JPWO2021124795A1 - 脳波検出用電極及び脳波検出システム - Google Patents

Abstract

脳波検出用電極（１０）は、人間の頭部の形状に追随して装着されるゴム状の弾性体のバンド部材（１１）と、バンド部材（１１）の一面に、バンド部材（１１）と一体に設けられた、複数の弾性体の突起部（１２）と、を有し、突起部（１２）の少なくとも先端部が、導電部材からなる電極（１３）を構成している。

Description

本発明は、脳波検出用電極及び脳波検出システムに関する。

これまで脳波検出用電極において様々な開発がなされてきた。この種の技術として、例えば、特許文献１に記載の技術が知られている。特許文献１に開示の脳波検出用電極は、導電性の複数の櫛歯を並べた櫛歯列を有し、被験者の頭髪の間に分け入って頭皮に到達するようになっている。

特開２０１８−１７５２８７号公報

しかしながら、頭の形状によっては、脳波検出用電極を装着できないという課題があった。また、装着できる場合でも、電極部分に圧力が集中し、人によっては不快感を持つ場合もあった。特に、頭の形状によっては一部の電極部分に圧力が過度に集中し、非常に不快感を持つ人もいた。特許文献１に開示の技術では、それらの対策がなされておらず新たな技術が求められていた。

本発明はこのような状況に鑑みなされたものであって、装着する人の頭の形状によらず装着可能な脳波検出用電極およびそのような脳波検出用電極を備える脳波検出システムを提供することを目的とする。

本発明によれば、人間の頭部の形状に追随して装着されるゴム状の弾性体のバンド部材と、
バンド部材の一面に、バンド部材と一体に設けられた、複数の弾性体の突起部と、
を有し、
前記突起部の少なくとも先端部が、導電部材からなる電極を構成している、
脳波検出用電極を提供できる。

また本発明によれば、上記脳波検出用電極を備える、脳波検出システムが提供される。

本発明によれば、装着する人の頭の形状によらず装着可能な脳波検出用電極およびそのような脳波検出用電極を備える脳波検出システムを提供することができる。

第１の実施形態に係る、頭部に脳波検出用電極を装着した状態の脳波検出システムを示す模式図である。 第１の実施形態に係る、頭部から取り外した状態の脳波検出用電極を示す模式図である。 第１の実施形態に係る、脳波検出用電極の正面図である。 第１の実施形態に係る、脳波検出用電極の平面図である。 第１の実施形態に係る、図３の一部領域Ｘ１の拡大図である。 第１の実施形態に係る、図４のＸ２−Ｘ２断面図である。 第１の実施形態に係る、図４のＸ２−Ｘ２断面図の別の例を示す図である。 第２の実施形態に係る、脳波検出用電極の平面図である。 第３の実施形態に係る、脳波検出用電極の平面図である。 第４の実施形態に係る、脳波検出用電極の平面図である。 第５の実施形態に係る、脳波検出用電極の平面図である。 第６の実施形態に係る、脳波検出用電極の平面図である。 第７の実施形態に係る、脳波検出用電極の平面図である。 第８の実施形態に係る、脳波検出用電極の平面図である。 第９の実施形態に係る、脳波検出用電極の平面図である。 第１０の実施形態に係る、脳波検出用電極の平面図である。

以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。
本実施の形態では図示するように前後左右上下の方向を規定して説明する。しかし、これは構成要素の相対関係を簡単に説明するために便宜的に規定するものである。従って、本発明を実施する製品の製造時や使用時の方向を限定するものではない。
尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。また、図は概略図であり、実際の寸法比率とは一致していない。

≪第１の実施形態≫
図１は人の頭部９９に脳波検出用電極１０を装着した状態の脳波検出システム１を示す模式図である。図２は、頭部から取り外した状態の脳波検出用電極１０を示す模式図である。図示のように、脳波検出システム１は、脳波検出用電極１０と脳波表示装置２０とを備える。
脳波検出用電極１０は、人の頭部９９に装着され、脳波を生体からの電位変動として検出し、検出した脳波を脳波表示装置２０に出力する。脳波表示装置２０は、脳波検出用電極１０が検出した脳波を取得して、モニタ表示したり、データ保存したり、周知の脳波解析処理（測定処理）を行う。

＜脳波検出用電極１０の概略構造＞
図１や図２に示すように、脳波検出用電極１０は、人間の頭部９９の形状に追随して装着されるゴム状の弾性体のバンド部材１１と、バンド部材１１の一面に、バンド部材１１と一体に設けられた、複数の弾性体の突起部１２と、を有する。
突起部１２の少なくとも先端部が、導電部材からなる電極１３を構成している。

＜脳波表示装置２０のシステム概要構成＞
脳波検出用電極１０は、コネクタや電子部品等を備えて、脳波表示装置２０と接続する。なお、脳波検出用電極１０と脳波表示装置２０とが一体に構成されてもよい。また、脳波表示装置２０がスマートデバイス（スマートホン、タブレット端末）及びそれらで機能する所定のアプリケーションにより構成されてもよい。この場合、脳波検出用電極１０は、検出した脳波を無線で送信する通信機能を有する。

脳波表示装置２０は、例えば、制御部と、記憶部と、ユーザＩＦと、出力部と、脳波処理データ処理部と、を有する。これらは、ＣＰＵ等の演算装置、ＲＯＭやＲＡＭ等のメモリや、ＨＤＤ、ＳＳＤ等の記憶装置、モニタ、通信ＩＦ等を備え、所定のプログラムにより、脳波検出用電極１０から取得した脳波を利用可能なデータ形式に変換し、また周知の脳波解析機能を実行する。

＜脳波検出用電極１０の具体的構成＞
図３〜図６を参照して、脳波検出用電極１０の具体的な構造について説明する。
図３は脳波検出用電極１０の正面図である。図４は脳波検出用電極１０の平面図である。ここでは、図１、２で湾曲していたバンド部材１１を平らな状態にして示している。なお、各図の説明において、便宜的に、バンド部材１１の厚さ方向をＺ方向（上方向が＋Ｚ）、矩形形状の長手方向をＸ方向（右方向が＋Ｘ）、短手方向をＹ方向（奥方向が＋Ｙ）として説明する。また奥側（＋Ｙ側）を前、手前側（―Ｙ側）を後として説明する。

＜バンド部材１１の形状＞
脳波検出用電極１０のバンド部材１１は、所定厚さｔの板状体である。具体的には、バンド部材１１は、上面視（平面図）で帯状の矩形形状を呈する。
バンド部材１１の厚さｔは、例えば、０．１ｍｍ〜３０ｍｍである。
矩形形状の長手方向の長さＬ１は、例えば２０ｃｍ〜６５ｃｍである。
矩形形状の短手方向の長さＬ２は、例えば０．５ｃｍ〜５ｃｍである。
なお、バンド部材１１の形状は、帯状の矩形形状に限る趣旨ではない。例えば、矩形形状の代わりに長細い楕円形状であってよい。また、バンド部材１１の厚さｔが一定に限る趣旨ではなく、一部の厚さが薄くなったり厚くなったりしてもよい。いずれにせよ、バンド部材１１は、脳波検出用電極１０が頭部９９に装着された際に、その頭部９９の形状に追従する。

＜突起部１２の配置＞
突起部１２は、バンド部材１１の一面に、バンド部材１１と一体に複数設けられる。例えば図４の平面図に示すように、複数の突起部１２は、上面視で一列に所定ピッチＰで並んで設けられる。突起部１２（すなわち電極１３）のピッチＰは、例えば、１ｍｍ〜２０ｍｍである。ピッチＰは、脳波の検知に必要とされる電極１３の数及び頭部９９へのバンド部材１１の追従性の観点から定まる。

＜突起部１２の形状＞
図５および図６に突起部１２を手前側（後側）から見た図を示す。図５は、図３の正面図の領域Ｘ１を拡大して一つの突起部１２を示した図である。図６は、図４のＸ２−Ｘ２断面図であり、図６の突起部１２の断面図でもある。

突起部１２は、バンド部材１１の一面（ここではバンド内面１１ａ）から突出するようにバンド部材１１と一体に形成されている。
三角錐の突起部１２の高さｈ１は、例えば、０．５ｍｍ〜２０ｍｍであり、好ましくは３ｍｍ〜１５ｍｍであり、より好ましく４ｍｍ〜１０ｍｍである。

突起部１２が呈する三角錐の具体的な形状として、例えば、図４に示すように、三角錐の底面（すなわち、バンド内面１１ａとの境界部分）の形状が頂点を鋭角とする二等辺三角形であって、向きが揃っている。ここでは、二等辺三角形の頂点が矩形形状の短手方向の一方側（図示では前側（＋Ｙ側））にあり、底辺が他方側（図示では後側（−Ｙ側））にある。また、三角錐の頂点（すなわち突起部１２の先端）は、図示の例では、上面視で、二等辺三角形の重心に位置する。言い換えると、突起部１２は、図示で前側（＋Ｙ側）がなだらかな辺で、後側（−Ｙ側）が急になる面となった向きで設けられている。なお、本実施形態および後述の第２〜第１０の実施形態において、「突起部１２の向き」とは、上記「二等辺三角形の頂点が向いている方向」を意味する。

脳波検出用電極１０を頭部９９に取り付けるときに、なだらかな側（＋Ｙ側）から突起部１２を頭部９９に当てることで、被験者に不快感（痛み等）等を与えること無く、また、頭髪からの抵抗が少なくスムーズに脳波検出用電極１０と取り付けることができる。

