CN114647156A - 带涂覆层的光学组件及使用方法 - Google Patents

带涂覆层的光学组件及使用方法 Download PDF

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Abstract

本公开提供了带涂覆层的光学组件及使用方法。在EUV光刻系统中，经涂覆的纳米管和纳米管束被形成在光学组件中有用的膜中。这些光学组件在用于在半导体衬底上图案化材料的方法中有用。这样的方法涉及在UV光刻系统中产生UV辐射。UV辐射穿过光学组件(例如，薄膜组件)的涂覆层。已穿过涂覆层的UV辐射穿过个体纳米管的基体或纳米管束的基体。穿过个体纳米管的基体或纳米管束的基体的UV辐射从掩模反射并在半导体衬底处被接收。

Description

带涂覆层的光学组件及使用方法
技术领域
本公开涉及紫外和极紫外光刻的领域以及用于紫外和极紫外光刻的光学组件。
背景技术
在半导体集成电路(IC)行业中，IC材料和设计方面的技术进步产生了一代又一代的IC，其中每一代都具有比上一代更小、更复杂的电路。在IC发展过程中，功能密度(即单位芯片面积的互连器件数量)通常有所增大，而几何尺寸(即可使用制造工艺创建的最小组件(或线))有所减小。这种缩放工艺通常通过提高生产效率和降低相关成本来提供好处。这种缩放也增加了IC加工和制造的复杂性。
光刻工艺形成用于各种图案化工艺(例如蚀刻或离子注入)的图案化抗蚀剂层。可以通过这种光刻工艺图案化的最小特征尺寸受投影辐射源的波长限制。光刻机已经从使用波长为365纳米的紫外光到使用深紫外(DUV)光(包括248纳米的氟化氪激光(KrF激光)和193纳米的氟化氩激光(ArF激光))，再到使用波长为13.5纳米的极紫外(ExtremeUltraviolet,EUV)光，从而提高每一步的分辨率。
在光刻工艺中，使用光掩模(或掩模)。该掩模包括衬底和图案化层，该图案化层限定了在光刻工艺期间要转移到半导体衬底的集成电路。掩模通常与薄膜组件(pellicleassembly)一起被包括，统称为掩模系统。薄膜组件包括透明且薄的膜片(membrane)和膜架(pellicle frame)，其中膜片安装在膜架之上。在掩模被使用时，薄膜保护掩模不受掉落粒子的影响，并使粒子远离焦点，使其不会产生可能会在图案化半导体衬底中造成缺陷的图案化图像。膜片通常被拉伸并安装在膜架之上，并通过胶水或其他粘合剂附接到膜架上。内部空间可以由掩模、膜片和膜架形成。
发明内容
根据本公开的实施例的一方面，提供一种光学组件，包括：多个纳米管束的基体；和多个纳米管束上的涂覆层，涂覆层包围个体纳米管束中的个体纳米管。
根据本公开的实施例的另一方面，提供一种光学组件的使用方法，包括：在极紫外(EUV)光刻系统中产生EUV辐射；使极紫外线辐射穿过薄膜膜片的涂覆层；使已穿过涂覆层的极紫外线辐射穿过薄膜膜片的透明层；从掩模反射已穿过透明层的极紫外线辐射；以及在半导体衬底上接收由掩模反射的极紫外线辐射。
根据本公开的实施例的又一方面，提供一种形成光学组件的方法，包括：形成纳米管的基体；通过第一工艺在纳米管的基体中的纳米管上形成保护层；以及通过第二工艺在保护层上形成涂覆层。
附图说明
图1是根据本公开的一些实施例的光刻系统的示意图。
图2是用于本公开的实施例中的掩模的示意性截面图。
图3A-3C分别是根据本公开的一些实施例的掩模薄膜系统的顶视图、透视图和沿线A-A’的截面图。
图4A-4D是根据本文所述的实施例的若干薄膜膜片的示意性截面图。
图5A是根据本公开的实施例的包括部分移除的涂覆层的纳米管的示意性透视图。
图5B是根据本公开的实施例的纳米管的外表面和内表面上的涂覆层的图示。
图5C是根据本公开的实施例的包括部分移除的涂覆层和粘合层的纳米管的示意性透视图。
图6A是根据本公开的实施例的纳米管束的示意图。
图6B是根据本公开的实施例的包括涂覆层的纳米管束的截面图。
图7A-7D分别是根据本公开的实施例的未经涂覆的纳米管、沉积涂覆层后的纳米管、经涂覆的纳米管的分解图和碳纳米管的进一步分解图的图示。
图8是示出根据本公开的实施例的方法的流程图。
图9是示出根据本公开的实施例的方法的流程图。
图10是根据本公开的实施例的用于向纳米管施加保护层或涂覆层的系统的示意图。
图11是示出根据本公开的实施例的方法的流程图。
具体实施方式
在下面的描述中，可以针对集成电路管芯内的各种层和结构描述厚度和材料。对于各种实施例，通过示例给出了具体尺寸和材料。根据本公开，本领域技术人员将认识到，在许多情况下可以使用其他尺寸和材料，而不脱离本公开的范围。
下面的公开内容提供了用于实现所述主题的不同特征的许多不同的实施例或示例。以下描述了组件和布置的特定示例以简化本说明书。当然，这些只是示例，并不旨在进行限制。例如，在下面的描述中在第二特征之上或上形成第一特征可以包括其中第一特征和第二特征以直接接触方式形成的实施例，还可以包括可以在第一特征和第二特征之间形成附加特征，使得第一特征和第二特征可以不直接接触的实施例。此外，本公开可以在各个示例中重复附图标记和/或字母。这种重复是为了简单和清楚的目的，并且其本身并不指示所讨论的各个实施例和/或配置之间的关系。
此外，本文中可以使用空间相关术语(例如，“之下”、“下方”、“下”、“上方”、“上”等)，以易于描述图中所示的一个元素或特征相对于另外(一个或多个)元素或(一个或多个)特征的关系。这些空间相关术语旨在涵盖设备在使用或工作中除了图中所示的朝向之外的不同朝向。装置可能以其他方式定向(旋转90度或处于其他朝向)，并且本文中所使用的空间相关描述符同样可被相应地解释。
“竖直方向”和“水平方向”应理解为指示相对方向。因此，水平方向应理解为基本上垂直于竖直方向，反之亦然。然而，在本公开的范围内，所述的实施例和方面可以整体旋转，使得被称为竖直方向的维度水平地定向，并且同时，被称为水平方向的维度竖直地定向。
