KR0124632B1 - 이피롬(eprom)의 구조 및 제조방법 - Google Patents
이피롬(eprom)의 구조 및 제조방법Info
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Description
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- 제1도전형 반도체기판, 제1도전형 반도체기판의 상측에 형성되는 게이트전극, 게이트전극과 제1도전형 반도체기판 사이에 형성되어 일부분에 강유전체를 구비한 게이트 절연막, 상기 게이트전극 양측 제1도전형 반도체기판에 형성되는 고농도 제2도전형 소오스 및 드레인 영역을 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 이피롬(EPROM)의 구조.
- 제1도전형 반도체기판의 형성부분 일측에 강유전체층을 형성하는 공정과, 상기의 강유전체층이 형성되지 않는 제1도전형 반도체기판상에 제1절연막을 형성하는 공정과, 상기 강유전체층과 제1절연막에 걸쳐 게이트 전극을 형성하는 공정과, 게이트 전극 양측 반도체기판에 고농도 제2도전형 소오스 및 드레인 영역을 형성하는 공정을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 이피롬(EPROM)의 제조방법.
- 제2항에 있어서, 강유전체층은 PZT(Pb Zr Ti O3) 또는 STO를 사용하는 것을 특징으로 하는 이피롬(EPROM)의 제조방법.
- 제2항에 있어서, 제1절연막 형성은 습식산화에 의한 산화막을 형성함을 특징으로 하는 이피롬(EPROM)의 제조방법.
- 제2항에 있어서, 제1절연막 형성시 동시에 어닐링하여 강유전체층과 제1도전형 반도체기판의 계면을 안정화시키는 공정을 더 포함함을 특징으로 하는 이피롬의 제조방법.
- 제4항 또는 제5항에 있어서, 습식산화 공정과 어닐링 공정의 온도는 800∼900℃에서 진행함을 특징으로 하는 이피롬의 제조방법.
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