JPWO2022196386A5 - - Google Patents

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JPWO2022196386A5
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前記トーナメント状接続流路の各ガス導入口には、一又は複数の前記流体制御ユニットが直接に、又は、複数の前記流体制御ユニットが当該流体制御ユニットの下流側を互いに流体接続する合流配管を介して接続されている。
前記トーナメント状接続流路Tは、
前記流体制御ユニットA1~H6にそれぞれ接続可能な導入口TCを有する2本の第1段部分流路T1(Nは2以上の整数)と、
第k―1段部分流路Tk-1が(kは2からNまでの整数)、2本ずつ合流して形成される第k段部分流路Tkと、
第N段部分流路TNが合流して形成され、ガスを外部へ導出する導出口TOを有する1本の第N+1段部分流路TN+1と、を含む、
N+1段の部分流路を有するトーナメント状の流路である。
また、トーナメント状接続流路Tの各導入口TCから導出口TOまでの流路長(又は内容積)が互いに(実質的に)等しく形成されている。
この構成は、例えば、段ごとに全ての部分流路Tk(kは1からNまでの整数)の流路長を(実質的に)等しくし、流路を同一内径で形成することにより実現できる。
本実施形態のトーナメント状接続流路Tは、N=3の例であり、8本の第1段部分流路T1と、この第1段部分流路T1が2本ずつ合流部U1で合流して形成された4本の第2段部分流路T2と、この第2段部分流路T2が2本ずつ合流部U2で合流して形成された2本の第3段部分流路T3と、この2本の第3段部分流路T3合流部がU3で合流して形成された1本の第4部分流路T4とを含む。
各部分流路T1~T4は、配管で形成してもよく、マニホールドや流路ブロックで構成してもよい。また、段ごとに全ての部分流路の流路径が等しいことが好ましい。

Claims (7)

  1. 上流から下流へ向かうガスが流通する流路と、当該流路の中途に設けられ当該流路を流通するガスの流れを制御する流体制御機器とをそれぞれ含む複数の流体制御ユニットと、
    前記複数の流体制御ユニットと流体接続される複数の接続部と、前記複数の接続部を通じて導入されたガスを導出する単一のガス導出部と、を含む合流流路と、を有し、
    前記複数の接続部は、前記合流流路の流路方向において前記ガス導出部に対して対称的に配置され、かつ、前記複数の接続部の各々には、2以上の前記流体制御ユニットが流体接続されている、ガス供給装置。
  2. 前記複数の接続部は、前記合流流路の流路方向において、前記ガス導出部の一方側および他方側にそれぞれ複数かつ同数設けられている、請求項1に記載のガス供給装置。
  3. 前記合流流路は、前記ガス導出部の両側近傍にそれぞれ設けられた開閉バルブを有し、各当該開閉バルブの上流側を他の部分から遮断できるように構成されている、請求項1又は2に記載のガス供給装置。
  4. 上流から下流へ向かうガスが流通する流路と、当該流路の中途に設けられ当該流路を流通するガスの流れを制御する流体制御機器とをそれぞれ含む複数の流体制御ユニットと、
    前記複数の流体制御ユニットと流体接続され、当該複数の流体制御ユニットから導出されるガスを導入し、トーナメント状に合流させて外部へ導出するトーナメント状接続流路とを有するガス供給装置であって、
    前記トーナメント状接続流路は、
    前記流体制御ユニットにそれぞれ接続可能な導入口を有する2本の第1段部分流路(Nは2以上の整数)と、
    第k―1段部分流路が(kは2からNまでの整数)、2本ずつ合流して形成される第k段部分流路と、
    第N段部分流路が合流して形成され、前記ガスを外部へ導出する導出口を有する1本の第N+1段部分流路と、を含む、
    N+1段の部分流路を有するトーナメント状の流路であり、
    前記トーナメント状接続流路の各前記導入口から前記導出口までの流路長又は内容積が互いに等しい又は実質的に等しい、ガス供給装置。
  5. 前記トーナメント状接続流路の各ガス導入口には、一又は複数の前記流体制御ユニットが直接に、又は、複数の前記流体制御ユニットが当該流体制御ユニットの下流側を互いに流体接続する合流配管を介して接続されている、請求項4に記載のガス供給装置。
  6. 前記トーナメント状接続流路は、前記第k段部分流路(kは1からNまでの整数)が2本ずつ合流する箇所の上流側近傍にそれぞれ設けられた開閉バルブを有し、各当該開閉バルブの上流側を他の部分から遮断できるように構成されている、請求項4又は5に記載のガス供給装置。
  7. 密閉されたプロセスチャンバ内においてプロセスガスによる処理工程を要する半導体装置の製造プロセスにおいて、前記プロセスガスの供給制御に請求項1ないし6のいずれかに記載のガス供給装置を用いた半導体製造装置。
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