TWI842794B - 無線通訊裝置之製造方法、無線通訊裝置以及無線通訊裝置的集合體 - Google Patents

無線通訊裝置之製造方法、無線通訊裝置以及無線通訊裝置的集合體 Download PDF

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TWI842794B
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村瀬清一郎
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日商東麗股份有限公司
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Abstract

本發明的課題在於提供一種無線通訊裝置,其製程簡單、位置精度佳、低成本且為柔性,本發明的主旨為無線通訊裝置及其製造方法,所述製造方法是將至少形成著電路的第一膜基板與形成著天線的第二膜基板貼合而製造無線通訊裝置的方法,所述電路包括電晶體,所述電晶體藉由包含下述步驟的步驟而形成:在所述第一膜基板上形成導電性圖案;在形成著所述導電性圖案的膜基板上形成絕緣層;以及在所述絕緣層上塗佈含有有機半導體及/或碳材料的溶液,並進行乾燥而形成半導體層。

Description

無線通訊裝置之製造方法、無線通訊裝置以及無線通訊裝置的集合體
本發明是有關於一種無線通訊裝置之製造方法以及無線通訊裝置。
近年來,正在開發使用射頻識別(Radio Frequency Identification,RFID)技術來作為非接觸型標籤(tag)的無線通訊裝置。RFID系統中,在被稱作讀取器/寫入器的無線收發器與RFID標籤之間進行無線通訊。
RFID標籤是嵌入RFID嵌體(inlay)並進行加工、標籤化而成,該RFID嵌體包括包含電晶體或電容器等的驅動電路、以及用以與讀取器/寫入器進行無線通訊的天線。設置於標籤內的天線接收從讀取器/寫入器發送的載波,從而驅動電路進行運作。
RFID標籤已開始被導入部分交通卡等積體電路(Integrated Circuit,IC)卡、商品標籤等中,亦期待用於物流管理、商品管理、防止行竊等各種用途中。
為此,要求RFID嵌體為柔性且能夠以低成本製造。作為製造RFID嵌體之一種方法,可列舉將RFID的驅動電路與天線 形成於同一基板上的方法。然而,該方法中,由於天線的尺寸大且RFID的驅動電路必須形成在無天線的部分,故無法高密度地形成RFID的驅動電路。因此,生產效率降低,這成為成本增加的主要原因。
因此,正研究如下方法:在不同的基板上高密度地形成RFID的驅動電路及天線之後,將形成著RFID的驅動電路的基板分割成包含一個以上的RFID晶片的多個部分(section),並貼合於天線基板上的天線(例如,參照專利文獻1)。
[先前技術文獻] [專利文獻]
專利文獻1:日本專利特表2005-520266號公報
然而,專利文獻1記載的方法中,使用安裝IC晶片的方式的RFID嵌體。該情況下,存在下述問題:IC晶片中使用的晶圓硬,若施加彎曲或壓力,則膜等基材或IC晶片損壞,從而導致RFID標籤的運作不良。
鑑於所述課題,本發明的目的在於提供一種無線通訊裝置之製造方法,其抗彎曲、壓力、摩擦強,且能夠精度佳地貼合RFID電路與天線的連接部。
本發明鑑於所述課題而完成,是無線通訊裝置及其製造方法,該製造方法將至少形成著電路的第一膜基板與形成著天線的第二膜基板貼合而製造無線通訊裝置,所述電路包括電晶體,所述電晶體藉由包含下述步驟的步驟而形成:在所述第一膜基板上形成導電性圖案;在形成著所述導電性圖案的膜基板上形成絕緣層;以及在所述絕緣層上塗佈含有有機半導體及/或碳材料的溶液,並進行乾燥而形成半導體層。
根據本發明,能夠獲得柔性的無線通訊裝置。另外,在設為電路與天線的一部分重疊的構成的情況下,嵌體的小面積化成為可能。進而,藉由本發明的製造方法,能夠以少的步驟、位置精度佳且低成本地製作無線通訊裝置。
100:第一膜基板
110:RFID電路
111:閘極電極
112:絕緣層(閘極絕緣層)
113:有機半導體層
114:源極電極
115:汲極電極
120、220:對準標記
130:下部電極配線
131:上部電極配線(連接部)
140:TFT部
150:下部導電膜
160:上部導電膜
170:黏接層
200:第二膜基板
