JPWO2021095193A1 - イメージセンサモジュール、及び、イメージセンサモジュールの製造方法 - Google Patents

イメージセンサモジュール、及び、イメージセンサモジュールの製造方法 Download PDF

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Abstract

イメージセンサチップにおけるセンサ領域の前方に、ギャップを作って配されるカバーガラスを備えてなるイメージセンサーモジュールであって、前記ギャップを、前記イメージセンサチップの電極に電気的に接続されるワイヤーボンディングのボンディングワイヤーの一部によって構成させるようにしてなる。

Description

この発明は、イメージセンサモジュールの改良、および、その製造方法に関する。
イメージセンサモジュールにおいて、イメージセンサチップのイメージセンサの前方に、ギャップを作って配されるカバーガラスを備えたものとして、特許文献1〜4に示されるものがある。
特開2018−6760号公報 特開2007−311416号公報 特開2016−33963号公報 国際公開第2016/84394号公報
前記特許文献1〜4のものはいずれも、前記ギャップを、前記イメージセンサチップと前記カバーガラスとの間に別体のスペーサを介在させるか、これに代わる前記カバーガラスの支持体を設けることにより、形成させるようにしている。
この発明が解決しようとする主たる問題点は、この種のイメージセンサモジュールにおけるイメージセンサチップとカバーガラスとの間のギャップを、イメージセンサモジュールにそのための格別の構造をもたせることなく、合理的且つ適切に形成できるようにする点にある。
前記課題を達成するために、この発明にあっては、第一の観点から、イメージセンサモジュールを、イメージセンサチップにおけるセンサ領域の前方に、ギャップを作って配されるカバーガラスを備えてなるイメージセンサーモジュールであって、
前記ギャップを、前記イメージセンサチップの電極に電気的に接続されるワイヤーボンディングのボンディングワイヤーの一部によって構成させるようにしてなる、ものとした。
前記ボンディングワイヤーの一部を、前記ワイヤーボンディングにおけるボールボンド部分としておくことが、この発明の態様の一つとされる。あるいはまた、前記ボンディングワイヤーの一部を、前記ワイヤーボンディングにおけるセカンドボンド部分としておくことが、この発明の態様の一つとされる。
また、少なくとも前記ボンディングワイヤーの一部を、前記イメージングチップと前記カバーガラスとの間に充填される前記カバーガラスの接着用樹脂によって覆うようにしておくとが、この発明の態様の一つとされる。あるいはまた、前記ギャップの全体に、前記カバーガラスの接着用樹脂を充填しておくことが、この発明の態様の一つとされる。
また、前記課題を達成するために、この発明にあっては、第二の観点から、イメージセンサモジュールの製造方法を、複数のイメージセンサチップを、隣り合う前記イメージセンサチップとの間に間隔を開けて、基板上にダイボンディングする第一ステップと、
前記第一ステップによって前記基板上に配された前記イメージセンサチップの電極と前記基板とをワイヤーボンディングのボンディングワイヤーによって電気的に接続させる第二ステップと、
前記第二ステップによって形成された前記ボンディングワイヤーにおける前記イメージセンサチップの電極上にある一部が少なくとも接着用樹脂で覆われるように前記イメージセンサチップ上に前記接着用樹脂を付着させる第三ステップと、
前記第三ステップにおいて塗布された接着用樹脂を介して前記イメージセンサチップ上にカバーガラスを載置させる第四ステップと、
前記の第四ステップにおいて載置された前記カバーガラスの内面と前記イメージセンサチップの上面との間に前記ボンディングワイヤーの一部の厚さ分のギャップが形成される状態となるまで前記カバーガラスを押圧する第五ステップとを含む、ものとした。
この発明によれば、この種のイメージセンサモジュールにおけるイメージセンサチップとカバーガラスとの間のギャップを、イメージセンサモジュールにそのための格別の構造をもたせることなく、合理的且つ適切に形成することができる。
図1は、この発明の一実施の形態にかかるイメージセンサモジュール(第一例)の正面構成図である。 図2は、前記第一例の断面構成図である。 図3は、この発明の一実施の形態にかかるイメージセンサモジュール(第二例)の断面構成図である。 図4は、この発明の一実施の形態にかかるイメージセンサモジュール(第三例)の断面構成図である。 図5は、この発明の一実施の形態にかかるイメージセンサモジュール(第四例)の断面構成図である。 図6は、前記第一例を製造する製造方法を構成する各工程の内容を理解しやすいように示した構成図である。 図7は、前記製造方法において、基板上に配されたイメージセンサチップ上にカバーガラスを載せた直後の状態を示した断面構成図である。 図8は、図7におけるA部の拡大図であり、図8(b)は図8(a)におけるB−B線位置での断面図である。 図9は、前記製造方法において、基板上に配されたイメージセンサチップ上にカバーガラスを載せた状態から、カバーガラスとイメージセンサチップとによってボンディングワイヤーの一部を挟み付けるようになるまでカバーガラスを押圧した状態を示した拡大断面構成図であり、図9(b)は図9(a)におけるC−C線位置での断面図である。