＜電極１３の形状および材料＞
突起部１２の少なくとも先端部には導電部材からなる電極１３が、突起部１２の表面を覆うように設けられている。ここでは、突起部１２の三角錐の頂点から所定高さｈ２の範囲の表面に電極１３が設けられている。
電極１３が形成される所定高さｈ２は、突起部１２の高さｈ１にもよるが、例えば、１ｍｍ〜１０ｍｍである。

電極１３の導電部材は、例えば、良導電性金属を含むペーストである。良導電性金属は、銅、銀、金、ニッケル、錫、鉛、亜鉛、ビスマス、アンチモン、或いはこれらの合金からなる群から選択される一種以上を含む。特に、入手性や導電性の観点から、銀や塩化銀、銅が好適である。

良導電性金属を含むペーストで電極１３を形成する場合は、ゴム状の弾性体でできた突起部１２の頂部を、良導電性金属を含むペースト状の導電性溶液にディップ（浸漬塗布）する。これにより、突起部１２の先端部の表面に電極１３が形成される。

なお、導電性フィラーおよび溶剤を含む導電性溶液を、突起部１２の先端部分に塗布することにより、導電性樹脂層としての電極１３を形成してもよい。このとき、溶剤を突起部１２と同じ系統の材質（シリコーンゴム）とすることで、電極１３（導電性樹脂層）の密着性を高められる。

突起部１２の内部には、電極１３に接続する導電性の信号線１４が設けられている。信号線１４の材料や太さ、配置位置については特に限定せず、接続される脳波表示装置２０等で適切に脳波の測定が可能であればよい。電極１３が突起部１２の先端部の表面に設けられる場合、例えば、図６に示すように、突起部１２の頂部部分の電極１３内面（すなわち突起部１２と接する側の面）に信号線１４が接続される。

本実施形態の脳波検出用電極１０に好適な信号線１４の具体的態様について以下に説明する。
信号線１４は、突起部１２の先端を覆う電極１３と電気的に接続するとともに、先端からバンド部材１１に向かって突起部１２の内部に配置される。

信号線１４は、公知のものを使用することができるが、例えば、導電繊維で構成され得る。
導電繊維としては、金属繊維、金属被覆繊維、炭素繊維、導電性ポリマー繊維、導電性ポリマー被覆繊維、および導電ペースト被覆繊維からなる群から選択される一種以上を用いることができる。これらを単独で用いても２種以上を組み合わせて用いてもよい。

上記金属繊維、金属被覆繊維、の金属材料は、導電性を有するものであれば限定されないが、銅、銀、金、ニッケル、錫、鉛、亜鉛、ビスマス、アンチモン、ステンレス、アルミニウム、銀／塩化銀およびこれらの合金等が挙げられる。これらを単独で用いても２種以上を組み合わせて用いてもよい。これらの中でも、導通性の観点から、銀を用いることができる。また、金属材料は、クロム等の環境に負荷を与える金属を含まないことが好ましい。

上記金属被覆繊維、導電性ポリマー被覆繊維、導電ペースト被覆繊維の繊維材料は、特に限定されないが、合成繊維、半合成繊維、天然繊維のいずれでもよい。これらの中でも、ポリエステル、ナイロン、ポリウレタン、絹および綿等を用いることが好ましい。これらを単独で用いても２種以上を組み合わせて用いてもよい。

上記炭素繊維は、例えば、ＰＡＮ系炭素繊維、ピッチ系炭素繊維等が挙げられる。

上記導電性ポリマー繊維および導電性ポリマー被覆繊維の導電性ポリマー材料は、例えば、ポリチオフェン、ポリピロール、ポリアニリン、ポリアセチレン、ポリフェニレンビニレン、ポリナフタレン、及びこれらの誘導体等の導電性高分子およびバインダ樹脂の混合物、あるいは、ＰＥＤＯＴ−ＰＳＳ（（３，４−エチレンジオキシチオフェン）−ポリ（スチレンスルホン酸））等の導電性高分子の水溶液が用いられる。

上記導電ペースト被覆繊維の導電ペーストに含まれる樹脂材料は特に限定されないが伸縮性を有することが好ましく、例えばシリコーンゴム、ウレタンゴム、フッ素ゴム、ニトリルゴム、アクリルゴム、スチレンゴム、クロロプレンゴム、およびエチレンプロピレンゴムからなる群から選択される一種以上を含むことができる。これらを単独で用いても２種以上を組み合わせて用いてもよい。

上記導電ペースト被覆繊維の導電ペーストに含まれる導電性フィラーは特に限定されないが、公知の導電材料を用いてもよいが、金属粒子、金属繊維、金属被覆繊維、カーボンブラック、アセチレンブラック、グラファイト、炭素繊維、カーボンナノチューブ、導電性ポリマー、導電性ポリマー被覆繊維および金属ナノワイヤーからなる群から選択される一種以上を含むことができる。

上記導電性フィラーを構成する金属は、特に限定はされないが、例えば、銅、銀、金、ニッケル、錫、鉛、亜鉛、ビスマス、アンチモン、銀／塩化銀、或いはこれらの合金のうち少なくとも一種類、あるいは、これらのうちの二種以上を含むことができる。この中でも、導電性の高さや入手容易性の高さから、銀または銅が好ましい。

上記信号線１４が、線状の導電繊維を複数本撚り合わせた撚糸で構成されてもよい。これにより、変形時における信号線１４の断線を抑制できる。

本明細書において、導電繊維における被覆とは、単に繊維材料の外表面を覆うことのみならず、単繊維を撚り合わせた撚糸などの場合は、その撚糸の中の繊維間隙に金属、導電性ポリマー、または導電ペーストが含浸し、撚糸を構成する単繊維を１本毎に被覆するものを含む。

上記信号線１４の引張破断伸度は、例えば、１％以上〜５０％以下、好ましくは１．５％以上〜４５％である。このような数値範囲内とすることで、変形時の破断を抑制しつつも、突起部１２の過度な変形を抑制できる。
信号線１４は、突起部１２の内部を導通する態様であれば各種の配置構造を採用し得る。
例えば、信号線１４の先端は、突起部１２の先端あるいは先端部の傾斜面に対して、突出した構造、略同一面上となる構造、埋没した構造のいずれでもよい。電極１３との接続安定性の観点から、突出した構造を用いてもよい。信号線１４の先端の突出部分は、一部または全体が電極１３で覆われている。

信号線１４の先端の突出構造は、折り返し無し、折り返し有り、突起部１２の先端部の表面に巻き付ける構造が採用し得る。また、信号線１４は、突起部１２の先端（頂点）から延びる垂線と一致せず、垂線に対して傾斜してもよい。

また、図７の断面図に示すように、信号線１４が電極１３の下側（バンド部材１１側）の端部に接続され、突起部１２の斜面（表面）に沿って延び、所定の位置から突起部１２の内部へ引き込まれる形態であってよい。
なお、信号線１４において、電極１３と接続される側の端部と反対側の端部は、それぞれが個別にバンド部材１１の外部に引き出されてもよい。また、複数の信号線１４について、バンド部材１１のバンド外面１１ｂに設けられたコネクタ等にバンド部材１１内部から接続され取りまとめられてもよい。

＜脳波検出用電極１０の材料＞
バンド部材１１及び突起部１２は、ゴム状の弾性体であり、より具体的にはゴムや熱可塑性エラストマー（単に「エラストマー（ＴＰＥ）」ともいう）である。ゴムとしては、例えばシリコーンゴムがある。熱可塑性エラストマーとして、例えば、スチレン系ＴＰＥ（ＴＰＳ）、オレフィン系ＴＰＥ（ＴＰＯ）、塩化ビニル系ＴＰＥ（ＴＰＶＣ）、ウレタン系ＴＰＥ（ＴＰＵ）、エステル系ＴＰＥ（ＴＰＥＥ）、アミド系ＴＰＥ（ＴＰＡＥ）などがある。

脳波検出用電極１０のバンド部材１１及び突起部１２がシリコーンゴムである場合、３７℃、ＪＩＳ Ｋ ６２５３（１９９７）に準拠して測定される、バンド部材１１の表面（バンド内面１１ａやバンド外面１１ｂ）におけるタイプＡデュロメータ硬さをゴム硬度Ａとしたとき、ゴム硬度Ａが、例えば、１５以上５５以下である。

ここで、上記シリコーンゴム系硬化性組成物について説明する。
上記シリコーンゴムは、シリコーンゴム系硬化性組成物の硬化物で構成することができる。シリコーンゴム系硬化性樹脂組成物の硬化工程は、例えば、１００〜２５０℃で１〜３０分間加熱（１次硬化）した後、１００〜２００℃で１〜４時間ポストベーク（２次硬化）することによって行われる。

絶縁性シリコーンゴムは、導電性フィラーを含まないシリコーンゴムであり、導電性シリコーンゴムは導電性フィラーを含むシリコーンゴムである。

本実施形態に係るシリコーンゴム系硬化性組成物は、ビニル基含有オルガノポリシロキサン（Ａ）を含むことができる。ビニル基含有オルガノポリシロキサン（Ａ）は、本実施形態のシリコーンゴム系硬化性組成物の主成分となる重合物である。

絶縁性シリコーンゴム系硬化性組成物および導電性シリコーンゴム系硬化性組成物は、同種のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサンを含んでもよい。同種のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサンとは、少なくとも官能基が同じビニル基を含み、直鎖状を有していればよく、分子中のビニル基量や分子量分布、あるいはその添加量が異なっていてもよい。
なお、絶縁性シリコーンゴム系硬化性組成物および導電性シリコーンゴム系硬化性組成物は、互いに異なるビニル基含有オルガノポリシロキサンをさらに含んでもよい。

