JPWO2021079589A1 - 成膜装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】蒸着速度の安定した制御。【解決手段】成膜装置は、真空容器と、成膜源と、収容容器と、膜厚センサと、膜厚コントローラとを具備する。上記成膜源は、上記真空容器に収容される。上記収容容器は、上記真空容器に収容され、上記真空容器内の圧力よりも高い圧力に維持することができる。上記膜厚センサは、共振周波数を有する振動子を含み、上記膜厚センサには、上記振動子に上記成膜源から放出する成膜材料が堆積する。上記膜厚コントローラは、上記収容容器に収容され、上記成膜材料の堆積による上記発振周波数の変化に基づいて、上記成膜源からの上記成膜材料の放出量を算出する。【選択図】図２

Description

本発明は、成膜装置に関する。
真空中で基板に形成される膜の蒸着速度を制御する方法の１つに、膜厚モニタを使用する方法がある。例えば、真空容器内で基板の近傍に水晶振動子型の膜厚モニタを設置し、膜厚モニタで検知した値から帰還制御を行って所望の蒸着速度を得る方法である（例えば、特許文献１参照）。
特開２０１２−１１１９７４号公報
しかしながら、成膜装置に帰還制御を乱す急峻な外的要因が発生した場合、帰還制御が外的要因に追従できず、安定した蒸着速度が得られなくなる場合がある。成膜装置においては、このような外的要因に影響を受けない構成を構築することが望ましい。
以上のような事情に鑑み、本発明の目的は、蒸着速度をより安定して制御できる、成膜装置を提供することにある。
上記目的を達成するため、本発明の一形態に係る成膜装置は、真空容器と、成膜源と、収容容器と、膜厚センサと、膜厚コントローラとを具備する。
上記成膜源は、上記真空容器に収容される。
上記収容容器は、上記真空容器に収容され、上記真空容器内の圧力よりも高い圧力に維持することができる。
上記膜厚センサは、共振周波数を有する振動子を含み、上記膜厚センサには、上記振動子に上記成膜源から放出する成膜材料が堆積する。
上記膜厚コントローラは、上記収容容器に収容され、上記成膜材料の堆積による上記発振周波数の変化に基づいて、上記成膜源からの上記成膜材料の放出量を算出する。
このような成膜装置であれば、膜厚コントローラが真空容器内の収容容器に収容されることから、成膜装置における蒸着速度がより安定して制御される。
上記の成膜装置においては、上記膜厚コントローラが算出する上記放出量に基づいて、上記成膜源から放出する上記成膜材料の放出量を制御する主コントローラをさらに具備してもよい。
このような成膜装置であれば、主コントローラによって成膜装置における蒸着速度がより安定して制御される。
上記の成膜装置においては、互いに連結された複数の配管を有し、隣り合う配管同士が屈曲可能に連結されたリンク配管と、上記膜厚コントローラと、上記主コントローラとの間を通信させる通信配線とをさらに具備してもよい。
上記主コントローラは、上記真空容器外に設けられ、上記リンク配管は、上記真空容器の内部で上記収容容器に連結され、上記リンク配管の内部に、上記通信配線が配設されてもよい。
このような成膜装置であれば、リンク配管の内部に、膜厚コントローラと、主コントローラとの間を通信させる通信配線を配設したとしても、成膜装置における蒸着速度がより安定して制御される。
上記の成膜装置においては、上記膜厚コントローラと上記主コントローラとが上記通信配線を通じてデジタル通信により通信をしてもよい。
このような成膜装置であれば、デジタル通信の利用により成膜装置における蒸着速度がより安定して制御される。
上記の成膜装置においては、上記主コントローラが上記収容容器に収容されてもよい。
