KR0110481Y1 - 기억 소자의 순간 전류 측정 회로 - Google Patents

기억 소자의 순간 전류 측정 회로

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KR0110481Y1 KR2019910023422U KR910023422U KR0110481Y1 KR 0110481 Y1 KR0110481 Y1 KR 0110481Y1 KR 2019910023422 U KR2019910023422 U KR 2019910023422U KR 910023422 U KR910023422 U KR 910023422U KR 0110481 Y1 KR0110481 Y1 KR 0110481Y1
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Abstract

본 고안은 시험소자가 정상상태에서 대기상태로 변할 때의 순간 소비 전류량을 측정하여 기억소자의 특성이 양호한지 불량한지를 알아볼 수 있는 기억소자의 순간 전류 측정회로에 관한 것으로 종래에는 기본 개념만 제시하고 있을 뿐 실제로 순간 전류를 측정하기 위해 적용되지 못하고 있어 본 고안에서 Vm과 기준전압(Vmref)을 입력으로 하여 출력을 시험기(20)의 비교기에 연결하여 소비 전류량을 정확히 측정가능하도록 한 것이다.

Description

기억소자의 순간 전류 측정회로
제1도는 종래의 순간 전류 측정회로도.
제2도는 본 고안의 순간 전류 측정회로도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
10 : 시험소자 20 : 기억소자 시험기
IC1~IC4: 비교기 N1: 앤 모스 트랜지스터
P1: 피 모스 트랜지스터
본 고안은 기억소자의 순간 전류 측정회로에 관한 것으로, 특히 시험소자가 정상상태에서 대기상태로 변할 때의 순간 소비 전류량을 측정하여 기억소자의 특성이 양호한지 불량한 지를 알아보기에 적당하도록 한 것이다.
종래의 순간 전류 측정회로는 제1도와 같이 전원(Vcc)과 시험소자(10)사이에 앤 모스 트랜지스터(N1)와, 저항(R1)을 접속하고 시험소자(10)와 앤 모스 트랜지스터(N1)의 게이트 사이에 피 모스 트랜지스터(P1)를 접속하여 이루어진다.
이와 같은 종래 회로에 있어서 동작을 살펴보면 시험소자(10)의 제어 신호 전압인 칩 선택 전압(Vsw)이 하이일 때 앤 모스 트랜지스터(N1)가 온되어 전원(Vcc)이 시험소자(10)에 인가되므로 시험소자가 정상 동작하게 된다.
만일, 칩 선택 전압(Vsw)이 로우이면 앤 모스 트랜지스터(N1)는 오프되어 전원(Vcc)이 저항(R1)을 통하게 되고 시험소자(10)는 제어신호에 의해 대기상태가 된다.
따라서, 시험소자(10)를 정상상태에서 대기상태로 변환시키는 순간 Vm의 전압은 Vcc- (R1X 대기상태로 변하는 순간의 소비 전류)가 됨으로 Vm은 대기 상태로 변하는 순간의 전류에 의존하게 된다.
여기서, 피 모스 트랜지스터(P1)는 Vm의 전압을 안정화시키기 위한 것이다.
그러나, 상기와 같은 종래의 회로는 기본 개념만 제시하고 있을 뿐 실제로 순간 전류를 측정하기 위해 적용되지 못하고 있는 결점이 있다.
본 고안은 이와 같은 종래의 결점을 해결하기 위한 것으로 직접회로의 동작에 따른 소비 전류의 변화를 측정할 수 있는 회로를 제공하는데 그 목적이 있다.
이하에서 이와 같은 목적을 달성하기 위한 본 고안의 실시예를 첨부된 도면 제2도에 의하여 상세히 설명하면 다음과 같다.
본 고안 전원(Vcc)과 시험소자(10) 사이에 앤 모스 트랜지스터(N1)와 저항(R1)을 접속하고 시험소자(10)와 앤 모스 트랜지스터(N1)의 게이트 사이에 피 모스 트랜지스터(P1)를 접속한 것에 있어서, 상기 앤 모스 트랜지스터(N1)와 피 모스 트랜지스터(P1) 공통 접점에 기준 전압과 제어신호(CS)를 비교하는 비교기(IC1)를 접속하고 시험소자(10)와 피 모스 트랜지스터(P1) 사이에는 기준전압과 Vm을 비교하는 비교기(IC2)를 접속하며, 상기 비교기(IC2) 출력측에 저항(R2)(R3)과 비교기(IC3)(IC4)로 된 기억소자 시험기(20)를 구비하여 이루어진 것이다.
이와 같이 구성된 본 고안은 먼저 Vm은 시험소자(10)의 대기 상태로 변하는 소비전류에 의존하는 것으로 기준전압(Vmref)보다 Vm이 낮으면 비교기(IC2)의 출력이 하이가 되어 기억소자 시험기(20)에서 하이로 판정하게 된다.
그러나, 기준전압(Vmref)보다 Vm이 높으면 비교기(IC2)의 출력은 로우가 되어 기억소자 시험기(20)에서 로우로 판정하므로 결국 기준전압(Vmref)값을 변화시키는 수단에 의해 소비 전류의 변화를 측정 가능하다.
또한, 비교기(IC1)는 제어신호 전압(Vsw)을 하이와 로우의 중간 레벨로 고정시키고 제어신호 전압(Vsw)이 로우일 때 비교기(IC1)의 출력인 앤 피 모스 트랜지스터(N1)(P1)의 게이트를 완전하게 온 또는 오프 시킬 수 있도록 사용된다.
이때 소비전류를 측정하는 시간은 시험소자가 일정상태로 동작한 후 대기상태로 될 때 5~10㎲ 사이에 실시한다.
이상에서 설명한 바와 같은 본 발명은 씨모스로 구성된 모든 집적회로 소자의 동작상태에 따른 소비전류의 변화를 정확하게 측정할 수 있는 효과가 있다.

Claims (1)

  1. 앤 모스 트랜지스터(N1)와 피 모스 트랜지스터(P1)의 공통게이트에 기준전압(Vmref)과 시험소자의 제어신호 전압(Vsw)을 비교하는 비교기(IC1)를 구비하고, 시험소자(10)의 전원측 전압(Vm)과 기준전압(Vmref)을 비교하는 비교기(IC2)의 출력측에는 기억소자 시험기(20)를 구비하여 시험소자(10)가 정상상태에서 대기상태로 변환되는 순간의 전류를 측정하게 함을 특징으로 하는 기억소자의 순간 전류 측정회로.
KR2019910023422U 1991-12-23 1991-12-23 기억 소자의 순간 전류 측정 회로 KR0110481Y1 (ko)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20030059527A (ko) * 2001-12-29 2003-07-10 한국 고덴시 주식회사 다이오드의 사이리스트 현상 검출 시스템

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