KR0124944B1 - 유전성 표시 소자 - Google Patents

Abstract

본 발명은 적어도 하나는 투명하고, 일정 간격으로 이격되어 있으며 서로 마주보고 있는 1쌍의 기판들; 상기 1쌍의 기판들 사이에 삽입된 유전성 표시 재료; 적어도 하나는 복수의 라인 전극을 포함하고, 각각의 전극은 각 기판과 대향하여 배치된 1쌍의 전극; 및 상기 전극의 단부로부터 일정 간격 이격되어 그 단부를 따라 주변으로 연장, 배치된 정전기 제거용 전도체를 포함하는 유전성 표시 소자에 관한 것이다.

Description

유전성 표시 소자

제1도는 종래의 유전성 표시 소자의 한쌍의 기판의 구조적 특징을 도시한 사시도.

제2도는 외부변의 단락 부분이 제1도의 유전성 표시 소자로부터 절단된 상태를 도시한 사시도.

제3도는 외주변의 단락 부분이 제거된 상태인 제2도에 도시된 유전성 표시 소자용으로 COF법에 의해 구동기 IC를 제공하는 것을 도시한 사시도.

제4도는 외주변의 단락 부분이 제거된 상태인 제2도에 도시된 유전성 표시 소자용으로 COG법으로 구동용 IC를 제공하는 것을 도시한 사시도.

제5도는 제4도에 화살표로 표시된 부분을 도시한 부분 확대 단면도.

제6도는 종래의 또 다른 유전성 표시 소자의 기판 구조를 도시한 사시도.

제7도는 본 발명의 실시예에 따른 액티브 매트릭스형 액정셀의 전극 일부분을 도시한 부분 확대 평면도.

제8도는 제7도에 도시된 액정셀의 전체 구성을 도시한 평면도.

제9도는 제8도의 X-X선 부분 단면도.

제10도는 제8도에 도시된 정전기용 제거용 전도체를 아직 분리하지 않은 상태의 전극부 구조를 도시한 부분 확대 평면도.

제11도는 제8도에 도시된 액정셀을 내장한 상태를 도시한 사시도.

제12도는 제8도에 도시된 액정셀의 외주변 단락 부분을 레이저빔으로 절단하는 방법을 도시한 사시도.

* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명

30 : 액정셀 31,32 : 유리 기판

33 : 액정 34 : 접착제

35 : 공통 전극 36 : 절연막

37 : TFT 38 : 화소 전극

39 : 주사측 IC 40 : 신호측 IC

41 : 정전기 제거용 전도체 51 : 단락 부분

54 : 레이저 광원 55 : 레이저빔

LG : 주사측 전극 LS : 신호측 전극.

본 발명은 액정 표시 소자 등의 유전성 표시 소자에 관한 것이다.

지금까지 사용된 이런 종류의 유전성 표시 소자는 소자는 적어도 하나는 투명하고 간격을 두고 서로 평행하게 대향 배치된 전면 기판과 배면 기판; 이러한 한쌍의 기판 사이에 삽입되는 절연체, 강유전체 및 반도체 등의 유전성 소자; 및 적어도 하나는 복수의 라인 전극들로 이루어지고, 각 기판 표면에 대향 배치된 한쌍의 전극을 포함하는 구조를 갖는다.

한쌍의 기판 표면상의 서로 대향하는 전극들 사이로 상술한 구조의 유전성 표시 소자에 선택적 전압을 인가되면, 이러한 기판 사이에 삽입된 유전성 표시 재료의 상태는 초기 위상에서 다른 위상으로 변한다. 이렇게 상태가 변하면, 특정 시각 표시 수단으로 이용될 수 있는 굴절율, 복굴절 등의 유전성 표시 재료의 광학적 성질이 변화된다. 그러나, 액정셀의 제조 공정에서, 액정 분자들을 정렬하기 위해 면직물로 기판 표면을 한 방향으로 가볍게 문지르는 러빙 처리가 기판에 행해질때, 기판상에 정전기가 발생한다. 한편, MIM(금속-절연체-금속) 구조를 갖는 박막 트랜지스터(TFT라 함)등의 소자는 액정셀의 표시 전극에 선택적 전압을 인가하는 스위칭 소자로서 최근에 널리 사용되어 왔다. 이러한 스위칭 소자는 상술한 정전기로 인해 특히 전극 간격이 좁은 위치에 전입차가 형성되는 경향이 있다. 이러한 전압차는 방전을 발생시키고, 그로 인해 유전성 표시 재료의 화질이나 시프트 스위칭 특성이 악화되고, 스위칭 소자를 최악으로 손상시킨다.