210:天線
230:天線配線(連接部)
300:電路與天線的重疊部
401、401a、401b:張力調整用進給輥
402、402a、402b:張力調整用夾棍
403:貼合用進給輥
404:貼合用夾棍
405:對準相機
406:加熱器
407:載台
408:膜切斷刀
409:膜搬送握把
500:表示第一膜基板與第二膜基板的搬送方向的箭頭
X、Y:虛線
圖1A是表示本發明實施形態的無線通訊裝置之製造方法的一例的示意圖。
圖1B是第一膜基板與第二膜基板的貼合部分的示意剖視圖。
圖1C是表示RFID電路與天線的位置偏移的示意圖。
圖2是表示形成著RFID電路的第一膜基板的示意俯視圖。
圖3是表示形成著天線電路的第二膜基板的示意俯視圖。
圖4A是表示本發明實施形態的無線通訊裝置的示意俯視圖。
圖4B是表示RFID電路與天線的連接部的示意剖視圖。
圖5的(a)~(g)是表示RFID電路之製造方法的一例的示意剖視圖。
圖6是表示本發明實施形態的無線通訊裝置之製造方法的一例的示意圖。
圖7是表示本發明實施形態的無線通訊裝置之製造方法的一例的示意圖。
圖8是表示本發明實施形態的無線通訊裝置之製造方法的一例的示意圖。
圖9是表示本發明實施形態的無線通訊裝置之製造方法的一例的示意圖。
圖10是表示本發明實施形態的無線通訊裝置之製造方法的一例的示意圖。
圖11是表示本發明實施形態的無線通訊裝置的一例的示意俯視圖。
圖12A是表示電路與天線的重疊部的一例的示意俯視圖。
圖12B是表示電路與天線的重疊部的一例的示意剖視圖。
圖12C是表示電路與天線的重疊部的一例的示意剖視圖。
圖12D是表示電路與天線的重疊部的一例的示意剖視圖。
以下,對用以實施本發明的形態進行詳細說明。另外,本發明並不受以下的實施形態所限定。
本發明中,電路是指包含下述各部的電路:電子電路,包含電晶體、電容器、電極配線等;以及連接部,使用連接墊或天線線圈將電子電路與天線電性連接。具體而言,是指包含整流電路、解調電路、邏輯電路、調變電路、記憶電路中的至少一個以上的電路,該些電路用於RFID、收發器(transceiver)、無線麥克風、用於物聯網(Internet of Things,IoT)的感測器模組、RF遙控器、照明控制系統、無鑰匙進入等。另外,天線是藉由接收來自讀取器/寫入器的電波並使電路驅動而將資訊發送至讀取器/寫入器的設備。雖有RFID電路來作為包含下述各部的電路:電子電路,包含電晶體、電容器、電極配線等;以及連接部,使用連接墊或天線線圈將電子電路與天線電性連接;但以下將以RFID電路為例來說明用以實施本發明的形態。
(實施形態1)
圖1A是表示本發明實施形態1的無線通訊裝置之製造方法的概要的示意圖。該實施形態1中,示意性地表示將形成著RFID電路110的第一膜基板100與形成著天線210的第二膜基板200貼合的步驟。圖1B是僅從側方觀察貼合部的示意圖。
作為第一膜基板中使用的材料,只要是至少配置著電極系統的面為絕緣性的膜,則可使用任何材質。較佳為使用聚醯亞 胺、聚乙烯醇、聚氯乙烯、聚對苯二甲酸乙二酯、聚偏二氟乙烯、聚矽氧烷、聚乙烯基苯酚(poly vinyl phenol,PVP)、聚酯、聚碳酸酯、聚碸、聚醚碸、聚乙烯、聚丙烯、聚苯硫醚、聚對二甲苯、纖維素等有機材料等,但不限定於此。
作為第二膜基板中使用的材料,只要是配置著天線的面為絕緣性的膜,則可以是任何材質,能夠使用與第一膜基板相同的材料以及紙等。
RFID電路110在第一膜基板100的長邊方向上形成為兩行陣列狀。RFID電路110包含電晶體。作為電晶體,較佳為有機場效電晶體。
天線210在第二膜基板200的長邊方向上形成為兩行陣列狀。該些陣列的行數無特別限制,若為一行以上則較佳。
貼合用夾棍404是用以對第一膜基板100與第二膜基板200施加壓力並進行貼合的輥。貼合用進給輥403是用以於將兩基板貼合後以規定速度搬送的輥。藉此,進行貼合與搬送。
圖2是表示形成著RFID電路的第一膜基板的示意俯視圖。在第一膜基板100上形成著RFID電路110、對準標記120以及上部電極配線131。上部電極配線131是包含於RFID電路110且與天線的連接配線。為了便於理解,圖2中示出僅形成著一個RFID電路110的狀態,當然並不限於該數量。關於對準標記120、上部電極配線131亦相同。RFID電路的形成方法將於下文敍述。
