JPWO2020115086A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JPWO2020115086A5
JPWO2020115086A5 JP2021532153A JP2021532153A JPWO2020115086A5 JP WO2020115086 A5 JPWO2020115086 A5 JP WO2020115086A5 JP 2021532153 A JP2021532153 A JP 2021532153A JP 2021532153 A JP2021532153 A JP 2021532153A JP WO2020115086 A5 JPWO2020115086 A5 JP WO2020115086A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
optical
optical element
layer
plasma
element according
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2021532153A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2022510701A (ja
Publication date
Priority claimed from DE102018221191.4A external-priority patent/DE102018221191A1/de
Application filed filed Critical
Publication of JP2022510701A publication Critical patent/JP2022510701A/ja
Publication of JPWO2020115086A5 publication Critical patent/JPWO2020115086A5/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Claims (16)

  1. VUV波長域の放射線(11、21)を反射する光学素子(4)であって、
    基板(41)と、該基板(41)に施され且つ少なくとも1つのアルミニウム層(43)を有する反射コーティング(42)と
    を備えた光学素子(4)において、
    分子状水素(H)の解離のための少なくとも1つの水素触媒層(45)が前記アルミニウム層(43)に施されることを特徴とする光学素子。
  2. 請求項1に記載の光学素子において、前記水素触媒層(45)は、Ru、Pt、Pd、Ni、Rhを含む群から選択される光学素子。
  3. 請求項1又は2に記載の光学素子において、前記水素触媒層(45)は、0.1nm~3.0nm、好ましくは0.1nm~1.0nmの層厚(D)を有する光学素子。
  4. 請求項1~3のいずれか1項に記載の光学素子において、前記水素触媒層(45)は、前記アルミニウム層(43)を完全に覆わない光学素子。
  5. 請求項4に記載の光学素子において、前記水素触媒層(45)は、10%~90%の被覆率で前記アルミニウム層(43)を覆う光学素子。
  6. 請求項1~5のいずれか1項に記載の光学素子において、前記アルミニウム層(43)及び前記水素触媒層(45)に施された少なくとも1つの保護層(46)をさらに備えた光学素子。
  7. 請求項6に記載の光学素子において、前記保護層(46)は密閉層を形成する光学素子。
  8. 請求項6又は7に記載の光学素子において、前記保護層(46)は、透明の、特にフッ化物材料から形成される光学素子。
  9. 請求項6~8のいずれか1項に記載の光学素子において、前記保護層(46)は、VUV波長域の放射線(11、21)での照射及び/又は水素(H)との接触により剥離可能な材料から形成される光学素子。
  10. 請求項9に記載の光学素子において、前記保護層(46)は、炭素又は少なくとも1つの炭化水素から形成される光学素子。
  11. VUV波長域用の光学装置、特にウェーハ検査システム(2)又はVUVリソグラフィ装置(1)であって、
    少なくとも1つの光学素子(121、220、221;140、141;4、5、6)が配置される内部(122a、24a)と、
    該内部(122a、24a)にガス(H)を供給する少なくとも1つのガス入口(123、26、52a~52f)と
    を備えた光学装置において、前記光学素子(121、220、221、4)は、請求項1~10のいずれか1項に記載のように設計され、前記ガス入口(123、26)は、前記内部(122a、24a)に水素(H)を供給するよう設計されることを特徴とする光学装置。
  12. 請求項11に記載の光学装置において、
    前記光学素子(5、6)の光学面(5a、6a)の少なくとも1つの部分領域(55a~55f)で大気圧プラズマ(51、61)を発生させるために前記ガス入口(123、26、52a~52f)を介して前記内部(122a、24a)にプラズマガス(54a~54f)を供給するプラズマ発生デバイス(50、60)
    を特徴とする光学装置。
  13. 請求項12に記載の光学装置において、前記プラズマ発生デバイス(50、60)は、前記光学素子(5、6)の前記光学面(5a、6a)で水素プラズマ(51、61)を発生させるよう設計される光学装置。
  14. 請求項12又は13に記載の光学装置において、前記ガス入口は、前記光学面(5a)の少なくとも1つの部分領域(55a~55f)に前記プラズマガス(54a~54f)を供給するプラズマノズル(52a~52f)として設計される光学装置。
  15. 請求項12~14のいずれか1項に記載の光学装置において、前記プラズマ発生デバイス(60)は、前記光学面(6a)から離間して、該光学面(6a)の前記少なくとも1つの部分領域(65a~65f)で前記大気圧プラズマ(61)を発生させる少なくとも1つの電極(62a~62f)を有する光学装置。
  16. 請求項12~15のいずれか1項に記載の光学装置において、前記プラズマ発生デバイス(50、60)は、前記光学面(5a、6a)で場所に応じて可変の大気圧プラズマ(51、61)を発生させるよう設計される光学装置。
JP2021532153A 2018-12-07 2019-12-04 Vuv放射線を反射する光学素子及び光学装置 Pending JP2022510701A (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102018221191.4A DE102018221191A1 (de) 2018-12-07 2018-12-07 Optisches Element zur Reflexion von VUV-Strahlung und optische Anordnung
DE102018221191.4 2018-12-07
PCT/EP2019/083581 WO2020115086A2 (de) 2018-12-07 2019-12-04 Optisches element zur reflexion von vuv-strahlung und optische anordnung

