 제6도에 가작 명확하게 나타나 있는 바와 같이, 푸시 플레이트(30)은 볼 너트(32)에 견고하게 접속되며, 이 볼 너트는 볼 스크류(34)위에 놓인다. 볼 스크류(34)는 벨트(38)을 통해 작용하는 전기 모우터(36)에 의해 회전한다.
볼 스크류(34)는 필로우 블록(Pillow Blocks)(40)내에서 적절한 지지 베어링들(42)에 의해 지지될 수 있다.
푸시 플레이트(30)에는 제6도에서 잘 볼 수 있는 바와같이, 한쌍의 샤프트 가이드(44)가 견고하게 부착된다.
푸시 플레이트(30)의 회전을 방지하므로써 볼 스크류(34)의 회전 운동을 푸시 플레이트(30)의 선형 운동으로 전환시키기 위해, 샤프트 가이드들을 기계의 베이스(48)에 견고하게 부착된 한쌍의 샤프트(46)에 연결시킨다.
샤프트 가이드(44) 및 샤프트(46)은 푸시 플레이트(30)이 테이블(26)을 따라 이동할 수 있게 하기도 한다. 푸셔 바(28) 및 그 운동을 일으키는 관련 부품들의 용도는 덴드리틱 웨브를 테이블(26)을 따라 제4a도의 제1워크스테이션(50)으로 미는 것이다.
워크스테이션(50)은 루미즈(Loomis)MKT-40, 레이저, 워터 나이프(Water Knife) 등의 상용화 되어 있는 스크라이빙 기계류이다. 루미즈 MKT-40에는 원형 실리콘 웨이퍼 가공용 작업 테이블이 설치된다. 루미즈 기계를 본 발명과 관련하여 사용하기 위해서는 이 기계에 설치된 작업 테이블을 제거해야만 한다. 워크스테이션(50)의 아암(51)은, 루미즈 기계를 사용하는 경우에는 다이아몬드 팁 스크라이브 아암, 워터 나이프를 사용하는 경우에는 워터 제트 혹은 레이저의 형태를 갖는다.
루미즈 기계를 사용할 때, 아암(51)은 진공에 의해 웨브 위로 끌려나온다. 진공이 해제되면, 아암(51)이 출발점으로 복귀할 때 웨브가 아암에 의해 긁힌다. 루미즈 기계의 독특한 특징중 하나는 아암(51)상의 압력이 공기 스프링 시스템에 의하여 유지된다는 것으로서, 이 시스템에 의해 다이아몬드 팁 아암(51)이 균일한 압력을 가하면서 웨브 윤곽을 따를 수 있게 된다.
장치(24)의 시작품 제작에 있어서는 통상적인 원형 웨이퍼 고정 및 이동용으로 사용되는 X-Y 스테이지를 제외한 루미즈 기계를 구입했다. 초고분자량 폴리 에틸렌등으로 만드는 테이블(26)상에는 웨브 스트립이 놓인다.
이러한 재료의 선택은 순수한 실리콘이 이 단계 또는 공정에서 금속과 접촉하지 못하게 하기 위한 것이다. 이밖에도, 폴리 에틸렌은 쉽게 활주하게 하기 위한 저 마찰면을 제공한다. 푸셔 바(28)을 지탱하는 푸시 플레이트(30)은, 시작품의 구동 시스템 설치를 위해 원래의 루미즈 주조물을 수정할 필요가 없게 하기 위해, 루미즈 기계위로 뻗는 긴 플랜지(Tongue)를 갖도록 설계하였다. 웨브를 움직이기 위해, 타이밍 벨트(38)을 개재하여 스테퍼 모우터(36)으로 볼 스크류(34)를 회전시켰다.
모우터(36)은 자동작동되어 예를 들어 10.3㎝ 등의 정밀한 간격만큼 씩 웨브를 이동시킨다. 이러한 간격 이동에 따라 연속된 웨브 조각이 루미즈 기계의 아암(51)아래에 배치되게 된다.
웨브를 자동 사이클 개시 전에 위치시키는 데에는 조그 모우드(a Jog Mode)를 적용할 수 있다. 스프링 부하 아암(52)는 웨브를 아암(51)의 경로에 수직으로 있는 펜스(Fence)(53)을 따라 테이프(26)내에서 절단 되도록 정돈 한다.
마지막으로, 루미즈 기계의 아암(51)의 부적절한 작동을 방지하기 위해 웨브의 유무를 지시하는 센서(54)를 설치할 수 있다. 이 센서로서는 TRW 인코오포레이티드로 부터 구입할 수 있는 OPB 시리즈 등의 광반사형 센서를 사용할 수 있다.