圖3是表示形成著天線的第二膜基板的示意俯視圖。在 第二膜基板200上形成著天線210、對準標記220以及天線配線230。天線配線230是天線210的一部分且是與RFID電路110的連接配線。為了便於理解,圖3中示出僅形成著一個天線210的狀態,當然並不限於該數量。關於對準標記220、天線配線230亦相同。
作為天線210的形成方法,可列舉如下等公知的方法:使用切刀將銅箔或鋁箔等金屬箔加工成天線並轉印至基材的方法(以後記作切刀法);將貼附於塑膠膜等基材的金屬箔以形成於金屬箔上的抗蝕層為遮罩進行蝕刻的方法;將導電性漿料以與天線對應的圖案印刷於塑膠膜等基材並藉由熱或光使其硬化的方法(以後記作印刷法);以及將由蒸鍍形成的金屬膜以形成於金屬膜上的抗蝕層為遮罩進行蝕刻的方法。
關於天線中使用的材料,無特別限制,能夠使用Ag、Au、Cu、Pt、Pb、Sn、Ni、Al、W、Mo、Cr、Ti、碳或銦等。作為所述切刀法中使用的金屬箔材料,從成本或天線性能的觀點考慮,較佳為Cu或Al,作為所述印刷方中使用的導電漿料中所包含的金屬材料,從成本或天線性能的觀點考慮,較佳為Ag。
使用感光性漿料在第二膜基板200上形成塗佈膜,其後使用光微影形成與電極及配線對應的圖案,藉此能夠形成附配線及電極的天線基板。
圖4A是表示將圖2所示的第一膜基板與圖3所示的第二膜基板貼合製造而成的無線通訊裝置的示意俯視圖。將形成於 第一膜基板100的RFID電路110側的面與形成於第二膜基板200的天線210側的面貼合。貼合是藉由將對準標記120以及對準標記220的位置對準來進行。另外,如圖4A中所示的RFID電路110的內部的部分放大圖所示,第二膜基板上的天線配線230與第一膜基板上的上部電極配線131連接。
圖4B是圖4A的虛線X-Y部處的概略剖視圖。圖4B中,在第一膜基板上形成有作為電路的運作部之一的TFT部140、以及作為與天線的連接部的電極部。電極部中,為了從下部電極配線130取得導通,而在絕緣層112形成著作為開口部的圖案(接觸孔)。而且,將上部電極配線131與天線配線230連接。可將上部電極配線131與天線配線230直接連接,可在將導電性漿料塗佈於連接部後進行連接,亦可在將非導電性漿料塗佈於上部電極配線131與天線配線230之間的至少一部分後進行連接。如此,藉由使第一膜基板100上的RFID電路110與第二膜基板200上的天線210相向並直接貼合,而無需使用導線或導電膠帶等,因此能夠進行凹凸少的貼合。
回到圖1A進行說明。另外,形成於第一膜基板100的下側的電路110本來是由虛線描繪的,但為了易於理解地說明,而由實線示出。關於使第一膜基板100與第二膜基板200貼合製作而成的無線通訊裝置,亦同樣地由實線示出。在如此貼合的兩個膜基板製造多個無線通訊裝置(無線通訊裝置的集合體)。
將第一膜基板與第二膜基板貼合的步驟中設置的對準相機 405對第一膜基板100與第二膜基板200的搬送方向的位置偏移量進行測定並檢測。在第一膜基板100與第二膜基板200分別形成著對準標記(圖1A中未圖示),且根據該些相對的偏移來檢測所述位置偏移量。
關於對準標記,只要能夠在相機視場內檢測到,則尺寸或形狀不作規定。另外,只要可根據RFID電路110與天線210的重疊方式來檢測位置偏移量,則亦可不設置對準標記。
對準相機只要可檢測出對準標記,則可以是任何種類或方式,例如可列舉面陣相機(area camera)、線掃描相機等。另外,可使用閃光儀週期性地拍攝。
圖1A中,貼合後檢測第一膜基板100與第二膜基板200的位置偏移,亦可在貼合前進行檢測。例如,為了在第一膜基板100與第二膜基板200穿過貼合部位之前檢測各基板的對準標記,而在貼合部位的上游側設置兩台對準相機。而且,利用各相機對貼合前的各基板的位置進行檢測,並算出從各個檢測位置到貼合位置的距離,藉此可算出位置偏移量。
位置偏移的修正可按時(on time)進行,但通常是設定位置偏移量的容許範圍且在超過的情況下實施。位置偏移的容許範圍根據RFID電路的連接部與天線的連接部的尺寸來設定。
位置偏移的修正較佳為藉由使第一膜基板或第二膜基板的搬送張力根據位置偏移量而變化來進行。就搬送張力的變化而言,例如可藉由使用圖1A所示的張力調整用夾棍402與張力調 整用進給輥401來實現,只要是張力可變的機構即可,並不限定於所述輥。
