JPH03260624A - 液晶装置の製造方法 - Google Patents
液晶装置の製造方法Info
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- JPH03260624A JPH03260624A JP6065390A JP6065390A JPH03260624A JP H03260624 A JPH03260624 A JP H03260624A JP 6065390 A JP6065390 A JP 6065390A JP 6065390 A JP6065390 A JP 6065390A JP H03260624 A JPH03260624 A JP H03260624A
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 24
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 12
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136204—Arrangements to prevent high voltage or static electricity failures
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
この発明は、コンピュータ一端末、画像表示装置、ンヤ
ノターのようなシステムに使用される液晶を用いた電気
光学装置の製造方法に関する。
ノターのようなシステムに使用される液晶を用いた電気
光学装置の製造方法に関する。
［発明の概要］
一対の基板上に透明電極層からなるセグメント電極（デ
ータ信号電極）とコモン電極（走査信号電橋）を設け、
さらに各電極層上に配向膜層を設け、基板間に液晶を挟
持してなるドツトマトリクス型液晶装置において、セグ
メント電極を囲む位置にダミー電極が設けられ、セグメ
ント電極との間隙が１μｍから５μｍであり、ダミー電
極はラビング処理工程後切断されることにより、静電気
による配向膜層の破壊を防止し、表示品質の高い液晶装
置を得ることを狙ったものである。
ータ信号電極）とコモン電極（走査信号電橋）を設け、
さらに各電極層上に配向膜層を設け、基板間に液晶を挟
持してなるドツトマトリクス型液晶装置において、セグ
メント電極を囲む位置にダミー電極が設けられ、セグメ
ント電極との間隙が１μｍから５μｍであり、ダミー電
極はラビング処理工程後切断されることにより、静電気
による配向膜層の破壊を防止し、表示品質の高い液晶装
置を得ることを狙ったものである。
［従来の技術］
ドツトマトリクスタイプの表示装置として、薄型、軽量
、低消費電力の特徴を生かした液晶表示装置が注目され
ている。
、低消費電力の特徴を生かした液晶表示装置が注目され
ている。
従来の液晶装置の配向膜の形成方法としては、基板上に
ポリイミド系高分子樹脂を塗布した後、布等で一定方向
にラビングする（特開昭５５−１４３５２５）等で形成
していた。
ポリイミド系高分子樹脂を塗布した後、布等で一定方向
にラビングする（特開昭５５−１４３５２５）等で形成
していた。
［発明が解決しようとする問題点コ
しかし、前述のラビング法は量産性に優れるという特長
を持っているが、布等によりポリイミド系高分子樹脂か
らなる配向膜層をこするため、摩擦により静電気が発生
してしまう。そして電荷が放電するときに、部分的に配
向膜層を破壊するという欠点を有していた。
を持っているが、布等によりポリイミド系高分子樹脂か
らなる配向膜層をこするため、摩擦により静電気が発生
してしまう。そして電荷が放電するときに、部分的に配
向膜層を破壊するという欠点を有していた。
この現象を第３図に基づいて説明する。第３図ｆａｌは
液晶装置の電極の構造を説明した図で、図中３１ａ 、
３１ｂ 、 ３１ｃ 、と３２ａ 、 ３２ｂ 、 ３
２ｃは液晶装置におけるセグメント電極で、３３ａ 、
３３ｂ 、３３ｃ、３３ｄ 、 ３３ｅ 、 ３３ｆは
コモン電極で、セグメント電極とコモン電極は対向する
一対の基板上に設置されている。さらに配向液層はこれ
ら電極上に対向する形で設置されている。
液晶装置の電極の構造を説明した図で、図中３１ａ 、
３１ｂ 、 ３１ｃ 、と３２ａ 、 ３２ｂ 、 ３
２ｃは液晶装置におけるセグメント電極で、３３ａ 、
３３ｂ 、３３ｃ、３３ｄ 、 ３３ｅ 、 ３３ｆは
