JPWO2022118925A5 - - Google Patents

Claims (25)

1. 接続端子が形成された第１面と該第１面の逆側にある第２面とをそれぞれが有する複数の半導体素子が仮固定材に取り付けられた仮固定構造体を準備する工程であって、前記仮固定構造体では、前記複数の半導体素子の前記各第１面が前記仮固定材に向くように前記仮固定材上に取り付けられ、且つ、前記複数の半導体素子の前記各第２面が封止材層から露出するように前記複数の半導体素子が封止材によって封止されている、工程と、
   前記複数の半導体素子の前記各第２面上に硬化性接着剤層を形成する工程と、
   前記硬化性接着剤層の一方の面であって前記複数の半導体素子とは逆側の面にキャリアを貼り合わせる工程と、
   前記硬化性接着剤層を硬化して、前記複数の半導体素子を当該硬化した硬化性接着剤層を介して前記キャリアに対して固定する工程と、
   前記仮固定材を除去する工程と、を備え、
   硬化した前記硬化性接着剤層と前記封止材との接着強度が４．０ＭＰａ以上である、半導体装置の製造方法。
2. 硬化した前記硬化性接着剤層と前記複数の半導体素子との接着強度が４．０ＭＰａ以上である、
   請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
3. 接続端子が形成された第１面と該第１面の逆側にある第２面とをそれぞれが有する複数の半導体素子が仮固定材に取り付けられた仮固定構造体を準備する工程であって、前記仮固定構造体では、前記複数の半導体素子の前記各第１面が前記仮固定材に向くように前記仮固定材上に取り付けられ、且つ、前記複数の半導体素子の前記各第２面が封止材層から露出するように前記複数の半導体素子が封止材によって封止されている、工程と、
   前記複数の半導体素子の前記各第２面上に硬化性接着剤層を形成する工程と、
   前記硬化性接着剤層の一方の面であって前記複数の半導体素子とは逆側の面にキャリアを貼り合わせる工程と、
   前記硬化性接着剤層を硬化して、前記複数の半導体素子を当該硬化した硬化性接着剤層を介して前記キャリアに対して固定する工程と、
   前記仮固定材を除去する工程と、を備え、
   硬化した前記硬化性接着剤層と前記複数の半導体素子との接着強度が４．０ＭＰａ以上である、半導体装置の製造方法。
4. 前記キャリアがガラス基板であり、
   前記硬化性接着剤層の前記ガラス基板への接着強度は、前記硬化性接着剤層を硬化した場合に１ＭＰａ以上であり、且つ、前記硬化性接着剤層へレーザを照射した場合に５ＭＰａ以下となる、
   請求項１～３の何れか一項に記載の半導体装置の製造方法。
5. 前記硬化性接着剤層は、熱可塑性樹脂、及びエポキシ硬化剤を含む樹脂組成物から形成され、前記熱可塑性樹脂のガラス転移温度が－４０℃以上４０℃以下である、
   請求項１～４の何れか一項に記載の半導体装置の製造方法。
6. 前記硬化性接着剤層の厚みは、硬化後において１μｍ以上４００μｍ以下である、
   請求項１～５の何れか一項に記載の半導体装置の製造方法。
7. 前記キャリアは、ガラス基板又は透明樹脂基板であり、その厚さが０．１ｍｍ以上２．０ｍｍ以下である、
   請求項１～６の何れか一項に記載の半導体装置の製造方法。
8. 前記複数の半導体素子が前記キャリアに固定された状態で、前記キャリアに固定された前記複数の半導体素子の前記第１面上に再配線層を形成する工程を更に備える、
   請求項１～７の何れか一項に記載の半導体装置の製造方法。
9. 前記複数の半導体素子が前記キャリアに固定された状態で、前記複数の半導体素子の前記接続端子又は前記再配線層に半田ボールを取り付ける工程を更に備える、
   請求項１～８の何れか一項に記載の半導体装置の製造方法。
10. 前記キャリアを除去する工程を更に備え、
    前記キャリアが光透過性基板であり、
    前記キャリアを除去する工程では、前記硬化した硬化性接着剤層に対して前記キャリア側からレーザ光を照射して、前記キャリアを除去する、
    請求項１～９の何れか一項に記載の半導体装置の製造方法。