圖1A的構成中,如圖1C所示,當第二膜基板的對準標記220在搬送方向500上偏離地貼合於第一膜基板的對準標記120時,藉由使張力調整用進給輥401的旋轉速度相對於貼合用進給輥403的旋轉速度變慢,而僅使第二膜基板200延伸,產生即使延伸後亦不會恢復到原來程度的張力。據此,可使第二膜基板200塑性變形而調整位置偏移。
張力調整用進給輥401的旋轉速度根據位置偏移量而降低的程度,將由第二膜基板的玻璃轉移溫度或厚度等物性、以及由溫度引起的塑性變形的程度來決定。
在為難以延伸的膜的情況下,為了易於延伸,如圖1A所示可利用加熱器406加熱膜基板。尤其藉由達到第二膜基板的軟化點以上的溫度,可顯著地獲得延伸效果。然而,若溫度偏差大則會局部地延伸或產生褶皺,因此可在確認了溫度分佈或溫度精度後進行設置。關於加熱方式,可列舉熱風、紅外線、加熱輥等公知的方法。
作為修正位置偏移量的控制方法,例如進行如下控制:當偵測到100μm以上的位置偏移時,以較設定張力高10N的張力進行搬送,當回到100μm以下的位置偏移時,使張力恢復至設定張力。當位置偏移量超過某臨限值時,是提高張力的控制,且用以變更張力的位置偏移量的臨限值可分幾級來設置。考慮到位 置偏移量的偵測中包含測定誤差,控制中使用的位置偏移量較佳為使用數次偵測到的平均值。另外,關於張力的變更,也可並非所述那樣對位置偏移量設置臨限值,而是一點點地進行與位置偏移量相應的張力變更。
另外,貼合用進給輥403穿過後的第一膜基板100與第二膜基板200的搬送速度設為相同,藉此可消除貼合後因剪切而位置偏移或剝離的擔心。
圖1A的示例中,對第二膜基板200的張力進行了調整,但亦可對第一膜基板100的張力進行調整。
圖1A以及圖1B的示例中,將第一膜基板的RFID電路側的面與所述第二膜基板的天線側的面貼合。亦即,將兩基板的表面彼此貼合。據此,可將RFID電路與天線直接連接並進行供電。另外,即使當第一膜基板100或第二膜基板200在加工中途因摩擦而損壞時,損傷亦不會到達內表面,從而能夠進行無線通訊。
另外,第一膜基板與第二膜基板的貼合方法不限於所述形態。具體而言,可將任一基板的背面之側與另一基板的表面貼合,亦可將兩基板的背面彼此貼合。在該些形態的情況下,藉由使用了靜電電容的耦合方式、使用了電磁感應的耦合方式等公知的非接觸耦合方式來進行供電,而能夠進行無線通訊。
然而,從無線通訊的穩定性或製造步驟的耐擦性等觀點考慮,更佳為將第一膜基板的RFID電路側的面與所述第二膜基板 的天線側的面貼合。
圖5的(a)~(g)是表示作為構成RFID電路110的元件之一的電晶體之製造方法的示例的示意剖視圖。
首先,圖5的(a)中,在第一膜基板100上形成下部導電膜150。作為下部導電膜150的形成方法,可列舉電阻加熱蒸鍍法、電子線束法、濺鍍法、鍍覆法、化學氣相沈積(Chemical Vapor Deposition,CVD)法等方法。另外,可列舉如下方法,即,在藉由噴墨法、印刷法、離子電鍍法、刮刀塗佈法、狹縫模塗佈法、網版印刷法、棒式塗佈法、鑄模法、印刷轉印法、浸漬提拉法等公知的塗佈方法,將含有導電體與感光性有機成分的漿料塗佈於基板上之後,使塗佈膜乾燥而去除溶劑。
作為下部導電膜150的材料,從導電性的觀點考慮,較佳為銀、銅以及金,從成本、穩定性的觀點考慮,更佳為銀。
接下來,圖5的(b)中,對下部導電膜150進行圖案加工,而形成閘極電極111以及包含與天線的連接部的下部電極配線130。較佳為藉由公知的光微影進行的圖案加工。在下部導電膜150不具有感光性的情況下,能夠利用使用了光阻劑的公知的圖案加工。在將含有導電體與感光性有機成分的漿料塗佈於基板上而形成下部導電膜150的情況下,能夠將該感光性導電膜進行光微影加工。如此,在第一膜基板100上形成著作為導電性圖案的閘極電極111以及下部電極配線130。
接下來,圖5的(c)中,在閘極電極111以及包含與 天線的連接部的下部電極配線130上形成閘極絕緣層112。閘極絕緣層中使用的材料並無特別限定,可列舉氧化矽、氧化鋁等無機材料;聚醯亞胺、聚乙烯醇、聚氯乙烯、聚對苯二甲酸乙二酯、聚偏二氟乙烯、聚矽氧烷、聚乙烯基苯酚(PVP)等有機材料;或者無機材料粉末與有機材料的混合物。
閘極絕緣層的製作方法無特別限制,例如可列舉下述方法,即,視需要對藉由將原料組成物塗佈於形成著閘極電極的基板上並進行乾燥所獲得的塗佈膜進行熱處理。作為塗佈方法,可列舉刮刀塗佈法、狹縫模塗佈法、網版印刷法、棒式塗佈法、鑄模法、印刷轉印法、浸漬提拉法、噴墨法等公知的塗佈方法。