在以下描述中，阐述了某些特定细节以提供对本公开的各种实施例的透彻理解。然而，本领域技术人员将理解，可以在没有这些具体细节的情况下实践本公开。在其他实例中，未详细描述与电子组件和制造技术相关联的公知结构，以避免不必要地模糊本公开的实施例的描述。
除非上下文另有要求，否则在整个说明书和随附的权利要求中，“包括”一词及其变体，例如“包含”和“含有”，应以开放、包容的意义来解释，即“包括但不限于”。
使用诸如第一、第二和第三之类的序数词并不一定暗示顺序的排列意义，而是可仅区分一个动作或结构的多个实例。
在本说明书中对“一个实施例”或“一实施例”的引用意指结合该实施例描述的特定特征、结构或特性被包括在至少一个实施例中。因此，在本说明书的各处出现的短语“在一个实施例中”或“在一实施例中”不一定都指代同一实施例。此外，在一个或多个实施例中，可以以任何合适的方式组合特定特征、结构或特征。
如在本说明书和所附权利要求书中所使用的，除非内容另有明确规定，否则单数形式“一”、“一个”和“该”包括复数指代。还应注意，术语“或”在含义上通常包括“和/或”，除非内容另有明确规定。
根据本公开的实施例提供了适合于透射UV或EUV辐射并保护光刻系统的UV或EUV反射组件的光学组件。光学组件表现出理想的UV/EUV透射水平，并且促进来自光学组件的热传递。光学组件也能抵抗暴露在诸如氢气、氧气和H+气体之类气体中造成的损坏。
根据本公开的各个方面，通过提供包括多个纳米管束的基体(matrix)或个体纳米管的基体的光学组件，实现上述和下文所述的根据本发明实施例的各种优点和目的。根据一些实施例，用涂覆层涂覆个体纳米管以保护纳米管。在其他实施例中，用涂覆层涂覆纳米管束；然而，纳米管束中的个体纳米管未单独涂覆涂覆层。在其他实施例中，纳米管束的个体纳米管涂覆有涂覆层，并且纳米管束由此类经涂覆的个体纳米管形成。这些光学组件可用于在半导体衬底上图案化材料的方法。这样的方法涉及在UV光刻系统中产生UV辐射。UV辐射穿过光学组件(例如，薄膜组件)的涂覆层。已穿过涂覆层的UV辐射穿过个体纳米管的基体或纳米管束的基体。穿过个体纳米管的基体或纳米管束的基体的UV辐射从掩模反射并在半导体衬底上被接收。根据其他实施例，将涂覆层施加到薄膜组件的透明层上。
图1示出了根据一些实施例的光刻系统100的示意图。光刻系统100通常也可以被称为扫描器，该扫描器可操作以执行光刻工艺，包括使用相应的辐射源并且具体而言在特定曝光模式下进行曝光。在本实施例中的至少一些实施例中，光刻系统100包括紫外(UV)光刻系统，该系统被设计为用UV辐射(即UV光)暴露抗蚀剂层。因此，在各种实施例中，抗蚀剂层包括对UV光敏感的材料(例如，UV抗蚀剂)。图1的光刻系统100包括多个子系统，例如辐射源102、照明器104、被配置为容纳掩模108的掩模台106、投影光学元件110、和被配置为容纳半导体衬底116的衬底台118。以下根据本公开的实施例的UV光刻系统的描述将极紫外线辐射当作紫外线辐射的示例。根据本公开的实施例不限于极紫外线辐射光刻系统。换句话说，参考极紫外光刻系统描述的实施例包括利用紫外线辐射的实施例。对光刻系统100的操作的一般描述如下：来自辐射源102的EUV光被导向照明器104(其包括一组反射镜)并投影到反射掩模108上。反射的掩模图像被导向投影光学元件110，投影光学元件110聚焦EUV光并将EUV光投影到半导体衬底116上以暴露沉积在其上的EUV抗蚀剂层。此外，在各种示例中，光刻系统100的每个子系统可以容纳在高真空环境中，并因此在高真空环境中工作，例如，以减少EUV光的大气吸收。
在本文描述的实施例中，辐射源102可用于产生EUV光。在一些实施例中，辐射源102包括等离子体源，例如放电产生等离子体(DPP)或激光产生等离子体(LPP)。在一些示例中，EUV光可以包括波长范围为从约1nm至约100nm的光。在一个特定示例中，辐射源102产生波长以约13.5nm为中心的EUV光。因此，辐射源102也可以被称为EUV辐射源102。在一些实施例中，辐射源102还包括收集器，该收集器可用于收集从等离子体源产生的EUV光，并且将所收集的EUV光导向成像光学元件，例如照明器104。
如上所述，来自辐射源102的EUV光被导向照明器104。在一些实施例中，照明器104可以包括反射光学元件(例如，对于EUV光刻系统100)，例如单个镜或具有多个镜的镜系统，以便将来自辐射源102的光引导到掩模台106上，尤其是引导到固定在掩模台106上的掩模108上。在一些示例中，照明器104可以包括波带板(未示出)，例如，以改进EUV光的聚焦。在一些实施例中，照明器104可以被配置为根据特定光瞳形状来塑造穿过其的EUV光，并且包括例如偶极形状、四极形状、环形形状、单光束形状、多光束形状和/或其组合。在一些实施例中，照明器104可操作用于配置镜(即，照明器104的镜)以向掩模108提供所需照明。在一个示例中，照明器104的镜可配置为将EUV光反射到不同的照明位置。在一些实施例中，照明器104之前的阶段(未示出)可以另外包括可用于将EUV光引导到照明器104的镜内的不同照明位置的其他可配置镜。在一些实施例中，照明器104被配置为向掩模108提供轴上照明(ONI)。在一些实施例中，照明器104被配置为向掩模108提供离轴照明(OAI)。应当注意，EUV光刻系统100中使用的光学元件，特别是用于照明器104和投影光学元件110的光学元件，可以包括称为Bragg反射器的具有多层薄膜涂覆层的镜。作为示例，这种多层薄膜涂覆层可以包括Mo和Si的交替层，其在EUV波长(例如，约13nm)下提供高反射率。