このような成膜装置であれば、主コントローラが収容容器に収容され、成膜装置における蒸着速度がより安定して制御される。
上記の成膜装置においては、上記収容容器の圧力が大気圧であってもよい。
このような成膜装置であれば、収容容器の圧力が大気圧なので、装置構成が簡便になる。
上記の成膜装置においては、上記成膜源は、上記真空容器の内部で上記収容容器に連動して移動してもよい。
このような成膜装置であれば、成膜装置の大型化が回避される。
上記の成膜装置においては、上記膜厚コントローラと上記主コントローラとは、上記収容容器の内部にコントローラモジュールとして一体となって構成されてもよい。
このような成膜装置であれば、成膜装置における蒸着速度がより安定して制御され、収容容器の小型化が実現する。
以上述べたように、本発明によれば、蒸着速度をより安定して制御できる、成膜装置が提供される。
本実施形態の成膜装置の模式的上面図である。 本実施形態の成膜装置の模式的正面図である。 本実施形態の成膜装置の模式的上面図である。 比較例に係る成膜装置の模式的正面図である。 成膜源の帰還制御の一例を示す図である。 本実施形態の変形例１に係る成膜装置の模式的正面図である。 本実施形態の変形例２に係る成膜装置の模式的正面図である。 本実施形態の変形例３に係る成膜装置の模式的正面図である。
以下、図面を参照しながら、本発明の実施形態を説明する。各図面には、ＸＹＺ軸座標が導入される場合がある。また、同一の部材または同一の機能を有する部材には同一の符号を付す場合があり、その部材を説明した後には適宜説明を省略する場合がある。
図１は、本実施形態の成膜装置の模式的上面図である。図２は、本実施形態の成膜装置の模式的正面図である。図１では、図２のＢ１−Ｂ２線に沿った断面を矢印方向に見た状態が示され、図２では、図１のＡ１−Ａ２線に沿った断面を矢印方向に見た状態が示されている。また、図２では、成膜源２０が位置する領域の成膜装置１が示されている。
図１、２に示す成膜装置１は、真空容器１０と、成膜源２０と、加熱機構３０と、膜厚センサ４０と、温度センサ５０と、主コントローラ６０と、収容容器７０と、リンク配管８０と、基板支持機構９２と、搬送機構９５と、搬送機構９６と、排気機構９８とを具備する。
真空容器１０は、減圧状態が維持できる容器である。真空容器１０は、排気機構９８によって、内部の気体が排気される。真空容器１０を基板支持機構９２から成膜源２０に向かう方向（以下、Ｚ軸方向）に目視したときの平面形状は、例えば、矩形状である。
真空容器１０は、成膜源２０、膜厚センサ４０、膜厚コントローラ４１、温度センサ５０、温度コントローラ５１、主コントローラ６０、収容容器７０、リンク配管８０、基板支持機構９２、及び搬送機構９５、９６等を収容する。真空容器１０には、ガスを供給することが可能なガス供給機構が取り付けられてもよい。また、真空容器１０には、その内部の圧力を計測する圧力計が取り付けられてもよい。
成膜源２０には、成膜材料が充填されている。成膜源２０は、成膜材料２０ｍが基板９０に向かって蒸発する蒸着源である。成膜源２０は、一軸方向（図では、Ｙ軸方向）を長手方向として延在する。成膜源２０をＺ軸方向から上面視した場合、その外形は、例えば、長方形である。成膜材料２０ｍは、例えば、有機材料、金属等である。
成膜源２０には、複数の噴出ノズル２１が設けられている。複数の噴出ノズル２１のそれぞれは、所定の間隔を隔てて、成膜源２０の長手方向（Ｘ軸方向）に列状に並んでいる。複数の噴出ノズル２１のそれぞれからは、成膜材料２０ｍが噴出する。例えば、加熱機構３０によって成膜源２０が温められると、成膜材料２０ｍの蒸気が噴出ノズル２１から基板９０に向かって蒸発する。