以下、図1〜図9に基づいて、この発明の典型的な実施の形態について、説明する。
この実施の形態にかかるイメージセンサモジュール1は、各種の機器や装置に組み込まれてこれらの機器や装置に撮像機能を付加するものである。具体的には、かかるイメージセンサモジュール1は、これを構成するイメージセンサチップ2(撮像素子)によってこれらの機器などに備えられた対物レンズによって結像された像を電気信号に変換することで、これらの機器などに撮像機能を付加するものである。この実施の形態にかかるイメージセンサモジュール1は、特に、振動や衝撃が作用されることが多い車載カメラ、スマートフォン、携帯型電子端末などに利用されるのに適した構造を備えている。
図1及び図2にイメージセンサモジュール1の概要を示す。図示の例では、四角形の板状をなす基板3の上面3aに、基板3より小さい四角形の板状をなすイメージセンサチップ2が基板3の上面3aにイメージセンサチップ2の下面2aを接しさせるようにして配されている。イメージセンサチップ2の上面2bの中央にはセンサ領域2c(受光部)が形成されている。また、イメージセンサチップ2上には、イメージセンサチップ2と実質的に同じ大きさの四角形の板状をなすカバーガラス4が、イメージセンサチップ2の上面2bにカバーガラス4の一面(以下、このカバーガラス4の一面を内面4aと称する。)を向き合わせるようにして、配されている。カバーガラス4はその各辺をイメージセンサチップ2の対応する各辺に沿わせるようにしてイメージセンサチップ2上に配されている。
イメージセンサチップ2と基板3は、ワイヤーボンディングによって生成されるボンディングワイヤー5によって電気的に接続されている。具体的には、イメージセンサチップ2のセンサ領域の外側に形成されている複数の電極2d(ボンディングパッド)と、基板3におけるイメージセンサチップ2の外側に形成されている複数の電極3bとのうち、対応するもの同士が前記ボンディングワイヤー5によって接続されている。なお、図2中符号3cは基板3内を貫通する図示しない配線の端末に形成されたバンプであり、前記のように基板3と電気的に接続されたイメージセンサチップ2から得られる電気信号はこのバンプ3cから出力されるようになっている。
カバーガラス4は接着用樹脂6によってイメージセンサチップ2に固定されている。
また、基板3の上面3aにおけるイメージセンサチップ2とカバーガラス4の配置箇所以外の箇所は、封止樹脂7によって覆われている。図示の例では、後述のフィルム4bの厚さ分の段差がカバーガラス4の上面と封止樹脂7の上面との間に形成されている。
また、前記カバーガラス4の内面4aと、イメージセンサチップ2におけるセンサ領域2cとの間には、ギャップ8が形成されている。
この実施の形態にあっては、前記ギャップ8を、前記イメージセンサチップ2の電極2dに電気的に接続されるワイヤーボンディングのボンディングワイヤー5の一部5aによって構成させている。
すなわち、カバーガラス4は、カバーガラス4の内面4aと、イメージセンサチップ2の電極2dとの間で、ボンディングワイヤー5の一部5aを挟み付けるようにして、イメージセンサチップ2に接着用樹脂6によって固定されている。
これにより、この実施の形態によれば、イメージセンサモジュール1におけるイメージセンサチップ2とカバーガラス4との間のギャップ8を形成させるための格別の構造を用意することなく、かかるギャップ8を適切に備えたイメージセンサモジュール1を構成することが可能となる。
ボンデイングワイヤー5の線径は、イメージセンサチップ2の電極2dの大きさ、基板3の電極の大きさ、必要とされるギャップ8のギャップ量などを考慮して決定される。
例えば、イメージセンサチップ2の電極2dが一辺を40μmとする四角形で、ギャップ8のギャップ量が50μm必要とされるときは、線径を15〜20μmとするボンディングワイヤー5によって後述のボールボンド部分5cを形成してギャップ量50μmのギャップ8を形成するようにする。
また、例えば、イメージセンサチップ2の電極2dが一辺を80μmとする四角形で、ギャップ8のギャップ量が30μm必要とされるときは、線径を30μmとするボンディングワイヤー5の後述のセカンドボンド部分5bによりギャップ量30μmのギャップ8を形成するようにする。
図1及び図2に示される第一例、及び、図3に示される第二例では、前記ボンディングワイヤー5の一部5aを、前記ワイヤーボンディングにおけるセカンドボンド部分5b(ウエッジボンドとも称する。)としている。このようにした場合、前記ギャップ8が前記セカンドボンド部分5bを構成するボンディングワイヤー5の線径と実質的に等しくなるようにしたイメージセンサモジュール1を容易且つ適切に提供することが可能となる。
図4に示される第三例、及び、図5に示される第四例では、前記ボンディングワイヤー5の一部5aを、前記ワイヤーボンディングにおけるボールボンド部分5c(ファーストボンドとも称する。)としている。このようにした場合、前記ギャップ8が前記ボールボンド部分5cのボール状をなす突起の高さと実質的に等しくなるようにしたイメージセンサモジュール1を容易且つ適切に提供することが可能となる。