11. 前記キャリアを除去する工程を更に備え、
    前記キャリアを除去する工程では、前記キャリアを剥離する剥離エネルギーが１ｋＷ/ｃｍ^２以上２００ｋＷ/ｃｍ^２以下となるようにレーザ光を照射して、前記キャリアを除去する、
    請求項１～１０の何れか一項に記載の半導体装置の製造方法。
12. 前記キャリアを除去する工程を更に備え、
    前記キャリアを除去する工程では、前記キャリアを削る又は溶かすことにより、前記キャリアを除去する、
    請求項１～９の何れか一項に記載の半導体装置の製造方法。
13. 前記キャリアを除去する工程の後に、前記硬化した硬化性接着剤層又は前記封止材による封止材層の何れかの露出面をクリーニングする工程を更に備える、
    請求項１０～１２の何れか一項に記載の半導体装置の製造方法。
14. 前記キャリアを除去する工程の後に前記複数の半導体素子を個片化する工程を更に備える、請求項１０～１３の何れか一項に記載の半導体装置の製造方法。
15. 前記個片化する工程において、硬化した前記硬化性接着剤層を前記複数の半導体素子と共に個片化し、
    前記硬化性接着剤層に前記第２面が保護された前記複数の半導体素子のそれぞれから前記半導体装置を取得する、
    請求項１４に記載の半導体装置の製造方法。
16. 前記準備する工程は、
    前記仮固定材を準備する工程と、
    前記複数の半導体素子の前記各第１面が前記仮固定材に向くように前記複数の半導体素子を前記仮固定材に取り付ける工程と、
    前記仮固定材に取り付けられた前記複数の半導体素子の前記各第２面が前記封止材層から露出するように前記複数の半導体素子を前記封止材にて封止する工程と、
    を有する、請求項１～１５の何れか一項に記載の半導体装置の製造方法。
17. 前記準備する工程では、前記複数の半導体素子と共に複数の電子部品が前記仮固定材に取り付けられた前記仮固定構造体を準備し、
    前記固定する工程では、前記硬化性接着剤層を硬化して前記複数の電子部品を前記キャリアに固定する、
    請求項１～１６の何れか一項に記載の半導体装置の製造方法。
18. 硬化した前記硬化性接着剤層と前記封止材との接着強度が８．０ＭＰａ以下である、
    請求項１～１７の何れか一項に記載の半導体装置の製造方法。
19. 硬化した前記硬化性接着剤層と前記封止材との接着強度が２０ＭＰａ以上である、
    請求項１～１７の何れか一項に記載の半導体装置の製造方法。
20. 硬化した前記硬化性接着剤層が前記複数の半導体素子それぞれの前記第２面を保護した状態である前記半導体装置を取得する、
    請求項１～１９の何れか一項に記載の半導体装置の製造方法。
21. 接続端子が形成された第１面と該第１面の逆側にある第２面とをそれぞれが有する複数の半導体素子が仮固定材に取り付けられた仮固定構造体を準備する工程であって、前記仮固定構造体では、前記複数の半導体素子の前記各第１面が前記仮固定材に向くように前記仮固定材上に取り付けられ、且つ、前記複数の半導体素子の前記各第２面が封止材層から露出するように前記複数の半導体素子が封止材によって封止されている、工程と、
    前記複数の半導体素子の前記各第２面上に硬化性接着剤層を形成する工程と、
    前記硬化性接着剤層の一方の面であって前記複数の半導体素子とは逆側の面にキャリアを貼り合わせる工程と、
    前記硬化性接着剤層を硬化して、前記複数の半導体素子を当該硬化した硬化性接着剤層を介して前記キャリアに対して固定する工程と、
    前記仮固定材を除去する工程と、を備え、
    前記キャリアがガラス基板であり、
    前記硬化性接着剤層の前記ガラス基板への接着強度は、前記硬化性接着剤層を硬化した場合に１ＭＰａ以上であり、且つ、前記硬化性接着剤層へレーザを照射した場合に５ＭＰａ以下となる、半導体装置の製造方法。
22. 接続端子が形成された第１面と該第１面の逆側にある第２面とをそれぞれが有する複数の半導体素子が仮固定材に取り付けられた仮固定構造体を準備する工程であって、前記仮固定構造体では、前記複数の半導体素子の前記各第１面が前記仮固定材に向くように前記仮固定材上に取り付けられ、且つ、前記複数の半導体素子の前記各第２面が封止材層から露出するように前記複数の半導体素子が封止材によって封止されている、工程と、