上記ビニル基含有オルガノポリシロキサン（Ａ）は、直鎖構造を有するビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１）を含むことができる。

上記ビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１）は、直鎖構造を有し、かつ、ビニル基を含有しており、かかるビニル基が硬化時の架橋点となる。

ビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１）のビニル基の含有量は、特に限定されないが、例えば、分子内に２個以上のビニル基を有し、かつ１５モル％以下であるのが好ましく、０．０１〜１２モル％であるのがより好ましい。これにより、ビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１）中におけるビニル基の量が最適化され、後述する各成分とのネットワークの形成を確実に行うことができる。本実施形態において、「〜」は、その両端の数値を含むことを意味する。

なお、本明細書中において、ビニル基含有量とは、ビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１）を構成する全ユニットを１００モル％としたときのビニル基含有シロキサンユニットのモル％である。ただし、ビニル基含有シロキサンユニット１つに対して、ビニル基１つであると考える。

また、ビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１）の重合度は、特に限定されないが、例えば、好ましくは１０００〜１００００程度、より好ましくは２０００〜５０００程度の範囲内である。なお、重合度は、例えばクロロホルムを展開溶媒としたＧＰＣ（ゲル透過クロマトグラフィー）におけるポリスチレン換算の数平均重合度（又は数平均分子量）等として求めることができる。

さらに、ビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１）の比重は、特に限定されないが、０．９〜１．１程度の範囲であるのが好ましい。

ビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１）として、上記のような範囲内の重合度および比重を有するものを用いることにより、得られるシリコーンゴムの耐熱性、難燃性、化学的安定性等の向上を図ることができる。

ビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１）としては、特に、下記式（１）で表される構造を有するものであるが好ましい。

式（１）中、Ｒ^１は炭素数１〜１０の置換または非置換のアルキル基、アルケニル基、アリール基、またはこれらを組み合わせた炭化水素基である。炭素数１〜１０のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基等が挙げられ、中でも、メチル基が好ましい。炭素数１〜１０のアルケニル基としては、例えば、ビニル基、アリル基、ブテニル基等が挙げられ、中でも、ビニル基が好ましい。炭素数１〜１０のアリール基としては、例えば、フェニル基等が挙げられる。

また、Ｒ^２は炭素数１〜１０の置換または非置換のアルキル基、アルケニル基、アリール基、またはこれらを組み合わせた炭化水素基である。炭素数１〜１０のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基等が挙げられ、中でも、メチル基が好ましい。炭素数１〜１０のアルケニル基としては、例えば、ビニル基、アリル基、ブテニル基が挙げられる。炭素数１〜１０のアリール基としては、例えば、フェニル基が挙げられる。

また、Ｒ^３は炭素数１〜８の置換または非置換のアルキル基、アリール基、またはこれらを組み合わせた炭化水素基である。炭素数１〜８のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基等が挙げられ、中でも、メチル基が好ましい。炭素数１〜８のアリール基としては、例えば、フェニル基が挙げられる。

さらに、式（１）中のＲ^１およびＲ^２の置換基としては、例えば、メチル基、ビニル基等が挙げられ、Ｒ^３の置換基としては、例えば、メチル基等が挙げられる。

なお、式（１）中、複数のＲ^１は互いに独立したものであり、互いに異なっていてもよいし、同じであってもよい。さらに、Ｒ^２、およびＲ^３についても同様である。

さらに、ｍ、ｎは、式（１）で表されるビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１）を構成する繰り返し単位の数であり、ｍは０〜２０００の整数、ｎは１０００〜１００００の整数である。ｍは、好ましくは０〜１０００であり、ｎは、好ましくは２０００〜５０００である。

また、式（１）で表されるビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１）の具体的構造としては、例えば下記式（１−１）で表されるものが挙げられる。

式（１−１）中、Ｒ^１およびＲ^２は、それぞれ独立して、メチル基またはビニル基であり、少なくとも一方がビニル基である。

さらに、ビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１）としては、ビニル基含有量が分子内に２個以上のビニル基を有し、かつ０．４モル％以下である第１のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１−１）と、ビニル基含有量が０．５〜１５モル％である第２のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１−２）とを含有するものであるのが好ましい。シリコーンゴムの原料である生ゴムとして、一般的なビニル基含有量を有する第１のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１−１）と、ビニル基含有量が高い第２のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１−２）とを組み合わせることで、ビニル基を偏在化させることができ、シリコーンゴムの架橋ネットワーク中に、より効果的に架橋密度の疎密を形成することができる。その結果、より効果的にシリコーンゴムの引裂強度を高めることができる。

具体的には、ビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１）として、例えば、上記式（１−１）において、Ｒ^１がビニル基である単位および／またはＲ^２がビニル基である単位を、分子内に２個以上有し、かつ０．４モル％以下を含む第１のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１−１）と、Ｒ^１がビニル基である単位および／またはＲ^２がビニル基である単位を、０．５〜１５モル％含む第２のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１−２）とを用いるのが好ましい。

また、第１のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１−１）は、ビニル基含有量が０．０１〜０．２モル％であるのが好ましい。また、第２のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１−２）は、ビニル基含有量が、０．８〜１２モル％であるのが好ましい。

さらに、第１のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１−１）と第２のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１−２）とを組み合わせて配合する場合、（Ａ１−１）と（Ａ１−２）の比率は特に限定されないが、例えば、重量比で（Ａ１−１）：（Ａ１−２）が５０：５０〜９５：５であるのが好ましく、８０：２０〜９０：１０であるのがより好ましい。

なお、第１および第２のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１−１）および（Ａ１−２）は、それぞれ１種のみを用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。

また、ビニル基含有オルガノポリシロキサン（Ａ）は、分岐構造を有するビニル基含有分岐状オルガノポリシロキサン（Ａ２）を含んでもよい。

＜＜オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ）＞＞
本実施形態のシリコーンゴム系硬化性組成物は、架橋剤を含んでもよい。架橋剤は、オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ）を含むことができる。
オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ）は、直鎖構造を有する直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ１）と分岐構造を有する分岐状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ２）とに分類され、これらのうちのいずれか一方または双方を含むことができる。

絶縁性シリコーンゴム系硬化性組成物および導電性シリコーンゴム系硬化性組成物は、同種の架橋剤を含んでもよい。同種の架橋剤とは、少なくとも直鎖構造や分岐構造などの共通の構造を有していればよく、分子中の分子量分布や異なる官能基が含まれていてもよく、その添加量が異なっていてもよい。
なお、絶縁性シリコーンゴム系硬化性組成物および導電性シリコーンゴム系硬化性組成物は、互いに異なる架橋剤をさらに含んでもよい。

直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ１）は、直鎖構造を有し、かつ、Ｓｉに水素が直接結合した構造（≡Ｓｉ−Ｈ）を有し、ビニル基含有オルガノポリシロキサン（Ａ）のビニル基の他、シリコーンゴム系硬化性組成物に配合される成分が有するビニル基とヒドロシリル化反応し、これらの成分を架橋する重合体である。

直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ１）の分子量は特に限定されないが、例えば、重量平均分子量が２００００以下であるのが好ましく、１０００以上、１００００以下であることがより好ましい。

なお、直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ１）の重量平均分子量は、例えばクロロホルムを展開溶媒としたＧＰＣ（ゲル透過クロマトグラフィー）におけるポリスチレン換算により測定することができる。

また、直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ１）は、通常、ビニル基を有しないものであるのが好ましい。これにより、直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ１）の分子内において架橋反応が進行するのを的確に防止することができる。

以上のような直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ１）としては、例えば、下記式（２）で表される構造を有するものが好ましく用いられる。

式（２）中、Ｒ^４は炭素数１〜１０の置換または非置換のアルキル基、アルケニル基、アリール基、これらを組み合わせた炭化水素基、またはヒドリド基である。炭素数１〜１０のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基等が挙げられ、中でも、メチル基が好ましい。炭素数１〜１０のアルケニル基としては、例えば、ビニル基、アリル基、ブテニル基等が挙げられる。炭素数１〜１０のアリール基としては、例えば、フェニル基が挙げられる。

また、Ｒ^５は炭素数１〜１０の置換または非置換のアルキル基、アルケニル基、アリール基、これらを組み合わせた炭化水素基、またはヒドリド基である。炭素数１〜１０のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基が挙げられ、中でも、メチル基が好ましい。炭素数１〜１０のアルケニル基としては、例えば、ビニル基、アリル基、ブテニル基等が挙げられる。炭素数１〜１０のアリール基としては、例えば、フェニル基が挙げられる。

なお、式（２）中、複数のＲ^４は互いに独立したものであり、互いに異なっていてもよいし、同じであってもよい。Ｒ^５についても同様である。ただし、複数のＲ^４およびＲ^５のうち、少なくとも２つ以上がヒドリド基である。

また、Ｒ^６は炭素数１〜８の置換または非置換のアルキル基、アリール基、またはこれらを組み合わせた炭化水素基である。炭素数１〜８のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基等が挙げられ、中でも、メチル基が好ましい。炭素数１〜８のアリール基としては、例えば、フェニル基が挙げられる。複数のＲ^６は互いに独立したものであり、互いに異なっていてもよいし、同じであってもよい。