加熱機構３０は、成膜源２０を加熱する。加熱機構３０は、成膜源２０の側部に対向する。加熱機構３０をＺ軸方向から見た場合、加熱機構３０は、成膜源２０を囲む。加熱機構３０は、例えば、誘導加熱方式または抵抗加熱方式の加熱機構である。加熱機構３０は、主コントローラ６０によって制御される。例えば、主コントローラ６０からは加熱機構３０にまで配線（導線）６０２が引き回されている。配線６０２は、リンク配管８０の内部及び収容容器７０の内部に配設されている。
収容容器７０は、金属製であり、真空容器１０の内部において、真空容器１０内の圧力よりも高い圧力を維持することができる。例えば、収容容器７０の内部の圧力は、大気圧である。収容容器７０の内部を大気開放することで、収容容器７０を真空容器１０内で真空排気する排気系が不要になる。
収容容器７０は、Ｚ軸方向において、成膜源２０に並び、例えば、成膜源２０の下に設けられている。収容容器７０と成膜源２０とをＺ軸方向に並べることによって、Ｘ軸方向またはＹ軸方向における装置の大型化が抑えられ、コンパクトな構成になる。収容容器７０と成膜源２０との間には、スペーサ７５が設けられている。
収容容器７０は、一軸方向（図では、Ｙ軸方向）を長手方向として延在する。収容容器７０をＺ軸方向から上面視した場合、その外形は、例えば、長方形である。図２の例では、収容容器７０は、例えば、膜厚コントローラ４１と、温度コントローラ５１とを収容している。
収容容器７０の下には、一対の搬送機構９５が設けられている。一対の搬送機構９５は、Ｘ軸方向に延在する。一対の搬送機構９５のそれぞれは、例えば、ローラ機構、牽引機構等の移動機構を備える。これにより、収容容器７０は、搬送機構９５が延在する方向（Ｘ軸方向）にスライド移動する。この結果、成膜源２０も真空容器１０の内部で収容容器７０に連動するように、Ｘ軸方向にスライド移動する。つまり、成膜装置１においては、基板１０と成膜源２０とをＸ軸方向に相対移動しながら、基板９０に成膜材料２０ｍが蒸着される。なお、基板９０と成膜源２０との間には、成膜材料２０ｍの基板９０へ入射を遮蔽するシャッタ機構が設けられてもよい。
例えば、図３は、本実施形態の成膜装置の模式的上面図であり、この図３には、成膜源２０及び収容容器７０が図１の位置とは反対側に移動した後の状態が示されている。
また、一対の搬送機構９５の下には、一対の搬送機構９６が設けられている。一対の搬送機構９６は、Ｘ軸方向と交差するＹ軸方向に延在する。一対の搬送機構９６のそれぞれは、例えば、ローラ機構、牽引機構等の移動機構を備える。これにより、収容容器７０は、Ｘ軸方向のほか、搬送機構９６が延在する方向（Ｙ軸方向）にスライド移動させることができる。
例えば、真空容器１０内には、基板９０とは別の基板が搬入される領域９０ａが設けられている。基板９０への成膜処理が終了した後には、領域９０ａにおいて、別の基板に成膜を行うことができる。この場合も、別の基板と成膜源２０とがＸ軸方向に相対移動しながら、この別の基板にも成膜材料２０ｍが蒸着される。
リンク配管８０は、金属製であり、互いに連結された複数の配管８０１〜８０５を有する。配管８０１〜８０５は、この順に互いに連結している。配管８０１〜８０５の中、アーム状の配管８０２は、配管８０１の中心軸を中心に回転可能であり、アーム状の配管８０２、８０４のそれぞれは、配管８０３の中心軸を中心に回転可能であり、アーム状の配管８０４は、配管８０５の中心軸を中心に回転可能になっている。また、配管８０１〜８０５の中、隣り合うアーム状の配管８０２、８０４同士は、配管８０３を介して屈曲可能に連結されている。配管８０５は、収容容器７０の下部に連結されている。
