JPWO2022230220A5 - - Google Patents

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半導体チップ65a,65bは、ダイオード素子である。ダイオード素子は、例えば、SBD(Schottky Barrier Diode)、PiN(P-intrinsic-N)ダイオード等のFWD(Free Wheeling Diode)である。このような半導体チップ65a,65bは、裏面に出力電極(主電極)としてカソード電極を、おもて面に入力電極66a,66b(主電極)として、アノード電極をそれぞれ備えている。上記の半導体チップ65a,65bは、その裏面側が金属層30b,30c上に、既述のはんだ(図示を省略)により接合されている。なお、半導体チップ60a,60b,65a,65bは、スイッチング素子及びダイオード素子を一つの半導体チップとしたRC(Reverse Conductive)-IGBT素子、RB(Reverse Blocking)-IGBT素子であってもよい。
セラミックス板20では、酸化アルミニウムの含有量が、酸化物換算で全体の90wt%以上、99wt%以下であり、より好ましくは、92wt%以上、98wt%以下である。また、セラミックス板20に対して、シリコンを具備する酸化物の含有量は、酸化物換算した全体量に対して酸化シリコン(SiO)換算で、0.01wt%以上、3.0wt%以下であり、より好ましくは、1.0wt%以上、3.0wt%以下である。シリコンを具備する酸化物の含有量が少なすぎるとセラミックス板に空隙が多く残り、割れやすくなる。また、多すぎると半導体装置1の運転時にセラミックス板中のイオンの伝導が多くなり、絶縁性の低下や銅箔の接合性の低下が起きやすくなる。
また、このようなセラミックス板20は、セラミックス粒子、マグネシウムを具備する酸化物、シリコンを具備する酸化物以外にも、製造に用いられる様々な材料を含む。このような材料の一例として、ナトリウムを具備する酸化物がある。例えば、酸化ナトリウム(NaO)がある。セラミックス板20に対して、ナトリウムを具備する酸化物の含有量は、酸化物換算した全体量に対して酸化ナトリウム(NaO)換算で、0.001wt%以上、0.2wt%以下であり、より好ましくは、0.002wt%以上、0.2wt%以下である。ナトリウムを具備する酸化物の含有量が少なすぎると、セラミックス原料粉末の精製が困難になる。また、多すぎると、βアルミナ(NaO・11Al)が形成され、絶縁性の低下や強度の低下が起きやすくなる。セラミックス板20では、好ましくは、βアルミナを含まない。
後述する実施例1-1のセラミックス積層基板10は、酸化マグネシウムの粉末の塗工を行い、マンガン含有溶液を用いた湿式酸化法を行わなかった場合である。この場合、セラミックス積層基板10、マグネシウムを具備する酸化物を含み、マンガンを具備する酸化物を含まない。後述する実施例1-2のセラミックス積層基板は、酸化マグネシウムの粉末の塗工、及び、マンガン含有溶液を用いた湿式酸化法の両方を行った場合である。したがって、セラミックス積層基板10では、マグネシウムを具備する酸化物、及び、マンガンを具備する酸化物を共に含む。後述する実施例1-3のセラミックス積層基板10は、酸化マグネシウムの粉末の塗工を行わず、マンガン含有溶液を用いた湿式酸化法を行った場合である。したがって、セラミックス積層基板10では、マグネシウムを具備する酸化物を含まず、マンガンを具備する酸化物を含む。なお、後述する比較例のセラミックス積層基板100は、酸化マグネシウムの粉末の塗工、及び、マンガン含有溶液を用いた湿式酸化法の両方を行わなかった場合である。したがって、セラミックス積層基板100では、マグネシウムを具備する酸化物、及び、マンガンを具備する酸化物を共に含まない。
(比較例1のセラミックス積層基板)
以下では、中間層50a,50bによる金属層30,40の接合性低下の抑制を説明するにあたり、まず、比較例1として、中間層50a,50bを含まないセラミックス積層基板について、図5及び図6並びに図13を用いて説明する。図5は、比較例1のセラミックス積層基板の断面模式図であり、図6は、比較例1のセラミックス積層基板の高温下高電圧時の断面模式図である。図13は、セラミックス積層基板の試験結果のまとめの表である。なお、図5は、図2における破線で囲った範囲におけるミクロ状態を模式的に示している。また、図6では、図5において、高温下で金属層30,40の間に高電圧を印加した際のミクロ状態を模式的に示している。また、図13は、比較例1と共に、以後に説明する、実施例1-1~1-3における試験結果も併せて示している。