なお、式（２）中のＲ^４，Ｒ^５，Ｒ^６の置換基としては、例えば、メチル基、ビニル基等が挙げられ、分子内の架橋反応を防止する観点から、メチル基が好ましい。

さらに、ｍ、ｎは、式（２）で表される直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ１）を構成する繰り返し単位の数であり、ｍは２〜１５０整数、ｎは２〜１５０の整数である。好ましくは、ｍは２〜１００の整数、ｎは２〜１００の整数である。

なお、直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ１）は、１種のみを単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。

分岐状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ２）は、分岐構造を有するため、架橋密度が高い領域を形成し、シリコーンゴムの系中の架橋密度の疎密構造形成に大きく寄与する成分である。また、上記直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ１）同様、Ｓｉに水素が直接結合した構造（≡Ｓｉ−Ｈ）を有し、ビニル基含有オルガノポリシロキサン（Ａ）のビニル基の他、シリコーンゴム系硬化性組成物に配合される成分のビニル基とヒドロシリル化反応し、これら成分を架橋する重合体である。

また、分岐状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ２）の比重は、０．９〜０．９５の範囲である。

さらに、分岐状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ２）は、通常、ビニル基を有しないものであるのが好ましい。これにより、分岐状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ２）の分子内において架橋反応が進行するのを的確に防止することができる。

また、分岐状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ２）としては、下記平均組成式（ｃ）で示されるものが好ましい。

平均組成式（ｃ）
（Ｈ_ａ（Ｒ^７）_３−ａＳｉＯ_１／２）_ｍ（ＳｉＯ_４／２）_ｎ
（式（ｃ）において、Ｒ^７は一価の有機基、ａは１〜３の範囲の整数、ｍはＨ_ａ（Ｒ^７）_３−ａＳｉＯ_１／２単位の数、ｎはＳｉＯ_４／２単位の数である）

式（ｃ）において、Ｒ^７は一価の有機基であり、好ましくは、炭素数１〜１０の置換または非置換のアルキル基、アリール基、またはこれらを組み合わせた炭化水素基である。炭素数１〜１０のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基等が挙げられ、中でも、メチル基が好ましい。炭素数１〜１０のアリール基としては、例えば、フェニル基が挙げられる。

式（ｃ）において、ａは、ヒドリド基（Ｓｉに直接結合する水素原子）の数であり、１〜３の範囲の整数、好ましくは１である。

また、式（ｃ）において、ｍはＨ_ａ（Ｒ^７）_３−ａＳｉＯ_１／２単位の数、ｎはＳｉＯ_４／２単位の数である。

分岐状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ２）は分岐状構造を有する。直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ１）と分岐状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ２）は、その構造が直鎖状か分岐状かという点で異なり、Ｓｉの数を１とした時のＳｉに結合するアルキル基Ｒの数（Ｒ／Ｓｉ）が、直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ１）では１．８〜２．１、分岐状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ２）では０．８〜１．７の範囲となる。

なお、分岐状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ２）は、分岐構造を有しているため、例えば、窒素雰囲気下、１０００℃まで昇温速度１０℃／分で加熱した際の残渣量が５％以上となる。これに対して、直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ１）は、直鎖状であるため、上記条件で加熱した後の残渣量はほぼゼロとなる。

また、分岐状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ２）の具体例としては、下記式（３）で表される構造を有するものが挙げられる。

式（３）中、Ｒ^７は炭素数１〜８の置換または非置換のアルキル基、アリール基、またはこれらを組み合わせた炭化水素基、もしくは水素原子である。炭素数１〜８のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基等が挙げられ、中でも、メチル基が好ましい。炭素数１〜８のアリール基としては、例えば、フェニル基が挙げられる。Ｒ^７の置換基としては、例えば、メチル基等が挙げられる。

なお、式（３）中、複数のＲ^７は互いに独立したものであり、互いに異なっていてもよいし、同じであってもよい。

また、式（３）中、「−Ｏ−Ｓｉ≡」は、Ｓｉが三次元に広がる分岐構造を有することを表している。

なお、分岐状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ２）は、１種のみを単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。

また、直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ１）と分岐状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ２）において、Ｓｉに直接結合する水素原子（ヒドリド基）の量は、それぞれ、特に限定されない。ただし、シリコーンゴム系硬化性組成物において、ビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１）中のビニル基１モルに対し、直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ１）と分岐状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ２）の合計のヒドリド基量が、０．５〜５モルとなる量が好ましく、１〜３．５モルとなる量がより好ましい。これにより、直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ１）および分岐状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ２）と、ビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１）との間で、架橋ネットワークを確実に形成させることができる。

＜＜シリカ粒子（Ｃ）＞＞
本実施形態に係るシリコーンゴム系硬化性組成物は、非導電性フィラーを含む。非導電性フィラーは、必要に応じ、シリカ粒子（Ｃ）を含んでもよい。これにより、エラストマーの硬さや機械的強度の向上を図ることができる。

絶縁性シリコーンゴム系硬化性組成物および導電性シリコーンゴム系硬化性組成物は、同種の非導電性フィラーを含んでもよい。同種の非導電性フィラーとは、少なくとも共通の構成材料を有していればよく、粒子径、比表面積、表面処理剤、又はその添加量が異なっていてもよい。
なお、絶縁性シリコーンゴム系硬化性組成物および導電性シリコーンゴム系硬化性組成物は、互いに異なるシランカップリング剤をさらに含んでもよい。

シリカ粒子（Ｃ）としては、特に限定されないが、例えば、ヒュームドシリカ、焼成シリカ、沈降シリカ等が用いられる。これらを単独で用いても２種以上を組み合わせて用いてもよい。

シリカ粒子（Ｃ）は、例えば、ＢＥＴ法による比表面積が例えば５０〜４００ｍ^２／ｇであるのが好ましく、１００〜４００ｍ^２／ｇであるのがより好ましい。また、シリカ粒子（Ｃ）の平均一次粒径は、例えば１〜１００ｎｍであるのが好ましく、５〜２０ｎｍ程度であるのがより好ましい。

シリカ粒子（Ｃ）として、かかる比表面積および平均粒径の範囲内であるものを用いることにより、形成されるシリコーンゴムの硬さや機械的強度の向上、特に引張強度の向上をさせることができる。

＜＜シランカップリング剤（Ｄ）＞＞
本実施形態のシリコーンゴム系硬化性組成物は、シランカップリング剤（Ｄ）を含むことができる。
シランカップリング剤（Ｄ）は、加水分解性基を有することができる。加水分解基が水により加水分解されて水酸基になり、この水酸基がシリカ粒子（Ｃ）表面の水酸基と脱水縮合反応することで、シリカ粒子（Ｃ）の表面改質を行うことができる。

絶縁性シリコーンゴム系硬化性組成物および導電性シリコーンゴム系硬化性組成物は、同種のシランカップリング剤を含んでもよい。同種のシランカップリング剤とは、少なくとも共通の官能基を有していればよく、分子中の他の官能基や添加量が異なっていてもよい。
なお、絶縁性シリコーンゴム系硬化性組成物および導電性シリコーンゴム系硬化性組成物は、互いに異なるシランカップリング剤をさらに含んでもよい。

また、このシランカップリング剤（Ｄ）は、疎水性基を有するシランカップリング剤を含むことができる。これにより、シリカ粒子（Ｃ）の表面にこの疎水性基が付与されるため、シリコーンゴム系硬化性組成物中ひいてはシリコーンゴム中において、シリカ粒子（Ｃ）の凝集力が低下（シラノール基による水素結合による凝集が少なくなる）し、その結果、シリコーンゴム系硬化性組成物中のシリカ粒子（Ｃ）の分散性が向上すると推測される。これにより、シリカ粒子（Ｃ）とゴムマトリックスとの界面が増加し、シリカ粒子（Ｃ）の補強効果が増大する。さらに、ゴムのマトリックス変形の際、マトリックス内でのシリカ粒子（Ｃ）の滑り性が向上すると推測される。そして、シリカ粒子（Ｃ）の分散性の向上及び滑り性の向上によって、シリカ粒子（Ｃ）によるシリコーンゴムの機械的強度（例えば、引張強度や引裂強度など）が向上する。

さらに、シランカップリング剤（Ｄ）は、ビニル基を有するシランカップリング剤を含むことができる。これにより、シリカ粒子（Ｃ）の表面にビニル基が導入される。そのため、シリコーンゴム系硬化性組成物の硬化の際、すなわち、ビニル基含有オルガノポリシロキサン（Ａ）が有するビニル基と、オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ）が有するヒドリド基とがヒドロシリル化反応して、これらによるネットワーク（架橋構造）が形成される際に、シリカ粒子（Ｃ）が有するビニル基も、オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ）が有するヒドリド基とのヒドロシリル化反応に関与するため、ネットワーク中にシリカ粒子（Ｃ）も取り込まれるようになる。これにより、形成されるシリコーンゴムの低硬度化および高モジュラス化を図ることができる。

シランカップリング剤（Ｄ）としては、疎水性基を有するシランカップリング剤およびビニル基を有するシランカップリング剤を併用することができる。

シランカップリング剤（Ｄ）としては、例えば、下記式（４）で表わされるものが挙げられる。

Ｙ_ｎ−Ｓｉ−（Ｘ）_４−ｎ・・・（４）
上記式（４）中、ｎは１〜３の整数を表わす。Ｙは、疎水性基、親水性基またはビニル基を有するもののうちのいずれかの官能基を表わし、ｎが１の時は疎水性基であり、ｎが２または３の時はその少なくとも１つが疎水性基である。Ｘは、加水分解性基を表わす。

疎水性基は、炭素数１〜６のアルキル基、アリール基、またはこれらを組み合わせた炭化水素基であり、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、フェニル基等が挙げられ、中でも、特に、メチル基が好ましい。