如上所述，光刻系统100还包括被配置为将掩模108固定在光刻系统内的掩模台106。由于光刻系统100可以容纳在高真空环境中，并因此在高真空环境中操作，因此掩模台106可以包括用于固定掩模108的静电卡盘(电子卡盘)。与EUV光刻系统100的光学元件一样，掩模108也是反射性的。下面参考图2的示例更详细地讨论掩模108的细节。如图1所示，光从掩模108反射并被导向投影光学元件110，投影光学元件110收集从掩模108反射的EUV光。作为示例，由投影光学元件110收集(从掩模108反射)的EUV光承载由掩模108限定的图案的图像。在各种实施例中，投影光学器件110提供用于将掩模108的图案成像到固定在光刻系统100的衬底台118上的半导体衬底116上。具体而言，在各种实施例中，投影光学元件110聚焦所收集的EUV光并将EUV光投影到半导体衬底116上，以暴露沉积在半导体衬底116上的EUV抗蚀剂层。如上所述，投影光学元件110可以包括反射光学元件，如在诸如光刻系统100之类的EUV光刻系统中使用的。在一些实施例中，照明器104和投影光学元件110被统称为光刻系统100的光学模块。
如上所述，光刻系统100还包括衬底台118，以用于固定要图案化的半导体衬底116。在各种实施例中，半导体衬底116包括半导体晶圆，例如硅晶圆、锗晶圆、硅锗晶圆、III-V晶圆或其他类型的晶圆。半导体衬底116可以涂覆有对EUV光敏感的抗蚀剂层(例如，EUV抗蚀剂层)。EUV抗蚀剂可以具有严格的性能标准。为了说明的目的，EUV抗蚀剂可以被设计为提供至少约22nm的分辨率、至少约2nm的线宽粗糙度(LWR)以及至少约15mJ/cm2的灵敏度。在本文描述的实施例中，光刻系统100的各种子系统(包括上述子系统)是集成的，并且可操作用于执行包括EUV光刻工艺的光刻曝光工艺。可以肯定的是，光刻系统100还可以包括其他模块或子系统，这些模块或子系统可以与本文描述的一个或多个子系统或组件集成(或耦合到这些子系统或组件)。
光刻系统可以包括其他组件，并且可以具有其他替代方案。在一些实施例中，光刻系统100可以包括光瞳相位调制器112，以调制从掩模108引导的EUV光的光学相位，使得光具有沿投影光瞳平面114的相位分布。在一些实施例中，光瞳相位调制器112包括用于调谐投影光学元件110的反射镜以进行相位调制的机构。例如，在一些实施例中，投影光学元件110的镜可配置为通过光瞳相位调制器112反射EUV光，从而调制通过投影光学元件110的光的相位。在一些实施例中，光瞳相位调制器112利用放置在投影光瞳平面114上的光瞳滤波器。作为示例，光瞳滤波器可用于滤除从掩模108反射的EUV光的特定空间频率分量。在一些实施例中，光瞳滤波器可以用作相位光瞳滤波器，其调制通过投影光学元件110引导的光的相位分布。
参考图2，掩模108包括图案化图像，该图案化图像包括具有抗反射涂覆层(ARC)层210的一个或多个吸收体208。一个或多个吸收体208和抗反射涂覆层位于衬底202上的多层结构204上，例如，Mo–Si多层。吸收体208的材料的示例包括氮化钽层或TaxByOzNu。抗反射涂覆层材料的示例包括TaxByOzNu、HfxOy层或SixOyNz层。衬底202的示例包括低热膨胀材料衬底，例如掺杂TiO2的SiO2。在图2所示的实施例中，多层结构204被帽盖层206覆盖，并且衬底202的背面被背面涂覆层203覆盖。用于帽盖层206的材料的示例包括钌。背面涂覆层203的材料示例包括氮化铬。
如上所述，掩模108用于通过光刻系统100将电路和/或器件图案转移到半导体晶圆(例如，半导体衬底116)上。为了实现从图案化掩模108到半导体衬底116的高保真图案转移，光刻工艺应该是无缺陷的。用于在辐射源102中产生EUV光的非期望的粒子(例如Sn的粒子)可能无意地沉积在帽盖层206的表面上，并且如果不被去除，则可能导致光刻转移图案的劣化。除了作为EUV光产生的一部分之外，还可以通过各种方法中的任何一种引入粒子，例如在蚀刻工艺、清洁工艺和/或在处理EUV掩模108期间。因此，掩模108与薄膜集成并由薄膜组件保护。掩模和薄膜组件统称为掩模-薄膜系统。例如，在由光刻系统100进行的光刻图案化工艺期间，将掩模-薄膜系统固定到掩模台106。
参考图3A、图3B和图3C，其中分别示出了掩模薄膜系统300的顶视图、透视图和沿线A-A’的截面图。参考图3A、图3B和图3C，描述了掩模薄膜系统300及其使用方法。虽然参考光刻系统的掩模来描述本公开的实施例，但应理解，本公开的实施例对于光刻系统的反射UV或EUV辐射的其他UV或EUV反射组件是有用的。
掩模薄膜系统300包括通过粘合材料层308和310集成在一起的掩模302、膜架304和光学组件，例如膜(或薄膜膜片)306。如上所述，掩模302还包括用于通过光刻工艺对半导体衬底进行图案化的图案化表面314。在一些实施例中，掩模302可以与上面讨论的掩模108基本上相同。在本实施例中，掩模302集成在掩模薄膜系统300中，并且在光刻图案化工艺中与膜306和膜架304一起固定在掩模台106上。
膜306被配置为接近掩模302，并通过粘合层308附接到膜架304。特别地，膜306通过粘合材料层308附接到膜架304。掩模302也通过粘合材料层310附接到膜架304。因此，掩模302、膜架304和膜306由此被配置和集成以封闭内部空间312。掩模302的图案化表面314被封闭在内部空间312中，因此在光刻图案化工艺、掩模运输和掩模处理期间受到保护以防止污染。在图3C所示的实施例中，膜架304配备有两个通风孔320。根据本公开的实施例可以仅包括单个通风孔320或包括两个以上的通风孔320。通风孔用于平衡由膜架304和薄膜膜片306界定的开放空间与膜架304和薄膜膜片306外部环境之间的气压。通风孔320可以配备有过滤器(未显示)，该过滤器被配置用于防止粒子进入通风孔320。
膜306由对光刻图案化工艺中使用的辐射束透明的薄膜制成，并且还具有导热表面。如图3C所示，膜306也被配置为接近掩模302上的图案化表面314。在各种实施例中，膜306包括在一个表面(或两个表面)上具有导热膜的透明材料层。