例えば、成膜中に、Ｚ軸方向から成膜源２０を見た場合（図１、３）、成膜源２０と基板９０とがＸ軸方向に相対移動すると、この移動に応じて、アーム状の配管８０２と、アーム状の８０４とが成す角度が変化する。さらに、配管８０２は、配管８０１の中心軸を中心に回転し、配管８０２、８０４のそれぞれは、配管８０３の中心軸を中心に回転し、配管８０４は、配管８０５の中心軸を中心に回転する。
成膜装置１は、リンク配管８０を駆動する駆動系を有さず、リンク配管８０は、成膜源２０及び収容容器７０のスライド移動に応じて受動的に駆動する。あるいは、成膜装置１にリンク配管８０を強制的に駆動する駆動系を付設させ、リンク配管８０の駆動により、成膜源２０及び収容容器７０をＸ軸方向またはＹ軸方向に移動させてもよい。この場合、搬送機構９５、９６は、収容容器７０をスライドするレールとして機能する。
配管８０１の内部は、真空容器１０の開口１０ｈを介して、例えば、大気開放されている。これにより、配管８０１に連結する配管８０２〜８０５のそれぞれも大気開放されている。さらに、リンク配管８０は、真空容器１０の内部で収容容器７０に連結されていることから、リンク配管８０に連結された収容容器７０も大気開放されている。
膜厚センサ４０は、共振周波数（ｆ０：基本周波数）を有する水晶振動子を含む。膜厚センサ４０は、アーム４０１を介して、収容容器７０に設置されている。膜厚センサ４０は、基板９０と成膜源２０との間を回避するように、例えば、成膜源２０よりも上の位置に設けられる。水晶振動子には、成膜源２０から放出する成膜材料２０ｍが堆積する。これにより、膜付きの水晶振動子の共振周波数は、ｆ０から変化する。水晶振動子は、1個に限らず、複数配置されてもよい。この場合、膜厚センサ４０には、複数の水晶振動子の中から特定の水晶振動子を選択するチョッパ（シャッター）が取り付けられてもよい。
膜厚コントローラ４１は、いわゆる膜厚モニタである。膜厚コントローラ４１は、膜が堆積することによる水晶振動子の発振周波数（ｆ０）の変化に基づいて、成膜源２０からの成膜材料２０ｍの放出量を算出する。ここで、放出量とは、例えば、基板９０に堆積する膜の成膜速度、基板９０に堆積した膜の厚み等が該当する。
膜厚コントローラ４１が算出した基板９０に堆積する膜の成膜速度、膜厚は、主コントローラ６０に送信される。膜厚センサ４０と膜厚コントローラ４１との間のデータ通信は、例えば、収容容器７０の内部に配設された配線４１１を通じて行われる。さらに、膜厚コントローラ４１と、主コントローラ６０との間のデータ通信は、例えば、リンク配管８０の内部及び収容容器７０の内部に配設された配線（通信配線）６０１を通じて行われる。
アーム４０１は、膜厚センサ４０に冷却水を循環させる冷却機構を有してもよい。これにより、水晶振動子が加熱機構３０からの熱輻射の影響を受けにくくなる。配線４１１は、アーム４０１の内部に引き回されてもよく、アーム４０１の外部に引き回されてもよい。配線４１１がアーム４０１の外部に引き回された場合、配線４１１及びアーム４０１を囲むシールド箔（例えば、アルミニウム箔）がアーム４０１の外部に設けられてもよい。
温度センサ５０は、いわゆる熱電対である。ゼーベック効果によって熱電対に生じた起電力は、温度コントローラ５１によって温度に変換され、成膜源２０の温度が測定される。温度コントローラ５１が算出した成膜源２０の温度は、主コントローラ６０に送信される。温度コントローラ５１と主コントローラ６０との間のデータ通信は、例えば、リンク配管８０の内部及び収容容器７０の内部に配設された配線（通信配線）６０３を通じて行われる。
主コントローラ６０は、真空容器１０外に設けられる。主コントローラ６０は、膜厚コントローラ４１が算出する成膜材料２０ｍの放出量に基づいて、成膜源２０から放出する成膜材料２０ｍの放出量を制御する。