コモン電極で、セグメント電極とコモン電極は対向する
一対の基板上に設置されている。さらに配向液層はこれ
ら電極上に対向する形で設置されている。
第３図（ｂｌはセグメント電極側の基板を示した図であ
り、基板が布等でラビング処理されると、電極に電荷が
たまり、３１ａと３２ａ間、３１ｂと３２ｂ間、３１ｃ
と３２ｃ間で電荷の放電が起こる。その結果３４ａ 、
３４ｂ 、３４ｃ 、 ３４ｄ 、３４ｅ 、３４ｆの
様に配向膜層が破壊されてしまう。
り、基板が布等でラビング処理されると、電極に電荷が
たまり、３１ａと３２ａ間、３１ｂと３２ｂ間、３１ｃ
と３２ｃ間で電荷の放電が起こる。その結果３４ａ 、
３４ｂ 、３４ｃ 、 ３４ｄ 、３４ｅ 、３４ｆの
様に配向膜層が破壊されてしまう。
第３図［Ｃ）はこの様な基板をセグメント電極側基板に
使用し、コモン電極側基板を対向させた場合の図である
。セグメント電極とコモン電極が交差する場所が情報を
表示する頭載で、画素と呼ばれている。 ３５ａ 、３
５ｂ 、 ３５ｃ 、３５ｄ 、３５ｅ 、３５ｆのｗ
ｉ域では配向膜層が静電気により破壊されているため画
素が欠けてしまうという問題があった。
使用し、コモン電極側基板を対向させた場合の図である
。セグメント電極とコモン電極が交差する場所が情報を
表示する頭載で、画素と呼ばれている。 ３５ａ 、３
５ｂ 、 ３５ｃ 、３５ｄ 、３５ｅ 、３５ｆのｗ
ｉ域では配向膜層が静電気により破壊されているため画
素が欠けてしまうという問題があった。
実際このような液晶装置で表示を行うと、表示画面の中
央部に表示情報とはまったく無関係に線が走ってしまい
、表示品質を著しく低下させていた。
央部に表示情報とはまったく無関係に線が走ってしまい
、表示品質を著しく低下させていた。
本発明はこの様な問題点を解決するもので、その目的は
ラビング処理中に発生する静電気を防止するところにあ
る。
ラビング処理中に発生する静電気を防止するところにあ
る。
［課題を解決するための手段］
上記問題を解決するためにこの発明は、一対の基板上に
透明電極層からなるセグメント電極とコモン電極を設け
、さらに各電極層上に配向膜層を設け、基板間に液晶を
挟持してなるドントマトリクス型液晶装置において、セ
グメント電極を囲む位置にダミー電極が設けられ、セグ
メント電極との間隙が１μｍから５μｍであり、ダミー
電極はラビング処理工程後切断されることを特徴とする
ものである。
透明電極層からなるセグメント電極とコモン電極を設け
、さらに各電極層上に配向膜層を設け、基板間に液晶を
挟持してなるドントマトリクス型液晶装置において、セ
グメント電極を囲む位置にダミー電極が設けられ、セグ
メント電極との間隙が１μｍから５μｍであり、ダミー
電極はラビング処理工程後切断されることを特徴とする
ものである。
［作用］
従来配向膜層の抵抗が高い場合、基板が布等でラビング
処理されると、電極層に電荷がたまり、第３図（ｂｌで
３１ａと３２ａ間、３１ｂと３２ｂ間、３１ｃと３２ｃ
間で配向膜層を介して一気に電荷の放電が起こるが、た
まった電荷をセグメント基板とダミー電極間の、表示と
は無関係の部分で放電させるため、配向膜層が破壊され
ることがなくなることを利用している。
処理されると、電極層に電荷がたまり、第３図（ｂｌで
３１ａと３２ａ間、３１ｂと３２ｂ間、３１ｃと３２ｃ
間で配向膜層を介して一気に電荷の放電が起こるが、た
まった電荷をセグメント基板とダミー電極間の、表示と
は無関係の部分で放電させるため、配向膜層が破壊され
ることがなくなることを利用している。
［実施例］
以下に本発明の詳細を図示した実施例に基づいて説明す
る。
る。
第１図は本発明の液晶装置の断面図で、図中１１ａ 、
ｌｌｂはガラス、プラスチック等でできた基板で、表
面にセグメント電極層１２ａ、コモン電極層１２ｂ 、
配向膜層１３ａ 、１３ｂが設置されている。
ｌｌｂはガラス、プラスチック等でできた基板で、表
面にセグメント電極層１２ａ、コモン電極層１２ｂ 、
配向膜層１３ａ 、１３ｂが設置されている。
対の基板は配向膜面が対向するように設置されている。
１４ａ 、１４ｂは液晶を封入するためのンーリング剤
、１５は液晶材料である。
、１５は液晶材料である。
第２図（ａｌは本発明の液晶装置のセグメント電極の構
造を示した図で、２１は基板、２２ａ、２２ｂ、２２ｃ
、２２ｄ 、２２ｅ 、２２ｆ はセグメント電極で
ある。
造を示した図で、２１は基板、２２ａ、２２ｂ、２２ｃ