일본 특허 제1,163,234호는 배선 기판을 형성할때 상술한 바와 같이 종래의 액정셀에 발생하는 정전하의 축적을 방지할 수 있으며, 그로 인해 절연체나 반도체 등에 방전이 발생하는 것을 방지하는 유전성 표시 소자의 제조 공정을 개시하고 있다.

일본 특허 제1,163,234호에 따른 유전성 표시 소자는, 제 1 도에 도시된 바와 같이, 서로 대향 배치된 유리기판(2,3) 사이에 봉입된 액정(도시 안됨), 각각의 기판(2,3)의 대향면에 배치된 투명 표시 전극(도시 안됨) 및 표시 전극에 선택적 전압을 인가하기 위한 TFT 등으로 구성된 스위칭 소자(도시 안됨)로 이루어진다. 표시 전극 각각과 스위칭 소자에 그 일단이 접속된 전기 리드선(4)은 유리 기판(3)의 주변부로 연장되고 공통 단락부(5)에 의해 타단이 서로 접속된다.

유리 기판(2,3) 사이에 트위스트 네마틱형 액정이 밀봉되어 있는 액정셀을 상술한 방법대로, 즉 모든 전기리드선(4)을 서로 접속하는 단락 부분(5)을 제공함으로써 제조시, 유리 기판(3)을 러빙 처리하여 정전기가 발생할지라도, 표시 전극과 스위칭 소자(도시 안됨)의 전위가 단락 부분(5)에 의해 동일해지기 때문에, 특정 전극에 정전하가 축적되지 않는다.

제 2 도에 도시된 바와 같이, 단락 부분(5)을 포함하는 유리 기판(3)의 주변부를 다음 단계들을 수행하기 전에 각각의 전기 리드선(4)을 분리하도록 두께 방향으로 절단하는 것이 일본 특허 제1,163,234호에 개시되어 있다. 예를 들어, 제 3 도에 도시된 바와 같이, 액정셀(1)에 구동기 직접 회로를 제공하는 단계에서, 예컨대 처리 장치에서 액정셀(1)에 접촉하는 조작자의 손가락 등의 전도체에 의해 유발되는 정전기 때문에 전위차가 생길 우려가 있다. 이런 이유로, 상술한 전도체와 액정셀(1) 사이에 전위차가 발생하는 것을 방지하도록, 조작자의 신체나 생산 장치를 접지하거나, 양이온이나 음이온을 발생시키는 방전 블로워(blower) 또는 반전봉 등을 배치하여 액정셀(1)에 생기는 정전하를 제거하는 방법 등의 여러 조치를 취했다.

상술한 종래의 액정 소자와 같은 유전성 표시 소자 주변부의 단락 부분을 절단할 때, 액정셀의 전극 부근의 배향막과, 전극 사이에 유지되는 절연체, 강유전체 또는 반도체 등의 유전성 표시 재료가 회전하는 다이아몬드 커터에 의한 절삭 공정중에서 발생하는정전기에 의해 손상되는 우려가 있다.

단락 부분(5)을 제거한 액정셀(1)에서, 외부에 노출된 상태의 전기 리드선(4)이 작업자의 손가락이나 처리 장치내의 다른 전도체 등에 접촉될때, 액정셀(1)에 정전하가 유입될 수 있다.

이러한 문제점을 극복하려면, 제 3 도에서 도시된 바와 같이, 주변부의 단락 부분을 제거한 액정셀(1)(제 2 도 참조)에 제공된 구동기 집적 회로(이하, 구동기 IC라 한다)가 칩-온-필름(이하 COF이라 함) 방식인 경우, TCP(tape carrier package: 10)를 단락 부분(5)이 제거된 액정셀(1) 상에 배열한다. 구동기 IC 각각에 TCP(10)를 장착하면(여기에서는 화소의 갯수와 실장 밀도 사이의 관계를 고려하여, 정방형 액정셀(1)의 4변에 4개의 구동기 IC가 장착된다.), 외부에 노출된 전기 리드선(4)에 유입될 수 있는 정전기로부터 보호될 수 있다.