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2022510701A JP2022510701A (ja) 2022-01-27
JPWO2020115086A5 true JPWO2020115086A5 (ja) 2022-12-09

Family

ID=68806757

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2021532153A Pending JP2022510701A (ja) 2018-12-07 2019-12-04 Vuv放射線を反射する光学素子及び光学装置

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP2022510701A (ja)
CN (1) CN113167942B (ja)
DE (1) DE102018221191A1 (ja)
WO (1) WO2020115086A2 (ja)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20230121844A (ko) * 2020-12-30 2023-08-21 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 검사 시스템을 세정하기 위한 장치 및 방법
DE102021206850A1 (de) 2021-06-30 2023-01-05 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur Herstellung eines diffraktiven optischen Elements sowie diffraktives optisches Element
DE102022202072A1 (de) 2022-03-01 2023-06-29 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zum Handhaben von reflektiven optischen Elementen

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001110709A (ja) * 1999-10-08 2001-04-20 Nikon Corp 多層膜反射鏡及び露光装置ならびに集積回路の製造方法。
US6664554B2 (en) * 2001-01-03 2003-12-16 Euv Llc Self-cleaning optic for extreme ultraviolet lithography
DE10145131B4 (de) 2001-09-07 2004-07-08 Pva Tepla Ag Vorrichtung zum Erzeugen eines Aktivgasstrahls
US20050221238A1 (en) * 2004-04-02 2005-10-06 Asml Netherlands B.V. Use of a reticle absorber material in reducing aberrations
DE102014211693A1 (de) * 2014-06-18 2014-09-18 Carl Zeiss Smt Gmbh Reflektives optisches Element und Verfahren zum Betrieb einer EUV-Lithographievorrichtung mit einem reflektiven optischen Element
DE102016208987A1 (de) * 2016-05-24 2017-11-30 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches Element und EUV-Lithographiesystem
DE102017205885A1 (de) * 2017-04-06 2017-06-01 Carl Zeiss Smt Gmbh Reflektives optisches Element für die EUV-Lithographie, Wasserstoffplasma-Sensor und EUV-Lithographiesystem damit
KR101981890B1 (ko) * 2017-04-17 2019-05-23 에이지씨 가부시키가이샤 Euv 노광용 반사형 마스크 블랭크 및 반사형 마스크
DE102017207030A1 (de) * 2017-04-26 2018-10-31 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur Reinigung von optischen Elementen für den ultravioletten Wellenlängenbereich
DE102017213172A1 (de) * 2017-07-31 2017-09-14 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zum Aufbringen einer Deckschicht und reflektives optisches Element
DE102017222690A1 (de) 2017-12-14 2018-02-15 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches Element mit einem Wasserstoff-Desorptionsmaterial
DE102018211498A1 (de) * 2018-07-11 2019-08-01 Carl Zeiss Smt Gmbh Optische Anordnung

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4573816B2 (ja) 光学エレメントの付着物を除去する方法および光学エレメントを保護する方法
US7959310B2 (en) Optical arrangement and EUV lithography device with at least one heated optical element, operating methods, and methods for cleaning as well as for providing an optical element
JP4898765B2 (ja) 光学素子における蒸着物の除去方法、光学素子の保護方法、デバイス製造方法、光学素子を含む装置、およびリソグラフィ装置
US20160139500A1 (en) Methods of manufacturing pellicles having graphite layers
NL2026303B1 (en) Pellicle membrane for a lithographic apparatus
JP2022521298A (ja) Cnt-bnntナノコンポジットペリクルを形成する方法
US20070211850A1 (en) Cleaning of Multi-Layer Mirrors
JP4539335B2 (ja) 多層膜反射鏡、euv露光装置、及び多層膜反射鏡におけるコンタミネーションの除去方法
JP2022510701A (ja) Vuv放射線を反射する光学素子及び光学装置
TWI413871B (zh) 移除微影裝置的無罩蓋多層鏡面之沉積的方法,微影裝置及器件製造方法
JPWO2020115086A5 (ja)
KR20130129899A (ko) Euv 리소그래피 장치용 구성요소들, 이러한 구성요소들을 포함하는 euv 리소그래피 장치, 및 이러한 구성요소들을 제조하는 방법
JP2011086885A (ja) 極端紫外光利用装置
JP2007092166A (ja) 薄膜堆積装置、薄膜堆積方法及び化合物薄膜
Heya et al. Removal of surface contamination by atomic hydrogen annealing
CN110998435B (zh) 制造用于光刻设备的表膜的方法
NL2036637A (en) Pellicle membrane for a lithographic apparatus and method
JP5581648B2 (ja) 炭素汚染除去処理方法及び炭素汚染除去処理装置
US11287752B2 (en) Cooling apparatus and plasma-cleaning station for cooling apparatus
CN115244211A (zh) 用于形成材料的经图案化的层的方法和设备
US10882748B2 (en) Graphene synthesis apparatus and graphene synthesis method using the same
Mund et al. Formation of H2O on a CO2 dosed Ru (0 0 0 1) surface under Extreme Ultraviolet Light and H2
CN114647156A (zh) 带涂覆层的光学组件及使用方法
CN116802564A (zh) 清洁装置和方法
NL2005699A (en) Components for euv lithographic apparatus, euv lithographic apparatus including such components and method for manufacturing such components.