また、親水性基は、例えば、水酸基、スルホン酸基、カルボキシル基またはカルボニル基等が挙げられ、中でも、特に、水酸基が好ましい。なお、親水性基は、官能基として含まれていてもよいが、シランカップリング剤（Ｄ）に疎水性を付与するという観点からは含まれていないのが好ましい。

さらに、加水分解性基は、メトキシ基、エトキシ基のようなアルコキシ基、クロロ基またはシラザン基等が挙げられ、中でも、シリカ粒子（Ｃ）との反応性が高いことから、シラザン基が好ましい。なお、加水分解性基としてシラザン基を有するものは、その構造上の特性から、上記式（４）中の（Ｙ_ｎ−Ｓｉ−）の構造を２つ有するものとなる。

上記式（４）で表されるシランカップリング剤（Ｄ）の具体例は、次の通りである。
上記官能基として疎水性基を有するものとして、例えば、メチルトリメトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、ｎ−プロピルトリメトキシシラン、ｎ−プロピルトリエトキシシラン、ヘキシルトリメトキシシラン、ヘキシルトリエトキシシラン、デシルトリメトキシシランのようなアルコキシシラン；メチルトリクロロシラン、ジメチルジクロロシラン、トリメチルクロロシラン、フェニルトリクロロシランのようなクロロシラン；ヘキサメチルジシラザンが挙げられる。この中でも、ヘキサメチルジシラザン、トリメチルクロロシラン、トリメチルメトキシシラン、及びトリメチルエトキシシランからなる群から選択される一種以上を含むトリメチルシリル基を有するシランカップリング剤が好ましい。

上記官能基としてビニル基を有するものとして、例えば、メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン、メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、メタクリロキシプロピルメチルジエトキシシラン、メタクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルメチルジメトキシシランのようなアルコキシシラン；ビニルトリクロロシラン、ビニルメチルジクロロシランのようなクロロシラン；ジビニルテトラメチルジシラザンが挙げられる。この中でも、メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン、メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、メタクリロキシプロピルメチルジエトキシシラン、メタクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、ジビニルテトラメチルジシラザン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、及びビニルメチルジメトキシシランからなる群から選択される一種以上を含むビニル基含有オルガノシリル基を有するシランカップリング剤が好ましい。

またシランカップリング剤（Ｄ）がトリメチルシリル基を有するシランカップリング剤およびビニル基含有オルガノシリル基を有するシランカップリング剤の２種を含む場合、疎水性基を有するものとしてはヘキサメチルジシラザン、ビニル基を有するものとしてはジビニルテトラメチルジシラザンを含むことが好ましい。

トリメチルシリル基を有するシランカップリング剤（Ｄ１）およびビニル基含有オルガノシリル基を有するシランカップリング剤（Ｄ２）を併用する場合、（Ｄ１）と（Ｄ２）の比率は、特に限定されないが、例えば、重量比で（Ｄ１）：（Ｄ２）が、１：０．００１〜１：０．３５、好ましくは１：０．０１〜１：０．２０、より好ましくは１：０．０３〜１：０．１５である。このような数値範囲とすることにより、所望のシリコーンゴムの物性を得ることができる。具体的には、ゴム中におけるシリカの分散性およびゴムの架橋性のバランスを図ることができる。

本実施形態において、シランカップリング剤（Ｄ）の含有量の下限値は、ビニル基含有オルガノポリシロキサン（Ａ）の合計量１００重量部に対して、１質量％以上であることが好ましく、３質量％以上であることがより好ましく、５質量％以上であることがさらに好ましい。また、シランカップリング剤（Ｄ）の含有量上限値は、ビニル基含有オルガノポリシロキサン（Ａ）の合計量１００重量部に対して、１００質量％以下であることが好ましく、８０質量％以下であることがより好ましく、４０質量％以下であることがさらに好ましい。
シランカップリング剤（Ｄ）の含有量を上記下限値以上とすることにより、エラストマーを含む柱状部と導電性樹脂層との密着性を高めることができる。また、シリコーンゴムの機械的強度の向上に資することができる。また、シランカップリング剤（Ｄ）の含有量を上記上限値以下とすることにより、シリコーンゴムが適度な機械特性を持つことができる。

＜＜白金または白金化合物（Ｅ）＞＞
本実施形態に係るシリコーンゴム系硬化性組成物は、触媒を含んでもよい。触媒は、白金または白金化合物（Ｅ）を含むことができる。白金または白金化合物（Ｅ）は、硬化の際の触媒として作用する触媒成分である。白金または白金化合物（Ｅ）の添加量は触媒量である。

絶縁性シリコーンゴム系硬化性組成物および導電性シリコーンゴム系硬化性組成物は、同種の触媒を含んでもよい。同種の触媒とは、少なくとも共通の構成材料を有していればよく、触媒中に異なる組成が含まれていてもよく、その添加量が異なっていてもよい。
なお、絶縁性シリコーンゴム系硬化性組成物および導電性シリコーンゴム系硬化性組成物は、互いに異なる触媒をさらに含んでもよい。

白金または白金化合物（Ｅ）としては、公知のものを使用することができ、例えば、白金黒、白金をシリカやカーボンブラック等に担持させたもの、塩化白金酸または塩化白金酸のアルコール溶液、塩化白金酸とオレフィンの錯塩、塩化白金酸とビニルシロキサンとの錯塩等が挙げられる。

なお、白金または白金化合物（Ｅ）は、１種のみを単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。

本実施形態において、シリコーンゴム系硬化性組成物中における白金または白金化合物（Ｅ）の含有量は、触媒量を意味し、適宜設定することができるが、具体的にはビニル基含有オルガノポリシロキサン（Ａ）、シリカ粒子（Ｃ）、シランカップリング剤（Ｄ）の合計量１００重量部に対して、白金族金属が重量単位で０．０１〜１０００ｐｐｍとなる量であり、好ましくは、０．１〜５００ｐｐｍとなる量である。
白金または白金化合物（Ｅ）の含有量を上記下限値以上とすることにより、シリコーンゴム系硬化性組成物が適切な速度で硬化することが可能となる。また、白金または白金化合物（Ｅ）の含有量を上記上限値以下とすることにより、製造コストの削減に資することができる。

＜＜水（Ｆ）＞＞
また、本実施形態に係るシリコーンゴム系硬化性組成物には、上記成分（Ａ）〜（Ｅ）以外に、水（Ｆ）が含まれていてもよい。

水（Ｆ）は、シリコーンゴム系硬化性組成物に含まれる各成分を分散させる分散媒として機能するとともに、シリカ粒子（Ｃ）とシランカップリング剤（Ｄ）との反応に寄与する成分である。そのため、シリコーンゴム中において、シリカ粒子（Ｃ）とシランカップリング剤（Ｄ）とを、より確実に互いに連結したものとすることができ、全体として均一な特性を発揮することができる。

（その他の成分）
さらに、本実施形態のシリコーンゴム系硬化性組成物は、上記（Ａ）〜（Ｆ）成分以外に、他の成分をさらに含むことができる。この他の成分としては、例えば、珪藻土、酸化鉄、酸化亜鉛、酸化チタン、酸化バリウム、酸化マグネシウム、酸化セリウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、炭酸亜鉛、ガラスウール、マイカ等のシリカ粒子（Ｃ）以外の無機充填材、反応阻害剤、分散剤、顔料、染料、帯電防止剤、酸化防止剤、難燃剤、熱伝導性向上剤等の添加剤が挙げられる。

本実施形態に係る導電性溶液（導電性シリコーンゴム組成物）は、導電性フィラーを含まない上記シリコーンゴム系硬化性組成物に加えて、上記導電性フィラーおよび溶剤を含むものである。

上記溶剤としては、公知の各種溶剤を用いることができるが、例えば、高沸点溶剤を含むことができる。これらを単独で用いても２種以上を組み合わせて用いてもよい。

上記溶剤の一例としては、例えば、ペンタン、ヘキサン、シクロヘキサン、ヘプタン、メチルシクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、オクタン、デカン、ドデカン、テトラデカンなどの脂肪族炭化水素類；ベンゼン、トルエン、エチルベンゼン、キシレン、トリフルオロメチルベンゼン、ベンゾトリフルオリドなどの芳香族炭化水素類；ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジブチルエーテル、シクロペンチルメチルエーテル、シクロペンチルエチルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、１，４−ジオキサン、１，３−ジオキサン、テトラヒドロフランなどのエーテル類；ジクロロメタン、クロロホルム、１，１−ジクロロエタン、１，２−ジクロロエタン、１，１，１−トリクロロエタン、１，１，２−トリクロロエタンなどのハロアルカン類；Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミドなどのカルボン酸アミド類；ジメチルスルホキシド、ジエチルスルホキシドなどのスルホキシド類などを例示することができる。これらを単独で用いても２種以上を組み合わせて用いてもよい。

上記導電性溶液は、溶液中の固形分量などを調整することで、スプレー塗布やディップ塗布等の各種の塗布方法に適切な粘度を備えることができる。

また、上記導電性溶液が上記導電性フィラーおよび上記シリカ粒子（Ｃ）を含む場合、電極１３が含むシリカ粒子（Ｃ）の含有量の下限値は、シリカ粒子（Ｃ）および導電性フィラーの合計量１００質量％に対して、例えば、１質量％以上であり、好ましくは３質量％以上であり、より好ましくは５質量％以上とすることができる。これにより、電極１３の機械的強度を向上させることができる。一方で、上記電極１３が含むシリカ粒子（Ｃ）の含有量の上限値は、シリカ粒子（Ｃ）および導電性フィラーの合計量１００質量％に対して、例えば、２０質量％以下であり、好ましくは１５質量％以下であり、より好ましくは１０質量％以下である。これにより、電極１３における導電性と機械的強度や柔軟性とのバランスを図ることができる。

