CN113270341B - 一种基于滚筒的芯片扩张及巨量转移方法 - Google Patents

一种基于滚筒的芯片扩张及巨量转移方法 Download PDF

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Abstract

本发明涉及半导体加工的技术领域，更具体地，涉及一种基于滚筒的基于滚筒的芯片扩张及巨量转移方法，包括以下步骤：S10.选择柔性拉伸膜，将芯片转移到临时键合胶层；S20.分别沿X方向及Y方向拉伸柔性拉伸膜，直至X方向及Y方向上芯片间距扩张至设定值；S30.激光照射临时键合胶层，芯片脱离临时键合胶层并转移至承载基板，完成单种类型芯片的巨量转移；S40.重复步骤S10～S30，依次完成多种类型芯片的巨量转移；步骤S20中，X方向、Y方向至少一个方向上，控制第一滚筒与第二滚筒之间的转速比或控制第一滚筒与第二滚筒之间的距离实现柔性拉伸膜的拉伸扩张。本发明柔性拉伸膜各处可均匀拉伸，芯片间距可均匀扩张，从而可有效提高芯片转移的准确率。

Description

一种基于滚筒的芯片扩张及巨量转移方法
技术领域
本发明涉及半导体加工的技术领域，更具体地，涉及一种基于滚筒的芯片扩张及巨量转移方法。
背景技术
随着显示屏巨大化、微小化、集成化发展，对显示屏像素密度的要求也越来越高。Micro-LED作为显示屏的基本单元，也朝着小型化、微型化发展。因此，如何如何高效、准确、巨量地转移Micro-LED芯片是Micro-LED发展的挑战。Micro-LED芯片制造完成后，由于使用场景不同，对芯片间距要求不同，所以无法将Micro-LED芯片直接转移到基板的目标位置，而是需要先对芯片进行扩张使得芯片间距到合适间距后再进行巨量转移。
中国专利CN109599354A公开了一种Micro-LED巨量转移的结构及方法，包括：a)利用多层拾取膜结构将晶圆上的芯片转移到撕去保护膜的临时键合胶上，每次转移多层膜上粘附有一片或多片晶圆上的芯片；b)根据芯片放置的要求将多层拾取膜进行均匀扩张拉伸，增加芯片之间的间隔，补偿承载基板上芯片焊盘之间的距离；c)将多层膜上调整好位置的芯片与承载基板上的焊盘对准，从多层膜上方采用设定好图案的激光照射，使芯片脱离临时键合胶表面，转移到承载基板的焊盘上，此时即完成单色Micro-LED芯片的转移；d)采用上述a)、b)、c)的方法可以完成同一个发光单元三原色Micro-LED芯片的放置。上述方案虽能实现芯片的扩张与芯片的巨量转移，然而对尺寸较大的柔性拉伸膜进行拉伸时，容易出现柔性拉伸膜受力不均、芯片间距不均匀的情况，影响芯片转移的准确率。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术中的不足，提供一种基于滚筒的芯片扩张及巨量转移方法，柔性拉伸膜各处可均匀拉伸，芯片间距可均匀扩张，可提高芯片转移的准确率。
为解决上述技术问题，本发明采用的技术方案是：
提供一种基于滚筒的芯片扩张及巨量转移方法，包括以下步骤：
S10.选择柔性拉伸膜，所述柔性拉伸膜包括自上而下顺次设置的保护膜层、临时键合胶层以及薄膜拉伸层，撕开保护膜层，将芯片转移到临时键合胶层；其中，柔性拉伸膜平面为XY平面；
S20.沿X方向拉伸柔性拉伸膜，直至X方向芯片间距扩张至设定值；沿Y方向拉伸柔性拉伸膜，直至Y方向芯片间距扩张至设定值；
