JP2020529922A - ホットウォールフラックスフリーはんだボール処理装置 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (20)
- 内部ではんだボール事前搭載ウェハチップを加工するためのウェハチップ処理チャンバであって、
上端部及び下端部を有する細長い加熱ハウジングと、
前記細長い加熱ハウジングの前記上端部の周囲に延在する伝導性ホットウォールと、
前記細長いハウジングの前記上端部の周囲に延在する前記伝導性ホットウォールの前記上端部にわたって配設された一次固定加熱部材と、
前記細長いハウジングの前記下端部内の下部ハウジング内に配置された垂直方向に変位可能な二次底部加熱部材と、
前記ウェハチップ熱処理加工中に、前記細長いハウジングの比較的低温の下端部と前記細長いハウジングの比較的高温の上端部との間で、その上に支持されたウェハチップを移動及び保持するように配設された垂直方向に移動可能なウェハチップアダプタリング支持体と、を備えるウェハチップ処理チャンバ。 - 前記変位可能な底部加熱部材が、前記ウェハチップの一部の熱処理加工中に、それに対してはんだボール搭載ウェハチップをぴったりと固設するために、その上に吸着装置を有する、請求項1に記載のウェハチップ処理チャンバ。
- 前記ウェハチップアダプタリングが、制御コンピュータと通信するように周囲に配設された垂直方向にウェハチップを移動可能な複数の昇降ピンを有する、請求項1に記載のウェハチップ処理チャンバ。
- 複数の昇降ピンが、前記細長いハウジングの前記下端部を通って配設され、前記昇降ピンが、前記ウェハチップアダプタリング及びその上のウェハを、前記細長いハウジングの前記上端部に持ち上げるように垂直方向に変位可能である、請求項3に記載のウェハチップ処理チャンバ。
- 前記細長いハウジングの前記上端部にわたる前記一次固定加熱部材が、前記細長いハウジングの前記上端部を制御可能に加熱するための頂部ヒータシーリング部材と、別個のリングヒータと、を含む、請求項4に記載のウェハチップ処理チャンバ。
- 温度制御されたガスが前記細長いハウジングの前記上端部内に供給されることを可能にするために、前記細長いハウジングの前記上端部の周囲に延在する前記伝導性ホットウォールを通って延在する複数のガス入口ポートを含む、請求項4に記載のウェハチップ処理チャンバ。
- 前記温度制御されたガスが前記細長いハウジングの前記上端部から排気されることを可能にするために、前記頂部ヒータシーリング部材を通って延在するガス排気ポートを含む、請求項6に記載のウェハチップ処理チャンバ。
- 単一の垂直方向に配向された細長いフラックスフリーはんだリフローチャンバ内で、事前搭載されたはんだボールウェハチップを加工する方法であって、
フラックスフリーはんだボール搭載ウェハチップをウェハチップアダプタ支持リング上に配設するステップと、
前記フラックスフリーはんだリフローチャンバの上端部を加熱するステップと、
ウェハチップ持ち上げ昇降ピンのアレイからのセンサ制御コンピュータフィードバックループ信号に応答して、必要に応じて、前記ウェハチップアダプタ支持リングを、前記フラックスフリーはんだリフローチャンバの上端部に向かって、及びそれから離れるように移動させるステップと、を含む方法。 - 前記ウェハチップアダプタ支持リング上に支持された前記ウェハチップの温度を、制御コンピュータと通信するように前記昇降ピンに接触し、かつそれによって搬送されるセンサのアレイによって感知することを含む、請求項8に記載の単一の垂直方向に配向されたリフローチャンバ内で事前搭載されたはんだボールウェハチップを加工方法。
- 前記ウェハチップと前記底部ヒータとの間の緊密な加熱を確実にするために、前記底部ヒータを通って配設されており、かつ前記ウェハチップを前記底部ヒータに対して吸引する、真空源によって、前記ウェハチップアダプタ支持リング上に支持された前記ウェハチップを前記底部ヒータに対して固設することを含む、請求項9に記載の事前搭載されたはんだボールウェハチップを加工する方法。
- 前記底部ヒータの外側に配設された垂直方向に変位可能な昇降ピンの周辺アレイによって、前記ウェハチップアダプタ支持リング及びその上の前記ウェハを垂直方向に上方に持ち上げることを含む、請求項10に記載の事前搭載されたはんだボールウェハチップを加工する方法。
- 前記加熱されたウェハの完全に真空制御された吸引を可能にするために、前記底部ヒータにわたって複数の溝を配設することを含む、請求項11に記載の事前搭載されたはんだボールウェハチップを加工する方法。
- 前記ウェハの前記伝導熱処理のために異なる真空強度が印加されることを可能にするように、前記底部ヒータにわたる前記複数の溝を、異なる個別に制御された負圧可能な集合体に分離するステップを含む、請求項12に記載の事前搭載されたはんだボールウェハチップを加工する方法。
- 対流冷却ガス流プレート上の前記ウェハチップの伝導冷却のための後続の処理冷却チャンバに、前記ウェハチップアダプタ支持リングを前進させることと、
前記処理冷却チャンバ内の上端部において、前記ウェハチップ上に窒素ガスのシャワーヘッドを適用することと、を含む、請求項13に記載の事前搭載されたはんだボールウェハチップを加工する方法。 - フラックスフリーはんだボール搭載ウェハチップの加工のために垂直方向に配向された第1の熱処理チャンバ及び垂直方向に配向された第2のチップ冷却処理チャンバであって、
前記第1の処理チャンバの上端部の第1の又は上部ヒータと、
前記第1の処理チャンバの下端部の第2の又は下部ヒータと、
前記ウェハチップ支持リング上に支持されたウェハチップの温度検知モニタリングに応答して、前記第1の処理チャンバ内で上方及び下方に移動可能なフラックスフリーはんだボール搭載ウェハチップが事前搭載された支持リングと、
熱処理されたウェハチップを前記昇降ピン上で回転させるための割出可能で回転可能なキャリアディスクと、