图4是根据一些实施例构造的膜306的截面图。膜306包括一种或多种材料的透明层402或核心材料层，所述一种或多种材料包括硅，例如多晶硅(poly-Si)、非晶硅(a-Si)、掺杂硅(例如磷掺杂硅SiP或SiC)或硅基化合物，例如SiN或MoSixNy或组合(SiN/MoSiN)。替代地，透明层402包括聚合物、石墨烯、碳网络膜、碳纳米管、硅碳纳米管、氮化硼纳米管、碳纳米管束或其他合适的材料，包括纳米管束。在一些实施例中，膜306被表征为不存在含氧材料，例如SiO2。不含含氧材料的膜306不易受到在光刻工艺期间或在光刻系统维护期间膜306所暴露于的H+自由基引起的劣化的影响。当含有含氧材料(例如SiO2)的膜306暴露于H+自由基时，观察到SiO2上提供的涂覆层剥落。透明层402的厚度具有足够的机械强度，但在一些实施例中，其厚度不会使膜对来自辐射源的极紫外线辐射的透明度在一些实施例中降低15％以上，在一些实施例中降低10％以上，或在一些实施例中降低5％以上。在一些示例中，透明层402具有在30nm到50nm之间的厚度。
在一些实施例中，膜306包括形成在透明层402的外表面322上的第一涂覆层404和形成在透明层402的内表面324上的第二涂覆层406。在图4A中，透明层402的外表面322是其顶表面，并且透明层402的内表面324是其底表面。根据图4A所示的实施例，涂覆层404的材料与涂覆层406的材料相同。在根据图4A的其他实施例中，涂覆层404的材料不同于涂覆层406的材料。在根据图4A的又一些其他实施例中，涂覆层404包括多层材料。类似地，在其他实施例中，涂覆层406包括多层材料。这样的多层可以包括相同的材料或不同的材料。此外，构成涂覆层404和/或涂覆层406的多层材料可以是相同的厚度，或可以是不同的厚度。在图4B中，仅在内表面324而非外表面322上提供涂覆层406。在根据图4B的其他实施例中，涂覆层406包括多层材料。此外，构成图4B中的涂覆层406的多层材料可以是相同的厚度，或可以是不同的厚度。在图4C中，仅在外表面322而非内表面324上提供涂覆层404。在根据图4C的其他实施例中，涂覆层404包括多层材料。此外，构成图4B中的涂覆层404的多层材料可以是相同的厚度，或可以是不同的厚度。涂覆层(404或406)保护透明层402免受诸如化学品和/或粒子的侵蚀。在一些实施例中，涂覆层404和406促进来自透明层402的热传递。根据本公开的另一实施例，图4D示出了第一涂覆层408a位于透明层402上且第二涂覆层408b位于第一涂覆层408a上的示例。根据图4D的实施例，第一涂覆层408a的材料和第二涂覆层408b的材料可以相同，或它们可以不同。(例如：408a:MoSiN和408b:SiN2)
根据本公开的一些实施例，选择用作第一涂覆层404和/或第二涂覆层406的特定材料应考虑许多不同因素，包括：提供共形涂覆层所需的材料层有多厚、材料对UV或EUV的散射效应、UV或EUV的透射和UV或EUV的反射、UV或EUV的吸收、耐氧脱附性以及与涂覆层接触的电离气体(例如H+气体)的侵蚀性。
例如，与在提供共形涂覆层时需要施加较厚涂覆层的材料相比，在提供共形涂覆层时易于作为较薄涂覆层施加的材料是优选的。在一些实施例中，涂覆层404或406具有大约1至10纳米的厚度。
对导向掩模的EUV辐射散射较少的材料相比于对相同EUV辐射散射更多的材料而言是优选的。这样的材料的示例包括氮化硼(BN)和氮化硅(Si3N4)。根据本公开的实施例，钌不是用于涂覆层的合适材料，因为钌在零度和360度处呈现出的EUV辐射的差分散射截面是对于涂有氮化硼或氮化硅的透明材料在零度和360度处呈现出的EUV辐射的差分散射截面的6倍。通常，与折射率较高的材料相比，折射率较低的材料会产生更多散射。因此，当仅基于折射率选择用于涂覆层404和406的材料时，与具有较低折射率的材料相比，具有较高折射率的材料是优选的。
通常，消光系数k较高的材料(表明辐射吸收率较高)不如消光系数k较低的材料理想，因为消光系数较高的材料将透射较少的UV或EUV。因此，当仅基于消光系数k选择用于涂覆层404和406的材料时，与具有较高消光系数的材料相比，具有较低消光系数的材料是优选的。
对导向掩模的UV或EUV辐射透射更多的材料相比于对相同UV或EUV辐射透射较少的材料而言是优选的。例如，在一些实施例中，对导向掩模的辐射透射80％或更多的材料是合适的。在其他实施例中，导向掩模的辐射透射85％或更多的材料是合适的。在又一些其他实施例中，对导向掩模的辐射透射90％或更多的材料是合适的。在其他实施例中，对导向掩模的辐射透射95％或更多的材料是合适的。
对导向掩模的辐射反射较少的材料相比于对相同EUV辐射反射更多的材料而言是优选的。
对导向掩模的EUV辐射吸收较少的材料相比于对相同EUV辐射吸收更多的材料而言是优选的。
与不耐氧脱附的材料相比，更耐氧脱附的材料是优选的。
包含较高价氧化物的材料不太适合用作涂覆层404或406的材料，因为它们容易受到辐射刺激的氧脱附的影响，该氧脱附是由在浅核心层中产生孔而引起的。与不包括较高价氧化物的涂覆层的反应性相比，这些所产生的孔使得涂覆层在光刻工艺或维护工艺期间与涂覆层所暴露于的气体分子更具反应性。根据本公开的实施例，与包括较高价氧化物的材料相比，不包括较高价氧化物的材料是优选的。
来自EUV辐射源的粒子(例如Sn粒子)可能落在薄膜表面上。通过使用电离气体(例如H+)蚀刻薄膜表面来去除这样的粒子。电离气体从薄膜表面蚀刻粒子(例如Sn粒子)的能力部分取决于Sn和薄膜表面材料之间电负性(electronegativity)的差异。因此，选择适合于涂覆层404和/或406的材料，考虑要蚀刻的粒子(例如，电负性为1.96的Sn粒子)与涂覆层材料之间电负性的差异。与电负性大于从涂覆层表面蚀刻的粒子的电负性的材料相比，电负性小于要蚀刻的粒子的电负性的材料优选地作为涂覆层材料。根据一些实施例，适于涂覆层404和/或406的材料包括电负性小于1.96至约-0.2的材料。