S30.激光照射临时键合胶层，被照射处的临时键合胶失效，芯片脱离临时键合胶层并转移至承载基板，完成单种类型芯片的巨量转移；
S40.重复步骤S10～S30，依次完成多种类型芯片的巨量转移；
其中，步骤S20中，X方向、Y方向至少一个方向上，柔性拉伸膜的拉伸扩张通过将柔性拉伸膜的两端分别缠绕于第一滚筒、第二滚筒上及控制第一滚筒与第二滚筒之间的转速比或控制第一滚筒与第二滚筒之间的距离实现；
步骤S20在进行拉伸扩张的过程中，对芯片间距进行实时同步检测。
本发明的基于滚筒的芯片扩张及巨量转移方法，通过将柔性拉伸膜的两端分别缠绕于第一滚筒、第二滚筒上及控制第一滚筒与第二滚筒之间的转速比或控制第一滚筒与第二滚筒之间的距离实现柔性拉伸膜的拉伸扩张，增加芯片的间距，保证扩张后芯片间距的一致，实现芯片的间距扩张；通过激光照射加热的方式将芯片转移至承载基板，实现芯片的巨量转移。
优选地，步骤S10中，所述临时键合胶层选自聚烃基丙烯酸酯类、聚苯基乙烯类、聚酯类或者丙烯酸类热塑型树脂中的一种或数种，所述薄膜拉伸层的材料选自PI、PE、PET、PEN、PVC、BOPP或BOPS的一种或数种。
优选地，步骤S10中，对柔性拉伸膜底面进行防胶粘处理，使其与临时键合胶层不会发生粘合；所述防止胶粘处理方法为涂覆不粘层，所述不粘层选自聚四氟乙烯、氟化乙烯丙烯共聚物、过氟烷基化物、硅胶油中的一种或数种的组合。
优选地，步骤S20中，柔性拉伸膜为长带状，宽度小，Y方向可放置一个或数个芯片，长度长，X方向可阵列放置大量芯片；Y方向拉伸柔性拉伸膜，直至Y方向芯片间距扩张至设定值；后将薄膜拉伸层沿X方向分为多段，每一段薄膜拉伸层的两端分别绕于第一滚筒和第二滚筒，薄膜拉伸层位于外圈，控制第一滚筒与第二滚筒之间的转速比或控制第一滚筒与第二滚筒之间的距离，拉伸外圈的薄膜拉伸层至X方向芯片间距至设定值；第一滚筒或第二滚筒将拉伸扩张好的薄膜拉伸层收集，并处理下一段柔性拉伸膜。
优选地，当检测到X方向上芯片间距不均匀时，按以下步骤对芯片间距进行补偿：转动第一滚筒、第二滚筒至芯片距离异常区域的两端，增加第一滚筒、第二滚筒之间的距离直至芯片距离达到设定值。
优选地，当检测到X方向上芯片间距不均匀时，按以下步骤对芯片间距进行补偿：在芯片距离异常区域的两端分别设置第一调节滚筒组和第二调节滚筒组，第一调节滚筒组和第二调节滚筒组压紧芯片距离异常区域的两端，调节第一调节滚筒组和第二调节滚筒组之间的距离或调整第一调节滚筒组和第二调节滚筒组的转速差，拉伸扩张芯片距离至设定值。
优选地，步骤S20中，X方向、Y方向的拉伸扩张都通过控制第一滚筒与第二滚筒之间的转速比或控制第一滚筒与第二滚筒之间的距离实现。
优选地，第一滚筒为普通滚筒，第二滚筒为可扩张滚筒，进行X方向和Y方向扩张时：调整第一滚筒和第二滚筒转向至朝同一方向转动，使得柔性拉伸膜缠绕上第二滚筒；同时，调节第二滚筒的转速使得第二滚筒外径线速度高于第一滚筒的外径线速度，柔性拉伸膜受到拉伸；当柔性拉伸膜全部绕上第二滚筒后，扩张第二滚筒内径至设定大小。
优选地，第一滚筒与第二滚筒之间的转速比满足以下公式：
Figure BDA0003029455360000031
式中，k为芯片目标间距与原始间距的比值，n1为第一滚筒的转速，n2为第二滚筒的转速，d0为第二滚筒的直径，d1为第一滚筒的直径，随着缠绕的进行而不断减小，d2为第二滚筒缠绕柔性拉伸膜后的直径，随着缠绕圈数的增加而不断增大；L0为芯片原始间距，L'为芯片在第二滚筒缠绕柔性拉伸膜后的直径d2处的间距。