まず、信頼性試験は、高温環境下においてハーフブリッジ回路を所定のオン、オフパターンで所定時間、連続運転する。なお、ここでは、セラミックス板20の裏面に形成された金属層40がN端子と同電位になるように接地した。そのため、セラミックス板20のおもて面に形成された金属層30が高電位の金属層、裏面に形成された金属層40が低電位の金属層である。このような連続運転をセラミックス積層基板100のおもて面に行う。
他方、負極に移動したナトリウムイオン24は、マグネシウムを具備する酸化物51bが存在しない箇所では、銅を具備する酸化物41(図7を参照)と反応して、酸化銅を還元して、ナトリウムイオン24と反応した負極の銅を具備する酸化物41はCuとなり、金属層40に含まれる。また、ナトリウムイオン24は酸化されて、酸化ナトリウムになる。このように、酸化アルミニウム21及びシリコンを具備する酸化物22のそれぞれに対して接合力が大きい銅を具備する酸化物41が減少する。また、負極の金属層40の境界近傍のセラミックス板20において、ナトリウムイオン(酸化ナトリウム23)の濃度が増加して、酸化アルミニウム21の粒子の離脱が生じやすくなる。
また、第1,第2の実施の形態では、セラミックス板20の裏面に形成された金属層40が、M端子と同電位になるように接地された場合、または、接地されずに浮遊の場合、高電位の金属層は、セラミックス板20のおもて面に形成された金属層30a,30bであり、低電位の金属層は、セラミックス板20の裏面に形成され、金属層30a,30bに対向する金属層40である。また、この場合、低電位の金属層は、セラミックス板20のおもて面に形成された金属層30dであり、高電位の金属層は、セラミックス板20の裏面に形成され、金属層30dに対向する金属層40である。
このようなセラミックス積層基板10に対しても引きはがし強さの評価試験を行った。実施例1-3に対する評価結果は、図13に示されるように、セラミックス積層基板10のおもて面で「Excellent」、裏面で「Very Good」となっている。すなわち、セラミックス積層基板10は信頼性試験を行っても、実施例1-1と比べて、金属層40のセラミックス板20の裏面に対する接合力が幾分改善され、接合性の低下が抑制されている。この理由は現時点では未だ充分に解明されておらず、また、理論に拘束されるわけではないが、以下のように考えることができる。
ところが、実施例1-3のセラミックス積層基板10は、酸化マンガン27が中間層50a,50bに配置されている。そのため、ナトリウムイオン24が銅を具備する酸化物41と反応することをブロックする。したがって、マンガンを具備する酸化物53bが形成されている箇所には、銅を具備する酸化物41がCuになることなく存在する。また、酸化マンガン27が酸化アルミニウム21の粒界及び3重点に配置されている。そのため、粒界のシリコンを具備する酸化物22の一部の移動ルートが遮断され、一部のナトリウムイオン24の移動が遮断される。したがって、ナトリウムイオン24と銅を具備する酸化物41との反応が抑制される。したがって、この箇所においては、セラミックス板20と金属層40との接合強度が維持される。また、この際の接合強度は、実施例1-よりも大きいことが考えられる。
第2の実施の形態のセラミックス板20を製造するには、酸化ジルコニウム(ZrO)粉末に加えて、酸化イットリウム(Y)、酸化マグネシウム(MgO)、あるいは、酸化カルシウム(CaO)の粉末を添加してよい。または、酸化ジルコニウム(ZrO)粉末に替わり部分安定化ジルコニアの粉末を添加してもよい。こうすることで、セラミックス板20はセラミックス粒子として酸化アルミニウムを含み、セラミックス粒子の粒界並びに3重点に部分安定化ジルコニアとシリコンを具備する酸化物(第2酸化物)とを含む。この場合の部分安定化ジルコニアは、好ましくは、酸化ジルコニウム(ZrO)に換算したジルコニウムに対して、酸化イットリウム(Y)に換算したイットリウムが、2.5mol%以上、3.5mol%以下含まれている。こうすることで、酸化ジルコニウムだけの場合に比べて、さらに抗折強度を高めることができる。また、セラミックス粒子の平均粒径は、0.5μm以上、25μm以下である。より好ましくは、1μm以上、10μm以下である。