考虑到上述标准，可用于涂覆层404和/或406的材料的示例如下所示。
在一些实施例中，涂覆层404包括硼(B)、氮化硼(BN)、氮化硼硅(BNSi)、碳化硼(B4C)、碳化硼硅(BCSi)、氮化硅(SiN)、氮化硅(Si3N4)、二氮化硅(SiN2)、碳化硅(SiC)、氮碳化硅(SiCxNy)、铌(Nb)、氮化铌(NbN)、单硅化铌(NbSi)、硅化铌(NbSi2)、氮化铌硅(NbSiN)、氮化铌钛(NbTixNy)、氮化锆(ZrN)、氟化锆(ZrF4)、氮化钇(YN)、氟化钇(YF)、钼(Mo)、氮化钼(MoN2)、碳化钼(Mo4C和Mo2C)、硅化钼(MoSi2)、氮化钼硅(MoSixNy)、钌铌合金(RuNb)、氮化钌硅(RuSiN)、氮化钛(TiN)、碳氮化钛(TiCxNy)、氮化铪(HfNx)、氟化铪(HfF4)或氮化钒(VN)。用于涂覆层404的材料不包括包含更高价氧化物的材料，例如TiO2、V2O5、ZrO2、Ta2O5、MoO3、WO3、CeO2、Er2O3、SiO2、Y2O3、Nb2O5、V2O3和HfO2。
在一些实施例中，用于涂覆层404的材料选自不包括高价氧化物的材料，例如硼(B)、氮化硼硅(BNSi)、氮化硅(Si3N4)、二氮化硅(SiN2)、铌(Nb)、氮化铌(NbN)、单硅化铌(NbSi)、硅化铌(NbSi2)、氮化铌硅(NbSiN)、氮化铌钛(NbTixNy)、氮化锆(ZrN)、氟化锆(ZrF4)、氮化钇(YN)、氟化钇(YF)、钼(Mo)、氮化钼(MoN2)、硅化钼(MoSi2)、氮化钼硅(MoSixNy)、钌铌合金(RuNb)、氮化钌硅(RuSiN)、氮化钛(TiN)、碳氮化钛(TiCxNy)、氮化铪(HfNx)、氟化铪(HfF4)或氮化钒(VN)。
在一些实施例中，用于涂覆层404的材料选自不包括钌或钼的材料，例如硼(B)、氮化硼硅(BNSi)、氮化硅(Si3N4)、二氮化硅(SiN2)、铌(Nb)、氮化铌(NbN)、单硅化铌(NbSi)、硅化铌(NbSi2)、氮化铌硅(NbSiN)、氮化铌钛(NbTixNy)、氮化锆(ZrN)、氟化锆(ZrF4)、氮化钇(YN)、氟化钇(YF)、氮化钛(TiN)、碳氮化钛(TiCxNy)、氮化铪(HfNx)、氟化铪(HfF4)或氮化钒(VN)。
在一些实施例中，涂覆层404包括氮化硼硅(BNSi)、碳化硼硅(BCSi)、碳化钼(Mo4C)或碳化钼(Mo2C)。
涂覆层404很薄并且不会使膜306降低对UV或EUV光的透明度。在一些示例中，涂覆层(404和406，如果存在)的厚度在1nm和10nm之间。涂覆层的一个示例的厚度为5nm，变化为10％或更小。涂覆层可以通过合适的沉积技术形成，例如化学气相沉积(CVD)、原子层沉积(ALD)、等离子体增强ALD(PEALD)、物理气相沉积(PVD)、电子束沉积、电沉积、化学沉积或其他合适的技术。
根据本公开的一些实施例，涂覆层404还用作导热层，该导热层促进热能从透明层402转移到涂覆层404周围的环境。
根据本公开的一些实施例，在施加涂覆层404或涂覆层406之前对透明层402(核心膜)进行处理，以在透明层402的表面中产生微小缺陷和/或去除不需要的二氧化硅。在透明层402的表面中产生微小缺陷和/或去除不需要的二氧化硅提高了涂覆层404或涂覆层406到透明层402表面的粘附。在施加涂覆层404或406之前处理透明层402表面的合适工艺的示例包括氮、氧、氟化碳或氩气等离子体处理。使用足以在透明层402的表面中产生小缺陷的频率、功率、压力和时间段的组合用气体等离子体处理透明层402，这将改进涂覆层的粘附和/或去除不需要的二氧化硅。
掩模薄膜系统300还包括膜架304，该膜架304被配置为使得膜306可以被附接并固定到膜架304。膜架304可以被设计成各种尺寸、形状和配置。在这些和其他替代方案中，膜架304可以具有一个或多个组件。膜架304包括具有机械强度的材料，并且在形状、尺寸和配置上被设计为将膜306适当地固定在膜架304上。在一些实施例中，膜架304可以完全由多孔材料形成。
膜架304包括被设计用于通风和压力平衡的多孔材料，因为当在光刻图案化工艺期间固定在掩模台106上时，薄膜-掩模系统300处于真空环境。如图3C所示，膜架304的多孔材料具有从膜架304的内表面316延伸到外表面318的连接孔通道(connected-porechannel)以用于通风。替代地，如上所述，膜架304包括用于通风和压力平衡的一个或多个通风口320。
根据本公开的另一实施例，透明层包括多个纳米管(这多个纳米管形成纳米管的基体)，例如碳纳米管、氮化硼纳米管、碳化硅纳米管或其组合。在一些实施例中，包括纳米管的透明层是多孔的。已知用于形成多片纳米管的技术。当根据本公开的实施例进行处理时，这样的多片纳米管形成透明层和涂覆层的组合，它们在根据本公开的实施例的光学组件(例如，薄膜膜片)中有用。
根据本公开的实施例，碳纳米管为单壁纳米管或多壁纳米管。在一些实施例中，纳米管为碳纳米管。纳米管可以是定向纳米管，或者它们可以是非定向纳米管。纳米管可以是不成束的个体纳米管，或者纳米管可以是成束的个体纳米管。碳纳米管容易因暴露于氢气或氧气(例如在光刻系统的操作或维护期间使用的类型)而劣化。
参考图5A，本公开的一个实施例包括不成束的单壁碳纳米管500，该碳纳米管500包括由一种或多种上述用于涂覆层404和/或406的材料在外表面504上形成的涂覆层502。与先前描述的实施例一样，涂覆层502可以包括相同材料的单层，或可以包括相同材料的多层或不同材料的多层。涂覆层502具有厚度t。在一些实施例中，t为1至10纳米。图5B是根据本公开的实施例的经涂覆的碳纳米管的截面的图示。图5B示出了根据本公开的一些实施例，碳纳米管500的外表面504和碳纳米管500的内表面506如何用涂覆层材料502涂覆。