优选地，所述第一滚筒和第二滚筒之间设有至少两组带轮组，滚筒与带轮组之间或相邻带轮组之间的柔性拉伸膜呈之字型交错排列；第一滚筒、各带轮组、第二滚筒的外径线速度依次递增，对柔性拉伸膜多次拉伸。
与现有技术相比，本发明的有益效果是：
本发明的基于滚筒的芯片扩张及巨量转移方法，通过将柔性拉伸膜的两端分别缠绕于第一滚筒、第二滚筒上及控制第一滚筒与第二滚筒之间的转速比或控制第一滚筒与第二滚筒之间的距离实现柔性拉伸膜的扩张，柔性拉伸膜各处可均匀拉伸，芯片间距可均匀扩张，可有效提高芯片转移的准确率。
附图说明
图1为柔性拉伸膜撕除保护膜层的示意图；
图2为将芯片转移到临时键合胶层的示意图；
图3为通过第一滚筒和第二滚筒调节X向芯片间距的示意图；
图4为通过第一滚筒和第二滚筒调节Y向芯片间距的示意图；
图5为X向及Y向拉伸完成后芯片布置示意图；
图6为激光照射芯片将芯片转移至承载基板的示意图；
图7为一种实施方式中芯片间距补偿的示意图；
图8为另一种实施方式中芯片间距补偿的示意图；
图9为实施例三中设置带轮组调节芯片间距的示意图；
附图中：1-柔性拉伸膜；11、保护膜层；12、临时键合胶层；13、薄膜拉伸层；2、芯片；3、第一滚筒；4、第二滚筒；5、视觉检测系统；6、带轮组；7、第一调节滚筒组；8、第二调节滚筒组；9、激光；10、承载基板。
具体实施方式
下面结合具体实施方式对本发明作进一步的说明。其中，附图仅用于示例性说明，表示的仅是示意图，而非实物图，不能理解为对本专利的限制；为了更好地说明本发明的实施例，附图某些部件会有省略、放大或缩小，并不代表实际产品的尺寸；对本领域技术人员来说，附图中某些公知结构及其说明可能省略是可以理解的。
本发明实施例的附图中相同或相似的标号对应相同或相似的部件；在本发明的描述中，需要理解的是，若有术语“上”、“下”、“左”、“右”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此附图中描述位置关系的用语仅用于示例性说明，不能理解为对本专利的限制，对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语的具体含义。
实施例一
如图1至图8所示为本发明的基于滚筒的芯片扩张及巨量转移方法的第一实施例，包括以下步骤：
S10.选择柔性拉伸膜1，所述柔性拉伸膜1包括自上而下顺次设置的保护膜层11、临时键合胶层12以及薄膜拉伸层13，撕开保护膜层11，将芯片2转移到临时键合胶层12；其中，柔性拉伸膜1平面为XY平面；
S20.沿X方向拉伸柔性拉伸膜1，直至X方向芯片2间距扩张至设定值；沿Y方向拉伸柔性拉伸膜1，直至Y方向芯片2间距扩张至设定值；
S30.激光照射临时键合胶层12，被照射处的临时键合胶失效，芯片2脱离临时键合胶层12并转移至承载基板10，完成单种类型芯片2的巨量转移；
S40.重复步骤S10～S30，依次完成多种类型芯片2的巨量转移；
其中，步骤S20中，X方向、Y方向至少一个方向上，柔性拉伸膜1的拉伸扩张通过将柔性拉伸膜1的两端分别缠绕于第一滚筒3、第二滚筒4上及控制第一滚筒3与第二滚筒4之间的转速比或控制第一滚筒3与第二滚筒4之间的距离实现；
步骤S20在进行拉伸扩张的过程中，对芯片2间距进行实时同步检测。
