JPWO2020137615A1 - 無線通信装置の製造方法、無線通信装置および無線通信装置の集合体 - Google Patents
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- 238000004891 communication Methods 0.000 title claims abstract description 64
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 53
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 219
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 103
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 18
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 9
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims abstract description 8
- 239000003575 carbonaceous material Substances 0.000 claims abstract description 7
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims abstract description 5
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 6
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 6
- 239000010408 film Substances 0.000 claims 50
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 27
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 17
- 239000000463 material Substances 0.000 description 14
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 13
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 13
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 12
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 11
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 9
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 7
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 6
- 229920002799 BoPET Polymers 0.000 description 5
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 description 5
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 5
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 5
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 5
- 229920001665 Poly-4-vinylphenol Polymers 0.000 description 4
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000007607 die coating method Methods 0.000 description 4
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 4
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 4
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 4
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 3
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 3
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 3
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 3
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 3
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 3
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002033 PVDF binder Substances 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 2
- 238000007611 bar coating method Methods 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 2
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 2
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 2
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 2
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 2
- 229920002981 polyvinylidene fluoride Polymers 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 229920002803 thermoplastic polyurethane Polymers 0.000 description 2
- XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N C60 fullerene Chemical class C12=C3C(C4=C56)=C7C8=C5C5=C9C%10=C6C6=C4C1=C1C4=C6C6=C%10C%10=C9C9=C%11C5=C8C5=C8C7=C3C3=C7C2=C1C1=C2C4=C6C4=C%10C6=C9C9=C%11C5=C5C8=C3C3=C7C1=C1C2=C4C6=C2C9=C5C3=C12 XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 230000033228 biological regulation Effects 0.000 description 1
- 239000001913 cellulose Substances 0.000 description 1
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000547 conjugated polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 230000005674 electromagnetic induction Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 229910003472 fullerene Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 1
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002492 poly(sulfone) Polymers 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 238000010008 shearing Methods 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 1
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- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06K—GRAPHICAL DATA READING; PRESENTATION OF DATA; RECORD CARRIERS; HANDLING RECORD CARRIERS
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- G06K19/06—Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings characterised by the kind of the digital marking, e.g. shape, nature, code
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- G06K19/07—Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components with integrated circuit chips
- G06K19/077—Constructional details, e.g. mounting of circuits in the carrier
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- G06K19/06—Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings characterised by the kind of the digital marking, e.g. shape, nature, code
- G06K19/067—Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components
- G06K19/07—Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components with integrated circuit chips
- G06K19/077—Constructional details, e.g. mounting of circuits in the carrier
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- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
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- H—ELECTRICITY
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- H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
- H10K10/40—Organic transistors
- H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
- H10K10/80—Constructional details
- H10K10/82—Electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
- H10K10/80—Constructional details
- H10K10/88—Passivation; Containers; Encapsulations