前記第一例、及び、第三例では、接着用樹脂6は、イメージセンサチップ2のセンサ領域2cを含んだイメージセンサチップ2の上面2bの全体に存在しており、ボンディングワイヤー5における前記電極2dに接続された一部5aを覆った状態でカバーガラス4の内面4aとイメージセンサチップ2とをイメージセンサチップ2の上面2bの全体に亘って一体化させている。このようにした場合、イメージセンサチップ2のセンサ領域の前方に中実のギャップ8を形成させることができる。このように、イメージセンサチップ2のセンサ領域2cを含んだイメージセンサチップ2の上面2bの全体を接着用樹脂6で覆うようにする場合、接着用樹脂6は、光の屈折率を1.5以下とし、かつ、可視光透過率を95%以上とするものを使用することが好ましい。また、カバーガラス4とイメージセンサチップ2との間でイメージセンサチップ2に対するボンディングワイヤー5の電気的に接続された箇所としての前記一部5aを機械的に挟み付けた状態で、前記接着用樹脂6によってカバーガラス4とボンディングワイヤー5の一部5aとイメージセンサチップ2とを強固に一体化させることができる。これによって、イメージセンサモジュール1を振動や衝撃が作用されることが多い車載カメラやスマートフォンなどに利用するのに極めて適したものとすることができる。
また、前記第二例、及び、第四例では、接着用樹脂6は、イメージセンサチップ2のセンサ領域2cの外側にのみ存在するようにしてあり、ボンディングワイヤー5における前記電極に接続された一部5aを覆った状態でカバーガラス4の内面4aとイメージセンサチップ2とを一体化させている。このようにした場合、イメージセンサチップ2のセンサ領域2cの前方に、中空のギャップ8を形成させることができる。
以上に説明したイメージセンサチップ2は、以下の第一〜第五のステップを含む製造方法によって、容易且つ適切に製造することが可能となる。
(第一ステップ)
先ず、複数のイメージセンサチップ2を、隣り合う前記イメージセンサチップ2との間に間隔を開けて、基板3上にダイボンディングする(図6(a))。
図示の例では、基板3の一部のみを側方から見て表している。典型的には、一枚の基板3上に、この基板3のX軸方向x(図6(a)参照)に隣り合うイメージセンサチップ2との間に間隔を開けて複数のイメージセンサチップ2からなるX軸方向列2eが形成されるようにダイボンディングがなされると共に、前記X軸に直交するY軸方向(図示は省略する)に隣り合う前記X軸方向列2eとの間に間隔を開けて複数のX軸方向列2eを形成させるようにダイボンディングがなされる。
(第二ステップ)
次いで、前記第一ステップによって前記基板3上に配された前記イメージセンサチップ2の電極2dと前記基板3の電極3bとをワイヤーボンディングのボンディングワイヤー5によって電気的に接続させる(図6(b))。
(第三ステップ)
次いで、前記第二ステップによって形成された前記ボンディングワイヤー5における前記イメージセンサチップ2の電極2d上にある一部5aが少なくとも接着用樹脂6で覆われるように前記イメージセンサチップ2上に前記接着用樹脂6を付着させる(図6(c))。
図示の例では、接着用樹脂6は、各イメージセンサチップ2の上面2bの全体と厚さ方向の端面の上部側とを覆うように、各イメージセンサチップ2毎に滴下されている。すなわち、図6は前記第一例を製造する工程を示している。
(第四ステップ)
次いで、前記第三ステップにおいて塗布された接着用樹脂6を介して前記イメージセンサチップ2上にカバーガラス4を載置させる(図6(d))。
図示の例では、カバーガラス4は、その上面を剥離可能なフィルム4bで被覆したものを使用している。
(第五ステップ)
次いで、前記の第四ステップにおいて載置された前記カバーガラス4の内面4aと前記イメージセンサチップ2の上面2bとの間に前記ボンディングワイヤー5の一部5aの厚さ分のギャップ8が形成される状態となるまで前記カバーガラス4を押圧する。
押圧開始前は、カバーガラス4とイメージセンサチップ2との間のギャップ8は定まらない。カバーガラス4は接着用樹脂6によってイメージセンサチップ2上にいわば浮かんでいる(図7、図8)。押圧はカバーガラス4とイメージセンサチップ2との間にボンディングワイヤー5の一部5aが挟み付けられる状態が作り出された時点で終了する(図9)。これにより、カバーガラス4とイメージセンサチップ2との間のギャップ8がボンディングワイヤー5の一部5aの寸法によって制御される。
図示の例では、第五ステップ後、前記基板3の上面3aにおける前記フィルムで覆われたカバーガラス4の上面以外の箇所を覆う封止樹脂7をモールディングしている(図6(e))。この後、前記基板3はダイシングされて一枚の前記基板3を基にして複数のイメージセンサモジュール1が生成される(図6(f))。また、このダイシング後、あるいは、このダイシングの前に、前記フィルム4bの剥ぎ取りがなされる(図6(g))。
なお、当然のことながら、本発明は以上に説明した実施態様に限定されるものではなく、本発明の目的を達成し得るすべての実施態様を含むものである。
1 イメージセンサモジュール
2 イメージセンサチップ
2a 下面
2b 上面
2c センサ領域
2d 電極
2e X方向列
3 基板
3a 上面
3b 電極
3c バンプ
4 カバーガラス
4a 内面
4b フィルム
5 ボンディングワイヤー
5a 一部
5b セカンドボンド部分
5c ボールボンド部分
6 接着用樹脂
7 封止樹脂
8 ギャップ