セラミックス板20では、酸化アルミニウムの含有量が、酸化物換算で全体の80wt%以上、95wt%以下であり、より好ましくは、84wt%以上、92wt%以下である。また、ジルコニウムを具備する酸化物の含有量が、酸化物換算した全体量に対して酸化ジルコニウム(ZrO)換算で、全体の5.0wt%以上、20.0wt%以下であり、より好ましくは、8wt%以上、16wt%以下含まれている。また、セラミックス板20に対して、シリコンを具備する酸化物の含有量は、酸化物換算した全体量に対して酸化シリコン(SiO)換算で、0.01wt%以上、3.0wt%以下であり、より好ましくは、1.0wt%以上、3.0wt%以下である。シリコンを具備する酸化物の含有量が少なすぎるとセラミックス板に空隙が多く残り、割れやすくなる。また、多すぎるとセラミックス板の熱伝導性が低下し、放熱性が悪くなる。
また、第2の実施の形態のセラミックス板20でも、セラミックス粒子、マグネシウムを具備する酸化物、シリコンを具備する酸化物、ジルコニウムを具備する酸化物以外にも、製造に用いられる様々な材料を含む。このような材料の一例として、ナトリウムを具備する酸化物がある。例えば、酸化ナトリウムがある。セラミックス板20に対して、ナトリウムを具備する酸化物の含有量は、酸化物換算した全体量に対して酸化ナトリウム(NaO)換算で、0.001wt%以上、0.2wt%以下であり、より好ましくは、0.002wt%以上、0.2wt%以下である。ナトリウムを具備する酸化物の含有量が少なすぎると、セラミックス原料粉末の精製が困難になる。また、多すぎると、βアルミナが形成され、絶縁性の低下や強度の低下が起きやすくなる。セラミックス板20では、好ましくは、βアルミナを含まない。
図15に示すように、比較例2のセラミックス積層基板100は、高温下で、金属層30,40に高電位(正極)及び低電位(負極)の電圧が印加される。これにより、負極側の金属層40とセラミックス板120の酸化ジルコニウム28との境界に形成されている銅を具備する酸化物41(Cu-O)が還元される。例えば、CuO+2e(電子)→Cu+O2-の反応が生じる。そのため、負極側では、銅を具備する酸化物41が減少して、金属層40とセラミックス板120の接合力が低下する。そして、銅を具備する酸化物41(Cu-O)の還元により生成された酸素イオン25は、酸化アルミニウム21の粒界及び3重点の酸化ジルコニウム28を通過して、正極である高電位の金属層30側に移動する。正極に移動した酸素イオン25は、金属層30の銅と反応して、銅を具備する酸化物31を成長させる。例えば、Cu+O2-→CuO+2e(電子)の反応が生じる。そのため、正極では、銅を具備する酸化物31が過剰に増加して、金属層30とセラミックス板120の接合力が低下する。
第2の実施の形態における比較例2のセラミックス積層基板100のセラミックス板120では、既述の通り、酸素イオンの移動が酸化ジルコニウムにより促進される。このため、負極側で還元が進み、正極側では酸化が進むことになる。したがって、第1の実施の形態における比較例1よりもさらにセラミックス板120に対する金属層30,40の接合強度が低下してしまう。
また、酸化マグネシウム26が粒界及び3重点に存在していてもよい。こうすることで、粒界での酸素イオンの移動ルートが一部遮断される。これによっても、正極及び負極における酸化還元の反応が抑制される。また、セラミックス積層基板10は、正極側にマグネシウム及びマンガンを具備する酸化物52aを含む中間層50aが形成されていてもよい。こうすることで、正極側において、中間層50が形成された部分では、酸化ジルコニウム28と銅を具備する酸化物31(Cu-O)とが直接接触せず、金属層30の酸化が抑制される。つまり、中間層50aが金属層30の酸化をブロックする。こうすることで、金属層30,40のセラミックス板20に対する接合力がさらに改善され、接合性の低下が抑制されている。