接下來,圖5的(d)中,去除下部電極配線130上的閘極絕緣層112而形成接觸孔。這將以連接下部電極配線與上部電極配線的部分作為對象來進行。當在圖5的(c)的步驟中使用具有感光性有機成分的漿料獲得閘極絕緣層112時,能夠利用藉由光微影進行的圖案化而形成接觸孔。
接下來,圖5的(e)中,在閘極絕緣層112上形成含有導電體與感光性有機成分的上部導電膜160。因有機黏合劑含有感光性有機成分,在不使用抗蝕劑的情況下藉由光微影進行電極的圖案加工,可進一步提高生產性。作為該上部導電膜160的形成方法,可列舉如下方法,即,在藉由刮刀塗佈法、狹縫模塗佈法、網版印刷法、棒式塗佈法、鑄模法、印刷轉印法、浸漬提拉法、噴墨法等公知的塗佈方法塗佈後,使塗佈膜乾燥而去除溶劑。
接下來,圖5的(f)中,對上部導電膜160進行圖案加工,形成源極電極114、汲極電極115、以及包含與天線的連接部的上部電極配線131。因此,藉由以閘極電極111為遮罩隔著第一膜基板100從背面曝光,源極電極114與汲極電極115不進行對準便可高精度地位置對準。然而,亦可與圖5的(b)的閘極電極111以及下部電極配線130的情況同樣地形成。
最後,圖5的(g)中,在源極電極114與汲極電極115之間形成有機半導體層113。有機半導體層中使用的材料為有機半導體及/或碳材料。作為碳材料,可列舉碳奈米管(carbon nanotube,CNT)、石墨烯、富勒烯等,從對塗佈製程的適應性或高遷移率的方面考慮,較佳為CNT。進而,表面的至少一部分附著共軛系聚合物的CNT(以下稱作CNT複合物)因在溶液中的分散穩定性優異且可獲得高遷移率,故尤佳。
作為有機半導體層113的形成方法,亦可使用電阻加熱蒸鍍、電子線、濺鍍、CVD等乾式方法,從製造成本或適合大面積的觀點考慮,較佳為使用塗佈法。作為塗佈法,可列舉刮刀塗佈法、狹縫模塗佈法、網版印刷法、棒式塗佈法、鑄模法、印刷轉印法、浸漬提拉法、噴墨法等公知的塗佈方法。另外,可在步驟(e)以及步驟(f)之前實施步驟(g)。如此,在閘極絕緣層112上形成有機半導體層113。
(實施形態2)
圖6是表示本發明實施形態2的無線通訊裝置之製造方法的 概要的示意圖。該實施形態2中,第一膜基板100與第二膜基板200的搬送方向為同一方向,使彼此相向並於長邊方向上間歇搬送。亦即,使兩者搬送一定量後暫時停止。停止時,由膜搬送握把409固定第一膜基板100。藉由張力調整用進給輥401a與張力調整用夾棍402a切斷搬送張力,且在使第一膜基板100鬆弛的狀態下,使張力調整用進給輥401b、張力調整用夾棍402b、搬送握把下降。
下降後,在第一膜基板100與第二膜基板200接近的狀態下,藉由對準相機405檢測雙方的位置偏移。以第一膜基板100、第二膜基板200各自的對準標記的至少兩點以上確認位置偏移,將長邊方向及短邊方向的位置對準。位置對準例如是在將第二膜基板200吸附於載台407的狀態下,藉由移動載台407來進行。
使第一膜基板100進一步下降,在使第一膜基板100載置於第二膜基板200後,使用膜切斷刀408僅(半)切斷第一膜基板100。藉此,第一膜基板100被分割為包含多個RFID電路的單片片材狀。然後,釋放膜搬送握把409的握把,使張力調整用進給輥401b、張力調整用夾棍402b、搬送握把409上升。搬送第二膜基板200,使貼合用進給輥403以及貼合用夾輥404穿過,藉此夾住並貼合第一膜基板100以及第二膜基板200。
圖6的構成為一例,只要包含搬送停止時切斷任一膜基板的步驟、第一膜基板以及第二膜基板的位置偏移的檢測步驟、 位置對準步驟、貼合步驟,則可以是其他構成。
(實施形態3)
圖7是表示本發明實施形態3的無線通訊裝置之製造方法的概要的示意圖。該實施形態3中,除將第一膜基板100與第二膜基板200以正交的方式配置以外,經由與實施形態2相同的步驟製造。
因膜的製造步驟中的縱橫延伸的影響,例如PET膜長邊方向的熱收縮大於短邊方向的熱收縮的情況多。因此,藉由使第一膜基板與第二膜基板正交,而將各自的長邊方向與短邊方向貼合,因此位置偏移量少於使長邊方向彼此貼合的情況多。
(實施形態4)
圖8是表示本發明實施形態4的無線通訊裝置之製造方法的概要的示意圖。該實施形態4中,是在實施形態1中加入下述步驟,即,將第一膜基板100分割為兩個以上的步驟,以及將該已分割的第一膜基板的與搬送垂直的方向的間隔調整為第二膜基板的基板寬度方向的天線行的間隔的步驟,且設置著與已分割的第一膜基板100分別對應的張力調整用進給輥401以及張力調整用夾棍402。