導電性溶液を必要に応じて加熱乾燥することで、導電性シリコーンゴムが得られる。
導電性シリコーンゴムは、シリコーンオイルを含まない構成であってもよい。これにより、電極１３の表面にシリコーンオイルがブリードアウトすることで導通性が低下することを抑制できる。

これにより、頭部９９への良好な追従性と所望の強度の両立を実現できる。また、脳波検出用電極１０を装着した際の突起部１２による不快感の発生を回避できる。その結果、安定した脳波検出が可能となる。なお、脳波検出用電極１０を装着する被験者の特性に応じて、例えば「大人」であるか「子供」であるか、頭皮が敏感であるかないか、頭髪が硬いか柔らかいか等に応じて、ゴム硬度Ａが選択されてもよい。

バンド部材１１をシリコーンゴムで成形する際に、シリコーンゴム系硬化性組成物等の硬化性エラストマー組成物を金型成形することで、バンド部材１１と複数の突起部１２とをシームレスで結合した成形体が得られる。これにより、柔軟性（すなわち頭部９９に追従可能な可撓性）と強度に優れて、頭部９９に良好に追従する脳波検出用電極１０を実現できる。なお、シリコーンゴム系硬化性組成物中に含まれる各成分の種類や配合量、シリコーンゴム系硬化性組成物の調製方法等を適切に選択することにより、ゴム硬度Ａすなわち柔軟性を制御できる。

＜脳波検出用電極１０の製造方法＞
本実施形態の脳波検出用電極１０の製造方法の一例は次の工程を含むことができる。
まず、金型を用いて、上記シリコーンゴム系硬化性組成物を加熱加圧成形し、バンド部材１１および突起部１２からなる成形体を得る。続いて、得られた成形体の各突起部１２の内部に、縫い針を用いて、信号線１４を通した。その後得られた成形体の突起部１２の先端部分の表面（所定高さｈ２）に、ペースト状の導電性溶液をディップ塗布し、加熱乾燥後、ポストキュアを行う。これにより、突起部１２の表面に電極１３を形成できる。
以上により、脳波検出用電極１０を製造することができる。
なお、上記成形工程時において、信号線１４を配置した成形空間内に、上記シリコーンゴム系硬化性組成物を導入し、加圧加熱成形するインサート成形を用いてもよい。

＜実施形態の効果＞
実施形態の特徴および効果をまとめると次の通りである。
（１）脳波検出用電極１０は、人間の頭部９９の形状に追随して装着されるゴム状の弾性体のバンド部材１１と、
バンド部材１１の一面に、バンド部材１１と一体に設けられた、複数の弾性体の突起部１２と、
を有し、
突起部１２の少なくとも先端部が、導電部材からなる電極１３を構成している。
バンド部材１１がゴム状の弾性体であることから、人の頭部９９の形状に追従する。その結果、人の頭部９９の形状によらず、脳波検出用電極１０の装着が可能となる。また、複数の突起部１２のバンド部材１１の全体に配置することで、装着時の圧力を分散させることができる。さらに、装着した際に、頭部９９の形状に追従する柔軟性を有することから、特定の突起部１２（電極１３）に圧力が集中することがなく、人に不快を感じさせることを回避できる。換言すると、不快に感じることで測定結果に影響を及ぼすことを回避できる。また、バンド部材１１が弾性体であり可撓性を有するため、突起部１２の電極１３が、頭部９９に適切な向きで、かつ適切な圧力で当接する。この観点でも、脳波検出を安定化できる。
（２）隣接する突起部１２同士は１ｍｍ以上２０ｍｍ以下のピッチＰで構成されている。
このようなピッチＰとすることで、頭部９９への追従を良好にでき、頭部９９への違和感を一層排除できる。
（３）導電部材（電極１３）は良導電性金属を含むペーストからなる。すなわち、電極１３の材料をペーストとすることで、突起部１２の先端部分へ電極１３を安定的に形成できる。また、上述のようにペースト状の導電性溶液にディップ（浸漬塗布）することで形成できるため、電極１３を形成する厚さや範囲（所定高さｈ２）の制御が容易である。
（４）良導電性金属は、銅、銀、金、ニッケル、錫、鉛、亜鉛、ビスマス、アンチモン、或いはこれらの合金からなる群から選択される一種以上を含む。
これらの良導電性金属を選択することで、電極１３の製造が容易になり、製造品質を安定させることができる。特に、脳波検出用電極１０の電極１３には、銀、塩化銀を含む良導電性金属のペーストが好適である。
（５）バンド部材１１はシリコーンゴムである。
シリコーンゴムは、弾性の程度（柔軟性）や可撓性、耐久性（耐候性、耐薬品性）の観点から非常にバランスがとれており、かつ製造が容易でコストを抑えられる。すなわち、良好な装着性を実現しつつ耐用期限を大きくでき、また、使用毎の洗浄にも耐えることができ、清潔な状態で脳波検出用電極１０を頭部９９に装着できる。
（６）突起部１２は一列に配置されている。
突起部１２を一列に配置することで、頭部９９へ適切に追従させ、突起部１２（電極１３）を安定して頭部９９に当接させることができる。

≪第２の実施形態≫
＜実施形態の構成＞
図８に本実施形態の脳波検出用電極１０Ａの平面図を示す。第１の実施形態と異なる点は、主に、突起部１２の配置にある。すなわち、第１の実施形態では、複数の突起部１２が一列に同じ向きで配列していた。
一方、本実施形態では、複数の突起部１２が二列に並んでいる。すなわち、第１の実施形態の突起部１２の並びをもう一列追加した構成といえる。換言すると、複数の突起部１２が格子状（正格子状）に配置されている。

＜実施形態の効果＞
本実施形態の脳波検出用電極１０Ａでは、複数の突起部１２が格子状（正格子状）に配置されている。これによって、第１の実施形態の効果を実現できるとともに、脳波検出にとって好適な突起部１２（すなわち電極１３）の配置が可能となる。すなわち、安定した脳波検出を実現できる。

≪第３の実施形態≫
＜実施形態の構成＞
図９に本実施形態の脳波検出用電極１０Ｂの平面図を示す。第１の実施形態と異なる点は、主に、突起部１２の配置にある。すなわち、第１の実施形態では、複数の突起部１２が一列に同じ向きで配列していた。
一方、本実施形態では、複数の突起部１２が二列に並んでいる。ただし、第２の実施形態の脳波検出用電極１０Ａと異なり、突起部１２の並びが互い違いになっている。換言すると、複数の突起部１２が千鳥格子状に配置されている。

＜実施形態の効果＞
本実施形態の脳波検出用電極１０Ｂでは、複数の突起部１２が千鳥格子状に配置されている。これによって、第１の実施形態の効果を実現できるとともに、脳波検出にとって好適な突起部１２（すなわち電極１３）の配置が可能となる。すなわち、安定した脳波検出を実現できる。

≪第４の実施形態≫
＜実施形態の構成＞
図１０に本実施形態の脳波検出用電極１０Ｃの平面図を示す。本実施形態の特徴は、複数の突起部１２が二列に並んでおり、前側の列（＋Ｙ側列）の突起部１２の数（密度）が少なくなっている点にある。具体的には、図示で後側の列（−Ｙ側列）の突起部１２は、所定の第１のピッチＰ_ｃ１で配置されている。また、奥側の列（＋Ｙ側）の突起部１２は、所定の第２のピッチＰ_ｃ２（例えば第１のピッチＰ_ｃ１の２倍）で配置されている。言い換えると、複数の突起部１２が互い違いかつ密度違いに配置されているとも言える。

＜実施形態の効果＞
本実施形態の脳波検出用電極１０Ｃでは、複数の突起部１２が互い違いかつ密度違いに配置されている。これによって、第１の実施形態の効果を実現できるとともに、脳波検出にとって好適な突起部１２（すなわち電極１３）の配置が可能となる。すなわち、安定した脳波検出を実現できる。具体的には、人の頭部９９は、共通する一定の形状を有する。また、脳波検出用電極１０が装着され頭部９９の位置、装着する際に触れる頭部９９の位置の形状に一定の特徴がある。脳波検出用電極１０Ｃによれば、そのような特徴に対しても良好に追従することができる。

≪第５の実施形態≫
＜実施形態の構成＞
図１１に本実施形態の脳波検出用電極１０Ｄの平面図を示す。本実施形態の脳波検出用電極１０Ｄでは、複数の突起部１２が一列に配置されている点では第１の実施形態と同じであるが、突起部１２の向きが異なる。これにより毛髪の流れに適切に対応させる。
具体的には、図示で左側半分（左側の８個）の突起部１２の向きが右向き（すなわちバンド部材１１の長手方向中央向き）であり、図示で右側半分（右側の８個）の突起部１２の向きが左向き（すなわちバンド部材１１の長手方向中央向き）である。言い換えると、脳波検出用電極１０を頭部９９に装着したときに、それぞれの突起部１２は、頭部９９の頂部を向いていると言える。

＜実施形態の効果＞
本実施形態の脳波検出用電極１０Ｄでは、上述のように脳波検出用電極１０を頭部９９に装着したときに、それぞれの突起部１２は、頭部９９の頂部を向いている。したがって、頭部９９の毛髪の流れや量に対して適切に追従して脳波検出用電極１０を装着することができる。特に、バンド部材１１を平らな状態から湾曲させて状態で装着する場合に、突起部１２のなだらかな辺から頭部９９に接することになるため、不快感を与えることを回避できる。