웨브가 스크라이빙 된 후에는, 모우터(36)이 작동하여 전 공정에서 스크라이빙 된 웨브 조각을, 제7도에 잘 나타나 있는 서어큘라 스크라이브 앤드 브레이크오프 어셈블리(Circulor Scribe and Breakoff Assembly)(56)형 등의 제2워크스테이션에 위치 시킨다. 이 서어큘라 스크라이브 앤드 브레이크오프 어셈블리(56)에는 맨드릴(Mandrel)(59)내에 다이아몬드 스크라이브(58)이 편심 장착되어 있다. 맨드릴(59) 그리고 이에 따라 다이아몬드 스크라이브(58)은 AC모우터(60)에 의해 풀리(61), 벨트(62), 풀리(64)의 작동을 개재하여 연속 회전될 수 있다.
전기 모우터(60)은 맨드릴(59)를 실온 풀리(64)와 함께 시프트(shift)플레이트(66)위에 장착된다. 시프트 플레이트(66)은 솔레노이드(70)의 작동에 의해 가이드 핀(68)을 따라 아래쪽으로 움직일 수 있다. 작동 되면, 솔레노이드(70)은 가이드 핀(68)상의 한쌍의 압축 스프링(72)가 가하는 힘에 반대 방향의 힘을 작용한다. 솔레노이드(70)이 작동을 안 할 때는 압축 스프링(72)가 시프트 플레이트(66)을 위쪽으로 눌러 다이아몬드 스크라이브(58)이 웨브에 접촉되지 않게 된다.
솔레노이드(70)이 작동되면 시프트 플레이트(66)이 아래도 움직여 다이아몬드 스크라이브(58)을 웨브에 접촉시킨다. 다이아몬드 스크라이브가 모우터(60)에 의해 계속 회전하고 있으므로 제3도에 관련하여 상술한 바와 같이 원형의 스크라이브 표시(22)가 웨브상에 스크라이빙된다. 다른 종류의 스크라이브 표시를 할 수도 있다.
다이아몬드 스크라이브(58)은 맨드릴(59)에 실려 있기 때문에, 시프트 플레이트(66)이 아래로 움직이면 다이아몬드(58)이 맨들리(59)내에서 위로 움직인다. 이러한 다이아몬드 스크라이브(58)의 상향운동은 다이아몬드 스크라이브(58)이 웨브에 가하는 힘의 크기를 제한한다. 다이아몬드 스크라이브(58)의 아암(75)에 의해 운반되는 압축 스프링(74)는 시프트 플레이트(66)이 최초 혹은 위쪽 위치로 복귀될 때 다이아몬드 스크라이브(58)이 그의 최초 혹은 아래 위치로 복귀할 수 있게한다.
서어큘라 스크라이브 앤드 브레이크오프 어셈블리(56)내에 있는 웨브 조각이 다이아몬드 스크라이브(58)에 의해 스크라이빙된 후에는, 모우터(36)이 다시 동력을 받아 웨브를 테이블(26)을 따라 인덱스(index)한다. 이 인덱싱으로, 앞서서 원형으로 스크라이빙된 웨브 조각이 테이블(26)의 모서리 밖으로 이동되고, 앞서서 루미즈 기계에 의해 스크라이빙된 웨브 조각이 서어큘라스크라이브 앤드 브레이크오프 어셈블리 속으로 이동되며, 새로운 웨브 부분이 루미즈 기계 영역내로 이동된다. 서어큘라스크라이브 앤드 브레이크오프 어셈블리(56)이 동력을 받으면 테이블(26)의 모서리 밖으로 웨브 부분이 시프트 플레이트(66)에 의해 운반되는 브레이크오프 바아(76)에 의해 끊긴다.
시프트 플레이트(66)이 아래로 움직임에 따라 스크라이브(58)이 웨브에 접촉되며 스크라이브가 맨드릴(59)내에서 후퇴하면서 원형의 스크라이브 표시가 생긴다. 맨드릴(59) 내에서의 원형 스크라이브(58)의 후퇴가 완료되기 전에 브레이크오프 바아(76)이 테이블 모서리 밖으로 뻗는 웨브 조각에 접촉되어 워크스테이션(50)에서 생긴 스크라이브 라인을 따라 웨브를 끊어내게 된다.
어셈블리(56)이 부적절하게 작동되는 것을 방지하기 위해, 서어큘라스크라이브 앤드 브레이크오프 어셈블리(56)내에 웨브 조각이 있는지 여부를 지시하는 센서(77)을 설치할 수 있다. 센서(77)은 센서(54)와 같은 형식의 것을 사용할 수 있다.