已分割的第一膜基板例如利用“EPC”(註冊商標,Edge Position Control,邊緣位置控制)等來控制短邊方向的位置,藉此,除長邊方向的位置偏移之外,亦能夠進行短邊方向的位置對準。
藉由所述製造方法,以陣列狀形成於第一膜基板的電路 110與以陣列狀形成於第二膜基板的天線210中,即使各自的膜寬度方向的陣列間距不同,亦能夠進行位置對準。
(實施形態5)
圖9是表示本發明實施形態5的無線通訊裝置之製造方法的概要的示意圖。該實施形態5中,除第一膜基板100與第二膜基板200以正交的方式配置以外,經由與實施形態4相同的步驟製造。
(實施形態6)
圖10是表示本發明實施形態6的無線通訊裝置之製造方法的概要的示意圖。實施形態6中,第二膜基板200雖為與實施形態2相同的形狀,但第一膜基板100為單片狀,就該點而言有所不同。RFID電路在單片狀的第一膜基板的長邊方向上形成為一行以上的陣列狀。
第二膜基板200在長邊方向上間歇搬送。停止時,將第一膜基板100搬送至第二膜基板上,且利用膜搬送握把409進行固定。只要是將第一膜基板100搬送至第二膜基板上且可停止的機構,則亦可為其他構成。例如,可設置吸附第一膜基板的一部分或整面的機構,亦可於拾取第一膜後搬送至第二基板上。
當第一膜基板以及第二膜基板停止後,在第一膜基板100與第二膜基板200接近的狀態下藉由對準相機405檢測雙方的位置偏移。以第一膜基板100、第二膜基板200各自的對準標記的至少兩點以上確認位置偏移,而將長邊方向以及短邊方向的位置 進行對準。位置對準是藉由移動膜搬送握把409來進行。
使第一膜基板100進一步下降,將第一膜基板100載置於第二膜基板200。然後,釋放膜搬送握把409的握把,使膜搬送握把409上升。搬送第二膜基板200,使貼合用進給輥403以及貼合用夾棍404穿過,藉此夾住並貼合第一膜基板100以及第二膜基板200。
另外,所有實施形態中,貼合前,可設置對形成於第一膜基板100的RFID電路110與形成於第二膜基板200的天線210的連接部塗佈導電性漿料的步驟。另外,亦可設置對第一膜基板100與第二膜基板200之間的至少一部分塗佈非導電性漿料的步驟。
作為導電性漿料,能夠使用銀漿料或碳漿料、銦漿料等,作為非導電性漿料,能夠使用包含胺基甲酸酯系樹脂、環氧系樹脂、丙烯酸系樹脂的公知的漿料。
導電性漿料以及非導電性漿料的塗佈方法可列舉網版印刷法、棒式塗佈法、印刷轉印法、噴墨法、分注器法等公知的方法。
(實施形態7)
圖11是表示本發明實施形態7的無線通訊裝置的概要的示意俯視圖。實施形態7中,特徵在於電路110與天線210的一部分以刻意地重疊的方式設計。圖12A是圖11所示的電路與天線的重疊部300的示意剖視圖。如圖12A所示,作為電路的一部分的下 部電極配線130以與天線210重疊的方式配置,藉此能夠減小重疊的部分的面積。另外,重疊的部分可用作連接電路與天線的配線,亦可用作平行平板電容器。該情況下,能夠使用下部電極配線130與絕緣層112以及天線210來形成平行平板電容器。靜電電容藉由下部電極配線130與天線210的重疊的面積、絕緣層的介電常數所決定。以下部電極配線130與天線210重疊的形狀為長方形來作為一例進行說明,但可為任何形狀。另外,關於各層的材料或形成方法,如實施形態1所示。
本發明中,重要的是包含下述步驟,即,將包含使用了有機半導體及/或碳材料的有機半導體層的電路形成於膜基板上。無機半導體中,因在晶圓上形成電路,然後晶片化為數毫米(mm)見方並安裝,所以在構成方面、尺寸方面難以獲得本發明的效果。
(實施形態8)
圖12B、圖12C以及圖12D是表示本發明實施形態8的無線通訊裝置的概要的示意剖視圖。實施形態8中,作為黏接劑絕緣性的黏接層170以與天線210相接的方式形成。因此,能夠形成使用了下部電極配線130與絕緣層112、上部電極配線131、黏接層170、天線210中的任一個的平行平板電容器或能夠進行配線的連接。以黏接層170為單層進行了說明,即使使用介電常數不同的多個黏接層170亦可獲得相同的效果。圖12B能夠視作在天線210與上部電極配線131之間形成著黏接層170的平行平板電容器,且在上部電極配線131與下部電極配線130之間形成著絕緣 層112的平行平板電容器。另外,如圖12C般,能夠形成在天線210與下部電極配線130之間形成著絕緣層112及黏接層170的平行平板電容器。如圖12D般,可形成構成與圖12B相同但減小下部電極配線130的形狀從而平行平板的面積不同的平行平板電容器。
