JPWO2021111777A5 - - Google Patents

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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115746854B (zh) * 2022-12-10 2023-10-10 福州大学 立方型PN结SnSe/ZnSe/SnSe/ZnSe多阱核壳量子阱材料及制备方法
CN116694328A (zh) * 2022-12-28 2023-09-05 南京理工大学 高效黄绿光发射ZnTeSe阱型量子点的制备方法
WO2025026940A1 (en) * 2023-07-28 2025-02-06 Nexdot Ultraviolet filter
EP4729043A1 (en) * 2024-10-15 2026-04-22 Nexdot Personal care composition comprising composite particles

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7446335B2 (en) * 2004-06-18 2008-11-04 Regents Of The University Of Minnesota Process and apparatus for forming nanoparticles using radiofrequency plasmas
US8454927B2 (en) * 2004-08-04 2013-06-04 Crystalplex Corporation Alloyed semiconductor nanocrystals
GB2472541B (en) * 2005-08-12 2011-03-23 Nanoco Technologies Ltd Nanoparticles
GB0714865D0 (en) 2007-07-31 2007-09-12 Nanoco Technologies Ltd Nanoparticles
CN101234779A (zh) 2008-03-06 2008-08-06 中国科学院化学研究所 铜铟硫半导体纳米粒子的制备方法
KR101577300B1 (ko) * 2008-10-28 2015-12-15 삼성디스플레이 주식회사 양자점을 이용한 백색광 발광다이오드 구조 및 이를 포함하는 백라이트 어셈블리
JP5744033B2 (ja) * 2009-09-09 2015-07-01 キユーデイー・ビジヨン・インコーポレーテツド ナノ粒子を含む粒子、それの使用および方法
KR101978691B1 (ko) * 2010-09-16 2019-05-15 이섬 리서치 디벨러프먼트 컴파니 오브 더 히브루 유니버시 티 오브 예루살렘 엘티디. 이방성 반도체 나노입자
EP2638321B1 (en) 2010-11-10 2019-05-08 Nanosys, Inc. Quantum dot films, lighting devices, and lighting methods
WO2012132236A1 (ja) 2011-03-31 2012-10-04 パナソニック株式会社 半導体発光素子および発光装置
EP3929965A1 (en) * 2011-06-20 2021-12-29 Crystalplex Corporation Stabilized nanocrystals
WO2013162334A1 (ko) 2012-04-27 2013-10-31 한국화학연구원 아연-실버-인듐-설파이드의 조성을 갖는 발광특성이 향상된 발광나노입자와 조합화학을 이용한 이의 제조방법
US9166363B2 (en) 2012-12-31 2015-10-20 Faquir C. Jain Enhanced optical gain and lasing in indirect gap semiconductor thin films and nanostructures
CN103450904B (zh) * 2013-09-11 2016-04-06 纳晶科技股份有限公司 具有核-壳结构的掺杂半导体纳米晶量子点及其制备方法
KR20180084040A (ko) * 2015-11-20 2018-07-24 제이에스알 가부시끼가이샤 나노 입자 집합체 및 그의 제조 방법, 나노 입자 집합체 조성물, 파장 변환층, 그리고 리간드
CN108389982B (zh) 2016-08-23 2020-03-27 苏州星烁纳米科技有限公司 发光二极管装置及显示装置
CN108938982A (zh) * 2017-05-20 2018-12-07 陈洪涛 防治气滞型症瘕的浆液
KR20260033623A (ko) * 2017-07-27 2026-03-10 도판 홀딩스 가부시키가이샤 양자점 및, 양자점을 이용한 파장 변환 부재, 조명 부재, 백라이트 장치, 표시 장치, 및, 양자점의 제조 방법
TWI756032B (zh) 2017-10-12 2022-02-21 日商Ns材料股份有限公司 量子點及其製造方法、使用量子點之波長轉換構件、照明構件、背光裝置、及顯示裝置
EP3530713B1 (en) * 2018-02-21 2025-04-02 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor nanocrystal particles, production methods thereof, and devices including the same
CN110240896B (zh) 2018-03-09 2024-03-05 三星电子株式会社 量子点以及包括其的电致发光器件和电子器件
WO2019194749A1 (en) * 2018-04-04 2019-10-10 National University Of Singapore Luminescent nanoparticles and luminescent solar concentrators containing same

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