根据本公开的一些实施例，在外表面504和内表面506上施加涂覆层502的材料之前，对碳纳米管500的表面进行处理，以修改碳纳米管500的表面(即在该表面中产生小缺陷)和/或向碳纳米管的表面引入官能团，例如，亲水基团。对碳纳米管500的表面进行修改提高了涂覆层502在碳纳米管500的外表面504或内表面506上的粘附。在施加涂覆层502之前处理碳纳米管500的表面的合适工艺的示例包括氮、氧、氟化碳或氩气等离子体处理。根据一些实施例，使用足以实现所需的表面修改的频率、功率、压力和时间段的组合用气体等离子体处理碳纳米管500的表面，以改进涂覆层502对纳米管表面的粘附。根据一个实施例，用氧等离子体以约13.6MHz的频率、约100-200W的功率和约1-200mTorr的压力处理碳纳米管。如此处理碳纳米管的时间长度足以在不损坏碳纳米管的情况下提供所需的表面修改。
参考图5C，在其他实施例中，纳米管500(例如，碳纳米管)的表面涂覆有层508，该层508促进碳纳米管500的表面和涂覆层502之间的粘附。通过诸如ALD和PEALD之类的沉积工艺将这种粘附促进材料涂覆到碳纳米管500的表面上。层508的材料的示例包括可以通过ALD或PEALD工艺沉积并促进碳纳米管500的表面与涂覆层502之间的粘附的非晶碳或其他材料。根据本公开的另一实施例，层508是保护层，该保护层用于保护纳米管不被用于沉积涂覆层502的PEALD工艺的等离子体劣化。当在纳米管上形成保护层时，其通过第一沉积工艺形成，例如，在没有任何等离子体的情况下通过热原子层沉积工艺。为了在纳米管上形成多个保护层，可以采用第一沉积工艺的多个循环。在纳米管上已经形成一个或多个保护层之后，可以使用第二沉积工艺(例如，等离子体增强原子层沉积(PEALD)技术)沉积涂覆层502。由于保护层的存在，膜片的纳米管不会被PEALD工艺的等离子体损坏。用作保护层的材料的示例包括上述用于形成涂覆层502的相同材料。
参考图6A，在光学组件(例如薄膜膜片306)中利用纳米管的另一实施例包括使多个纳米管成束。在图6A中，七个纳米管600a–600g被成束以形成纳米管束602。已知用于使纳米管成束以形成在根据本公开的实施例中有用的纳米管束602的技术。在其他实施例中，构成纳米管束602的纳米管数量小于7或大于7。减少形成纳米管束602的个体碳纳米管的数量可以降低纳米管束602的折射率。如上所述，降低折射率具有降低对入射EUV辐射散射的效果，这具有增加对入射EUV辐射透射的效果。因此，在一些实施例中，与包括更大量的个体纳米管的纳米管束相比，包括较少的个体纳米管的纳米管束将是优选的。
参考图6B，根据本公开的实施例，纳米管束602涂覆有涂覆层604或被涂覆层604包围。上述用于涂覆层404和406的材料的描述适用于用于涂覆层604的材料。在图6B所示的实施例中，涂覆层604被显示为围绕纳米管束602，但未覆盖个体纳米管600a–600g的所有表面。根据其他实施例，涂覆层604涂覆的个体纳米管600a–600b的表面比图6B所示的更多。例如，涂覆层604可以涂覆暴露在纳米管束602外部的纳米管600a–600e和600g的表面。在这样的实施例中，纳米管600f的外表面未涂覆涂覆层604。在其他实施例中，七个纳米管600a–600g中的每一个的外表面涂覆有构成涂覆层604的材料。在其他实施例中，透明层包括部分或完全涂覆有涂覆层604的个体纳米管，这些个体纳米管被成束以形成纳米管束602，然后用涂覆层材料604的附加层涂覆/包围纳米管束。在一些实施例中，涂覆层604覆盖其所在的纳米管的整个表面；然而，在其他实施例中，涂覆层覆盖的表面小于其所在纳米管的整个表面。
在图6A和图6B的实施例中，个体纳米管被显示为紧密地打包在一起。在其他实施例中，个体纳米管可不像图6A和图6B中所示那样紧密地打包。例如，在其他实施例中，纳米管的外表面的部分可以彼此不接触。
在另一实施例中，薄膜膜片306包括多个纳米管束602和多个个体不成束纳米管500。在该实施例中，根据上述描述涂覆多个纳米管束602和多个个体不成束纳米管500。
上述关于选择用于涂覆层404的特定材料的描述同样适用于选择用于涂覆层604的特定材料。上述关于层508作为粘附层或保护层的描述同样适用于层508与图6A和图6B的纳米管束以及涂覆层604的结合使用。
根据图5A、图5B、图6A和图6B的纳米管实施例提供了一种薄膜膜片306，该薄膜膜片306对入射到透明层上的UV或EUV辐射透射其85％或更多。在其他实施例中，包含经涂覆的纳米管或经涂覆的纳米管束的薄膜膜片306对入射到透明层上的UV或EUV辐射透射90％或更多。在一些实施例中，包含经涂覆的纳米管或经涂覆的纳米管束的薄膜膜片306对入射到透明层上的UV或EUV辐射透射95％或更多。
图7A是在沉积涂覆层之前纳米管的基体的表面的图像。图7B是在施加涂覆层之后图7A的纳米管的基体的图像。图7C是图7B的一部分的放大图。图7D是图7C的一部分的放大图。
参考图8，参考图1和图4A-4D示出和描述了根据本公开的实施例的用于在EUV光刻系统中在半导体衬底上图案化材料的方法800。该方法包括在步骤820中产生EUV辐射。例如，如上所述，可以利用图1的辐射源102产生EUV辐射。在步骤830中，所产生的EUV辐射穿过薄膜膜片的涂覆层。涂覆层的示例包括涂覆层404、406、502或604。使所产生的EUV辐射穿过涂覆层，是根据上述这样做的描述来完成的。薄膜膜片的一个示例是薄膜膜片306。在步骤840，EUV辐射穿过薄膜膜片的透明层。薄膜膜片的透明层的示例包括上文参考图4A-4C所述的透明层402。可以根据上述描述，使EUV辐射穿过薄膜膜片的透明层。在步骤850，穿过薄膜膜片的透明层的EUV辐射从掩模反射。适于反射EUV辐射的掩模的示例为上述掩模108。掩模108反射如上所述的EUV辐射。在步骤860，在半导体衬底处接收EUV辐射。半导体衬底的示例是上述半导体衬底116。