步骤S10中，所述临时键合胶层12选自聚烃基丙烯酸酯类、聚苯基乙烯类、聚酯类或者丙烯酸类热塑型树脂中的一种或数种，所述薄膜拉伸层13的材料选自PI、PE、PET、PEN、PVC、BOPP或BOPS的一种或数种。
步骤S10中，对柔性拉伸膜1底面进行防胶粘处理，使其与临时键合胶层12不会发生粘合；所述防止胶粘处理方法为涂覆不粘层，所述不粘层选自聚四氟乙烯、氟化乙烯丙烯共聚物、过氟烷基化物、硅胶油中的一种或数种的组合。
步骤S20中，柔性拉伸膜1为长带状，宽度小，Y方向可放置一个或数个芯片2，长度长，X方向可阵列放置大量芯片2；Y方向拉伸柔性拉伸膜1，直至Y方向芯片2间距扩张至设定值；后将薄膜拉伸层13沿X方向分为多段，每一段薄膜拉伸层13的两端分别绕于第一滚筒3和第二滚筒4，薄膜拉伸层13位于外圈，控制第一滚筒3与第二滚筒4之间的转速比或控制第一滚筒3与第二滚筒4之间的距离，拉伸外圈的薄膜拉伸层13至X方向芯片2间距至设定值；第一滚筒3或第二滚筒4将拉伸扩张好的薄膜拉伸层13收集，并处理下一段柔性拉伸膜1。
当检测到X方向上芯片2间距不均匀时，按以下步骤对芯片2间距进行补偿：转动第一滚筒3、第二滚筒4至芯片2距离异常区域的两端，增加第一滚筒3、第二滚筒4之间的距离直至芯片2距离达到设定值。
当检测到X方向上芯片2间距不均匀时，按以下步骤对芯片2间距进行补偿：在芯片2距离异常区域的两端分别设置第一调节滚筒组7和第二调节滚筒组8，第一调节滚筒组7和第二调节滚筒组8压紧芯片2距离异常区域的两端，调节第一调节滚筒组7和第二调节滚筒组8之间的距离或调整第一调节滚筒组7和第二调节滚筒组8的转速差，拉伸扩张芯片2距离至设定值。
在其中一个实施例中，芯片2尺寸为10μm×10μm，初始芯片2间距为L1＝10μm，需要扩张至L1’＝100μm。用带状柔性拉伸膜1上的临时键合胶层12粘取晶圆上的芯片2，Y方向上有5个芯片2，先在Y方向扩张带状柔性拉伸膜1使得每个芯片2间距增加至100μm。将柔性拉伸膜1沿X方向缠绕在第一滚筒3上，并引出一端至第二滚筒4，第一滚筒3和第二滚筒4之间的距离为10000μm，其中包含500个芯片2；增加第一滚筒3与第二滚筒4之间的距离至1000000μm，使得芯片2间距达到100μm。若视觉检测系统5检测到X方向上芯片2间距不均匀时，将第一滚筒3和第二滚筒4收至芯片2距离异常区域的两端边缘，距离异常区域内，芯片间距为L2，然后增加第一滚筒3和第二滚筒4之间的距离，使该区域芯片2间距达到100μm，视觉检测系统5再次检测该区域芯片2间距是否达到100μm，若达到要求则由第二滚筒4收集扩张完成的柔性拉伸膜1，未达到则继续补偿芯片2间距，如图7所示。如此重复直至所有芯片扩张完成。引出第二滚筒4上的柔性拉伸膜1，将芯片2与焊盘位置对准，使用激光照射芯片2位置的临时键合胶层12，使该区域临时键合胶失去粘性，芯片2落入焊盘位置，此时即完成单色芯片2的转移；循环多次，即可完成三色芯片2的巨量转移或多种类型芯片2的巨量转移。其中，Y方向上的扩张可采用除滚筒之外的其他拉伸方式。