進而,將黏接層170一部分或整面形成於第一膜基板100與第二膜基板200中的任一者,並藉由實施形態1至實施形態6中的任一製造方法進行貼合,藉此能夠獲得柔性且凹凸少的基板,因此能夠獲得抗彎曲或壓力強的無線通訊電路。進而因檢測位置偏移且以高精度貼合,故形成於電路與天線的重疊部300的平行平板電容器的靜電電容的偏差亦能夠減少。
黏接層由胺基甲酸酯系樹脂、環氧系樹脂、丙烯酸系樹脂等公知的樹脂形成,亦可包含二氧化矽或氧化鈦、粒狀玻璃等公知的絕緣材料。
另外,實施形態7以及實施形態8中以平行平板電容器為例進行了說明,但從嵌體的小面積化的觀點考慮,電路的一部分與天線重疊即可,電路的靜電電容或電阻亦可使用天線以外的構件。
另外,作為變形例,亦可在第二膜基板與天線之間形成剝離層,利用實施形態1至實施形態6中的任一方法進行貼合後,剝離第二膜基板而將天線轉印至電路側。
本發明的RFID無線通訊裝置之製造方法能夠用於作為 嵌體的RFID標籤的製造。RFID標籤的形態無特別限制,可列舉密封標籤、價格標籤、具有RFID標籤的封裝包裝等。
關於密封標籤之製造方法,例如可列舉至少包含下述兩個步驟的方法。
(1)利用本發明記載的方法,將形成著RFID電路的PET膜(第一膜基板)與使用PET膜形成的天線膜(第二膜基板)貼合,而製造RFID嵌體的步驟。
(2)在所述RFID嵌體的表背兩面中的未貼合第一膜基板的一側的面(亦即背面)塗佈黏著劑,將脫模紙層壓至該背面,且,利用黏接材將可進行印字等印刷的表面片材層壓至形成著第一膜基板的一側的面(亦即表面),然後,進行刮削的步驟。
作為價格標籤之製造方法,例如可列舉至少包含下述兩個步驟的方法。
(1)利用本發明記載的方法,將形成著RFID電路的PET膜(第一膜基板)與使用紙形成的天線膜(第二膜基板)貼合,而製造RFID嵌體的步驟。
(2)利用黏接材將印有價格或商品名等的表面紙層壓至形成著第一膜基板的一側的面(亦即表面)的步驟。
作為具有RFID標籤的包裝封裝之製造方法,例如可列舉至少包含下述兩個步驟的方法。
(1)利用本發明記載的方法,將形成著RFID電路的包裝封裝膜(第一膜基板)與使用PET膜形成的天線膜(第二膜基板) 貼合,而製造RFID嵌體的步驟。另外,關於包裝封裝膜,例如可列舉PET瓶的標籤膜,且在該標籤膜印有商品名或商品圖像等。該情況下,天線圖案可在商品名或商品圖像印刷時利用使用了導電漿料的印刷法而形成。
(2)利用黏接材將印有價格或商品名等的表面紙層壓至形成著第一膜基板的一側的面(亦即表面)的步驟。
100:第一膜基板
110:RFID電路
120:對準標記
200:第二膜基板
210:天線
220:對準標記
401:張力調整用進給輥
402:張力調整用夾棍
403:貼合用進給輥
404:貼合用夾棍
405:對準相機
406:加熱器
500:表示第一膜基板與第二膜基板的搬送方向的箭頭

Claims (17)

  1. 一種無線通訊裝置之製造方法,將至少形成著電路的第一膜基板與至少形成著天線的第二膜基板貼合而製造無線通訊裝置,其中所述電路包括電晶體,所述電晶體藉由包含下述步驟的步驟而形成:在所述第一膜基板上形成導電性圖案;在形成著所述導電性圖案的膜基板上形成絕緣層;以及在所述絕緣層上塗佈含有有機半導體及/或碳材料的溶液,並進行乾燥而形成半導體層,所述電路在所述第一膜基板的長邊方向上形成為一行以上的陣列狀,所述天線在所述第二膜基板的長邊方向上形成為一行以上的陣列狀;在所述長邊方向上搬送所述第一膜基板與所述第二膜基板,並連續地進行所述貼合,所述貼合包含下述步驟:測定所述第一膜基板與所述第二膜基板的搬送方向的位置偏移量;以及根據所述位置偏移量來修正所述第一膜基板或所述第二膜基板的位置,所述第一膜基板或所述第二膜基板的位置的修正是藉由根據 所述位置偏移量使所述第一膜基板或所述第二膜基板的搬送張力發生變化而進行。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的無線通訊裝置之製造方法,包含下述步驟:藉由對準相機測定所述搬送方向的位置偏移量;以及藉由使所述第一膜基板或所述第二膜基板的搬送張力發生變化而進行所述位置偏移量的修正。