테이블(26)너머로 뻗는 웨브 조각이 끊어지면, 그 조각은 제2콘베이어 벨트 쌍(80)위로 중첩하는 제1콘베이어 벨트 쌍(78)위로 떨어진다. 콘베이어 벨트(78)은 상용화되어 있는 제1엘리베이터(82)의 한 부분이며, 제2콘베이어 벨트 쌍(80)은 상용화 되어 있는 제2엘리베이터(84)의 한부분이다. 엘리베이터(82),(84)는 예를 들어 테이블(26)의 끝에 코를 맞대고 장착된 두 개의 시베크(Cybeg)2600 엘리베이터이다. 이 엘리베이터들은 웨브 조각 저장에 사용되는 특별히 제작된 폴리프로필렌 보우트(86)혹은 카세트들을 받도록 수정되었다. 보우트(86)은 제8도에 상세히 도시하였다.
센서(88)은 제1 및 제2콘베이어 벨트 쌍들(78),(80)각각의 위에 웨브 조각이 있는지 여부를 지시한다. 콘베이어 벨트쌍중의 한 벨트는 웨브 조각을 보우트(86)으로 운반한다. 센서(90)은 언제 웨브가 보우트(86)내에 적재되는지 알려준다.
센서(88) 및 (90)은 센서(54)와 같은 형식의 것을 사용할 수 있다.
일단 웨브 조각이 적재되면 엘리베이터 상의 볼 스크류 장치가 작동되어 보우트를 다음 슬롯(slot)으로 들어 다음 웨브 조각이 적재될 수 있게한다. 보우트가 가득차면 다른 엘리베이터가 작동한다. 양보우트들이 가득차면 그 중 하나가 교체될 때까지 기계(24)가 정지한다.
기계(24)의 작업은 이산 로직(Discrete Logic)제어하에 수행하던가 또는 공지된 프로그래밍 기법에 따라 프로그램된 마이크로프로세서에 의해 수행할 수 있다. 마이크로프로세서는 예를 들어 다음과 같이 작동된다.
모우터(36)이 작동하여 첫 번째 웨브 조각을 워크스테이션(50)으로 전진시킨다. 웨브가 워크스테이션(50)에 위치하고 있는 지 확인하기 위해 센서(54)를 확인한다. 웨브의 종축에 수직으로 선을 긋기 위해 워크스테이션(50)을 작동시킨다.
웨브가 스크라이빙 되 후에 다시 모우터(36)을 가동시켜 웨브를 테이블(26)을 따라 인덱스하여 앞에 스크라이빙 된 웨브 조각을 서어큘라 스크라이브 앤드 브레이크오프 어셈블리(56)내에 그 웨브 조각이 있는지 여부는 센서(77)에 의해 확인한다. 이 시점에서는 워크스테이션(50) 및 솔레노이드(70) 모두가 작동한다.
다시 한 번 모우터(36)이 가동되어 테이블(26)을 따라 웨브를 인덱스하면 새로운 웨브 조각이 워크스테이션(50)으로 오고 앞서 스크라이브 된 웨브는 서어큘라 스크라이브 앤드 브레이크오프 어셈블리(56)으로 이동되고 앞서 원형으로 스크라이브 된 웨브 조각은 테이블(26)의 모서리 너머로 이동된다. 다시, 워크스테이션(50)이 가동되고 솔레노이드(70)이 가동된다. 브레이크오프 바아(76)에 의해 끊어진 웨브 조각은 콘베이어 벨트(78)및(80)위로 떨어진다. 센서(88)이 웨브 조각을 탐지하고 콘베이어 벨트 한쌍이 가동되어 웨브조각을 보우트로 이송한다. 일단 센서(90)에 의해 웨브 조각이 탐지되면, 엘리베이터가 보우트를 인덱스하므로써 보우트가 새로운 웨브 조각을 받을 수 있게 되고 기계(24)가 다른 사이클을 개시하게 된다. 센서(88)이 웨브 조각을 탐지하고 있으면 새로운 사이클은 시작되지 않는다.
전 웨브가 처리될 때까지 상기 공정이 반복된다.