在另外一个实施例中，芯片2尺寸为50μm×50μm，初始芯片2间距为L1＝20μm，需扩张至L1’＝160μm。用带状柔性拉伸膜1上的临时键合胶层12粘取晶圆上的芯片2(Y方向有3个芯片2)，Y方向上扩张带状柔性拉伸膜1宽度方向，使芯片2间距至160μm。将柔性拉伸膜1延长度方向缠绕在第一滚筒3上，并引出一端至第二滚筒4，第一滚筒3和第二滚筒4之间的距离为28000μm，其中有400列芯片2，相邻芯片在X向的间距为L1。增加第一滚筒3和第二滚筒4之间的距离至224000μm，使芯片2间距达到L1’＝160μm，同时视觉检测系统5测量芯片2间距。若视觉检测系统5发现芯片2间距未达到160μm的区域，该区域芯片间距记为L2，则将第一调节滚筒组7和第二调节滚筒组8移动至芯片2距离异常区域的两端，第一调节滚筒组7和第二调节滚筒组8压紧柔性拉伸膜1，增加第一调节滚筒组7和第二调节滚筒组8之间的距离，使得芯片2距离异常区域达到160μm，视觉检测系统5再次检测该区域芯片2间距是否达到160μm，若达到要求则由第二滚筒4收集扩张完成的柔性拉伸膜1，未达到则继续补偿芯片2间距，如图8所示。如此重复直至所有芯片扩张完成。引出第二滚筒4上的柔性拉伸膜1，将芯片2与焊盘位置对准，使用激光照射芯片2位置的临时键合胶层12，使该区域临时键合胶失去粘性，芯片2落入焊盘位置，此时即完成单色芯片2的转移；循环多次，即可完成三色芯片2的巨量转移或多种类型芯片2的巨量转移。其中，Y方向上的扩张可采用除滚筒之外的其他拉伸方式。
为了避免第一滚筒3、第二滚筒4在缠绕柔性拉伸膜1时，薄膜拉伸层13底面不与临时键合胶层12发生粘合，本实施例可对薄膜拉伸层13底面进行表面处理，使其具有疏油性；或者在芯片2远离薄膜拉伸层13的表面铺上一层保护膜，防止薄膜拉伸层13底面与临时键合胶层12发生粘合。
实施例二
本实施例为本发明的基于滚筒的芯片扩张及巨量转移方法的第二实施例，本实施例与实施例一类似，所不同之处在于，本实施例中，X方向、Y方向的拉伸扩张都通过第一滚筒3与第二滚筒4之间的转速比或控制第一滚筒3与第二滚筒4之间的距离实现。具体地，第一滚筒3为普通滚筒，第二滚筒4为可扩张滚筒，进行X方向和Y方向扩张时：调整第一滚筒3和第二滚筒4转向至朝同一方向转动，使得柔性拉伸膜1缠绕上第二滚筒4；同时，调节第二滚筒4的转速使得第二滚筒4外径线速度高于第一滚筒3的外径线速度，柔性拉伸膜1受到拉伸；当柔性拉伸膜1全部绕上第二滚筒4后，扩张第二滚筒4内径至设定大小。第一滚筒3、第二滚筒4之间的转速比满足以下公式：
Figure BDA0003029455360000071
式中，k为芯片2目标间距与原始间距的比值，n1为第一滚筒3的转速，n2为第二滚筒4的转速，d0为第二滚筒4的直径，d1为第一滚筒3的直径，随着缠绕的进行而不断减小，d2为第二滚筒4缠绕柔性拉伸膜1后的直径，随着缠绕圈数的增加而不断增大；L0为芯片2原始间距，L'为芯片2在第二滚筒4缠绕柔性拉伸膜1后的直径d2处的间距。
其中，第二滚筒4为可扩张滚筒，可扩张滚筒具有高弹性、高强度、高伸缩性，可扩张滚筒的材料可以是TPU、PPE、PPO或PC中的一种或几种。扩张过程中，密封可扩张滚筒，向可扩张滚筒内通入高压气体，扩张可扩张滚筒直径至特定直径。在扩张过程中，可对可扩张滚筒和柔性拉伸膜1升温，增加可扩张滚筒的弹性及柔性拉伸膜1的延展性。
实施例三
如图9所示为本发明的基于滚筒的芯片扩张及巨量转移方法的第三实施例，本实施例与实施例一类似，所不同之处在于：
所述第一滚筒3和第二滚筒4之间设有至少两组带轮组6，滚筒与带轮组6之间或相邻带轮组6之间的柔性拉伸膜1呈之字型交错排列；第一滚筒3、各带轮组6、第二滚筒4的外径线速度依次递增，对柔性拉伸膜1多次拉伸。