熱処理されたウェハチップを受容するように配設された第2の処理チャンバ内に中間的に配設されたチップ受容可能ガス流冷却プレートであって、前記ガス流冷却プレートが、前記熱処理されたウェハチップを対流的に冷却するための窒素ガス分配シャワーヘッドに向かって垂直方向に前進可能である、チップ受容可能ガス流冷却プレートと、を備える、垂直方向に配向された第1の熱処理チャンバ及び垂直方向に配向された第2のチップ冷却処理チャンバ。 - 前記第1の処理チャンバ内での前記ウェハチップの垂直方向の動作中に、フラックスフリーはんだボール搭載ウェハチップの加熱加工全体が行われる、請求項15に記載の垂直方向に配向された第1の処理チャンバ。
- 単一の垂直方向に配向された細長いフラックスフリーはんだリフローチャンバ内で事前搭載されたはんだボールウェハチップを熱加工する方法であって、
フラックスフリーはんだボール搭載ウェハチップをウェハチップアダプタ支持リング上に配設するステップと、
前記フラックスフリーはんだリフローチャンバの上端部を、適切な第1の特定の高温に加熱するステップと、
前記フラックスフリーはんだリフローチャンバの下端部を、適切な第2の特定の低温に加熱するステップと、
制御されたコンピュータフィードバックループ信号と通信するアダプタ支持リング実装センサに応答して、必要に応じて、前記フラックスフリーはんだリフローチャンバ内の材料所要温度勾配内の垂直方向位置間で、前記ウェハチップアダプタ支持リングを保持及び移動させるステップと、を含む方法。 - 側壁内の複数のガス入口ポートを通って、かつ前記フラックスフリーはんだリフローチャンバの前記上端部の中に、特定の温度及び圧力で処理ガスを導入することと、
熱処理加工中に、前記フラックスフリーはんだリフローチャンバの前記上端部から処理ガスを排気することと、を含む、請求項17に記載の事前搭載されたはんだボールウェハチップを熱加工する方法。 - フラックスフリーはんだボール搭載ウェハチップの加工のために、カルーセル上に支持された垂直方向に配向された複数のウェハ処理チャンバの旋回可能なアレイを備える、共通のロボットウェハ供給及び回収アームによる処理のためのウェハ製造ユニットのグループ化であって、各垂直方向に配向された処理チャンバが、
前記処理チャンバの上端部の第1の又は上部ヒータと、
前記処理チャンバの下端部に配設された第2の又は低温制御ユニットと、
前記ウェハチップ支持リング上に支持されたウェハチップの温度検知モニタリングに応答して、前記処理チャンバ内で上方及び下方に移動可能なフラックスフリーはんだボール搭載ウェハチップが事前搭載された支持リングと、を備えるウェハ製造ユニットのグループ化。 - 回転可能なキャリアディスク上の一連の処理されたウェハを間欠的に受容するように配設された垂直方向に配設された細長い冷却チャンバであって、前記キャリアディスクが、処理されたウェハをその上に担持する垂直方向に変位可能な環状アダプタリングを支持し、前記垂直方向に変位可能な環状アダプタリングが、前記処理チャンバの前記下端部から前記処理チャンバの前記上端部まで延在する連結部材の環状アレイによって持ち上げられた冷却ガス流プレートによってウェハを搬送する、垂直方向に配設された細長い冷却チャンバを含む、請求項19に記載のウェハ製造ユニットのグループ化。
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Families Citing this family (5)
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---|---|---|---|---|
KR20210058962A (ko) * | 2018-09-28 | 2021-05-24 | 보스턴 프로세스 테크놀로지스, 아이엔씨. | 다중 모듈 칩 제조 장치 |
JP2023507327A (ja) * | 2019-12-20 | 2023-02-22 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 基板の取扱い及び均一なベーキングのためのベーキング装置 |
DE102020129759A1 (de) * | 2020-11-11 | 2022-05-12 | Martin Schweikhart | Verfahren zu einem Betrieb einer Vakuumanlage sowie Vakuumanlage |
CN113363219B (zh) * | 2021-05-11 | 2024-02-06 | 苏州通富超威半导体有限公司 | 一种bga产品、热压设备及热压工艺 |
CN114429927B (zh) * | 2022-01-26 | 2022-09-27 | 深圳市锐博自动化设备有限公司 | 一种半导体芯片用自动共晶机 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002210555A (ja) * | 2001-01-18 | 2002-07-30 | Fujitsu Ltd | はんだ接合装置 |
JP2007125578A (ja) * | 2005-11-02 | 2007-05-24 | Fujitsu Ltd | リフロー装置、リフロー方法、および半導体装置の製造方法 |
JP2014060401A (ja) * | 2012-09-17 | 2014-04-03 | Psk Inc | 連続線形熱処理装置の配列 |
JP2015032828A (ja) * | 2013-08-01 | 2015-02-16 | ピーエスケー・インコーポレーテッド | リフロ処理ユニット及び基板処理装置 |
JP2015060902A (ja) * | 2013-09-18 | 2015-03-30 | 東京エレクトロン株式会社 | 接合方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体及び接合システム |