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
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Abstract
Description
少なくとも回路が形成された第1のフィルム基板と、アンテナが形成された第2のフィルム基板とを貼り合わせて無線通信装置を製造する方法であって、
前記回路が、トランジスタを含み、
前記トランジスタが、
前記第1のフィルム基板上に導電性パターンを形成する工程と、
前記導電性パターンが形成されたフィルム基板上に絶縁層を形成する工程と、
前記絶縁層上に有機半導体及び/又はカーボン材料を含む溶液を塗布し、乾燥して半導体層を形成する工程と、
を含む工程により形成されるものである、
無線通信装置及びその製造方法である。
図1Aは、本発明の実施の形態1に係る無線通信装置の製造方法の概要を示す模式図である。この実施の形態1では、RFID回路110が形成された第1のフィルム基板100と、アンテナ210が形成された第2のフィルム基板200とを貼り合わせる工程を模式的に示している。図1Bは貼り合わせ部を横からみた模式図である。
第1のフィルム基板と第2のフィルム基板を貼り合わせる工程に設けられたアライメントカメラ405は、第1のフィルム基板100と第2のフィルム基板200との搬送方向の位置ずれ量を測定し検出する。第1のフィルム基板100と第2のフィルム基板200にはそれぞれアライメントマーク(図1Aでは図示せず)が形成されており、それらの相対的なずれから、上記位置ずれ量が検出される。
図6は、本発明の実施の形態2に係る無線通信装置の製造方法の概要を示す模式図である。この実施の形態2では、第1のフィルム基板100と第2のフィルム基板200の搬送方向は同一方向であり、互いに対向させて長尺方向に間欠搬送する。すなわち、両者を一定量搬送させたら、一旦停止する。停止時には、第1のフィルム基板100をフィルム搬送グリップ409で固定する。張力調整用フィードロール401aと張力調整用ニップロール402aにより、搬送張力をカットし、第1のフィルム基板100を弛ませた状態で、張力調整用フィードロール401b、張力調整用ニップロール402b、搬送グリップを下降させる。
図7は、本発明の実施の形態3に係る無線通信装置の製造方法の概要を示す模式図である。この実施の形態3では、第1のフィルム基板100と第2のフィルム基板200が直交するように配置される以外は実施の形態2と同様の工程を経て製造する。
図8は、本発明の実施の形態4に係る無線通信装置の製造方法の概要を示す模式図である。この実施の形態4では、実施の形態1に、第1のフィルム基板100を2つ以上に分割する工程と、当該分割された第1のフィルム基板の、搬送と垂直方向の間隔を第2のフィルム基板の基板幅方向のアンテナ列の間隔に調整する工程とが加わっており、分割された第1のフィルム基板100それぞれに対応する張力調整用フィードロール401及び張力調整用ニップロール402が設けられている。
図9は、本発明の実施の形態5に係る無線通信装置の製造方法の概要を示す模式図である。この実施の形態5では、第1のフィルム基板100と第2のフィルム基板200が直交するように配置される以外は実施の形態4と同様の工程を経て製造する。
図10は、本発明の実施の形態6に係る無線通信装置の製造方法の概要を示す模式図である。実施の形態6では、第2のフィルム基板200は実施の形態2と同様の形状であるが、第1のフィルム基板100は枚葉状である点が異なる。RFID回路は、枚葉状の第1のフィルム基板の長尺方向に1列以上のアレイ状に形成されている。
図11は、本発明の実施の形態7に係る無線通信装置の概要を示す模式平面図である。実施の形態7では、回路110とアンテナ210の一部が意図的に重なるように設計していることを特徴としている。図12Aは、図11に示されている、回路とアンテナの重なり部300の模式断面図である。図12Aに示されるように、回路の一部である下部電極配線130がアンテナ210に重なるように配置することにより、重なった部分の面積を低減することができる。また、重ねる部分は回路とアンテナを接続する配線として利用しても良いが、平行平板コンデンサとして用いることもできる。この場合、下部電極配線130と絶縁層112およびアンテナ210を用いて平行平板コンデンサとすることが可能である。静電容量は下部電極配線130とアンテナ210の重なる面積、絶縁層の誘電率により決定される。下部電極配線130とアンテナ210が重なりの形状は一例として長方形で説明したが、いずれの形状でも良い。また、各層の材料や形成方法については実施の形態1に示した通りである。
(1)本発明に記載の方法で、RFID回路を形成したPETフィルム(第1のフィルム基板)と、PETフィルムを用いて形成したアンテナフィルム(第2のフィルム基板)とを貼り合わせ、RFIDインレイを製造する工程。
(2)前記RFIDインレイの表裏両面うち、第1のフィルム基板が貼り合わせられていない側の面(すなわち裏面)に粘着剤を塗布し、この裏面に離型紙をラミネートし、且つ、第1のフィルム基板が形成された側の面(すなわち表面)に印字等の印刷が可能な表面シートを接着材でラミネートし、その後、かす上げを行う工程。
(1)本発明に記載の方法で、RFID回路を形成したPETフィルム(第1のフィルム基板)と、紙を用いて形成したアンテナフィルム(第2のフィルム基板)とを貼り合わせ、RFIDインレイを製造する工程。
(2)第1のフィルム基板が形成された側の面(すなわち表面)に値段や商品名などが印字された表面紙を接着材でラミネートする工程。
(1)本発明に記載の方法で、RFID回路を形成した包装パッケージフィルム(第1のフィルム基板)と、PETフィルムを用いて形成したアンテナフィルム(第2のフィルム基板)とを貼り合わせ、RFIDインレイを製造する工程。なお、包装パッケージフィルムとしては、例えば、ペットボトルのラベルフィルムが挙げられ、そこには商品名や商品イメージなどが印字されている。この場合、アンテナパターンは、商品名や商品イメージの印刷時に、導電ペーストを用いた印刷法で形成することができる。
(2)第1のフィルム基板が形成された側の面(すなわち表面)に値段や商品名などが印字された表面紙を接着材でラミネートする工程。
110:RFID回路
111:ゲート電極
112:絶縁層
113:有機半導体層
114:ソース電極
115:ドレイン電極