具体地，在其中一个实施例中，将芯片2转移到600×600mm的柔性拉伸膜1的临时键合胶层12上，此时芯片2X向和Y向的间距都为5μm，而芯片2X向目标间距为50μm，芯片2Y向目标间距为100μm。由于所采用的柔性拉伸膜1的尺寸和芯片2间距都较大，此时在第一滚筒3和第二滚筒4之间设置有五组带轮组6，不同带轮组6之间呈“之”字形交错排列。将柔性拉伸膜1沿X向缠绕到第一滚筒3上，然后使得柔性拉伸膜1依次经过五组带轮组6后缠绕到第二滚筒4上，控制带轮组6和第一滚筒3、第二滚筒4的转速，使得从第一滚筒3、五组带轮组6到第二滚筒4的外径线速度一次递增，对柔性拉伸膜1进行多次拉伸至芯片2间距到达目标间距，完成对柔性拉伸膜1X向的拉伸。以相同的方法完成对柔性拉伸膜1Y向的拉伸。将芯片2与焊盘位置对准，使用激光照射芯片2位置的临时键合胶层12，使该区域临时键合胶失去粘性，芯片2落入焊盘位置，此时即完成单色芯片2的转移；循环多次，即可完成三色芯片2的巨量转移或多种类型芯片2的巨量转移。
显然，本发明的上述实施例仅仅是为清楚地说明本发明所作的举例，而并非是对本发明的实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明权利要求的保护范围之内。

Claims (9)

1.一种基于滚筒的芯片扩张及巨量转移方法，其特征在于，包括以下步骤：
S10.选择柔性拉伸膜(1)，所述柔性拉伸膜(1)包括自上而下顺次设置的保护膜层(11)、临时键合胶层(12)以及薄膜拉伸层(13)，撕开保护膜层(11)，将芯片(2)转移到临时键合胶层(12)；其中，柔性拉伸膜(1)平面为XY平面；
S20.沿X方向拉伸柔性拉伸膜(1)，直至X方向芯片(2)间距扩张至设定值；沿Y方向拉伸柔性拉伸膜(1)，直至Y方向芯片(2)间距扩张至设定值；
S30.激光照射临时键合胶层(12)，被照射处的临时键合胶失效，芯片(2)脱离临时键合胶层(12)并转移至承载基板(10)，完成单种类型芯片(2)的巨量转移；
S40.重复步骤S10～S30，依次完成多种类型芯片(2)的巨量转移；
其中，步骤S20中，X方向、Y方向至少一个方向上，柔性拉伸膜(1)的拉伸扩张通过将柔性拉伸膜(1)的两端分别缠绕于第一滚筒(3)、第二滚筒(4)上及控制第一滚筒(3)与第二滚筒(4)之间的转速比或控制第一滚筒(3)与第二滚筒(4)之间的距离实现；控制第一滚筒(3)与第二滚筒(4)之间的转速比时，第一滚筒(3)为普通滚筒，第二滚筒(4)为可扩张滚筒，进行X方向和Y方向扩张时：调整第一滚筒(3)和第二滚筒(4)转向至朝同一方向转动，使得柔性拉伸膜(1)缠绕上第二滚筒(4)；同时，调节第二滚筒(4)的转速使得第二滚筒(4)外径线速度高于第一滚筒(3)的外径线速度，柔性拉伸膜(1)受到拉伸；当柔性拉伸膜(1)全部绕上第二滚筒(4)后，扩张第二滚筒(4)内径至设定大小；
步骤S20在进行拉伸扩张的过程中，对芯片(2)间距进行实时同步检测。
2.根据权利要求1所述的基于滚筒的芯片扩张及巨量转移方法，其特征在于，步骤S10中，所述临时键合胶层(12)选自聚烃基丙烯酸酯类、聚苯基乙烯类、聚酯类或者丙烯酸类热塑型树脂中的一种或数种，所述薄膜拉伸层(13)的材料选自PI、PE、PET、PEN、PVC、BOPP或BOPS的一种或数种。