그럼에도 불구하고, 액정셀(1)를 구동하는 구동기 IC로 동작하는 주사측 IC(15)와 신호측 IC(16) 양자를 유리 기판(3)에 직접 탑재하는 칩-온-글라스형 배열의 경우에는, 주사측 IC(15)와 신호측 IC(16)를 접속한 변에 단락 부분(5)이 형성되면, 공정수의 증가와 수율의 저하를 가져오는 다층 접속(multi-layered inter-connection)을 이용할 필요가 있게 된다. 이러한 이유로, 제 4 도에 도시된 바와 같이, 주사측 IC는 물론 신호측 IC도 접속되지 않은 변에 단락 부분(5)을 형성하는 것이 필요하다.

이상과 같은 구조의 액정셀(14)은, 단락 부분(5)을 제거한 액정셀(14)에 주사측IC(15)와 신호측 IC(16)를 접속한 뒤에도, 전기 리드선(4)이 외부에 노출된 상태로 남아 있기 때문에, 이 노출 부분이 전도체와 접촉될 우려가 있다.

주사측 IC(15)도 신호측 IC(16)도 배치되지 않은 변, 특히 제 4 도의 화살표(17)로 표시한 것과 같이 단락부분(5)을 절단한 면을 제5도에 도시된 바와 같이 상하 유리 기판(2,3)의 면과 같은 높이로 하는 경우에도, 전기 리드선(4)의 부분(4a)이 노출되어, 정전하가 침입할 가능성이 있다.

한편, 1990년 7월 30일 공개된 일본국 특허 출원 공개평 제2-193112호에는 상호 접속 기판의 제조 방법이 개시되어 있는데, 이 공정에서는 액정셀의 단락 부분(5)을 제 6 도에 도시된 바와 같이 모서리를 깍아내어(chamfered), 액정셀이 다른 회로 기판에 접속하는 경우, 접속된 리드선이 기판 주변부에서 모서리를 깍아낸 부분과 닿을지라도 배선이 파손되지 않게 하고 있다.

그러나, 제 6 도에 도시된 바와 같은 액정셀을 제조하려면, 주변 단락 부분(5)을 제거한 액정셀에 분사수(water jet)를 뿜어주는 등에 의해 액정셀의 주변부의 모서리를 깍아내는 추가 공정이 필요하므로, 단가가 높아진다.

따라서, 본 발명의 목적은, 액정셀 등의 상술한 유전성 표시 소자를 외부의 전도체와 접촉시킬 때에도 전기 리드선으로 정전기가 침입하는 것을 방지할 수 있는 유전성 표시 소자를 제공하는데 있다.

본 발명의 다른 목적은, 액정셀 등의 상술한 유전성 표시 소자를 외부의 전도체와 접촉시킬 때에도 전기 리드선으로 정전기가 침입하는 것을 방지할 수 있는 유전성 표시 소자를 제공하는데 있다.

본 발명의 다른 목적은 유전성 표시 소자의 단락 부분을 제거할때, 단락 부분을 절단한 변의 모서리에 의해 정전하가 발생하지 않고, 전기 리드선의 파괴나 배선의 접속 불량이 생기지 않은 채, 단락 부분을 제거할 수 있는 유전성 표시 소자의 제조 방법을 제공하는데 있다.

본 발명의 첫번째 목적은, 적어도 하나는 투명하고, 일정 간격으로 이격되어 있으며, 서로 평행한 1쌍의 기판; 상기 1쌍의 기판 사이에 삽입된 유전성 표시 재료; 신호 및 주사 전극으로, 상기 신호 및 주사 전극 중 적어도 하나는 상기 1쌍의 기판중 하나상에 평행하게 배치된 복수의 전극을 포함하는 신호 및 주사전극; 상기 한쌍의 기판중 적어도 하나를 따라 주변으로 배치된 정전기 제거용 전도체로서; 상기 정전기 제거용 전도체는 상기 평행하게 배치된 전극의 각각의 단부에 처음 접속되어, 상기 접속된 정전기 제거용 전도체를 통해 상기 전극으로부터 정전기가 방출되도록 하고, 이어서 레이저에 의해 분리되고 상기 평행하게 배치된 전극의 단부로부터 일정거리만큼 유지되어, 상기 평행하게 배치된 전극의 단부로부터 일정거리만큼 유지되어, 상기 평행하게 배치된 전극을 계속하여 외부적으로 발생되는 정전기의 영향으로부터 보호하는 정전기 제거용 전도체를 포함하는 유전성 표시 소자를 제공함으로써 달성될 수 있다.

