JPWO2023042811A5

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Publication number: JPWO2023042811A5
Application number: JP2023524112A
Authority: JP
Filing date: 2022-09-13
Publication date: 2024-02-02
Anticipated expiration: 2042-09-13

Description

Claims

半導体基板上の接着層を、剥離及び溶解用組成物を用いて剥離及び溶解する工程を含む、半導体基板の洗浄方法であって、
前記剥離及び溶解用組成物が、
［Ｉ］成分：第四級アンモニウム塩、
［ＩＩ］成分：アミド系溶媒、
［ＩＩＩ］成分：下記式（Ｌ）で表される溶媒、及び
［ＩＶ］成分：下記式（Ｔ）または下記式（Ｇ）で表される溶媒を含み、
前記第四級アンモニウム塩が、含ハロゲン第四級アンモニウム塩であり、
前記アミド系溶媒が、下記式（Ｚ）で表される酸アミド誘導体、または下記式（Ｙ）で表される化合物であり、
前記剥離及び溶解用組成物中、非プロトン性溶媒１００質量％における前記［ＩＩ］成分のアミド系溶媒の含有量が、２０～５０質量％であり、
前記剥離及び溶解用組成物中、非プロトン性溶媒１００質量％における前記［ＩＩＩ］成分の式（Ｌ）で表される溶媒の含有量が３０質量％以上であり、
前記剥離及び溶解用組成物中、非プロトン性溶媒１００質量％における前記［ＩＩＩ］成分の式（Ｌ）で表される溶媒と前記［ＩＶ］成分の式（Ｔ）または式（Ｇ）で表される溶媒とを足し合わせた含有量が、４０～９０質量％である、
ことを特徴とする半導体基板の洗浄方法。

（式中、Ｌ^１及びＬ^２は、それぞれ独立して、炭素数２～５のアルキル基を表し、Ｌ^３は、Ｏ又はＳを表す。）
（式中、Ｘ ^１及びＸ ^３は、それぞれ独立して、アルキル基、またはアシル基（Ｘ ^４－Ｃ（＝Ｏ）－）を表し、Ｘ ^２は、アルキレン基を表し、ｎは、２または３を表す。Ｘ ^４は、アルキル基を表す。）
（式中、Ｌ ^1１及びＬ ^１２は、それぞれ独立して、炭素数１～６のアルキル基を表し、Ｌ ^1１のアルキル基の炭素数とＬ ^１２のアルキル基の炭素数の合計は、７以下である。）