120:アライメントマーク
130:下部電極配線
131:上部電極配線(接続部)
140:TFT部
150:下部導電膜
160:上部導電膜
170:接着層
200:第2のフィルム基板
210:アンテナ
220:アライメントマーク
230:アンテナ配線(接続部)
300:回路とアンテナの重なり部
401,401a,401b:張力調整用フィードロール
402,402a,402b:張力調整用ニップロール
403:貼り合わせ用フィードロール
404:貼り合わせ用ニップロール
405:アライメント用カメラ
406:ヒータ
407:ステージ
408:フィルム切断刃
409:フィルム搬送グリップ
500:第1のフィルム基板と第2のフィルム基板の搬送方向を示す矢印
Claims (20)
- 少なくとも回路が形成された第1のフィルム基板と、少なくともアンテナが形成された第2のフィルム基板とを貼り合わせて無線通信装置を製造する方法であって、
前記回路が、トランジスタを含み、
前記トランジスタが、
前記第1のフィルム基板上に導電性パターンを形成する工程と、
前記導電性パターンが形成されたフィルム基板上に絶縁層を形成する工程と、
前記絶縁層上に有機半導体及び/又はカーボン材料を含む溶液を塗布し、乾燥して半導体層を形成する工程と、
を含む工程により形成されるものである、
無線通信装置の製造方法。 - 前記第1のフィルム基板の回路側の面と、前記第2のフィルム基板のアンテナ側の面とを貼り合わせる、請求項1に記載の無線通信装置の製造方法。
- 前記回路は前記第1のフィルム基板の長尺方向に1列以上のアレイ状に形成され、
前記アンテナは前記第2のフィルム基板の長尺方向に1列以上のアレイ状に形成され、
前記第1のフィルム基板と前記第2のフィルム基板とを前記長尺方向に搬送し、前記貼り合わせを連続して行う
請求項1または2に記載の無線通信装置の製造方法。 - 前記貼り合わせが、
第1のフィルム基板と第2のフィルム基板の搬送方向の位置ずれ量を測定する工程と、
前記位置ずれ量に応じて第1のフィルム基板又は第2のフィルム基板の位置を補正する工程と、
を含む、請求項3に記載の無線通信装置の製造方法。 - 前記搬送方向の位置ずれ量をアライメントカメラにより測定する工程と、
前記位置ずれ量の補正を、第1のフィルム基板又は第2のフィルム基板の搬送張力を変化させることにより行う工程と、を含む、請求項4に記載の無線通信装置の製造方法。 - 前記回路は前記第1のフィルム基板の長尺方向に1列以上のアレイ状に形成され、
前記アンテナは前記第2のフィルム基板の長尺方向に1列以上のアレイ状に形成され、
前記貼り合わせを、
前記第1のフィルム基板と前記第2のフィルム基板とを互いに対向させ、前記長尺方向に間欠搬送する工程、
前記搬送の停止時に、前記第1のフィルム基板または前記第2のフィルム基板を、貼り合わせ位置において、前記回路または前記アンテナを複数個含む枚葉シート状に分割する工程、
前記枚葉シート状の前記第1のフィルム基板または前記第2のフィルム基板において、前記回路と前記アンテナとを貼り合わせる工程、とを含む請求項1または2に記載の無線通信装置の製造方法。 - 前記第1のフィルム基板と前記第2のフィルム基板とが、互いに直交するように配置される、請求項6に記載の無線通信装置の製造方法。
- 前記第1のフィルム基板を搬送方向に少なくとも2つ以上に分割する工程と、
当該分割したフィルム基板同士の、搬送と垂直方向の間隔を前記第2のフィルム基板の基板幅方向のアンテナ列の間隔に調整する工程と、
を含む、
請求項3〜6のいずれかに記載の無線通信装置の製造方法。 - 前記第1のフィルム基板を搬送方向に少なくとも2つ以上に分割する工程と、
当該分割したフィルム基板同士の、搬送と垂直方向の間隔を前記第2のフィルム基板の搬送方向のアンテナ列の間隔に調整する工程と、
を含む、
請求項7に記載の無線通信装置の製造方法。 - 前記回路は枚葉状の前記第1のフィルム基板の長尺方向に1列以上のアレイ状に形成され、
前記アンテナは前記第2のフィルム基板の長尺方向に1列以上のアレイ状に形成され、
前記第2のフィルム基板を前記長尺方向に間欠搬送し、
前記搬送の停止時に、前記枚葉状の第1のフィルム基板を前記第2のフィルム基板と対向させ、前記回路と前記アンテナとを貼り合わせる、
請求項1または2に記載の無線通信装置の製造方法。 - 前記貼り合わせが、
第1のフィルム基板と第2のフィルム基板の基板幅方向及び搬送方向の位置ずれ量をアライメントカメラにより検出する工程と、
前記位置ずれ量に応じて第1のフィルム基板の位置を調整する工程と、
を含む、
請求項6または10記載の無線通信装置の製造方法。 - 前記第1のフィルム基板又は前記第2のフィルム基板上において、前記回路と前記アンテナとの接続部に導電性ペーストを塗布した後、前記貼り合わせを行う、請求項1〜11のいずれかに記載の無線通信装置の製造方法。
- 前記第1のフィルム基板又は前記第2のフィルム基板上において、
前記回路と前記アンテナとの間の少なくとも一部に非導電性ペーストを塗布した後、前記貼り合わせを行う、請求項1〜10のいずれかに記載の無線通信装置の製造方法。 - 前記回路がRFID回路である、請求項1〜13のいずれかに記載の無線通信装置の製造方法。
- 少なくとも回路が形成された第1のフィルム基板と、少なくともアンテナが形成された第2のフィルム基板とを、積層してなる無線通信装置であって、
前記回路が、薄膜トランジスタを含み、前記薄膜トランジスタは、
ゲート電極、ドレイン電極、ソース電極を有し、
前記ゲート電極と前記ドレイン電極および前記ソース電極の間に絶縁層を有し、
前記ドレイン電極および前記ソース電極の間に半導体層を有し、
前記半導体層が有機半導体及び/又はカーボン材料を含むことを特徴とする無線通信装置。 - 前記第1のフィルム基板の回路側の面と、前記第2のフィルム基板のアンテナ側の面とを接して積層してなる、請求項15記載の無線通信装置。
- 前記回路の一部と前記アンテナの少なくとも一部が重なって積層されていることを特徴とする、請求項15または16に記載の無線通信装置。
- 前記回路と前記アンテナが接着剤を介して固定されていることを特徴とする、請求項15〜17のいずれかに記載の無線通信装置。
- 前記回路がRFID回路である、請求項15〜18のいずれかに記載の無線通信装置。