前記課題を達成するために、この発明にあっては、第一の観点から、イメージセンサモジュールを、イメージセンサチップにおけるセンサ領域の前方に、ギャップを作って配されるカバーガラスを備えてなるイメージセンサーモジュールであって、
ボンディングワイヤーの線径分の前記ギャップを、前記イメージセンサチップの電極に電気的に接続されるワイヤーボンディングのセカンドボンド部分によって構成させるようにしてなると共に、
少なくとも前記セカンドボンド部分を、前記イメージングチップと前記カバーガラスとの間に充填される前記カバーガラスの接着用樹脂によって覆うようにしてなる、ものとした。
また、前記課題を達成するために、この発明にあっては、第二の観点から、イメージセンサモジュールを、イメージセンサチップにおけるセンサ領域の前方に、ギャップを作って配されるカバーガラスを備えてなるイメージセンサーモジュールであって、
ボンディングワイヤーの線径分前記ギャップを、前記イメージセンサチップの電極に電気的に接続されるワイヤーボンディングのセカンドボンド部分によって構成させるようにしてなると共に、
前記ギャップの全体に、前記カバーガラスの接着用樹脂を充填してなる、ものとした。
また、前記課題を達成するために、この発明にあっては、第三の観点から、イメージセンサモジュールの製造方法を、複数のイメージセンサチップを、隣り合う前記イメージセンサチップとの間に間隔を開けて、基板上にダイボンディングする第一ステップと、
前記第一ステップによって前記基板上に配された前記イメージセンサチップの電極と前記基板とを、前記電極上にワイヤーボンディングのセカンドボンド部分を位置させるボンデイングワイヤーによって電気的に接続させる第二ステップと、
前記第二ステップによって形成された前記セカンドボンド部分が少なくとも接着用樹脂で覆われるように前記イメージセンサチップ上に前記接着用樹脂を付着させる第三ステップと、
前記第三ステップにおいて付着された接着用樹脂を介して前記イメージセンサチップ上にカバーガラスを載置させる第四ステップと、
前記の第四ステップにおいて載置された前記カバーガラスの内面と前記イメージセンサチップの上面との間にボンディングワイヤーの線径分のギャップが形成される状態となるまで前記カバーガラスを押圧する第五ステップとを含む、ものとした。
図1は、この発明の一実施の形態にかかるイメージセンサモジュール(第一例)の正面構成図である。 図2は、前記第一例の断面構成図である。 図3は、この発明の一実施の形態にかかるイメージセンサモジュール(第二例)の断面構成図である。 図4は、この発明の一実施の形態にかかるイメージセンサモジュール(第三例/参考例)の断面構成図である。 図5は、この発明の一実施の形態にかかるイメージセンサモジュール(第四例/参考例)の断面構成図である。 図6は、前記第一例を製造する製造方法を構成する各工程の内容を理解しやすいように示した構成図である。 図7は、前記製造方法において、基板上に配されたイメージセンサチップ上にカバーガラスを載せた直後の状態を示した断面構成図である。 図8は、図7におけるA部の拡大図であり、図8(b)は図8(a)におけるB−B線位置での断面図である。 図9は、前記製造方法において、基板上に配されたイメージセンサチップ上にカバーガラスを載せた状態から、カバーガラスとイメージセンサチップとによってボンディングワイヤーの一部を挟み付けるようになるまでカバーガラスを押圧した状態を示した拡大断面構成図であり、図9(b)は図9(a)におけるC−C線位置での断面図である。
図4に示される第三例(参考例)、及び、図5に示される第四例(参考例)では、前記ボンディングワイヤー5の一部5aを、前記ワイヤーボンディングにおけるボールボンド部分5c(ファーストボンドとも称する。)としている。このようにした場合、前記ギャップ8が前記ボールボンド部分5cのボール状をなす突起の高さと実質的に等しくなるようにしたイメージセンサモジュール1を容易且つ適切に提供することが可能となる。