また、金属層30,40は、銅を主成分として構成されている。中間層50a,50bは、第1酸化物として、マンガンを具備する酸化物53a,53bをそれぞれ含んでいる。マンガンを具備する酸化物53a,53bは、中間層50a,50bにおいて、セラミックス板20のおもて面側、裏面側にそれぞれ多く形成されている。さらに、金属層30,40とセラミックス板20とマンガンを具備する酸化物53a,53bの境界に銅を具備する酸化物31,41がそれぞれ形成されている。
図21に示すように、実施例2-3のセラミックス積層基板10は、高温下で、金属層30,40に高電位(正極)及び低電位(負極)の電圧が印加されている。セラミックス積層基板10は、負極側にマンガンを具備する酸化物53bを含む中間層50bが配置されている。そのため、負極側において、中間層50bが形成された部分では、酸化ジルコニウム28と銅を具備する酸化物41(Cu-O)とが直接接触せず、銅を具備する酸化物41の還元が抑制される。つまり、中間層50bが銅を具備する酸化物41の還元をブロックする。したがって、中間層50bが形成されている箇所には、銅を具備する酸化物41が銅になることなく存在する。また、負極における還元が抑制されるため、酸素イオンの発生が少なく、正極側においても金属層30とセラミックス板20との境界において銅が過剰に酸化されることが抑制される。したがって、負極側にマンガンを具備する酸化物53bを含む中間層50bが形成されていることで、比較例2と比べて、金属層30,40のセラミックス板20に対する接合力が改善され、接合性の低下が抑制されている。さらに、実施例2-1よりも、還元をブロックするため、実施例2-1よりも、金属層30,40のセラミックス板20に対する接合力の低下が抑制されていると考えられる。
[第3の実施の形態]
第1,第2の実施の形態で説明したように、セラミックス積層基板10において、金属30,40の一方が高電位であって、金属30,40の他方が低電位である場合、少なくとも、低電位の金属とセラミックス板20との間に中間層が形成される。これにより、セラミックス板20に対する(中間層が形成された)金属の剥離が抑制される。
第3の実施の形態では、図1~図3に示した半導体装置1において、半導体装置1の運転時並びに停止時のセラミックス積層基板10の金属30,40に生じる電位差に基づいて、中間層が必要とされる領域について説明する。
また、半導体装置1の別の駆動時は、半導体チップ60aの制御電極61aに入力される制御信号がオフであって、半導体チップ60bの制御電極61bに入力される制御信号がオンである。したがって、セラミックス積層基板10において、金属層30a,30bが高電位であり、金属層30c,30dが低電位である。この際の上アーム部Aを停止状態、下アーム部Bを駆動状態と呼ぶ。また、この半導体装置1の駆動時は、後述する図22(C),23(C),24(C)の場合にそれぞれ対応する。
次に、セラミックス積層基板10の金属30,40の電位ごとに中間層を要する領域について、図22~図25を用いて説明する。図22は、第3の実施の形態のセラミックス積層基板(裏面金属層が低電位)の中間層を要する領域を説明するための図である。図23は、第3の実施の形態のセラミックス積層基板(裏面金属層が高電位)の中間層を要する領域を説明するための図である。図24は、第3の実施の形態のセラミックス積層基板(裏面金属層が浮遊電位)の中間層を要する領域を説明するための図である。図25は、第3の実施の形態のセラミックス積層基板の中間層を要する領域を説明するための図である。
なお、図22~図24は、図2のセラミックス積層基板10、半導体チップ60a,60b、外部接続端子71~75を簡略して図示している。説明に必要な構成部品のみに符号を付している。図22(A),23(A),24(A)は、上アーム部A及び下アーム部Bが停止状態である場合に対応している。図22(B),23(B),24(B)は、上アーム部Aが駆動状態、下アーム部Bが停止状態である場合に対応している。図22(C),23(C),24(C)は、上アーム部Aが停止状態、下アーム部Bが駆動状態である場合に対応している。図22(D),23(D),24(D)は、中間層の形成領域をそれぞれ示している。