본 발명에 따른 유전성 표시 소자의 제조 공정은, 적어도 하나는 투명하고, 일정 간격으로 이격되고, 서로 평행하게 대향하는 1쌍의 기판을 제공하는 단계; 상기 1쌍의 기판 사이에 유전성 표시 재료를 삽입하는 단계; 적어도 하나는 복수의 리인 전극을 갖고, 각 기판을 마주보는 1쌍의 전극을 배치하는 단계; 상기 라인 전극의 단부에서 일정 간격 이격되고 그 단부 주변으로 연장되는 정전기 제거용 전도체를 배치하는 단계; 및 상기 전극의 단부로부터 상기 정전기 제거용 전도체를 분리하기 위해 레이저빔을 상기 투명 기판에 조사하는 단계를 포함한다.

본 발명에 따르면, 적어도 하나는 투명 기판으로 된 1쌍의 기판 사이에 유전성 표시 재료가 삽입되고, 이 기판상에 서로 대향하는 1쌍의 전극들이 형성된다. 이러한 전극중 적어도 하나에는 복수의 라인 전극이 제공된다. 정전기 제거용 전도체는 상기 전극의 단부에서 일정 간격으로 이격되어 그 외주변에 연장되게 배치된다. 이렇게 배열되면, 유전성 표시 소자의 전극 단부는 정전기 제거용 전도체에 의해 정전기적으로 차폐되어, 상기 소자는 외부 전도체로 인한 정전기의 영향으로부터 보호된다.

본 발명에 따르면, 적어도 하나는 투명한 기판으로 구성된 1쌍의 기판 사이의 공간에 유전성 표시 재료를 삽입하고, 이러한 기판상에 서로 마주보는 1쌍의 전극을 형성한다. 이러한 전극 중 적어도 하나에는 복수의 라인 전극이 형성되고, 이 라인 전극의 단부는 상기 투명 기판상에 형성된 전도체에 공통적으로 번갈아서 접속된다. 상기 전극이 공통적으로 접속된 전도체는 예컨대 배향막의 러빙 처리에서 기인하는 정전기의 영향을 방지한다. 이어서, 투광성 기판에 레이저빔을 조사하여, 공통 접속된 전극들의 단부에서 전도체를 분리한다. 이 공정에 의해, 기판들이 손상되지 않은채 라인 전극 주위에는 전도체가 남아 있으므로, 유전성 표시 소자의 전극 단부는 외부 전도체에 직접 접속되지 않을 것이다. 또한, 분리된 전도체에 의해 상기 전극이 정전기적으로 차폐되기 때문에, 정전기로 인한 영향을 받지 않을 것이다.

이하, 첨부 도면들을 참조하여 본 발명을 상세히 설명하면 다음과 같다.

제7도는 본 발명의 실시예에 따른 액티브 매트릭스형 액정셀(30)의 전극 부분의 구조를 도시한 부분 확대 평면도이다. 제8도는 액정셀(30)의 전체적인 구성을 도시한 평면도이다. 제9도는 제8도의 Ⅲ-Ⅲ선을 따라 취한 부분 단면도이다. 액정셀(30)에는 1쌍의 유리 기판(31,32)이 배치되고, 그 위에는 각각 전극이 배치된다. 유리 기판(31,32) 사이에는 액정(33)이 주입되고, 액정은 접착제(34)에 의해 방습 밀봉된다. 상부 유리 기판(31)의 표면 거의 전체가 공통 전극(35)으로 피복되고, 하부 유리 기판(32)에는 절연막(36)을 거쳐 주사용 라인 전극 LG(이하, 간단히 「전극 LG」라 한다)와 신호용 전극들 LS(이하, 간단히 전극 LS라 한다)가 서로 직교하도록 배치된다. 그 외에, 이러한 전극 LG와 LS 사이의 각 교차부에는 박막 트랜지스터(TFT)와 화소 전극(38)이 배열된다. 여기서, TFT(37)는 화소 전극(38)에 전압선을 선택적으로 인가하는 스위칭 소자이다.

유리 기판(32)상에 COG 방식으로 주사측 IC(39)와 신호측 IC(40)를 제공하여, 전극 LG와 LS를 구동한다. 주사측 IC(39)에서 발생한 주사선용 신호와 신호측 IC에서 발생한 데이타선용 신호를 TFT의 게이트(G)와 소스(S)에 각각 인가하여, 전극(38)을 턴 온 및 턴 오프 한다.

