JPWO2022176689A5 - - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 29
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims 9
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- GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N lithium niobate Chemical compound [Li+].[O-][Nb](=O)=O GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 6
- 229910004541 SiN Inorganic materials 0.000 claims 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims 3
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 claims 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims 2
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 claims 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 claims 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 claims 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 claims 1
Claims (11)
- タンタル酸リチウムおよびニオブ酸リチウムのいずれかであり、実質的に分極していない支持基板と、
前記支持基板の一面側に貼り合わされたタンタル酸リチウムおよびニオブ酸リチウムのいずれかであり、分極している活性層と、
前記支持基板と前記活性層との互いに貼り合わされた面に配された介在層とを備え、
前記介在層は、ＳｉＯ ２ 、ＳｉＯＮおよびＳｉＮの少なくとも一つを含む複合ウェーハ。 - 前記介在層は、絶縁性を有する請求項１に記載の複合ウェーハ。
- タンタル酸リチウムおよびニオブ酸リチウムのいずれかであり、実質的に分極していない支持基板を準備する段階と、
タンタル酸リチウムおよびニオブ酸リチウムのいずれかであり、分極している活性基板を準備する段階と、
前記活性基板にイオンを注入して界面を生成する段階と、
前記支持基板と前記活性基板とを貼り合わせる段階と、
貼り合わされた前記支持基板と前記活性基板を昇温する段階と、
前記界面で前記活性基板を剥離する段階と
を備え、
前記貼り合わせる段階の前に、前記支持基板または前記活性基板の互いに貼り合わされる面の少なくとも一方に介在層を形成する段階を更に備え、
前記貼り合わせる段階において、前記介在層と、前記支持基板または前記活性基板の互いに貼り合わされる面の他方とが貼り合わされ、
前記介在層は、ＳｉＯ ２ 、ＳｉＯＮおよびＳｉＮの少なくとも一つを含む、
複合ウェーハの製造方法。 - 前記介在層は、絶縁性を有する請求項３に記載の複合ウェーハの製造方法。
- 前記介在層は、ＰＶＤ法およびＣＶＤ法のいずれかで形成される請求項３に記載の複合ウェーハの製造方法。
- タンタル酸リチウムおよびニオブ酸リチウムのいずれかであり、実質的に分極していない支持基板を準備する段階と、
タンタル酸リチウムおよびニオブ酸リチウムのいずれかであり、分極している活性基板を準備する段階と、
前記活性基板にイオンを注入して界面を生成する段階と、
前記支持基板と前記活性基板とを貼り合わせる段階と、
貼り合わされた前記支持基板と前記活性基板を昇温する段階と、
前記界面で前記活性基板を剥離する段階と
を備え、
前記支持基板を準備する段階は、前記支持基板が予め有していた分極を無極性化する段階を含む複合ウェーハの製造方法。 - 前記貼り合わせる段階の前に、前記支持基板または前記活性基板の互いに貼り合わされる面の少なくとも一方に介在層を形成する段階を更に備える請求項６に記載の複合ウェーハの製造方法。
- 前記介在層は、絶縁性を有する請求項７に記載の複合ウェーハの製造方法。
- 前記介在層は、ＳｉＯ２、ＳｉＯＮおよびＳｉＮの少なくとも一つを含む請求項７または８に記載の複合ウェーハの製造方法。
- 前記貼り合わせる段階の前に、前記支持基板または前記活性基板の互いに貼り合わされる面の少なくとも一方を活性化処理する段階を更に備える請求項３から９のいずれか１項に記載の複合ウェーハの製造方法。
- 前記活性化処理はプラズマ処理を含む請求項１０に記載の複合ウェーハの製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2021025398 | 2021-02-19 | ||
| PCT/JP2022/004806 WO2022176689A1 (ja) | 2021-02-19 | 2022-02-08 | 複合ウェーハおよびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPWO2022176689A1 JPWO2022176689A1 (ja) | 2022-08-25 |
| JPWO2022176689A5 true JPWO2022176689A5 (ja) | 2023-10-18 |
Family
ID=82930452
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2023500750A Pending JPWO2022176689A1 (ja) | 2021-02-19 | 2022-02-08 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20230396231A1 (ja) |
| EP (1) | EP4297068A1 (ja) |
| JP (1) | JPWO2022176689A1 (ja) |
| KR (1) | KR20230128098A (ja) |
| CN (1) | CN117043910A (ja) |
| TW (1) | TW202234472A (ja) |
| WO (1) | WO2022176689A1 (ja) |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0548171A (ja) * | 1991-08-21 | 1993-02-26 | Seiko Epson Corp | マトリクストランスデユーサ |
| JPH0786866A (ja) * | 1993-09-17 | 1995-03-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 複合単結晶圧電基板とその製造方法 |
| JPH07193294A (ja) * | 1993-11-01 | 1995-07-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電子部品およびその製造方法 |
| KR100496526B1 (ko) * | 2002-09-25 | 2005-06-22 | 일진디스플레이(주) | 표면 탄성파 소자용 탄탈산 리튬 단결정 기판의 제조방법 |
| CN101689841A (zh) * | 2007-12-25 | 2010-03-31 | 株式会社村田制作所 | 复合压电基板的制造方法 |
| JP5569537B2 (ja) * | 2009-11-26 | 2014-08-13 | 株式会社村田製作所 | 圧電デバイスの製造方法 |
| JP5856408B2 (ja) * | 2011-08-22 | 2016-02-09 | 太陽誘電株式会社 | 弾性波デバイスおよびモジュール |
| JP6324297B2 (ja) * | 2014-05-09 | 2018-05-16 | 信越化学工業株式会社 | 圧電性酸化物単結晶基板及びその作製方法 |
| JP6250856B1 (ja) * | 2016-07-20 | 2017-12-20 | 信越化学工業株式会社 | 表面弾性波デバイス用複合基板及びその製造方法とこの複合基板を用いた表面弾性波デバイス |
| KR102433349B1 (ko) * | 2016-11-11 | 2022-08-16 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 복합 기판, 표면탄성파 디바이스 및 복합 기판의 제조 방법 |
-
2022
- 2022-02-08 JP JP2023500750A patent/JPWO2022176689A1/ja active Pending
- 2022-02-08 WO PCT/JP2022/004806 patent/WO2022176689A1/ja active Application Filing
- 2022-02-08 CN CN202280012407.9A patent/CN117043910A/zh active Pending
- 2022-02-08 KR KR1020237026251A patent/KR20230128098A/ko active Search and Examination
- 2022-02-08 EP EP22756010.9A patent/EP4297068A1/en active Pending
- 2022-02-16 TW TW111105665A patent/TW202234472A/zh unknown
-
2023
- 2023-08-16 US US18/450,431 patent/US20230396231A1/en active Pending
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