参考图9，下面参考图1和图4A-4D示出和描述了根据本公开的实施例的用于在EUV光刻系统中在半导体衬底上图案化材料的方法900。该方法包括在步骤920中产生EUV辐射。例如，如上所述，可以利用图1的辐射源102产生EUV辐射。在步骤930中，所产生的EUV辐射穿过薄膜膜片的涂覆层。涂覆层的示例包括涂覆层404、406、502或604。使所产生的EUV辐射穿过涂覆层，是根据上述这样做的描述来完成的。薄膜膜的一个示例是薄膜膜片306。在步骤940，EUV辐射穿过薄膜膜片的纳米管的基体。薄膜膜片的纳米管的示例包括上文参考图5A、图5B、图6A和图6B所述的纳米管和纳米管束。可以根据上述描述，使EUV辐射穿过薄膜膜片的纳米管的基体。在步骤950，穿过薄膜膜片的纳米管的基体的EUV辐射从掩模反射。适于反射EUV辐射的掩模的示例为上述掩模108。掩模108反射如上所述的EUV辐射。在步骤960，在半导体衬底处接收EUV辐射。半导体衬底的示例是上述半导体衬底116。
图11是示出根据本公开的用于在形成为片膜950的透明层402或纳米管的基体上形成保护层、粘附层或涂覆层的方法的流程图。在图11的方法1000中，作为膜950提供的透明层402或纳米管的基体(例如在框架或边界952上，例如竖直地)支撑在能够执行热ALD或CVD工艺和等离子体增强ALD或CVD工艺的腔室954中。透明层402或框架952被支撑在腔室942内，使得它们具有多个移动自由度。例如，在图10所示的实施例中，框架950可以绕竖直轴旋转，或者可以绕水平轴倾斜。根据本公开的实施例不限于绕竖直通道旋转框架或绕水平轴倾斜框架。在其他实施例中，除了绕竖直轴旋转或绕水平轴倾斜之外，框架还具有移动自由。这种旋转和倾斜可以在热工艺和/或等离子体增强工艺期间实现，以促进膜950的纳米管均匀地被涂覆涂覆层、粘附层或保护层。腔室内的条件被保持以促进涂覆层、粘附层或保护层的均匀沉积，例如，温度在500摄氏度到1200摄氏度之间。通过从腔室壁或与腔室壁相关联的加热器提供热能来提供这种温度。根据本公开的用于在纳米管的基体或透明层402上形成保护层、粘附层或涂覆层的实施例不限于利用热PVD或CVD以及等离子体增强PVD或CVD。例如，可以使用离子束沉积技术形成这样的层。上述关于利用热PVD或CVD和等离子体增强PVD或CVD的描述也适用于离子束沉积的使用。在步骤1030，通过热原子层沉积工艺在膜的透明层或纳米管上形成保护层。图10所示的腔室942是可以进行热原子层沉积和等离子体增强原子层沉积的腔室的示例。方法1000不限于使用单个腔室，在该腔室中进行热和等离子体增强原子层沉积。例如，在其他实施例中，热沉积工艺可以在一个腔室中进行，而等离子体增强沉积可以在另一个不同的腔室中进行。
在一个实施例中，本公开描述了一种光学组件，例如薄膜组件，包括多个纳米管束的基体。在这样的实施例中，在多个纳米管束的基体上提供涂覆层。涂覆层包围个体纳米管束中的个体纳米管。
根据本文公开的实施例的第二方面，提供了一种方法，该方法包括在EUV光刻系统中产生EUV辐射。EUV辐射已穿过薄膜膜片的涂覆层。穿过薄膜膜片的涂覆层的EUV辐射穿过薄膜膜片的透明层。已穿过薄膜片膜的透明层的EUV辐射从掩模反射并在半导体衬底处被接收。
根据本文公开的实施例的第三方面，提供了一种方法，该方法包括在EUV光刻系统中产生EUV辐射。EUV辐射穿过薄膜膜片的涂覆层。已穿过薄膜膜片的涂覆层的EUV辐射穿过薄膜膜片的纳米管的基体。已穿过薄膜膜片的纳米管的基体的EUV辐射从掩模反射并在半导体衬底处被接收。
下面给出一些示例。
示例1.一种光学组件，包括：
多个纳米管束的基体；和
所述多个纳米管束上的涂覆层，所述涂覆层包围个体纳米管束中的个体纳米管。
示例2.根据示例1所述的光学组件，其中，所述涂覆层包括以下项中的一者或多者：硼(B)、氮化硼硅(BNSi)、氮化硅(Si3N4)、二氮化硅(SiN2)、铌(Nb)、氮化铌(NbN)、单硅化铌(NbSi)、硅化铌(NbSi2)、氮化铌硅(NbSiN)、氮化铌钛(NbTixNy)、钼(Mo)、氮化钼(MoN2)、碳化钼(Mo4C和Mo2C)、硅化钼(MoSi2)、氮化钼硅(MoSixNy)、氮化锆(ZrN)、氟化锆(ZrF4)、氮化钇(YN)、氟化钇(YF)、氮化钛(TiN)、碳氮化钛(TiCxNy)、氮化铪(HfNx)、氟化铪(HfF4)和氮化钒(VN)。
示例3.根据示例1所述的光学组件，其中，所述涂覆层包括以下项中的一者或多者：硼(B)、氮化硼硅(BNSi)、氮化硅(Si3N4)、二氮化硅(SiN2)、铌(Nb)、氮化铌(NbN)、单硅化铌(NbSi)、硅化铌(NbSi2)、氮化铌硅(NbSiN)、氮化铌钛(NbTixNy)、氮化锆(ZrN)、氟化锆(ZrF4)、氮化钇(YN)、氟化钇(YF)、氮化钛(TiN)、碳氮化钛(TiCxNy)、氮化铪(HfNx)、氟化铪(HfF4)和氮化钒(VN)。
示例4.根据示例1所述的光学组件，还包括多个个体不成束纳米管。
示例5.根据示例4所述的光学组件，其中，有涂覆层位于所述多个个体不成束纳米管上。
示例6.根据示例1所述的光学组件，其中，所述多个纳米管束上的所述涂覆层包括纳米管束上的涂覆层和该纳米管束的个体碳纳米管上的涂覆层。
示例7.根据示例1所述的光学组件，其中，所述多个纳米管束包括碳纳米管。
示例8.一种方法，包括：
在极紫外(EUV)光刻系统中产生EUV辐射；
使所述极紫外线辐射穿过薄膜膜片的涂覆层；
使已穿过所述涂覆层的极紫外线辐射穿过所述薄膜膜片的透明层；
从掩模反射已穿过所述透明层的极紫外线辐射；以及
在半导体衬底上接收由所述掩模反射的极紫外线辐射。