상술한 바와 같이, 워크스테이션(50)용으로는 상기 루미즈 기계이외 형식의 장치를 사용할 수 도 있다. 예를 들면, 웨브를 절단해 내는 레이저를 사용할 수 있다. 다이아몬드 스크라이빙에 대한 레이저 시스템의 큰 장점은 끊어내는 단계가 없어진다는 것이다. 레이저가 x 및 y의 두 자유도를 갖는다고 가정하면, 레이저는 웨브 안에 식별 표시를 에칭(Etch)하는데 이용될 수도 있기 때문에 서어큘라 스크라이빙 단계도 없앨 수 있다. 레이저 시스템의 큰 단점중의 하나는 다이아몬드 팁 스크라이빙 장치에 비해 총 비용이 크게 증가된다는 것이다. 레이저 시스템에는 또한 작업자 보호를 위해 비임을 감싸는 울이 필요하다. 웨브의 한 조각이 파괴되거나 다른 파편이 테이블(26)위에서 발견되면 레이저가 차단 되어 작업자가 정비를 해야 한다.
워크스테이션(50)용으로 레이저 대신에 워터나이프를 사용할 수도 있다. 그러나, 워터 나이프에 드는 비용은 다이아몬드 팁 스크라이빙 장치의 비용을 초가하는 것이 확인되었다.
본 발명을 예시적인 실시예와 관련하여 기술하였지만, 당업자가 용이하게 여러 가지로 수정 및 변경을 가할 수 있다는 것을 알 수 있을 것이다. 본 상세한 설명 및 다음의 특허청구의 범위는 그러한 모든 수정 및 변경을 포함하는 의미를 갖는다.

Claims (13)

  1. 덴드리틱 실리콘 웨브(Dendritic Silicon Web)(10)을 미리 정해진 길이의 조각들로 자동 절단해 내는 장치(24)에 있어서, 웨브를 지탱하는 테이블(26)과, 웨브를 미리 정해진 길이의 조각들로 절단해내고 후속 공정을 위해 웨브에 표시를 하는 워크스테이션(Work Station)(50)과, 웨브(10)을 상기 미리 정해진 길이만큼 상기 워크스테이션으로 전진시키는 장치(28,30,32,34,36)을 갖추고 있는 것을 특징으로 하는 덴드리틱 실리콘 웨브 자동 절단 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 워크스테이션(50)에는 웨브를 미리 정해진 길이의 조각들로 절단해내고 후속 공정을 위해 그 웨브 조각에 표시를 하기 위한 레이저수단(51)이 구비되어 있는 것을 특징으로 하는 덴드리틱 실리콘 웨브 자동 절단 장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 워크스테이션(50)에는 웨브를 미리 정해진 길이의 조각들도 절단해 내기 위한 워터 제트(Water Jet)수단(51)과 후속 공정을 위해 그 웨브 조각에 표시를 하기위한 서어큘라 스크라이브(Circular Scribe)수단(58)이 구비되어 있는 것을 특징으로 하는 데드리틱 실리콘 웨브 자동 절단장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 워크스테이션(50)에는 웨브를 미리 정해진 길이의 조각들로 절단해 내기 위한 자동 스크라이브 아암(51) 및 브레이크오프 바아(Breakoff Bar)(76)과 후속 공정을 위해 그 웨브 조각에 표시를 하기 위한 서어큘라 스크라이브 수단(58)이 구비되어 있는 것을 특징으로 하는 덴드리틱 실리콘 웨브 자동 절단 장치.
  5. 제4항에 있어서, 상기 서어큘라 스크라이브 수단(58)에는 편심 장착된 회전식 스크라이브 수단이 구비되어 있는 것을 특징으로 하는 덴드리틱 실리콘 웨브 자동 절단 장치.
  6. 제5항에 있어서, 또한, 액츄에이팅(Actuating)수단(70)이 갖추어져 있고, 상기 편심 장착 회전식 스크라이브 수단(58)은 상기 액츄 에이팅 수단(70)에 의해 움직이는 이동식 시프트 플레이트(Shift Flate)(66)에 의해 운반되며, 따라서, 액츄 에이팅 수단이 가동되면, 상기 시프트 플레이트(66)이 상기 스크라이브 수단(58)을 움직여 상기 웨브 조각에 접촉시키는 것을 특징으로하는 덴드리틱 실리콘 웨브 자동 절단 장치.
  7. 제6항에 있어서, 상기 브레이크오프 바아(76)은 상기 시프트 플레이트(66)에 의해 운반되며, 따라서, 상기 시프트 플레이트(66)이 가동되면, 상기 스크라이브 수단(58)이 움직여 상기 웨브조각에 접촉된후에, 상기 시프트 플레이트(66)이 상기 브레이크오프 바아(76)을 움직여 상기 웨브 조각에 접촉시키는 것을 특징으로 하는 덴드리틱 실리콘 웨브 자동 절단 장치.