、２２ｄ 、２２ｅ 、２２ｆ はセグメント電極で
ある。
２３は本発明のダミー電極である。セグメント電極とダ
ミー電極の間隙は、１μｍから５μｍである。
ミー電極の間隙は、１μｍから５μｍである。
この結果ラビング工程中、セグメント電極間の静電気の
発生はなくなり、表示ムラのない液晶装置が得られた。
発生はなくなり、表示ムラのない液晶装置が得られた。
ダミー電極の切断はラビング処理後であれば、どの工程
間でも同様の工程が得られた。
間でも同様の工程が得られた。
セグメント電極とダミー電極の間隙は、ない場合、つま
りセグメント電極とダミー電極がショートされた状態で
も同様の効果が得られるが、セグメント電極のパターン
ニング検査において、セグメント間のショート検査がで
きなくなってしまう。
りセグメント電極とダミー電極がショートされた状態で
も同様の効果が得られるが、セグメント電極のパターン
ニング検査において、セグメント間のショート検査がで
きなくなってしまう。
しかし本発明の様にセグメント電極とダミー電極間に１
μｍから５μｍの間隙を設けることにより上記問題も解
決できる。
μｍから５μｍの間隙を設けることにより上記問題も解
決できる。
第２図（ｂ）は本発明の液晶装置のセグメント電極の構
造の一例を示した図で、２４は基板、２５ａ 、２５ｂ
、２５ｃ 、 ２５ｄ 、 ２５ｅ 、２５ｆはセグ
メント電極である。２６は本発明のダミー電極である。
造の一例を示した図で、２４は基板、２５ａ 、２５ｂ
、２５ｃ 、 ２５ｄ 、 ２５ｅ 、２５ｆはセグ
メント電極である。２６は本発明のダミー電極である。
その結果前記実施例と同様の効果が得られた。
配向膜材料としては、ラビング処理工程の必要な材料で
あれば同様の効果が得られる。
あれば同様の効果が得られる。
以上の実施例に用いたラビング用の布は、ポリエステル
、ナイロン等の高分子繊維を使用したが、材質に関係な
く、静電気は減少し、同様の効果が得られた。
、ナイロン等の高分子繊維を使用したが、材質に関係な
く、静電気は減少し、同様の効果が得られた。
また液晶装置については、水平配向を行うツイストネマ
チック型、スーパーツイスト型、また垂直配向を行うホ
メオトロピンク型等のラビング処理を行う液晶装置であ
れば、液晶材料の種類に関係なく同様の効果が得られた
。
チック型、スーパーツイスト型、また垂直配向を行うホ
メオトロピンク型等のラビング処理を行う液晶装置であ
れば、液晶材料の種類に関係なく同様の効果が得られた
。
さらにロールの回転方向、移動回数、回転速度、移動速
度を変化させたが、同様の効果が得られた。
度を変化させたが、同様の効果が得られた。
［発明の効果コ
以上説明したように本発明によれば、一対の基板上に透
明電極層からなるセグメント電極とコモン電極を設け、
さらに各電極層上に配向膜層を設け、基板間に液晶を挟
持してなるドントマトリクス型液晶装置において、セグ
メント電極を囲む位置にダミー電極が設けられ、セグメ
ント電極との間隙が１μｍから５μｍであり、ダミー電
極はラビング処理工程後切断されることにより、静電気
による配向膜の破壊を防止し、表示品質の高い液晶装置
を得ることができるようになった。
明電極層からなるセグメント電極とコモン電極を設け、
さらに各電極層上に配向膜層を設け、基板間に液晶を挟
持してなるドントマトリクス型液晶装置において、セグ
メント電極を囲む位置にダミー電極が設けられ、セグメ
ント電極との間隙が１μｍから５μｍであり、ダミー電
極はラビング処理工程後切断されることにより、静電気
による配向膜の破壊を防止し、表示品質の高い液晶装置
を得ることができるようになった。
第１図は本発明の液晶装置の断面図、第２図−（ａｌ、
（ｂｌは本発明の液晶装置の電極の構造を説明する模式
図、第３図（ａｌ〜ｔｃ＋は本発明の作用を示す模式図
である。 １１ａ、ｌｌｂ ・・・・・・・・・基板１２ａ
・・・・・・・・・・・セグメント電極層１２ｂ ・
・ ・ ・ ・ １３ａ、１３ｂ ・ ・ ・ １４ａ、１４ｂ ・ ・ ’ １５・ ・ ・ ・ ・ ・ ２１・ ・ ・ ・ ・ ・ ２２ａ、２２ｂ、２２ｃ ２２ｄ ２３・ ・ ・ ・ ・ ・ コモン電極層 配向膜層 シーリング剤 液晶材料 基板 セグメント電極 ダミー電極 以上
（ｂｌは本発明の液晶装置の電極の構造を説明する模式
図、第３図（ａｌ〜ｔｃ＋は本発明の作用を示す模式図
である。 １１ａ、ｌｌｂ ・・・・・・・・・基板１２ａ