  3. 一種無線通訊裝置之製造方法,將至少在長邊方向上形成著一行以上的陣列狀的電路的第一膜基板與至少在長邊方向上形成著一行以上的陣列狀的天線的第二膜基板貼合而製造無線通訊裝置,其中所述電路包括電晶體,所述電晶體藉由包含下述步驟的步驟而形成:在所述第一膜基板上形成導電性圖案;在形成著所述導電性圖案的膜基板上形成絕緣層;以及在所述絕緣層上塗佈含有有機半導體及/或碳材料的溶液,並進行乾燥而形成半導體層,所述貼合包含下述步驟:使所述第一膜基板與所述第二膜基板彼此相向,並在所述長邊方向上間歇搬送;當所述搬送停止時,將所述第一膜基板或所述第二膜基板在貼合位置處分割為包含多個所述電路或所述天線的單片片材狀; 以及在所述單片片材狀的所述第一膜基板或所述第二膜基板中,將所述電路與所述天線進行貼合。
  4. 如申請專利範圍第3項所述的無線通訊裝置之製造方法,其中所述第一膜基板與所述第二膜基板以彼此正交的方式配置。
  5. 如申請專利範圍第1項至第3項中任一項所述的無線通訊裝置之製造方法,包含下述步驟:將所述第一膜基板在搬送方向上至少分割為兩個以上;以及將經分割的所述第一膜基板彼此的與搬送垂直的方向的間隔調整為所述第二膜基板的基板寬度方向的天線行的間隔。
  6. 如申請專利範圍第4項所述的無線通訊裝置之製造方法,包含下述步驟:將所述第一膜基板在搬送方向上至少分割為兩個以上;以及將經分割的所述第一膜基板彼此的與搬送垂直的方向的間隔調整為所述第二膜基板的搬送方向的天線行的間隔。
  7. 一種無線通訊裝置之製造方法,將至少在長邊方向上形成著一行以上的陣列狀的電路的單片狀的第一膜基板與至少在長邊方向上形成著一行以上的陣列狀的天線的第二膜基板貼合而製造無線通訊裝置,其中所述電路包括電晶體,所述電晶體藉由包含下述步驟的步驟而形成: 在所述第一膜基板上形成導電性圖案;在形成著所述導電性圖案的膜基板上形成絕緣層;以及在所述絕緣層上塗佈含有有機半導體及/或碳材料的溶液,並進行乾燥而形成半導體層,在所述長邊方向上間歇搬送所述第二膜基板;當所述搬送停止時,使所述單片狀的第一膜基板與所述第二膜基板相向,並將所述電路與所述天線進行貼合。
  8. 如申請專利範圍第3項或第7項所述的無線通訊裝置之製造方法,其中所述貼合包含下述步驟:藉由對準相機檢測所述第一膜基板與所述第二膜基板的基板寬度方向及搬送方向的位置偏移量;以及根據所述位置偏移量來調整所述第一膜基板的位置。
  9. 如申請專利範圍第1項至第4項、第6項、第7項中任一項所述的無線通訊裝置之製造方法,其中在所述第一膜基板或所述第二膜基板上,在對所述電路與所述天線的連接部塗佈導電性漿料後進行所述貼合。
  10. 如申請專利範圍第1項至第4項、第6項、第7項中任一項所述的無線通訊裝置之製造方法,其中在所述第一膜基板或所述第二膜基板上,在對所述電路與所述天線之間的至少一部分塗佈非導電性漿料後進行所述貼合。
  11. 如申請專利範圍第1項至第4項、第6項、第7項中 任一項所述的無線通訊裝置之製造方法,其中將所述第一膜基板的電路側的面與所述第二膜基板的天線側的面進行貼合。
  12. 如申請專利範圍第1項至第4項、第6項、第7項中任一項所述的無線通訊裝置之製造方法,其中所述電路為射頻識別電路。
  13. 一種無線通訊裝置,是將至少形成著電路的第一膜基板與至少形成著天線的第二膜基板積層而成,其中所述電路包含薄膜電晶體,所述薄膜電晶體具有閘極電極、汲極電極以及源極電極,所述閘極電極與所述汲極電極以及所述源極電極之間具有絕緣層,所述汲極電極以及所述源極電極之間具有半導體層,所述半導體層包含有機半導體及/或碳材料,所述電路的一部分與所述天線的至少一部分重疊而積層,在所述電路與所述天線的重疊部形成著平行平板電容器。
  14. 如申請專利範圍第13項所述的無線通訊裝置,是將所述第一膜基板的電路側的面與所述第二膜基板的天線側的面相接積層而成。
  15. 如申請專利範圍第13項或第14項所述的無線通訊裝置,其中所述電路與所述天線經由黏接劑而固定。
  16. 如申請專利範圍第13項或第14項所述的無線通訊裝置,其中所述電路為射頻識別電路。
  17. 一種無線通訊裝置的集合體,是如申請專利範圍第13項至第16項中任一項所述的無線通訊裝置的集合體,其中第一膜基板於片材上具有兩個以上的電路,第二膜基板於片材上具有兩個以上的天線,將該些以所述電路與天線重合的方式配置並積層而成。
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