JPWO2021033461A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JPWO2021033461A5
JPWO2021033461A5 JP2021540668A JP2021540668A JPWO2021033461A5 JP WO2021033461 A5 JPWO2021033461 A5 JP WO2021033461A5 JP 2021540668 A JP2021540668 A JP 2021540668A JP 2021540668 A JP2021540668 A JP 2021540668A JP WO2021033461 A5 JPWO2021033461 A5 JP WO2021033461A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
gas
substrates
procedure
flow rate
substrate processing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2021540668A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JP7212790B2 (ja
JPWO2021033461A1 (https=
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority claimed from PCT/JP2020/027326 external-priority patent/WO2021033461A1/ja
Publication of JPWO2021033461A1 publication Critical patent/JPWO2021033461A1/ja
Publication of JPWO2021033461A5 publication Critical patent/JPWO2021033461A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7212790B2 publication Critical patent/JP7212790B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

JP2021540668A 2019-08-20 2020-07-14 基板処理装置、半導体装置の製造方法、プログラムおよび記録媒体 Active JP7212790B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019150155 2019-08-20
JP2019150155 2019-08-20
PCT/JP2020/027326 WO2021033461A1 (ja) 2019-08-20 2020-07-14 基板処理装置、半導体装置の製造方法、プログラムおよび記録媒体

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JPWO2021033461A1 JPWO2021033461A1 (https=) 2021-02-25
JPWO2021033461A5 true JPWO2021033461A5 (https=) 2022-05-02
JP7212790B2 JP7212790B2 (ja) 2023-01-25

Family

ID=74661075

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2021540668A Active JP7212790B2 (ja) 2019-08-20 2020-07-14 基板処理装置、半導体装置の製造方法、プログラムおよび記録媒体

Country Status (6)

Country Link
US (1) US12540399B2 (https=)
JP (1) JP7212790B2 (https=)
KR (1) KR102881120B1 (https=)
CN (1) CN114207183A (https=)
TW (1) TWI827871B (https=)
WO (1) WO2021033461A1 (https=)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE112021007673T5 (de) * 2021-05-17 2024-03-07 Yamaha Hatsudoki Kabushiki Kaisha Waferzufuhrvorrichtung und Bauteiltransfervorrichtung
CN115440633B (zh) * 2022-10-17 2023-07-11 北京北方华创微电子装备有限公司 半导体工艺设备和排气调节机构
KR20250135174A (ko) * 2023-01-13 2025-09-12 가부시키가이샤 코쿠사이 엘렉트릭 기판 처리 장치, 가스 공급 구조, 반도체 장치의 제조 방법 및 프로그램
FI131961B1 (en) * 2023-06-21 2026-03-12 Picosun Oy A thin-film deposition apparatus cluster
CN117913005B (zh) * 2024-01-19 2025-05-02 浙江泓芯新材料股份有限公司 一种石英舟热处理装置

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02152224A (ja) * 1988-12-02 1990-06-12 Toshiba Corp 気相成長装置
JPH05198517A (ja) * 1992-01-21 1993-08-06 Tokyo Electron Ltd バッチ式ガス処理装置
JP5017913B2 (ja) * 2005-08-17 2012-09-05 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置及び熱処理方法
JP2008166321A (ja) * 2006-12-27 2008-07-17 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置および半導体装置の製造方法
US20080173238A1 (en) * 2006-12-12 2008-07-24 Hitachi Kokusai Electric Inc. Substrate processing apparatus, method of manufacturing semiconductor device, and reaction vessel
JP2008172205A (ja) 2006-12-12 2008-07-24 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置、半導体装置の製造方法、および反応容器
KR101043211B1 (ko) * 2008-02-12 2011-06-22 신웅철 배치형 원자층 증착 장치
JP5544697B2 (ja) * 2008-09-30 2014-07-09 東京エレクトロン株式会社 成膜装置
JPWO2012026241A1 (ja) * 2010-08-26 2013-10-28 株式会社日立国際電気 半導体装置の製造方法、及び基板処理装置
JP5565242B2 (ja) * 2010-09-29 2014-08-06 東京エレクトロン株式会社 縦型熱処理装置
JP2014099427A (ja) * 2011-03-08 2014-05-29 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置、及び、基板の製造方法
US9303318B2 (en) * 2011-10-20 2016-04-05 Applied Materials, Inc. Multiple complementary gas distribution assemblies
JP5761067B2 (ja) * 2012-02-13 2015-08-12 東京エレクトロン株式会社 ガス供給装置及び熱処理装置
JP6291297B2 (ja) * 2014-03-17 2018-03-14 東京エレクトロン株式会社 成膜方法、成膜装置及び記憶媒体
WO2016046909A1 (ja) * 2014-09-24 2016-03-31 株式会社日立国際電気 半導体装置の製造方法、基板処理装置、半導体装置およびプログラム
JP6602332B2 (ja) 2017-03-28 2019-11-06 株式会社Kokusai Electric 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPWO2021033461A5 (https=)
EP1182692B1 (en) Heat-processing apparatus and method for semiconductor processing
JP2012212882A5 (https=)
JP2013084898A5 (ja) 半導体装置の製造方法、基板処理装置及びプログラム
JP6584352B2 (ja) 制御装置、基板処理システム、基板処理方法及びプログラム
JP2012104720A5 (https=)
KR101443702B1 (ko) 성막 장치 및 성막 방법
JP2018166142A5 (https=)
TW202127542A (zh) 基板處理裝置、昇降機構、半導體裝置之製造方法及程式
US20160322234A1 (en) Methods and apparatus for correcting substrate deformity
KR101706270B1 (ko) 기판 처리 장치
CN109494172A (zh) 冷却单元、绝热结构体、基板处理装置、以及半导体装置的制造方法
JP2020529922A (ja) ホットウォールフラックスフリーはんだボール処理装置
JP2012099594A (ja) 基板処理装置
JP2019067820A5 (https=)
JP2018195810A5 (https=)
JP2007081365A5 (https=)
JP2020057769A5 (https=)
TWI461568B (zh) 熱梯度加強化學氣相沈積
JP2024021647A5 (https=)
JP2011195863A (ja) 原子層堆積装置及び原子層堆積方法
JP2009246318A5 (https=)
JP2020047640A5 (https=)
JPWO2004097913A1 (ja) 真空成膜装置及び真空成膜方法並びに太陽電池材料
KR100800504B1 (ko) 배치식 반응챔버의 히팅장치