（式中、Ｒ ^０は、エチル基、プロピル基又はイソプロピル基を表し、Ｒ ^Ａ及びＲ ^Ｂは、それぞれ独立して、炭素数１～４のアルキル基を表す。）

（式中、Ｒ ^１０１は水素原子又は炭素数１～６のアルキル基を表し、Ｒ ^１０２は炭素数１～６のアルキレン基又は下記式（Ｙ１）で表される基を表す。）
（式中、Ｒ ^１０３は水素原子又は炭素数１～６のアルキル基を表し、Ｒ ^１０４は炭素数１～５のアルキレン基を表し、＊１は式（Ｙ）中の炭素原子に結合する結合手を表し、＊２は式（Ｙ）中の窒素原子に結合する結合手を表す。）
前記Ｌ¹及びＬ^２が、同一の基である、請求項１に記載の半導体基板の洗浄方法。
前記接着層が、シロキサン系接着剤、アクリル樹脂系接着剤、エポキシ樹脂系接着剤、ポリアミド系接着剤、ポリスチレン系接着剤、ポリイミド接着剤及びフェノール樹脂系接着剤から選ばれる少なくとも１種を含む接着剤成分（Ｓ）を含む接着剤組成物を用いて得られる膜である、請求項１に記載の半導体基板の洗浄方法。
前記接着剤成分（Ｓ）が、シロキサン系接着剤を含む、請求項３に記載の半導体基板の洗浄方法。
前記シロキサン系接着剤が、ヒドロシリル化反応により硬化するポリオルガノシロキサン成分（Ａ’）を含む、請求項４に記載の半導体基板の洗浄方法。
前記剥離及び溶解する工程が、剥離された接着層を取り除く工程を含む、請求項１に記載の半導体基板の洗浄方法。
半導体基板と、支持基板と、接着剤組成物から得られる接着層とを備える積層体を製造する第１工程、
得られた積層体の半導体基板を加工する第２工程、
支持基板から、半導体基板及び接着層を分離する第３工程、及び
半導体基板上の接着層を剥離及び溶解用組成物を用いて剥離及び溶解して除去する第４工程
を含む、加工された半導体基板の製造方法において、
前記剥離及び溶解用組成物が、
［Ｉ］成分：第四級アンモニウム塩、
［ＩＩ］成分：アミド系溶媒、
［ＩＩＩ］成分：下記式（Ｌ）で表される溶媒、及び
［ＩＶ］成分：下記式（Ｔ）または下記式（Ｇ）で表される溶媒を含み、
前記第四級アンモニウム塩が、含ハロゲン第四級アンモニウム塩であり、
前記アミド系溶媒が、下記式（Ｚ）で表される酸アミド誘導体、または下記式（Ｙ）で表される化合物であり、
前記剥離及び溶解用組成物中、非プロトン性溶媒１００質量％における前記［ＩＩ］成分のアミド系溶媒の含有量が、２０～５０質量％であり、
前記剥離及び溶解用組成物中、非プロトン性溶媒１００質量％における前記［ＩＩＩ］成分の式（Ｌ）で表される溶媒の含有量が３０質量％以上であり、
前記剥離及び溶解用組成物中、非プロトン性溶媒１００質量％における前記［ＩＩＩ］成分の式（Ｌ）で表される溶媒と前記［ＩＶ］成分の式（Ｔ）または式（Ｇ）で表される溶媒とを足し合わせた含有量が、４０～９０質量％である、
ことを特徴とする加工された半導体基板の製造方法。

（式中、Ｌ^１及びＬ^２は、それぞれ独立して、炭素数２～５のアルキル基を表し、Ｌ^３は、Ｏ又はＳを表す。）
（式中、Ｘ ^１及びＸ ^３は、それぞれ独立して、アルキル基、またはアシル基（Ｘ ^４－Ｃ（＝Ｏ）－）を表し、Ｘ ^２は、アルキレン基を表し、ｎは、２または３を表す。Ｘ ^４は、アルキル基を表す。）
（式中、Ｌ ^1１及びＬ ^１２は、それぞれ独立して、炭素数１～６のアルキル基を表し、Ｌ ^1１のアルキル基の炭素数とＬ ^１２のアルキル基の炭素数の合計は、７以下である。）