- 第1のフィルム基板がシート上に2つ以上の回路を有し、第2のフィルム基板がシート上に2つ以上のアンテナを有し、これらが前記回路とアンテナが重なり合うように配されて積層されてなる請求項15〜19のいずれかに記載の無線通信装置の集合体。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018240796 | 2018-12-25 | ||
JP2018240796 | 2018-12-25 | ||
PCT/JP2019/048923 WO2020137615A1 (ja) | 2018-12-25 | 2019-12-13 | 無線通信装置の製造方法、無線通信装置および無線通信装置の集合体 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2020137615A1 true JPWO2020137615A1 (ja) | 2021-11-18 |
JPWO2020137615A5 JPWO2020137615A5 (ja) | 2022-12-13 |
JP7434898B2 JP7434898B2 (ja) | 2024-02-21 |
Family
ID=71127973
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019570145A Active JP7434898B2 (ja) | 2018-12-25 | 2019-12-13 | 無線通信装置の製造方法、無線通信装置および無線通信装置の集合体 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20220037778A1 (ja) |
JP (1) | JP7434898B2 (ja) |
TW (1) | TWI842794B (ja) |
WO (1) | WO2020137615A1 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2021220809A1 (ja) * | 2020-04-30 | 2021-11-04 | 株式会社村田製作所 | Rfidタグ製造システム |
CN113270341B (zh) * | 2021-04-20 | 2023-01-06 | 广东工业大学 | 一种基于滚筒的芯片扩张及巨量转移方法 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003168099A (ja) * | 2001-11-30 | 2003-06-13 | Oji Paper Co Ltd | Icチップ実装体の製造装置 |
JP2006298572A (ja) | 2005-04-20 | 2006-11-02 | Brother Ind Ltd | テープ供給装置 |
JP5137356B2 (ja) | 2005-09-02 | 2013-02-06 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 集積回路装置 |
JP4386023B2 (ja) * | 2005-10-13 | 2009-12-16 | パナソニック株式会社 | Ic実装モジュールの製造方法および製造装置 |
JP5672067B2 (ja) | 2010-03-09 | 2015-02-18 | 株式会社リコー | 可逆性感熱記録媒体の製造方法及び製造装置、並びに可逆性感熱記録媒体 |
WO2015085064A1 (en) * | 2013-12-05 | 2015-06-11 | Uniqarta, Inc. | Electronic device incorporated into a sheet |
EP3181569A4 (en) * | 2014-08-13 | 2018-03-21 | UBE Industries, Ltd. | Benzobis(thiadiazole) derivative, ink containing same, and organic electronic device using same |
WO2017030070A1 (ja) * | 2015-08-20 | 2017-02-23 | 東レ株式会社 | アンテナ基板の製造方法、配線と電極付きアンテナ基板の製造方法およびrfid素子の製造方法 |
KR102126526B1 (ko) * | 2016-08-10 | 2020-06-25 | 단국대학교 산학협력단 | 나노 구조를 이용한 유기 반도체 소자 및 이의 제조방법 |
JP6746557B2 (ja) | 2016-12-06 | 2020-08-26 | 旭化成株式会社 | 半導体膜、及びそれを用いた半導体素子 |
-
2019
- 2019-12-13 US US17/298,783 patent/US20220037778A1/en active Pending
- 2019-12-13 JP JP2019570145A patent/JP7434898B2/ja active Active
- 2019-12-13 WO PCT/JP2019/048923 patent/WO2020137615A1/ja active Application Filing
- 2019-12-17 TW TW108146233A patent/TWI842794B/zh active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP7434898B2 (ja) | 2024-02-21 |
US20220037778A1 (en) | 2022-02-03 |
TW202029573A (zh) | 2020-08-01 |
TWI842794B (zh) | 2024-05-21 |
WO2020137615A1 (ja) | 2020-07-02 |
CN113015979A (zh) | 2021-06-22 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A521 | Request for written amendment filed |
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|
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
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