なお、リンク配管８０の内部には、配線６０１〜６０３以外にも、例えば、図示はされていないが、搬送機構９５、９６を駆動するためのモータに電力を供給する配線、膜厚センサ４０に電力を供給したり、膜厚センサ４０から信号を受けたりする配線、チョッパを駆動するモータに電力を供給する配線、シャッタ機構を駆動するモータに電力を供給する配線等を引き回すことも可能である。さらに、リンク配管８０の内部には、水冷管、圧空管等を配置してもよい。
図４は、比較例に係る成膜装置の模式的正面図である。
比較例では、膜厚コントローラ４１が収容容器７０の内部ではなく、真空容器１０の外側に設けられている。また、膜厚コントローラ４１と膜厚センサ４０とを繋ぐ配線４１１は、リンク配管８０の内部に引き回されている。このようなリンク配管８０に引き回された配線は、その長さが数ｍ〜１０ｍに及ぶ場合がある。
配線４１１には、膜付きの水晶振動子の共振周波数に共鳴させるための高周波電圧が重畳される。また、この高周波電圧は、アナログ量である。このため、配線４１１の長さが長くなるほど、配線４１１が外的要因（ノイズ）の影響を受けやすくなる。これは、リンク配管８０の内部に配線４１１以外の配線が複数引き回されていることに起因する。
また、成膜装置の作動中には、リンク配管８０が屈曲したり、Ｘ軸方向に振動したりする。これにより、高周波電圧にとっては、配線４１１のインピーダンスが一定にならない場合がある。
例えば、図５は、成膜源の帰還制御の一例を示す図である。
図中のＳＶ ｒａｔｅは、蒸着速度の目的値（設定値）であり、ＭＶ ｒａｔｅは、成膜速度の制御値であり、ＰＶ ｒａｔｅは、成膜速度の測定値である。Ｐ１は、例えば、外的要因としてのノイズが発生した場合、ノイズが配線４１１に重畳する合流点を示す。
成膜速度の目的値（ＳＶｒａｔｅ）が設定されると、加熱機構３０に目的値（ＳＶｒａｔｅ）が制御信号（ＭＶｒａｔｅ）として送られ、制御信号に基づいて加熱機構３０が加熱される。そして、加熱機構３０から受けた熱量によって成膜源２０が加熱される。また、成膜源２０から放出された成膜材料２０ｍは、水晶振動子に堆積し、膜厚センサ４０から信号を得た膜厚コントローラ４１は、成膜速度（ＰＶｒａｔｅ）を算出する。
この際、目的値（ＳＶｒａｔｅ）と成膜速度（ＰＶｒａｔｅ）とに差が生じた場合は、ＰＩＤ（Proportional Integral Differential）制御によって、制御信号（ＭＶｒａｔｅ）が目的値（ＳＶｒａｔｅ）に漸近するように補正される。これらの帰還制御は、主コントローラ６０により行われる。
しかし、比較例のように、成膜装置の作動中に配線４１１に他の配線からのノイズが重畳したり、配線４１１のインピーダンスが変動したりすると、膜厚コントローラ４１が算出する成膜速度（ＰＶｒａｔｅ）が変動する可能性がある。この結果、ＰＩＤ制御された制御信号（ＭＶｒａｔｅ）も変動し、結局のところ、成膜源２０から放出される成膜材料２０ｍの放出量を精度よく制御されない状況が起きてしまう。
これに対して、本実施形態の成膜装置１では、膜厚コントローラ４１が収容容器７０の内部に配置されているため、配線４１１がリンク配管８０の内部に引き回されていない。この結果、成膜装置の作動中には配線４１１にノイズが重畳しにくく、または、配線４１１のインピーダンスが変動しにくくなる。これにより、膜厚コントローラ４１が算出する成膜速度（ＰＶｒａｔｅ）が安定し、ＰＩＤ制御された制御信号（ＭＶｒａｔｅ）が安定する。この結果、成膜源２０から放出される成膜材料２０ｍの放出量は、主コントローラ６０によって精度よく制御される。