주사측 IC(39)도 신호측 IC(40)도 배치되지 않는 유리 기판(32)의 한 변에는, 전극 LG 및 LS의 각 단부 주변에 일정 간격을 두고 위치하고 있는 정전기 제거용 전도체(41)가 유리 기판(32)의 측연부로 부터 내부에 길이 d를 유지하면서 위치하고 있다. 이 정전기 제거용 전도체(41)는 유리기판(32)상에 전극 LG 및 LS를 형성함과 동시에 형성되고, 후술하는 공정에 의해 전극 LG 및 LS로부터 분리된다. 제7도는 우측 상향 해치선으로 표시한 정전기 제거용 전도체(41)가 역시 해치선으로 표시된 전극 LG 및 LS의 단부를 따라 형성됨을 도시한 도면이다.

스퍼터링법이나 전자빔법 및 포토 리소그래피를 이용해, Ta(탄탈륨) 등으로 구성되는 금속 박막을 패턴화하여, 유리 기판(32)상에 전극 LG 및 LS와 스위칭 소자를 형성하는 것과 동일한 공정으로 정전기 제거용 전도체(41)를 형성한다. 이렇게 하여, TFT(37)의 게이트 전극의 형성과 동시에 정전기 제거용 전도체(41)를 형성할 수 있다.

따라서, 정전기 제거용 전도체(41)를 전극 LG 및 LS의 단부에서 일정 간격을 유지하면서 그 단부를 따라 기판 주변에 제공하여, 예를 들어 액정셀(30)의 제조 공정에서 액정셀(30)이 작업자의 손가락 등의 전도체에 접촉할 때조차, 정전기 제거용 전도체(41)에 의해 전극 LG 및 LS의 단부가 정전기적으로 차폐되게 한다. 이렇게 하여, TFT(37)을 외부 전도체로부터의 정전기에서 보호할 수 있다.

제10도 내지 제12도를 참조하여, 상술한 정전기 제거용 전도체(41)를 갖는 액정셀(30)의 제조 공정에 관해 설명하면 다음과 같다. 제10도는 정전기 제거용 전도체(41)를 형성하기 전의 전극부의 구조를 도시한 확대 평면도인 반면, 제11도는 그 때 액정셀(30)의 사시도이다. 제12도는 레이저빔(55)으로 액정셀의 단락 부분(51)을 절단하는 공정을 도시한 사시도이다.

제10도에 따르면, 사선으로 표시되고 Ta로 구성된 전극 LG 및 LS의 모든 단부에 공통으로 접속되는 단락 부분(51)이, 전극 LG 및 LS를 형성할 때와 동시에, 주사측IC(39)도 신호측 IC(40)도 접속되지 않은 하부 유리 기판(32)의 변에 형성된다. 단락 부분(51)은 상술한 바와 같이, 배향 처리 등에 의해 생긴 정전하가 전극(LG)과 전극(LS) 사이에 축적되지 않도록 제공되는 것이다. 이어서, 제11도에 도시된 바와 같이, 상부 유리 기판(31)을 꼭 맞게 장착하여 액정셀(30)을 조립한다. 이때, 단락 부분(51)은 화살표(52,53)로 표시된 액정셀(30)의 변에 형성된다.

액정셀(30)을 완성하면, 단락 부분(51)은 더이상 불필요하므로, 제12도에 도시된 바와 같이 레이저 광원(54)에서 방출된 레이저빔(55)를 하부 유리 기판(32)에 조사하여 단락 부분(51)을 전극 LG 및 LS의 각 단부에서 분리시킨다. 레이저빔(55)은 화살표(56)로 표시된 위치, 구체적으로는 좌측 상향 사선으로 표시된 접착제(34)와 우측 상향 사선으로 표시된 단락 부분(51) 사이의 위치에 조사되어, 전극 LG 및 LS와 단락 부분(51)을 분리시킨다.

이러한 종류의 레이저빔(55)에 있어서는, 본 실시예에서 전극 LG 및 LS가 Ta로 되며, 폭이 50㎛이고 두께가 3000Å이므로, XeF 엑시머 레이저를 에너지 밀도 5J/㎠ 이하에서 15nsec 동안 조사하여, 유리 기판(31,32)을 손상시키지 않고 전극 LG 및 LS를 절단할 수 있다. Ta 이외의 다른 금속으로 구성되는 전극 LG 및 LS도 유사한 조건하에 절단할 수 있다.

따라서, 레이저빔(55)으로 단락 부분(51)을 액정셀(30)의 내측에서 절단하여, 그로 인해 제7도에 도시된 바와 같이 전극 LG 및 LS의 각 단부의 외측으로부터 일정 간격을 두고 이격된 정전기 제거용 전도체(41)가 형성되고, 전극 LG 및 LS의 바깥쪽 좌측에 상하 유리 기판(31,32)이 남아있게 된다.