    前記複数の半導体素子の前記各第２面上に硬化性接着剤層を形成する工程と、
    前記硬化性接着剤層の一方の面であって前記複数の半導体素子とは逆側の面にキャリアを貼り合わせる工程と、
    前記硬化性接着剤層を硬化して、前記複数の半導体素子を当該硬化した硬化性接着剤層を介して前記キャリアに対して固定する工程と、
    前記仮固定材を除去する工程と、を備え、
    前記キャリアは、ガラス基板又は透明樹脂基板であり、その厚さが０．１ｍｍ以上２．０ｍｍ以下である、半導体装置の製造方法。
23. 接続端子が形成された第１面と該第１面の逆側にある第２面とをそれぞれが有する複数の半導体素子が仮固定材に取り付けられた仮固定構造体を準備する工程であって、前記仮固定構造体では、前記複数の半導体素子の前記各第１面が前記仮固定材に向くように前記仮固定材上に取り付けられ、且つ、前記複数の半導体素子の前記各第２面が封止材層から露出するように前記複数の半導体素子が封止材によって封止されている、工程と、
    前記複数の半導体素子の前記各第２面上に硬化性接着剤層を形成する工程と、
    前記硬化性接着剤層の一方の面であって前記複数の半導体素子とは逆側の面にキャリアを貼り合わせる工程と、
    前記硬化性接着剤層を硬化して、前記複数の半導体素子を当該硬化した硬化性接着剤層を介して前記キャリアに対して固定する工程と、
    前記仮固定材を除去する工程と、
    前記キャリアを除去する工程と、を備え、
    前記キャリアが光透過性基板であり、
    前記キャリアを除去する工程では、前記硬化した硬化性接着剤層に対して前記キャリア側からレーザ光を照射して、前記キャリアを除去する、半導体装置の製造方法。
24. 接続端子が形成された第１面と該第１面の逆側にある第２面とをそれぞれが有する複数の半導体素子が仮固定材に取り付けられた仮固定構造体を準備する工程であって、前記仮固定構造体では、前記複数の半導体素子の前記各第１面が前記仮固定材に向くように前記仮固定材上に取り付けられ、且つ、前記複数の半導体素子の前記各第２面が封止材層から露出するように前記複数の半導体素子が封止材によって封止されている、工程と、
    前記複数の半導体素子の前記各第２面上に硬化性接着剤層を形成する工程と、
    前記硬化性接着剤層の一方の面であって前記複数の半導体素子とは逆側の面にキャリアを貼り合わせる工程と、
    前記硬化性接着剤層を硬化して、前記複数の半導体素子を当該硬化した硬化性接着剤層を介して前記キャリアに対して固定する工程と、
    前記仮固定材を除去する工程と、
    前記キャリアを除去する工程と、を備え、
    前記キャリアを除去する工程では、前記キャリアを剥離する剥離エネルギーが１ｋＷ/ｃｍ ^２ 以上２００ｋＷ/ｃｍ ^２ 以下となるようにレーザ光を照射して、前記キャリアを除去する、半導体装置の製造方法。
25. 接続端子が形成された第１面と該第１面の逆側にある第２面とをそれぞれが有する複数の半導体素子が仮固定材に取り付けられた仮固定構造体を準備する工程であって、前記仮固定構造体では、前記複数の半導体素子の前記各第１面が前記仮固定材に向くように前記仮固定材上に取り付けられ、且つ、前記複数の半導体素子の前記各第２面が封止材層から露出するように前記複数の半導体素子が封止材によって封止されている、工程と、
    前記複数の半導体素子の前記各第２面上に硬化性接着剤層を形成する工程と、
    前記硬化性接着剤層の一方の面であって前記複数の半導体素子とは逆側の面にキャリアを貼り合わせる工程と、
    前記硬化性接着剤層を硬化して、前記複数の半導体素子を当該硬化した硬化性接着剤層を介して前記キャリアに対して固定する工程と、
    前記仮固定材を除去する工程と、
    前記キャリアを除去する工程と、を備え、
    前記キャリアを除去する工程では、前記キャリアを削る又は溶かすことにより、前記キャリアを除去する、半導体装置の製造方法。