≪第６の実施形態≫
＜実施形態の構成＞
図１２に本実施形態の脳波検出用電極１０Ｅの平面図を示す。本実施形態の脳波検出用電極１０Ｅでは、複数の突起部１２が一列に配置されている点では第１、５の実施形態と同じであるが、突起部１２の向きが異なる。これにより毛髪の流れに適切に対応させる。
具体的には、図示で左側半分（左側の８個）の突起部１２の向きが左向き（すなわちバンド部材１１の長手方向の左端部側向き）であり、図示で右側半分（右側の８個）の突起部１２の向きが右向き（すなわちバンド部材１１の長手方向の右端部側向き）である。言い換えると、脳波検出用電極１０を頭部９９に装着したときに、それぞれの突起部１２は、頭部９９の頂部から下側（耳の位置側）に向いていると言える。

＜実施形態の効果＞
本実施形態の脳波検出用電極１０Ｅでは、上述のように脳波検出用電極１０を頭部９９に装着したときに、それぞれの突起部１２は、頭部９９の頂部から下側を向いている。したがって、頭部９９の毛髪の流れや量に対して適切に追従して脳波検出用電極１０を装着することができる。特に、バンド部材１１をバンド内面１１ａにある程度湾曲させた状態で装着する場合に、突起部１２のなだらかな辺から頭部９９に接することになるため、不快感を与えることを回避できる。

≪第７の実施形態≫
＜実施形態の構成＞
図１３に本実施形態の脳波検出用電極１０Ｆの平面図を示す。本実施形態の脳波検出用電極１０Ｆでは、第５の実施形態の脳波検出用電極１０Ｄにおける突起部１２の配置に、さらに、バンド部材１１の長手方向中央において、互いに向きを対向させた二つの突起部１２を追加して設けている。
具体的には、追加した二つの対向する突起部１２について、図示で前側（＋Ｙ側）の突起部１２は後向き（−Ｙ方向）であり、図示で後側（−Ｙ側）の突起部１２は前向き（＋Ｙ方向）である。すなわち、上面視でバンド部材１１（バンド内面１１ａ）の中心（長手方向及び短手方向の各中央）に向いた二つの対向する突起部１２が設けられている。

＜実施形態の効果＞
本実施形態の脳波検出用電極１０Ｆでは、第５の実施形態の脳波検出用電極１０Ｄと同様の効果が得られる。さらに、上述の二つの対向する突起部１２を追加したことで、脳波検出用電極１０の頭部９９への装着を安定させることができる。

≪第８の実施形態≫
＜実施形態の構成＞
図１４に本実施形態の脳波検出用電極１０Ｇの平面図を示す。本実施形態の脳波検出用電極１０Ｇでは、第６の実施形態の脳波検出用電極１０Ｅにおける突起部１２の配置に、さらに、バンド部材１１の長手方向中央において、互いに向きを背向させた二つの突起部１２を追加して設けている。
具体的には、追加した二つの背向する突起部１２について、図示で前側（＋Ｙ側）の突起部１２は前向き（＋Ｙ方向）であり、図示で後側（−Ｙ側）の突起部１２は後向き（−Ｙ方向）である。すなわち、上面視でバンド部材１１（バンド内面１１ａ）の中心（長手方向及び短手方向の各中央）で二つの背向した突起部１２が設けられている。

＜実施形態の効果＞
本実施形態の脳波検出用電極１０Ｇでは、第６の実施形態の脳波検出用電極１０Ｅと同様の効果が得られる。さらに、上述の二つの背向する突起部１２を追加したことで、脳波検出用電極１０の頭部９９への装着性、特に突起部１２が毛髪を分け入って安定させる機能を向上させることができる。

≪第９の実施形態≫
本実施形態の脳波検出用電極１０Ｈでは、第５の実施形態の脳波検出用電極１０Ｄにおける複数の突起部１２の列を前後２列としたものである。言い換えると第２の実施形態と第５の実施形態の特徴をあわせたものともも言える。
具体的には、前後のそれぞれの列において、図示で左側半分（左側の各列８個）の突起部１２の向きが右向き（すなわちバンド部材１１の長手方向中央向き）であり、図示で右側半分（右側の各列８個）の突起部１２の向きが左向き（すなわちバンド部材１１の長手方向中央向き）である。

＜実施形態の効果＞
本実施形態の脳波検出用電極１０Ｈでは、第５の実施形態の脳波検出用電極１０Ｄと同様の効果が得られる。さらに、複数の突起部１２の配置を手前及び奥の２列としたことで、第２の実施形態の脳波検出用電極１０Ｂと同様の効果、すなわち、脳波検出にとって好適な突起部１２（すなわち電極１３）の配置が可能となり、安定した脳波検出を実現できる。

≪第１０の実施形態≫
本実施形態の脳波検出用電極１０Ｉでは、第６の実施形態の脳波検出用電極１０Ｅにおける複数の突起部１２の列を前後２列としたものである。言い換えると第２の実施形態と第６の実施形態の特徴をあわせたものとも言える。
具体的には、前後のそれぞれの列において、図示で左側半分（左側の各列８個）の突起部１２の向きが左向き（すなわちバンド部材１１の長手方向の左端部側向き）であり、図示で右側半分（右側の各列８個）の突起部１２の向きが右向き（すなわちバンド部材１１の長手方向の右端部側向き）である。

＜実施形態の効果＞
本実施形態の脳波検出用電極１０Ｉでは、第５の実施形態の脳波検出用電極１０Ｅと同様の効果が得られる。さらに、複数の突起部１２の配置を手前及び奥の２列としたことで、第２の実施形態の脳波検出用電極１０Ｂと同様の効果、すなわち、脳波検出にとって好適な突起部１２（すなわち電極１３）の配置が可能となり、安定した脳波検出を実現できる。

以上、本発明の実施形態について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。例えば、突起部１２の形状として、三角錐を例示したが、円錐や四角錐などの他の錐体や、錐体の頂部を取り除いた截頭錐体であってもよい。

以下、本発明について実施例を参照して詳細に説明するが、本発明は、これらの実施例の記載に何ら限定されるものではない。以下の実施例では、装着可能性および装着時の違和感について評価を行った。被験者の属性及び評価結果を表１に示す。

＜装置構成及び被験者＞
＜脳波検出用電極の構成＞
（１）実施例の構成として、実施形態で説明したバンド部材１１と突起部１２とがシリコーンゴムで一体に形成された脳波検出用電極１０を用いた。突起部１２の配置は図３及び図４と同等の一列の配置とした。バンド部材１１と突起部１２（電極１３）の具体的仕様は次の通りで、高さｈ１、ピッチＰ、厚さｔ、幅Ｌ２は、図３及び図４で示したものに対応する。被験者は、同じ脳波検出用電極１０を用いた。
バンド部材１１
厚さｔ： ３ｍｍ
幅Ｌ２： ２５ｍｍ
材質：シリコーンゴム
ゴム硬度：３５
電極１３（突起部１２）
高さｈ１： ７ｍｍ
ピッチｐ： ５．５ｍｍ
（２）比較例では、湾曲した硬質のバンド部材にシリコーンゴム製の電極部（５ｃｈ）が取り付けられた脳波検出用電極を用いた。各電極部は、円柱状の基部から複数の電極突起が延出した構成であった。各電極部は、バンド部材から所定の突き出し量だけ内側に突き出した構成であった。具体的な仕様は次の通りである。被験者は、同じ脳波検出用電極を用いた。
バンド部材
直径： １２０ｍｍ
厚み： ３ｍｍ
幅 ： ２５ｍｍ
材質： ポリアミド樹脂
電極部
突き出し量： １０ｍｍ
材質： シリコーンゴム
ゴム硬度： ３５
ｃｈ位置： Ｔ３、Ｃ３、Ｃｚ、Ｃ４、Ｔ４（国際１０−２０電極配置法）

＜脳波検出用電極の原料成分及び作製方法＞
実施例のバンド部材１１及び突起部１２（電極１３）と比較例の電極部に使用したシリコーンゴムの原料成分及び作製方法を以下に示す。

表１に示す原料成分は以下の通りである。

（ビニル基含有オルガノポリシロキサン（Ａ））
（Ａ１−１）：第１のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン：ビニル基含有量は０．０４モル％、Ｍｎ＝２，２×１０^５、Ｍｗ＝４，８×１０^５）、下記の合成スキーム１により合成したビニル基含有ジメチルポリシロキサン（上記式（１−１）で表わされる構造）
（Ａ１−２）：第２のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン：ビニル基含有量は０．９３モル％、下記の合成スキーム２により合成したビニル基含有ジメチルポリシロキサン（上記式（１−１）で表わされる構造でＲ^１およびＲ^２がビニル基である構造）

（オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ））
（Ｂ）：オルガノハイドロジェンポリシロキサン：モメンティブ社製、「ＴＣ−２５Ｄ」

（シリカ粒子（Ｃ））
（Ｃ）：シリカ微粒子（粒径７ｎｍ、比表面積３００ｍ^２／ｇ）、日本アエロジル社製、「ＡＥＲＯＳＩＬ３００」

（シランカップリング剤（Ｄ））
（Ｄ−１）：ヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＺ）、Ｇｅｌｅｓｔ社製、「ＨＥＸＡＭＥＴＨＹＬＤＩＳＩＬＡＺＡＮＥ（ＳＩＨ６１１０．１）」
（Ｄ−２）：ジビニルテトラメチルジシラザン、Ｇｅｌｅｓｔ社製、「１，３−ＤＩＶＩＮＹＬＴＥＴＲＡＭＥＴＨＹＬＤＩＳＩＬＡＺＡＮＥ（ＳＩＤ４６１２．０）」