また、成膜装置１では、温度コントローラ５１が収容容器７０に収容されているため、熱電対がリンク配管８０の内部に引き回されていない。この結果、成膜装置の作動中には熱電対にノイズが重畳しにくくなる。これにより、熱電対に生じる起電力が安定し、成膜源２０の温度を精度よく計測することができる。これは、温度を目的値（ＳＶｒａｔｅ）とする帰還制御に有効に働く。
また、膜厚コントローラ４１と主コントローラ６０との配線６０１を通じての通信は、デジタル通信により行ってもよい。また、温度コントローラ５１と主コントローラ６０との配線６０３を通じて通信は、デジタル通信によりにより行ってもよい。これにより、配線６０１または配線６０３がリンク配管８０に引き回されたとしても、膜厚コントローラ４１と主コントローラ６０との間の通信、または、温度コントローラ５１と主コントローラ６０との間の通信は、ノイズの影響を受けにくく、成膜源２０から放出される成膜材料２０ｍの放出量がより精度よく制御される。
また、真空容器１０の内部に収容容器７０を配置しても、収容容器７０は、成膜源２０の下方に置かれ、収容容器７０が成膜源２０と連動するよう構成されている。このため、成膜装置の大型化が回避され、コンパクトな構成になる。
（変形例１）
図６は、本実施形態の変形例１に係る成膜装置の模式的正面図である。
成膜装置２においては、主コントローラ６０が収容容器７０に収容されている。配線６０１、６０３についても収容容器７０に収容されている。
このような構成あれば、配線６０１、６０３は、リンク配管８０に引き回す必要がなくなり、さらに、配線６０１、６０３の長さがより短くなるため、膜厚コントローラ４１と主コントローラ６０との間の通信、または、温度コントローラ５１と主コントローラ６０との間の通信がよりノイズの影響を受けにくくなる。この結果、成膜源２０から放出される成膜材料２０ｍの放出量は、より精度よく制御される。
（変形例２）
図７は、本実施形態の変形例２に係る成膜装置の模式的正面図である。
成膜装置３においては、膜厚コントローラ４１が膜厚コントローラユニット４１ｕ、主コントローラ６０が主コントローラユニット６０ｕ、温度コントローラ５１が温度コントローラユニット５１ｕとして、それぞれの回路ユニットが一体となったコントローラモジュール７１が収容容器７０の内部に配置されている。
コントローラモジュール７１は、膜厚コントローラユニット４１ｕ、主コントローラユニット６０ｕ、及び温度コントローラユニット５１ｕのそれぞれの回路ユニットがマザーボード上に集約された回路基板である。
このような構成によれば、配線６０１、６０３は、マザーボード内でラインパターンとして形成される。さらに、コントローラモジュール７１の外周が収容容器７０で囲まれていることから、コントローラモジュール７１は、収容容器７０のシールド効果によって収容容器７０外からのノイズの影響を受けにくくなる。さらには、コントローラモジュール７１は回路基板であることから、それを収容する収容容器７０の小型化を図ることができる。
（変形例３）
図８は、本実施形態の変形例３に係る成膜装置の模式的正面図である。
成膜装置４においては、膜厚コントローラ４１が膜厚センサ４０に隣接するように配置される。例えば、膜厚コントローラ４１は、膜厚センサ４０の下方に設けられた収容容器７３に収容されている。収容容器７３は、例えば、アーム４０１の内部に設けられた通路（不図示）を通じて収容容器７０に連通し、収容容器７０と同じ圧力（例えば、大気圧）になっている。すなわち、収容容器７０、７３で、真空容器１０よりも圧力が高い収容容器を構成される。