3.根据权利要求1所述的基于滚筒的芯片扩张及巨量转移方法，其特征在于，步骤S10中，对柔性拉伸膜(1)底面进行防胶粘处理，使其与临时键合胶层(12)不会发生粘合；所述防胶粘处理方法为涂覆不粘层，所述不粘层选自聚四氟乙烯、氟化乙烯丙烯共聚物、过氟烷基化物、硅胶油中的一种或数种的组合。
4.根据权利要求1至3任一项所述的基于滚筒的芯片扩张及巨量转移方法，其特征在于，步骤S20中，柔性拉伸膜(1)为长带状，宽度小，Y方向可放置一个或数个芯片(2)，长度长，X方向可阵列放置大量芯片(2)；Y方向拉伸柔性拉伸膜(1)，直至Y方向芯片(2)间距扩张至设定值；后将薄膜拉伸层(13)沿X方向分为多段，每一段薄膜拉伸层(13)的两端分别绕于第一滚筒(3)和第二滚筒(4)，薄膜拉伸层(13)位于外圈，控制第一滚筒(3)与第二滚筒(4)之间的转速比或控制第一滚筒(3)与第二滚筒(4)之间的距离，拉伸外圈的薄膜拉伸层(13)至X方向芯片(2)间距至设定值；第一滚筒(3)或第二滚筒(4)将拉伸扩张好的薄膜拉伸层(13)收集，并处理下一段柔性拉伸膜(1)。
5.根据权利要求4所述的基于滚筒的芯片扩张及巨量转移方法，其特征在于，当检测到X方向上芯片(2)间距不均匀时，按以下步骤对芯片(2)间距进行补偿：转动第一滚筒(3)、第二滚筒(4)至芯片(2)距离异常区域的两端，增加第一滚筒(3)、第二滚筒(4)之间的距离直至芯片(2)距离达到设定值。
6.根据权利要求4所述的基于滚筒的芯片扩张及巨量转移方法，其特征在于，当检测到X方向上芯片(2)间距不均匀时，按以下步骤对芯片(2)间距进行补偿：在芯片(2)距离异常区域的两端分别设置第一调节滚筒组(7)和第二调节滚筒组(8)，第一调节滚筒组(7)和第二调节滚筒组(8)压紧芯片(2)距离异常区域的两端，调节第一调节滚筒组(7)和第二调节滚筒组(8)之间的距离或调整第一调节滚筒组(7)和第二调节滚筒组(8)的转速差，拉伸扩张芯片(2)距离至设定值。
7.根据权利要求1至3任一项所述的基于滚筒的芯片扩张及巨量转移方法，其特征在于，步骤S20中，X方向、Y方向的拉伸扩张都通过控制第一滚筒(3)与第二滚筒(4)之间的转速比或控制第一滚筒(3)与第二滚筒(4)之间的距离实现。
8.根据权利要求7所述的基于滚筒的芯片扩张及巨量转移方法，其特征在于，第一滚筒(3)与第二滚筒(4)之间的转速比满足以下公式：
Figure FDA0003787516440000021
式中，k为芯片(2)目标间距与原始间距的比值，n1为第一滚筒(3)的转速，n2为第二滚筒(4)的转速，d0为第二滚筒(4)的直径，d1为第一滚筒(3)的直径，随着缠绕的进行而不断减小，d2为第二滚筒(4)缠绕柔性拉伸膜(1)后的直径，随着缠绕圈数的增加而不断增大；L0为芯片(2)原始间距，L'为芯片(2)在第二滚筒(4)缠绕柔性拉伸膜(1)后的直径d2处的间距。
9.根据权利要求1至3任一项所述的基于滚筒的芯片扩张及巨量转移方法，其特征在于，所述第一滚筒(3)和第二滚筒(4)之间设有至少两组带轮组(6)，滚筒与带轮组(6)之间或相邻带轮组(6)之间的柔性拉伸膜(1)呈之字型交错排列；第一滚筒(3)、各带轮组(6)、第二滚筒(4)的外径线速度依次递增，对柔性拉伸膜(1)多次拉伸。
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