（式中、Ｒ ^０は、エチル基、プロピル基又はイソプロピル基を表し、Ｒ ^Ａ及びＲ ^Ｂは、それぞれ独立して、炭素数１～４のアルキル基を表す。）

（式中、Ｒ ^１０１は水素原子又は炭素数１～６のアルキル基を表し、Ｒ ^１０２は炭素数１～６のアルキレン基又は下記式（Ｙ１）で表される基を表す。）
（式中、Ｒ ^１０３は水素原子又は炭素数１～６のアルキル基を表し、Ｒ ^１０４は炭素数１～５のアルキレン基を表し、＊１は式（Ｙ）中の炭素原子に結合する結合手を表し、＊２は式（Ｙ）中の窒素原子に結合する結合手を表す。）
前記Ｌ¹及びＬ^２が、同一の基である、請求項７に記載の加工された半導体基板の製造方法。
前記接着層が、シロキサン系接着剤、アクリル樹脂系接着剤、エポキシ樹脂系接着剤、ポリアミド系接着剤、ポリスチレン系接着剤、ポリイミド接着剤及びフェノール樹脂系接着剤から選ばれる少なくとも１種を含む接着剤成分（Ｓ）を含む接着剤組成物を用いて得られる膜である、請求項７に記載の加工された半導体基板の製造方法。
前記接着剤成分（Ｓ）が、シロキサン系接着剤を含む、請求項９に記載の加工された半導体基板の製造方法。
前記シロキサン系接着剤が、ヒドロシリル化反応により硬化するポリオルガノシロキサン成分（Ａ’）を含む、請求項１０に記載の加工された半導体基板の製造方法。
前記剥離及び溶解して除去する第４工程が、剥離された接着層を取り除く工程を含む、請求項７に記載の加工された半導体基板の製造方法。
半導体基板を洗浄する際に前記半導体基板上の接着層を剥離及び溶解して除去するために用いられる剥離及び溶解用組成物であって、
前記剥離及び溶解用組成物が、
［Ｉ］成分：第四級アンモニウム塩、
［ＩＩ］成分：アミド系溶媒、
［ＩＩＩ］成分：下記式（Ｌ）で表される溶媒、及び
［ＩＶ］成分：下記式（Ｔ）または下記式（Ｇ）で表される溶媒を含み、
前記第四級アンモニウム塩が、含ハロゲン第四級アンモニウム塩であり、
前記アミド系溶媒が、下記式（Ｚ）で表される酸アミド誘導体、または下記式（Ｙ）で表される化合物であり、
前記剥離及び溶解用組成物中、非プロトン性溶媒１００質量％における前記［ＩＩ］成分のアミド系溶媒の含有量が、２０～５０質量％であり、
前記剥離及び溶解用組成物中、非プロトン性溶媒１００質量％における前記［ＩＩＩ］成分の式（Ｌ）で表される溶媒の含有量が３０質量％以上であり、
前記剥離及び溶解用組成物中、非プロトン性溶媒１００質量％における前記［ＩＩＩ］成分の式（Ｌ）で表される溶媒と前記［ＩＶ］成分の式（Ｔ）または式（Ｇ）で表される溶媒とを足し合わせた含有量が、４０～９０質量％である、
ことを特徴とする剥離及び溶解用組成物。

（式中、Ｌ^１及びＬ^２は、それぞれ独立して、炭素数２～５のアルキル基を表し、Ｌ^３は、Ｏ又はＳを表す。）
（式中、Ｘ ^１及びＸ ^３は、それぞれ独立して、アルキル基、またはアシル基（Ｘ ^４－Ｃ（＝Ｏ）－）を表し、Ｘ ^２は、アルキレン基を表し、ｎは、２または３を表す。Ｘ ^４は、アルキル基を表す。）
（式中、Ｌ ^1１及びＬ ^１２は、それぞれ独立して、炭素数１～６のアルキル基を表し、Ｌ ^1１のアルキル基の炭素数とＬ ^１２のアルキル基の炭素数の合計は、７以下である。）

（式中、Ｒ ^０は、エチル基、プロピル基又はイソプロピル基を表し、Ｒ ^Ａ及びＲ ^Ｂは、それぞれ独立して、炭素数１～４のアルキル基を表す。）

（式中、Ｒ ^１０１は水素原子又は炭素数１～６のアルキル基を表し、Ｒ ^１０２は炭素数１～６のアルキレン基又は下記式（Ｙ１）で表される基を表す。）
（式中、Ｒ ^１０３は水素原子又は炭素数１～６のアルキル基を表し、Ｒ ^１０４は炭素数１～５のアルキレン基を表し、＊１は式（Ｙ）中の炭素原子に結合する結合手を表し、＊２は式（Ｙ）中の窒素原子に結合する結合手を表す。）
前記Ｌ¹及びＬ^２が、同一の基である、請求項１３に記載の剥離及び溶解用組成物。
前記接着層が、シロキサン系接着剤、アクリル樹脂系接着剤、エポキシ樹脂系接着剤、ポリアミド系接着剤、ポリスチレン系接着剤、ポリイミド接着剤及びフェノール樹脂系接着剤から選ばれる少なくとも１種を含む接着剤成分（Ｓ）を含む接着剤組成物を用いて得られる膜である、請求項１３に記載の剥離及び溶解用組成物。
前記接着剤成分（Ｓ）が、シロキサン系接着剤を含む、請求項１５に記載の剥離及び溶解用組成物。
前記シロキサン系接着剤が、ヒドロシリル化反応により硬化するポリオルガノシロキサン成分（Ａ’）を含む、請求項１６に記載の剥離及び溶解用組成物。