Family Cites Families (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0786336A (ja) * | 1993-09-10 | 1995-03-31 | Fujitsu Ltd | ボンディング装置 |
JP2001058259A (ja) * | 1999-06-18 | 2001-03-06 | Shinko Seiki Co Ltd | 半田付け方法及び半田付け装置 |
TW570856B (en) * | 2001-01-18 | 2004-01-11 | Fujitsu Ltd | Solder jointing system, solder jointing method, semiconductor device manufacturing method, and semiconductor device manufacturing system |
US8274161B2 (en) * | 2002-07-01 | 2012-09-25 | Semigear Inc | Flux-free chip to substrate joint serial linear thermal processor arrangement |
US20130175323A1 (en) * | 2002-07-01 | 2013-07-11 | Jian Zhang | Serial thermal linear processor arrangement |
US7632750B2 (en) * | 2006-07-07 | 2009-12-15 | Semigear Inc | Arrangement for solder bump formation on wafers |
JP5487327B2 (ja) * | 2010-12-21 | 2014-05-07 | キヤノンアネルバ株式会社 | 基板熱処理装置 |
JP2013074093A (ja) * | 2011-09-28 | 2013-04-22 | Renesas Electronics Corp | リフロー前処理装置およびリフロー前処理方法 |
KR101491992B1 (ko) * | 2013-01-08 | 2015-02-10 | (주)에스티아이 | 반도체 웨이퍼의 연속 처리방법 |
JP6084479B2 (ja) * | 2013-02-18 | 2017-02-22 | 株式会社Screenホールディングス | 熱処理方法、熱処理装置およびサセプター |
US10405375B2 (en) * | 2013-03-11 | 2019-09-03 | Applied Materials, Inc. | Lamphead PCB with flexible standoffs |
JP5726281B1 (ja) * | 2013-12-27 | 2015-05-27 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置及び半導体装置の製造方法 |
KR101623011B1 (ko) * | 2014-03-04 | 2016-05-20 | (주)에스티아이 | 열처리 장치 및 열처리 방법 |
US10053777B2 (en) * | 2014-03-19 | 2018-08-21 | Applied Materials, Inc. | Thermal processing chamber |
TW201635401A (zh) * | 2015-02-26 | 2016-10-01 | 燦美工程股份有限公司 | 用於回焊焊料凸塊的回焊方法 |
JP6560550B2 (ja) * | 2015-07-06 | 2019-08-14 | 株式会社Screenホールディングス | 熱処理方法および熱処理装置 |
JP6333232B2 (ja) * | 2015-12-02 | 2018-05-30 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラム |
US10607866B2 (en) * | 2018-08-01 | 2020-03-31 | Boston Process Technologies, Inc | Hot wall flux free solder ball treatment arrangement |
-
2018
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Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002210555A (ja) * | 2001-01-18 | 2002-07-30 | Fujitsu Ltd | はんだ接合装置 |
JP2007125578A (ja) * | 2005-11-02 | 2007-05-24 | Fujitsu Ltd | リフロー装置、リフロー方法、および半導体装置の製造方法 |
JP2014060401A (ja) * | 2012-09-17 | 2014-04-03 | Psk Inc | 連続線形熱処理装置の配列 |
JP2015032828A (ja) * | 2013-08-01 | 2015-02-16 | ピーエスケー・インコーポレーテッド | リフロ処理ユニット及び基板処理装置 |
JP2015060902A (ja) * | 2013-09-18 | 2015-03-30 | 東京エレクトロン株式会社 | 接合方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体及び接合システム |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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