JPWO2020112570A5 - - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 6
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Claims (20)
- 少なくとも第1トレースセットを備えるようにエッチングまたはメッキされた導電性基板と、
前記導電性基板上に配置された誘電体層であって、第1面および第2面を有する前記誘電体層と、
前記誘電体層の前記第1面上に配置された少なくとも第2トレースセットと、
前記誘電体層の前記第1面上に配置された第1セット高アスペクト比電気メッキ構造を形成するべく、前記第2トレースセットの各トレースの少なくとも一部上に形成された第1金属クラウン部と、および
前記第1セット高アスペクト比電気メッキ構造とは反対側の前記誘電体層の前記第2面上に配置された第2セット高アスペクト比電気メッキ構造を形成するべく、前記第1トレースセットの各トレースの少なくとも一部上に形成された第2金属クラウン部と
を備えている、装置。 - 前記装置はさらに、前記第1セット高アスペクト比電気メッキ構造上に配置されている第2誘電体層を備えている、
請求項1に記載の装置。 - 前記装置はさらに、前記第2セット高アスペクト比電気メッキ構造上に配置されている第3誘電体層を備えている、
請求項1に記載の装置。 - 前記誘電体層は、前記第1セット高アスペクト比電気メッキ構造のうちの少なくとも1つの高アスペクト比電気メッキ構造と、前記第2セット高アスペクト比電気メッキ構造のうちの少なくとも1つの高アスペクト比電気メッキ構造とを電気的結合するビアを備えている、
請求項1に記載の装置。 - 前記第1セット高アスペクト比電気メッキ構造と前記第2セット高アスペクト比電気メッキ構造とは、誘導結合コイルを形成するように構成されている、
請求項1に記載の装置。 - 前記装置は2つの外方コイル部と、前記2つの外方コイル部の間の内方コイル部とを有するコイルを形成するように構成されている、
請求項1に記載の装置。 - 前記装置はさらに、前記第1セット高アスペクト比電気メッキ構造のうちの少なくとも1つの高アスペクト比電気メッキ構造に結合された第1端子パッドを備える、
請求項1に記載の装置。 - 前記第1端子パッドは、金層でメッキされたニッケル端子である、
請求項7に記載の装置。 - 前記第1セット高アスペクト比電気メッキ構造のうちの少なくとも一部は、クラウンメッキ処理を用いて形成されている、
請求項1に記載の装置。 - 前記第2セット高アスペクト比電気メッキ構造は、前記導電性基板をエッチングすることで形成される、
請求項1に記載の装置。 - 前記第1金属クラウン部は、クラウンメッキ処理を用いて形成される、
請求項1に記載の装置。 - 複数の第1トレースを備えるようにエッチングまたはメッキされた導電性基板と、
前記導電性基板上に配置された誘電体層であって、第1面および第2面を有する前記誘電体層と、
前記誘電体層の前記第1面上に配置された複数の第2トレースと、
前記誘電体層の前記第1面上に配置された第1セット高アスペクト比電気メッキ構造を形成するべく、複数の前記第2トレースの各トレースの少なくとも一部上に形成された第1金属クラウン部と、および
前記第1セット高アスペクト比電気メッキ構造とは反対側の前記誘電体層の前記第2面上に配置された第2セット高アスペクト比電気メッキ構造を形成するべく、複数の前記第1トレースの各トレースの少なくとも一部上に形成された第2金属クラウン部と
を備えている、コイル。 - 前記誘電体層は、
前記第1セット高アスペクト比電気メッキ構造のうちの少なくとも1つの高アスペクト比電気メッキ構造と、前記第2セット高アスペクト比電気メッキ構造のうちの少なくとも1つの高アスペクト比電気メッキ構造とを電気的結合するビアを備えている、
請求項12に記載のコイル。 - 前記第1セット高アスペクト比電気メッキ構造および前記第2セット高アスペクト比電気メッキ構造は、前記コイルの第1コイル部のためのものである、
請求項12に記載のコイル。 - 前記コイルはさらに、前記コイルの第2コイル部のための第3セット高アスペクト比電気メッキ構造および第4セット高アスペクト比電気メッキ構造を備えている、
請求項14に記載のコイル。 - 前記コイルはさらに、前記コイルの第3コイル部のための第5セット高アスペクト比電気メッキ構造および第6セット高アスペクト比電気メッキ構造を備えている、
請求項15に記載のコイル。 - 前記第1コイル部は、前記第2コイル部および前記第3コイル部に電気的結合されている、
請求項16に記載のコイル。 - 前記第2コイル部は、前記第3コイル部に電気的結合されている、
請求項16に記載のコイル。 - 前記第2セット高アスペクト比電気メッキ構造は、前記導電性基板をエッチングすることで形成される、
請求項12に記載のコイル。 - 前記第2セット高アスペクト比電気メッキ構造のうちの少なくとも一部は、クラウンメッキ処理を用いて形成される、
請求項19に記載のコイル。
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