このような構成によれば、配線４１１がさらに短くなり、または、膜厚センサ４０を膜厚コントローラ４１に直接的に付設させた場合には、配線４１１を略すことができる。これにより、配線４１１は、配線４１１外からのノイズの影響を受けにくくなり、成膜源２０から放出される成膜材料２０ｍの放出量がより精度よく制御される。なお、成膜装置４において、配線６０１をデジタル配線としてもよい。
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は上述の実施形態にのみ限定されるものではなく種々変更を加え得ることは勿論である。例えば、成膜装置１、２、３は、蒸着装置に限らず、スパッタリング装置、ＣＶＤ装置にも適用され得る。各実施形態は、独立の形態とは限らず、技術的に可能な限り複合することができる。
１、２、３、４…成膜装置
１０…真空容器
１０ｈ…開口
１０…基板
２０…成膜源
２０ｍ…成膜材料
２１…噴出ノズル
３０…加熱機構
４０…膜厚センサ
４１…膜厚コントローラ
４１ｕ…膜厚コントローラユニット
５０…温度センサ
５１…温度コントローラ
５１ｕ…温度コントローラユニット
６０…主コントローラ
６０ｕ…主コントローラユニット
７０、７３…収容容器
７１…コントローラモジュール
７５…スペーサ
８０…リンク配管
９０…基板
９０ａ…領域
９２…基板支持機構
９５、９６…搬送機構
９８…排気機構
４０１…アーム
４１１…配線
６０１、６０２、６０３…配線
８０１、８０２、８０３、８０４、８０５…配管

Claims (8)

  1. 真空容器と、
    前記真空容器に収容された成膜源と、
    前記真空容器に収容され、前記真空容器内の圧力よりも高い圧力に維持することが可能な収容容器と、
    共振周波数を有する振動子を含み、前記振動子に前記成膜源から放出する成膜材料が堆積する膜厚センサと、
    前記収容容器に収容され、前記成膜材料の堆積による前記発振周波数の変化に基づいて、前記成膜源からの前記成膜材料の放出量を算出する膜厚コントローラと
    を具備する成膜装置。
  2. 請求項１に記載された成膜装置であって、
    前記膜厚コントローラが算出する前記放出量に基づいて、前記成膜源から放出する前記成膜材料の放出量を制御する主コントローラをさらに具備する
    成膜装置。
  3. 請求項２に記載された成膜装置であって、
    互いに連結された複数の配管を有し、隣り合う配管同士が屈曲可能に連結されたリンク配管と、
    前記膜厚コントローラと、前記主コントローラとの間を通信させる通信配線と
    をさらに具備し、
    前記主コントローラは、前記真空容器外に設けられ、
    前記リンク配管は、前記真空容器の内部で前記収容容器に連結され、
    前記リンク配管の内部に、前記通信配線が配設された
    成膜装置。
  4. 請求項３に記載された成膜装置であって、
    前記膜厚コントローラと前記主コントローラとが前記通信配線を通じてデジタル通信により通信をする
    成膜装置。
  5. 請求項２に記載された成膜装置であって、
    前記主コントローラが前記収容容器に収容された
    成膜装置。
  6. 請求項１〜５のいずれか１つに記載された成膜装置であって、
    前記収容容器の圧力が大気圧である
    成膜装置。
  7. 請求項１〜６のいずれか１つに記載された成膜装置であって、
    前記成膜源は、前記真空容器の内部で前記収容容器に連動して移動する
    成膜装置。
  8. 請求項５〜７のいずれか１つに記載された成膜装置であって、
    前記膜厚コントローラと前記主コントローラとは、前記収容容器の内部にコントローラモジュールとして一体となって構成されている
    成膜装置。
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