이러한 구조라면, 작업자의 손가락 등의 전도체가 전극 LG 및 LS에 직접 접촉하지 않아, 이러한 전도체의 접촉에 의한 정전기의 효과를 제거할 수 있을 것이다. 또한, 잔여 정전기 제거용 전도체(41)에 의해 전극 LG 및 LS는 정전기가 차폐된 상태에 있어서, 외부의 정전기로 인한 부영향으로부터 보호받을 수 있다.

본 실시예에서는 투과형 액정셀에 관해 설명되었지만, 본 발명은 반사형은 물론 단순 매트릭스형 액정셀에도 적용될 수 있다. 본 발명은 액정셀에 한정되지 않고 정전기에 약한 표시 소자에 널리 적용될 수 있다.

상술한 바와 같이, 본 발명에 따르면 유전성 표시 소자(액정셀)가 처리 장치 등의 접촉부에서 작업자의 손가락 등에 접촉되어도, 전극부가 정전기 제거용 전도체에 의해 보호되므로, 전도체와의 접촉으로 인해 외부로부터 정전기가 액정셀에 침입하는 것을 방지할 수 있다.

본 발명의 유전성 표시 소자에 제조 공정에 따르면, 유전성 표시 소자의 제조 공정중에 발생하는 전극 사이에 정전하의 축적을 방지하기 위해, 각 전극에 공통으로 제공되어 접속되는 전도체나 단락 부분을 유전성 표시 소자의 각 전극으로부터 분리하는데 레이저빔을 이용하여, 표시 소자의 상하 기판에 손상을 주지 않을 수 있다.

이러한 공정으로, 상하 기판을 단락 부분과 함께 제거하는 종래의 소자와 달리, 전극의 단부에 기판이 제거되지 않고 전체적으로 남아 전극 단부를 덮고 있으므로, 작업자의 손가락과 같은 전도체가 직접 전극에 접촉할 수 없게 되고, 결과적으로 전도체의 접촉으로 인한 정전기의 영향을 받지 않게 된다. 또한, 전극에서 분리된 단락 부분은 분리된 이후에도 외부로부터의 정전기를 차폐하는 기능을 하여, 단락 부분을 분리한 이후의 공정에서도 정전기에 의한 부영향을 제거할 수 있다.

Claims (2)

1. 적어도 하나는 투명하고, 일정 간격으로 이격되어 있으며, 서로 평행한 1쌍의 기판; 상기 1쌍의 기판 사이에 삽입된 유전성 표시 재료; 신호 및 주사 전극으로, 상기 신호 및 주사 전극 중 적어도 하나는 상기 1쌍의 기판중 하나 위에 평행하게 배치된 복수의 전극을 포함하는 신호 및 주사 전극; 상기 한쌍의 기판중 적어도 하나를 따라 주변에 배치된 정전기 제거용 전도체로서, 상기 정전기 제거용 전도체는 상기 평행하게 배치된 전극의 각각의 단부에 처음 접속되어, 상기 접속된 정전기 제거용 전도체를 통해 상기 전극으로부터 정전기가 방출되도록 하고, 이어서 레이저에 의해 분리되고 상기 평행하게 배치된 전극의 단부로부터 일정 거리만큼 유지되어, 상기 평행하게 배치된 전극을 계속하여 외부적으로 발생되는 정전기의 영향으로부터 보호하는 정전기 제거용 전도체를 포함하는 유전성 표시 소자.
2. 제 1 항에 있어서, 상기 평행하게 배치된 복수의 전극은 상기 투명 기판상에 배치된 박막 트랜지스터(TFT)의 게이트 전극과 소스 전극에 각각 접속된 일군의 주사 전극 및 일군의 신호 전극을 포함하고, 상기 각 주사 전극 및 각 신호 전극은 주사 전극을 구동하기 위한 구동기 집적 회로 및 신호 전극을 구동하기 위한 구동기 집적 회로에 한 단부에서 각각 접속되고, 상기 정전기 제거용 전도체는 상기 주사 전극 및 상기 신호 전극의 각각의 다른 단부에서 일정 거리만큼 이격되고 상기 다른 단부를 따라 주변으로 배치되어, 그로 인해 상기 주사 전극 및 신호 전극 각각을 계속하여 외부적으로 발생되는 정전기의 영향으로부터 보호하는 유전성 표시 소자.