KR970007089Y1

KR970007089Y1 - 반도체 디바이스 자동 개방/단락 검사회로

Info

Publication number: KR970007089Y1
Application number: KR2019910022568U
Authority: KR
Inventors: 윤희용
Original assignee: 금성일렉트론 주식회사; 문정환
Priority date: 1991-12-17
Filing date: 1991-12-17
Publication date: 1997-07-15
Also published as: KR930015331U

Abstract

내용없음

Description

반도체 디바이스 자동 개방/단락 검사회로

제1도는 본 고안 반도체 디바이스의 자동 개방/단락 검사회로 블록 다이어그램.

제2도는 본 고안 반도체 디바이스의 자동 개방/단락 검사회로도.

*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명*

1 : 입력구동소자2 : 인버터

3 : 전압계4 : 클럭발생기

5 : 카운터6 : 디코더

7 : 발광다이오드8 : 릴레이 스위치부

9 : 반도체 디바이스 소켓10 : 반도체 디바이스

SW1,SW2 : 엔모스/피모스 선택 스위치

RY1-RY4 : 릴레이R1-R5 : 저항

LED1-LED5 : 발광다이오드C1 : 콘덴서

본 고안은 반도체 디바이스의 자동 개방/단락 검사회로에 관한 것으로, 특히 고가장비인 검사시스템을 사용하지 않고도 반도체 디바이스 핀의 개방/단락을 자동으로 검사하는 반도체 디바이스의 자동 개방/단락 검사회로에 관한 것이다.

종래 반도체 디바이스의 개방/단락 검사는 고가장비인 검사시스템과 커브 트래이서를 사용하여 개방/단락 여부를 검사하고, 시스템 장비가 설치된 장소에서만 검사 가능하며, 개방/단락 여부를 검사하기 위해서 시스템에 필요한 하드웨어/소프트웨어가 갖추어져 있어야 하고, 검사시스템에 대한 프로그램을 작성해야 하는 문제점이 있었다.

본 고안은 이러한 문제점을 해결하기 위하여 카운터 및 릴레이회로를 이용하여 언제어디서든지 자동으로 반도체 디바이스의 개방/단락 여부를 손쉽게 검사할 수 있는 반도체 디바이스의 자동 개방/단락 검사회로를 안출한 것으로, 이를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.

본 고안 반도체 디바이스의 자동 개방/단락 검사회로는 제2도에 도시한 바와 같이 시스템을 구동하는 입력구동소자(1)와, 그 입력구동소자(1)의 출력을 반전하는 인버터(2)와, 클럭을 발생시키는 클럭발생기(4)와, 그 클럭발생기(4)의 출력을 카운팅하는 카운터(5)와, 그 카운터(5)의 출력을 디코딩하는 디코더(6)와, 그 디코더(6)의 출력을 디스플레이하는 발광다이오드(7)와, 상기 디코더(6)의 출력에 따라 상기 발광다이오드(7)를 구동하는 릴레이 스위치부(8)와, 그 릴레이 스위치부(8)의 구동에 의해 반도체 디바이스 소켓(9)내의 반도체 디바이스(10)핀에 입력되는 상기 인버터(2)의 출력전압을 측정하여 핀의 개방/단락 여부를 검사하는 전압계(3)로 구성한다.

이와 같이 구성된 본 고안의 작용 및 효과를 상세히 설명하면 다음과 같다.

우선 피모스 보호 다이오드의 개방/단락을 검사하기 위하여 엔모스/피모스 선택 스위치(SW1,SW2)를 온시켜 접지단자(G)를 연결하면, 접지단자(G)의 접지전위가 인버터(2)에 입력되므로 그 인버터(2)에서 고전위가 출력되고, 그 고전위는 저항(R2)을 통해 릴레이 스위치부(B)의 각 릴레이(RY1-RY4)에 입력된다.

이때 클럭발생기(4)에서 클럭을 발진하여 카운터(5)로 출력하고, 그 카운터(5)는 발진출력을 카운팅하여 출력단자(Q4-Q12)에서 디코더(6)로 출력한다. 이때 이 디코더(6)는 출력(Q1)을 저전위로 하고, 다른 출력(Q2-Q4)를 고전위로 하여 출력하면, 그 저전위 출력은 상기 릴레이(RY1)를 구동시킨다. 이때 발광다이오드(LED1)가 점등되어 릴레이(RY1)가 온되어 있음을 알려준다.

이에 따라 그 릴레이(RY1)에 인가되었던 상기 인버터(2)의 고전위는 반도체 디바이스(10)의 1번핀에 입력된다. 이때 고전위는 피모스 보호 다이오드를 통해 접지단자(G)로 흐르게 된다. 이때 인버터(2)에서 출력되는 전류(IOH)에 의해 저항(R2)양단에 전압강하가 발생하므로 전압계(3)의 눈금이 움직이고, 전압계(3) 눈금이 300∼700mV를 가리키면 핀은 정상임을 나타낸다. 또한 상기와 같은 방법으로 나머지 핀도 검사한다.

한편, 엔모스 보호 다이오드를 검사하기 위하여 엔모스/피모스 선택 스위치(SW1,SW2)를 오프시키면, 입력 구동소자(1)의 전원전압(VDD)이 인버터(2)의 입력단자에 인가되므로, 그 인버터(2)의 출력단자에 저전위가 출력된다. 이에 따라 반도체 디바이스(10)의 접지단자(G)측에서 엔모스 보호 다이오드 릴레이 스위치부(8) 및 저항(R2)을 통해 인버터(2)의 출력단자측으로 전류(IOL)의 흐름이 생긴다.

따라서, 이때 상기의 설명에서와 같이 저항(R2) 양단에 전압강하가 발생하므로 전압계(3)의 눈금이 움직이므로 인해 엔모스 보호 다이오드의 개방/단락 여부를 쉽게 검사할 수 있다.

이상에서 설명한 바와 같이 본 고안은 고가의 검사시스템없이 반도체 디바이스의 개방/단락 여부를 쉽게 검사할 수 있고, 누구나 또는 언제 어디서든지 반도체 디바이스의 개방/단락 여부를 검사할 수 있는 유용한 효과가 있다.

Claims

시스템을 구동하는 입력구동소자(1)와, 그 입력구동소자(1)의 출력을 반전하는 인버터(2)와, 클럭을 발생시키는 클럭발생기(4)와, 그 클럭발생기(4)의 출력을 카운팅하는 카운터(5)와, 그 카운터(5)의 출력을 디코딩하는 디코더(6)와, 그 디코더(6)의 출력을 표시하는 발광다이오드(7)와, 상기 디코더(6)의 출력에 따라 상기 발광다이오드(7)를 구동하는 릴레이 스위치부(8)와, 상기 릴레이 스위치부(8)의 구동에 의해 반도체 디바이스 소켓(9)내의 반도체 디바이스(10)핀으로 입력되는 상기 인버터(2)의 출력전압을 측정하여 핀의 개방/단락 여부를 검사하는 전압계(3)로 구성된 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스의 자동 개방/단락 검사회로.