示例9.根据示例8所述的方法，其中，所述薄膜膜片的透明层包括多晶硅(poly-Si)、非晶硅(a-Si)、掺杂硅或掺杂硅基化合物、碳纳米管、硅碳纳米管或氮化硼纳米管。
示例10.根据示例8所述的方法，其中，所述薄膜膜片的透明层包括多晶硅(poly-Si)、氮化硅(SixNy)、碳化硅(SiC)或氮化钼硅(MoSixNy)。
示例11.根据示例10所述的方法，其中，所述涂覆层包括以下项中的一者或多者：硼(B)、氮化硼(BN)、氮化硼硅(BNSi)、碳化硼(B4C)、碳化硼硅(BCSi)、单氮化硅(SiN)、氮化硅(Si3N4)、二氮化硅(SiN2)、碳化硅(SiC)、碳氮化硅(SiCxNy)、铌(Nb)、氮化铌(NbN)、单硅化铌(NbSi)、硅化铌(NbSi2)、氮化铌硅(NbSiN)、氮化铌钛(NbTixNy)、氮化锆(ZrN)、氟化锆(ZrF4)、氮化钇(YN)、氟化钇(YF)、钼(Mo)、氮化钼(MoN2)、碳化钼(Mo2C和Mo4C)、钌铌合金(RuNb)、氮化钌硅(RuSiN)、氮化钛(TiN)、碳氮化钛(TiCxNy)、氮化铪(HfNx)、氟化铪(HfF4)和氮化钒(VN)。
示例12.根据示例10所述的方法，其中，所述涂覆层包括以下项中的一者或多者：硼(B)、氮化硼硅(BNSi)、氮化硅(Si3N4)、二氮化硅(SiN2)、铌(Nb)、氮化铌(NbN)、单硅化铌(NbSi)、硅化铌(NbSi2)、氮化铌硅(NbSiN)、氮化铌钛(NbTixNy)、氮化锆(ZrN)、氟化锆(ZrF4)、氮化钇(YN)、氟化钇(YF)、氮化钛(TiN)、碳氮化钛(TiCxNy)、氮化铪(HfNx)、氟化铪(HfF4)和氮化钒(VN)。
示例13.根据示例8所述的方法，还包括：使已穿过所述薄膜膜片的透明层的极紫外线辐射进入所述薄膜膜片的第二涂覆层。
示例14.根据示例8所述的方法，其中，使所述极紫外线辐射穿过薄膜膜片的涂覆层包括：在使所述极紫外线辐射穿过所述透明层之前，使所述极紫外线辐射穿过第一涂覆层，并且然后使已穿过所述第一涂覆层的极紫外线辐射穿过第二涂覆层。
示例15.一种方法，包括：
形成纳米管的基体；
通过第一工艺在所述纳米管的基体中的纳米管上形成保护层；以及
通过第二工艺在所述保护层上形成涂覆层。
示例16.根据示例15所述的方法，其中，所述纳米管的基体中的纳米管包括多个个体不成束纳米管。
示例17.根据示例15所述的方法，其中，所述纳米管的基体中的纳米管包括多个成束纳米管。
示例18.根据示例17所述的方法，其中，所述成束纳米管包括七个或更多个个体纳米管。
示例19.根据示例15所述的方法，其中，所述纳米管为碳纳米管。
示例20.根据示例15所述的方法，其中，通过所述第一工艺的形成包括：使用热原子层沉积的两个或更多个循环来形成两个或更多个保护层。
可以组合上述各种实施例以提供另外的实施例。如有必要，可以修改实施例的各方面，以采用各种专利、申请和出版物的概念来提供进一步的实施例。
根据上述详细描述，可以对实施例进行这些和其他改变。一般而言，在所附权利要求中，所使用的术语不应被解释为将权利要求局限于说明书和权利要求中公开的特定实施例，而应被解释为包括所有可能的实施例以及这些权利要求所享有的全部等同物范围。因此，权利要求不受本公开的限制。

Claims (10)

1.一种光学组件，包括：
多个纳米管束的基体；和
所述多个纳米管束上的涂覆层，所述涂覆层包围个体纳米管束中的个体纳米管。
2.根据权利要求1所述的光学组件，其中，所述涂覆层包括以下项中的一者或多者：硼(B)、氮化硼硅(BNSi)、氮化硅(Si3N4)、二氮化硅(SiN2)、铌(Nb)、氮化铌(NbN)、单硅化铌(NbSi)、硅化铌(NbSi2)、氮化铌硅(NbSiN)、氮化铌钛(NbTixNy)、钼(Mo)、氮化钼(MoN2)、碳化钼(Mo4C和Mo2C)、硅化钼(MoSi2)、氮化钼硅(MoSixNy)、氮化锆(ZrN)、氟化锆(ZrF4)、氮化钇(YN)、氟化钇(YF)、氮化钛(TiN)、碳氮化钛(TiCxNy)、氮化铪(HfNx)、氟化铪(HfF4)和氮化钒(VN)。
3.根据权利要求1所述的光学组件，其中，所述涂覆层包括以下项中的一者或多者：硼(B)、氮化硼硅(BNSi)、氮化硅(Si3N4)、二氮化硅(SiN2)、铌(Nb)、氮化铌(NbN)、单硅化铌(NbSi)、硅化铌(NbSi2)、氮化铌硅(NbSiN)、氮化铌钛(NbTixNy)、氮化锆(ZrN)、氟化锆(ZrF4)、氮化钇(YN)、氟化钇(YF)、氮化钛(TiN)、碳氮化钛(TiCxNy)、氮化铪(HfNx)、氟化铪(HfF4)和氮化钒(VN)。
4.根据权利要求1所述的光学组件，还包括多个个体不成束纳米管。
5.根据权利要求4所述的光学组件，其中，有涂覆层位于所述多个个体不成束纳米管上。
6.根据权利要求1所述的光学组件，其中，所述多个纳米管束上的所述涂覆层包括纳米管束上的涂覆层和该纳米管束的个体碳纳米管上的涂覆层。
7.根据权利要求1所述的光学组件，其中，所述多个纳米管束包括碳纳米管。
8.一种光学组件的使用方法，包括：
在极紫外(EUV)光刻系统中产生EUV辐射；
使所述极紫外线辐射穿过薄膜膜片的涂覆层；
使已穿过所述涂覆层的极紫外线辐射穿过所述薄膜膜片的透明层；
从掩模反射已穿过所述透明层的极紫外线辐射；以及
在半导体衬底上接收由所述掩模反射的极紫外线辐射。
9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述薄膜膜片的透明层包括多晶硅(poly-Si)、非晶硅(a-Si)、掺杂硅或掺杂硅基化合物、碳纳米管、硅碳纳米管或氮化硼纳米管。
10.一种形成光学组件的方法，包括：
形成纳米管的基体；
通过第一工艺在所述纳米管的基体中的纳米管上形成保护层；以及
通过第二工艺在所述保护层上形成涂覆层。
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