図24により、セラミックス積層基板10において裏面金属層である金属層40が浮遊電位である場合について説明する。すなわち、半導体装置1が駆動していない場合には、金属層40に何も電位が印加されていない場合である。この際、上アーム部A及び下アーム部Bが停止状態である場合は、図24(A)に示されるように、金属層30a,30bが高電位となり、金属層30dが低電位となる。この時、裏面金属層である金属層40は、おもて面の電位の面積比に応じた電位となる。本実施の形態では、高電位の面積が低電位の面積に比べて大きくなる(図1参照)。そのため、金属層40は、低電位よりも高電位に近い電位となる。したがって、セラミックス板20において低電位の金属層30dと金属40の間(破線で示されるP4領域)に電位差が生じる。このため、P4領域のセラミックス板20と金属層30dとの間で金属層30dの剥離が生じることが考えられる。
次いで、上アーム部Aが駆動状態、下アーム部Bが停止状態である場合は、図24(B)に示されるように、金属層30a,30b,30cが高電位となり、金属層30dが低電位となる。この時、裏面金属層である金属層40は、おもて面の電位の面積比に応じた電位となる。本実施の形態では、高電位の面積が低電位の面積に比べて非常に大きくなる(図1参照)。そのため、金属層40は、高電位とほぼ同等の電位となる。したがって、金層40は、金属層30a,30b,30cとほぼ同等の電位となる。セラミックス板20において低電位の金属層30dと高電位の金属層40の間(破線で示されるP4領域)に電位差が生じる。このため、P4領域のセラミックス板20と金属層30dとの間で金属層30dの剥離が生じることが考えられる。

Claims (7)

  1. 前記セラミックス板及び前記中間層は、酸化物換算でマグネシウムを0.1wt%以上、1.5wt%以下、または、
    化物換算でマンガンを0.01wt%以上、0.15wt%以下、
    の少なくとも一方を含んでいる、
    請求項1乃至4のいずれかに記載の半導体装置。
  2. 前記第1酸化物は、前記第2主面及び前記低電位金属層との界面の一部に形成されている、
    請求項1乃至5のいずれかに記載の半導体装置。
  3. 前記積層基板は、前記マグネシウムを具備する酸化物を含んでおり、酸化マグネシウム(MgO)換算したマグネシウムを、酸化シリコン(SiO)換算した前記シリコンの含有量に対して、10wt%以上、50wt%以下、または、
    記マンガンを具備する酸化物を含んでおり、酸化マンガン(MnO)換算したマンガンを、酸化シリコン(SiO)換算した前記シリコンの含有量に対して、1.0wt%以上、5.0wt%以下、
    の少なくともいずれか一方を含む、
    請求項13乃至15のいずれかに記載の半導体装置。
  4. 前記ジルコニウム及びイットリウムを具備する酸化物は、酸化ジルコニウム(ZrO)に換算したジルコニウムに対して、酸化イットリウム(Y)に換算したイットリウムが、2.5mol%以上、3.5mol%以下含まれている、
    請求項21に記載の半導体装置。
  5. 前記積層基板は、マグネシウムを具備する酸化物を含んでおり、酸化マグネシウム(MgO)換算したマグネシウムを、酸化ジルコニウム(ZrO)換算したジルコニウムに対して、2.0wt%以上、20.0wt%以下を含む、
    請求項20乃至23のいずれかに記載の半導体装置。
  6. 前記半導体チップは、第1半導体チップ及び第2半導体チップを含み、
    前記低電位金属層は、
    正極端子が接続される正極金属層と、
    前記第1半導体チップが接合されるチップ金属層と、
    前記第2半導体チップが接合され、出力端子が接続される出力金属層と、
    負極端子が接続される負極金属層と、
    を含み、
    前記第2主面前記負極金属層に対向する領域に前記中間層が含まれている、
    請求項4に記載の半導体装置。
  7. 前記第1酸化物は、さらに、マグネシウムを含み、
    前記セラミックス板及び前記中間層は、酸化物換算でマグネシウムを0.1wt%以上、1.5wt%以下、及び
    化物換算でマンガンを0.01wt%以上、0.15wt%以下、
    の少なくとも一方を含んでいる、
    請求項38に記載の半導体装置。
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