Claims (6)

  1. イメージセンサチップにおけるセンサ領域の前方に、ギャップを作って配されるカバーガラスを備えてなるイメージセンサーモジュールであって、
    前記ギャップを、前記イメージセンサチップの電極に電気的に接続されるワイヤーボンディングのボンディングワイヤーの一部によって構成させるようにしてなる、イメージセンサモジュール。
  2. 前記ボンディングワイヤーの一部を、前記ワイヤーボンディングにおけるボールボンド部分としてなる、請求項1に記載のイメージセンサモジュール。
  3. 前記ボンディングワイヤーの一部を、前記ワイヤーボンディングにおけるセカンドボンド部分としてなる、請求項1に記載のイメージセンサモジュール。
  4. 少なくとも前記ボンディングワイヤーの一部を、前記イメージングチップと前記カバーガラスとの間に充填される前記カバーガラスの接着用樹脂によって覆うようにしてなる、請求項1〜請求項3のいずれか1項に記載のイメージセンサモジュール。
  5. 前記ギャップの全体に、前記カバーガラスの接着用樹脂を充填してなる、請求項1〜請求項3のいずれか1項に記載のイメージセンサモジュール。
  6. 複数のイメージセンサチップを、隣り合う前記イメージセンサチップとの間に間隔を開けて、基板上にダイボンディングする第一ステップと、
    前記第一ステップによって前記基板上に配された前記イメージセンサチップの電極と前記基板とをワイヤーボンディングのボンディングワイヤーによって電気的に接続させる第二ステップと、
    前記第二ステップによって形成された前記ボンディングワイヤーにおける前記イメージセンサチップの電極上にある一部が少なくとも接着用樹脂で覆われるように前記イメージセンサチップ上に前記接着用樹脂を付着させる第三ステップと、
    前記第三ステップにおいて付着された接着用樹脂を介して前記イメージセンサチップ上にカバーガラスを載置させる第四ステップと、
    前記の第四ステップにおいて載置された前記カバーガラスの内面と前記イメージセンサチップの上面との間に前記ボンディングワイヤーの一部の厚さ分のギャップが形成される状態となるまで前記カバーガラスを押圧する第五ステップとを含む、イメージセンサモジュールの製造方法。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7745897B2 (en) * 2005-05-27 2010-06-29 Aptina Imaging Corporation Methods for packaging an image sensor and a packaged image sensor
US7675180B1 (en) * 2006-02-17 2010-03-09 Amkor Technology, Inc. Stacked electronic component package having film-on-wire spacer
WO2008032404A1 (en) * 2006-09-15 2008-03-20 Fujitsu Microelectronics Limited Semiconductor device and method for manufacturing same
JP6057282B2 (ja) * 2012-10-04 2017-01-11 セイコーインスツル株式会社 光学デバイス及び光学デバイスの製造方法
US9576177B2 (en) * 2014-12-11 2017-02-21 Fingerprint Cards Ab Fingerprint sensing device
US10748947B2 (en) * 2016-08-08 2020-08-18 Sony Semiconductor Solutions Corporation Imaging device, manufacturing method, and electronic apparatus
CN109411487B (zh) * 2017-08-15 2020-09-08 胜丽国际股份有限公司 堆叠式感测器封装结构

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