  8. 제7항에 있어서, 상기 시프트 플레이트(66)에 의해 운반되는 맨드릴(Mandrel)(59)가 갖추어져 있고, 상기 맨드릴(59)는 상기 스크라이브 수단(58)을 운반하며, 따라서, 상기 시프트 플레이트(66)이 상기 스크라이브 수단(58)을 상기 웨브 조각에 접촉시키면 상기 스크라이브 수단(58)이 상기 맨드릴(59)내에서 후퇴되는 것을 특징으로 하는 덴드리틱 실리콘 웨브 자동 절단 장치.
  9. 제8항에 있어서, 상기 스크라이브 수단(58)에 의해 운반되는 스프링(74)가 갖추어져 있고, 따라서, 상기 스크라이브 수단(58)이 상기 맨드릴(59)내에서 후퇴하면서 상기 스크라이브 수단(58)이 상기 웨브 조각에 압력을 가하게 되는 것을 특징으로 하는 덴드리틱 실리콘 웨브 자동절단 장치.
  10. 제1항에 있어서, 상기 전진시키는 장치(28, 30, 32, 34, 36)에 상기 테이블(26)을 따라 웨브를 전진시키는 푸셔 바아(Pusher Bar)(28)이 구비되어 있는 것을 특징으로 하는 덴드리틱 실리콘 웨브 자동 절단 장치.
  11. 제10항에 있어서, 상기 전진시키는 장치(28, 30, 32, 34, 36)에 상기 푸셔 바아(28)에 접속된 볼 너트(32)와 상기 볼 너트(32)를 지탱하는 회전식 볼 스크류(34)가 구비되어 있는 것을 특징으로 하는 덴드리틱 실리콘 웨브 자동 절단 장치.
  12. 제11항에 있어서, 상기 전진시키는 장치(28, 30, 32, 34, 36)에 상기 볼 스크류(34)를 주기적으로 회전시키기 위한 전기 모우터(36)이 구비되어 있는 것을 특징으로 하는 덴드리틱 실리콘 웨브 자동 절단 장치.
  13. 제1항에 있어서, 상기 테이블(26)에 웨브가 상대 미끄럼 운동을 할 수 있는 저 마찰 폴리에틸렌 면이 갖추어져 있는 것을 특징으로 하는 덴드리틱 실리콘 웨브 자동 절단장치.
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0465675B1 (en) * 1990-01-31 1996-09-11 Bando Kiko Co. Ltd. Machine for working glass plate
US5791971A (en) * 1996-09-27 1998-08-11 Billco Manufacturing, Inc. Glass cutting machine with linear motor
NL2005686C2 (en) * 2010-05-17 2011-11-21 Bruijne Delden Holding B V De Transport device with endless conveyor belt.
CN106670047B (zh) * 2016-11-23 2019-11-26 阜宁协鑫光伏科技有限公司 一种自动粘棒流水线生产方法

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL284965A (ko) * 1961-11-17 1900-01-01
FR1572186A (ko) * 1967-12-12 1969-06-27
JPS4966279A (ko) * 1972-10-28 1974-06-27
JPS5028753A (ko) * 1973-07-13 1975-03-24
US3997964A (en) * 1974-09-30 1976-12-21 General Electric Company Premature breakage resistant semiconductor wafer and method for the manufacture thereof
DE2540595A1 (de) * 1975-09-09 1977-03-10 Siemens Ag Korpuskularstrahlmikroskop, insbesondere elektronenmikroskop
JPS52121883A (en) * 1976-04-06 1977-10-13 Toshiba Corp Jet cutting method
US4356944A (en) * 1981-03-06 1982-11-02 Bourns, Inc. Method and apparatus for breaking prescored ceramic substrate plates
US4443685A (en) * 1982-02-17 1984-04-17 Westinghouse Electric Corp. Fixture for laser scribing (of dendrite silicon cells)
US4709483A (en) * 1984-03-14 1987-12-01 Wing Aero Glass cutting device
JPS6135508A (ja) * 1984-07-27 1986-02-20 Toshiba Corp 半導体ウエハの識別表示方法
CA1252711A (en) * 1984-09-27 1989-04-18 Richard A. Herrington Ultra-high pressure abrasive jet cutting of glass
DE3532989A1 (de) * 1985-04-24 1987-03-26 Rudolf Prof Dr In Schweissthal Vorrichtung zur einbringung von kreisfoermigen schnittlinien in gravurschichten
US4653680A (en) * 1985-04-25 1987-03-31 Regan Barrie F Apparatus for breaking semiconductor wafers and the like

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