（白金または白金化合物（Ｅ））
（Ｅ）：白金または白金化合物：モメンティブ社製、「ＴＣ−２５Ａ」

（水（Ｆ））
（Ｆ）：純水

（金属粉（Ｇ））
（Ｇ１）：銀粉、徳力化学研究所社製、商品名「ＴＣ−１０１」、メジアン径ｄ_５０：８．０μｍ、アスペクト比１６．４、平均長径４．６μｍ

（ビニル基含有オルガノポリシロキサン（Ａ）の合成）
［合成スキーム１：第１のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１−１）の合成］
下記式（５）にしたがって、第１のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１−１）を合成した。
すなわち、Ａｒガス置換した、冷却管および攪拌翼を有する３００ｍＬセパラブルフラスコに、オクタメチルシクロテトラシロキサン７４．７ｇ（２５２ｍｍｏｌ）、カリウムシリコネート０．１ｇを入れ、昇温し、１２０℃で３０分間攪拌した。なお、この際、粘度の上昇が確認できた。
その後、１５５℃まで昇温し、３時間攪拌を続けた。そして、３時間後、１，３−ジビニルテトラメチルジシロキサン０．１ｇ（０．６ｍｍｏｌ）を添加し、さらに、１５５℃で４時間攪拌した。
さらに、４時間後、トルエン２５０ｍＬで希釈した後、水で３回洗浄した。洗浄後の有機層をメタノール１．５Ｌで数回洗浄することで、再沈精製し、オリゴマーとポリマーを分離した。得られたポリマーを６０℃で一晩減圧乾燥し、第１のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１−１）を得た（Ｍｎ＝２，２×１０^５、Ｍｗ＝４，８×１０^５）。また、Ｈ−ＮＭＲスペクトル測定により算出したビニル基含有量は０．０４モル％であった。

［合成スキーム２：第２のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１−２）の合成］
上記（Ａ１−１）の合成工程において、オクタメチルシクロテトラシロキサン７４．７ｇ（２５２ｍｍｏｌ）に加えて２，４，６，８−テトラメチル２，４，６，８−テトラビニルシクロテトラシロキサン０．８６ｇ（２．５ｍｍｏｌ）を用いたこと以外は、（Ａ１−１）の合成工程と同様にすることで、下記式（６）のように、第２のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１−２）を合成した。また、Ｈ−ＮＭＲスペクトル測定により算出したビニル基含有量は０．９３モル％であった。

＜シリコーンゴム系硬化性組成物の調製＞
次のようにしてシリコーンゴム系硬化性組成物を調製した。
まず、下記の表１に示す割合で、９０％のビニル基含有オルガノポリシロキサン（Ａ）、シランカップリング剤（Ｄ）および水（Ｆ）の混合物を予め混練し、その後、混合物にシリカ粒子（Ｃ）を加えてさらに混練し、混練物（シリコーンゴムコンパウンド）を得た。
ここで、シリカ粒子（Ｃ）添加後の混練は、カップリング反応のために窒素雰囲気下、６０〜９０℃の条件下で１時間混練する第１ステップと、副生成物（アンモニア）の除去のために減圧雰囲気下、１６０〜１８０℃の条件下で２時間混練する第２ステップとを経ることで行い、その後、冷却し、残り１０％のビニル基含有オルガノポリシロキサン（Ａ）を２回に分けて添加し、２０分間混練した。
続いて、下記の表１に示す割合で、得られた混練物（シリコーンゴムコンパウンド）１００重量部に、オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ）、白金または白金化合物（Ｅ）を加えて、ロールで混練し、シリコーンゴム系硬化性組成物Ａ（エラストマー組成物）を得た。

＜ディップコート用の導電性溶液の調製＞
得られた１３．７重量部のシリコーンゴム系硬化性組成物Ａを、３１．８重量部のデカン（溶剤）に浸漬し、続いて自転・公転ミキサーで撹拌し、５４．５重量部の金属粉（Ｇ１）を加えた後に三本ロールで混練することで、導電性ペースト（ディップコート用の導電性溶液）を得た。

＜実施例のバンド部材１１及び突起部１２（電極１３）と比較例の電極部の作製＞
実施例のバンド部材１１及び突起部１２（電極１３）を次の方法で作成した。
上記で得られたシリコーンゴム系硬化性組成物Ａを、バンド部材１１および三角錐の突起部１２の成形空間（凹部）を複数有する金型を用いて、１８０℃、１０ＭＰａで１０分間加熱して、硬化させ、それぞれの凹部内に、バンド部材１１と突起部１２とが一体化した成形体を得た（成形工程）。
得られた成形体の突起部１２の内部に、縫い針を用いて、導電線Ａ（ミツフジ社製、ＡＧｐｏｓｓ、太さ：１００ｄ／３４ｆ、引張破断伸度：２９．３％）を通した（導電線挿入工程）。
続いて、成形体の突起部１２の先端部の表面（所定高さｈ２）を、上記の＜ディップコート用の導電性溶液＞にディップし、１２０℃、３０分間で加熱乾燥した（先端被覆工程）。
その後、１４０℃、２時間のポストキュアを行った（アニール工程）。
以上により、図１に示す、バンド部材１１上に三角錐の突起部１２を複数有する脳波検出用電極１０を得た。
比較例の電極部についても、シリコーンゴム系硬化性組成物Ａを用いて同様の工程を経て作製した。

＜被験者の属性および評価＞
表２に被験者の属性及び評価結果を示す。

＜被験者＞
評価は５名の被験者で行った。被験者の属性は表２の通りであり、年齢は２０歳代〜５０歳代、身長は１６０ｃｍ〜１７８ｃｍであった。

＜評価方法＞
＜＜装着可否＞＞
複数の被験者に実施例の脳波検出用電極１０及び比較例の脳波検出用電極を装着させ、国際１０−２０電極配置法に則った電極位置Ｔ３、Ｃ３、Ｃｚ、Ｃ４、Ｔ４（実施例の場合は、上記の５ｃｈの電極位置に相当する部位）の５ｃｈの電極が頭皮に接触しているか否かを判断した。接触している場合が「○」、接触していない場合が「×」である。
＜＜装着時違和感＞＞
複数の被験者に実施例の脳波検出用電極１０及び比較例の脳波検出用電極を装着させ、下記の評価尺度（１〜４）で装着時快適性を評価した。
評価尺度
１：接触感はあるが、気にならない
２：痛みは感じないが、違和感がある
３：痛みを感じるが、短時間なら耐えられる
４：痛みを感じ、短時間でも耐えられない

＜評価結果＞
実施例では、装着可否について装着可能性：１００％であり、かつ装着快適性平均：１で５名全員が「接触感はあるが、気にならない」と評価した。
比較例では、装着可否について装着可能性：４０％（５名中２名のみ可）であり、装着快適性平均：２．１であった。具体的には、「４：痛みを感じ、短時間でも耐えられない」とした被験者はいなかったが、評価尺度２〜３が４名であった。このように、比較例の脳波検出用電極５００では不特定の被験者に対応させるためには複数のサイズの脳波検出用電極１０を容易する必要なことが明確となった。実施例（実施形態）の脳波検出用電極１０では、一つのサイズの脳波検出用電極１０で多様なタイプの被験者に対応できることが確認できた。

この出願は、２０１９年１２月１６日に出願された日本出願特願２０１９−２２６１７５号を基礎とする優先権を主張し、その開示の全てをここに取り込む。

１ 脳波検出システム
１０、１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃ、１０Ｄ、１０Ｅ、１０Ｆ、１０Ｇ、１０Ｈ、１０Ｉ 脳波検出用電極
１１ バンド部材
１１ａ バンド内面
１２ 突起部
１３ 電極
１４ 信号線
２０ 脳波表示装置

Claims (9)

1. 人間の頭部の形状に追随して装着されるゴム状の弾性体のバンド部材と、
   前記バンド部材の一面に、前記バンド部材と一体に設けられた、複数の弾性体の突起部と、
   を有し、
   前記突起部の少なくとも先端部が、導電部材からなる電極を構成している、
   脳波検出用電極。
2. 隣接する突起部同士は１ｍｍ以上２０ｍｍ以下のピッチで構成されている、請求項１に記載の脳波検出用電極。
3. 前記導電部材は良導電性金属を含むペーストからなる、請求項１または２に記載の脳波検出用電極。
4. 前記良導電性金属は、銅、銀、金、ニッケル、錫、鉛、亜鉛、ビスマス、アンチモン、或いはこれらの合金からなる群から選択される一種以上を含む、請求項３に記載の脳波検出用電極。
5. 前記バンド部材はシリコーンゴムからなる、請求項１から４までのいずれか一項に記載の脳波検出用電極。
6. 前記突起部は一列に配置されている、請求項１から５までのいずれか一項に記載の脳波検出用電極。
7. 前記突起部は格子状に配置されている、請求項１から５までのいずれか一項に記載の脳波検出用電極。
8. 前記電極は前記突起部の先端部の表面に設けられ、前記突起部の内部を通る信号線に接続されている、請求項１から７までのいずれか一項に記載の脳波検出用電極。
9. 請求項１から８までのいずれか一項に記載の脳波検出用電極を備える、脳波検出システム。

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