・・・・・・・・・・・セグメント電極層１２ｂ ・
・ ・ ・ ・ １３ａ、１３ｂ ・ ・ ・ １４ａ、１４ｂ ・ ・ ’ １５・ ・ ・ ・ ・ ・ ２１・ ・ ・ ・ ・ ・ ２２ａ、２２ｂ、２２ｃ ２２ｄ ２３・ ・ ・ ・ ・ ・ コモン電極層 配向膜層 シーリング剤 液晶材料 基板 セグメント電極 ダミー電極 以上
Claims (1)
- 一対の基板上に透明電極層からなるセグメント電極とコ
モン電極を設け、さらに前記各電極層上に配向膜層を設
け、前記基板間に液晶を挟持してなるドットマトリクス
型液晶装置において、前記セグメント電極を囲む位置に
ダミー電極が設けられ、セグメント電極との間隙が１μ
ｍから５μｍであり、前記ダミー電極はラビング処理工
程後切断されることを特徴とする液晶装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6065390A JPH03260624A (ja) | 1990-03-12 | 1990-03-12 | 液晶装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6065390A JPH03260624A (ja) | 1990-03-12 | 1990-03-12 | 液晶装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03260624A true JPH03260624A (ja) | 1991-11-20 |
Family
ID=13148512
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6065390A Pending JPH03260624A (ja) | 1990-03-12 | 1990-03-12 | 液晶装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03260624A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5327267A (en) * | 1991-12-03 | 1994-07-05 | Sharp Kabushiki Kaisha | Dielectric display device having electrodes protected by a static conductor |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60182413A (ja) * | 1984-02-29 | 1985-09-18 | Sharp Corp | 液晶表示素子の製造方法 |
| JPS62264027A (ja) * | 1986-01-16 | 1987-11-17 | Nippon Denso Co Ltd | 液晶表示素子の製造方法 |
| JPH02221927A (ja) * | 1989-02-22 | 1990-09-04 | Toshiba Corp | 液晶表示装置の製造方法 |
-
1990
- 1990-03-12 JP JP6065390A patent/JPH03260624A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60182413A (ja) * | 1984-02-29 | 1985-09-18 | Sharp Corp | 液晶表示素子の製造方法 |
| JPS62264027A (ja) * | 1986-01-16 | 1987-11-17 | Nippon Denso Co Ltd | 液晶表示素子の製造方法 |
| JPH02221927A (ja) * | 1989-02-22 | 1990-09-04 | Toshiba Corp | 液晶表示装置の製造方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5327267A (en) * | 1991-12-03 | 1994-07-05 | Sharp Kabushiki Kaisha | Dielectric display device having electrodes protected by a static conductor |
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