JPWO2020110534A1 - 封止方法、封止層、封止層形成用の混合液、封止層の製造方法及び半導体装置 - Google Patents
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Abstract
本発明の封止方法は、半導体装置を構成する半導体素子及び部品の封止方法であって、(1)エポキシ樹脂と有機金属酸化物とを含有する組成物を用いる方法1、(2)エポキシ樹脂と、有機金属酸化物で被覆されたフィラーとを含有する組成物を用いる方法2、又は(3)前記部品を有機金属酸化物で封止した後、エポキシ樹脂で被覆する方法3のいずれかにより封止層を形成することを特徴とする。
Description
(1)エポキシ樹脂と有機金属酸化物とを含有する組成物を用いる方法1、
(2)エポキシ樹脂と、有機金属酸化物で被覆されたフィラーとを含有する組成物を用いる方法2、又は
(3)前記部品を有機金属酸化物で封止した後、エポキシ樹脂で被覆する方法3、
のいずれかの方法により封止層を形成することを特徴とする封止方法。
〔式中、Rは、水素原子、炭素数1個以上のアルキル基、アルケニル基、アリール基、シクロアルキル基、アシル基、アルコキシ基、又は複素環基を表す。ただし、Rは置換基としてフッ素原子を含んでもよい。Mは、金属原子を表す。OR1は、フッ化アルコキシ基を表す。xは金属原子の価数、yは1とxの間の任意な整数を表す。nは重縮合度を表す。〕
〔式中、Rは、水素原子、炭素数1個以上のアルキル基、アルケニル基、アリール基、シクロアルキル基、アシル基、アルコキシ基、又は複素環基を表す。ただし、Rは置換基としてフッ素原子を含んでもよい。Mは、金属原子を表す。OR1は、フッ化アルコキシ基を表す。xは金属原子の価数、yは1とxの間の任意な整数を表す。nは重縮合度を表す。〕
〔式中、Rは、水素原子、炭素数1個以上のアルキル基、アルケニル基、アリール基、シクロアルキル基、アシル基、アルコキシ基、又は複素環基を表す。ただし、Rは置換基としてフッ素原子を含んでもよい。Mは、金属原子を表す。OR1は、フッ化アルコキシ基を表す。xは金属原子の価数、yは1とxの間の任意な整数を表す。nは重縮合度を表す。〕
式(a) 0.05≦F/(C+F)≦1.00
一般式(1) R−[M(OR1)y(O−)x-y]n−R
〔式中、Rは、水素原子、炭素数1個以上のアルキル基、アルケニル基、アリール基、シクロアルキル基、アシル基、アルコキシ基、又は複素環基を表す。ただし、Rは置換基としてフッ素原子を含んでもよい。Mは、金属原子を表す。OR1は、フッ化アルコキシ基を表す。xは金属原子の価数、yは1とxの間の任意な整数を表す。nは重縮合度を表す。〕
第9項に記載の封止層形成用の混合液を用いて製造することを特徴とする封止層の製造方法。
前記半導体素子又は部品が、第4項から第7項までのいずれか一項に記載の封止層で被覆されていることを特徴とする半導体装置。
本発明の封止方法においては、
(1)エポキシ樹脂と有機金属酸化物とを含有する組成物を用いる方法1、
(2)エポキシ樹脂と、有機金属酸化物で被覆されたフィラーとを含有する組成物を用いる方法2、
(3)部品を有機金属酸化物で封止した後、エポキシ樹脂で被覆する方法3、
から選ばれる方法で、半導体素子や部品の封止する封止層を形成することを特徴とする。
次に、上記説明した本発明の封止方法により形成される封止層を有する半導体装置の構成について、図を交えて説明する。
次いで、本発明の封止層について説明する。
本発明に係る有機金属酸化物は、下記一般式(A)で表される化合物から製造された下記一般式(1)で表される構造を有する有機金属酸化物を含有することが好ましい。
一般式(A)において、Rは、水素原子、炭素数1個以上のアルキル基、アルケニル基、アリール基、シクロアルキル基、アシル基、アルコキシ基、又は複素環基を表す。ただし、Rは置換基としてフッ素原子を含んでもよい。Mは、金属原子を表す。OR1は、フッ化アルコキシ基を表す。xは金属原子の価数、yは1とxの間の任意な整数を表す。
上記一般式(1)において、Rは、水素原子、炭素数1個以上のアルキル基、アルケニル基、アリール基、シクロアルキル基、アシル基、アルコキシ基、又は複素環基を表す。ただし、Rは置換基としてフッ素原子を含んでもよい。Mは、金属原子を表す。OR1は、フッ化アルコキシ基を表す。xは金属原子の価数、yは1とxの間の任意な整数を表す。nは重縮合度を表す。
本発明に係る有機金属酸化物は、以下の反応スキームII及び反応スキームIIIに示すような反応性を示すものである。なお、焼結後の有機金属酸化物の重縮合体の構造式において、「O−M」部の「M」は、さらに置換基を有しているが、省略してある。
本発明の封止層の製造方法においては、当該封止層が含有する有機金属酸化物が、金属アルコキシド又は金属カルボキシレートと、フッ化アルコールとの混合液を用いて製造することを特徴とする。
式(a)の測定意義は、ゾル・ゲル法により作製した有機薄膜がある量以上のフッ素原子を必要とすることを数値化するものである。上記式(a)中のF及びCは、それぞれフッ素原子及び炭素原子の濃度を表す。
(株)エム・ディ・コム製エキシマ照射装置MODEL:MECL−M−1−200
波長:172nm
ランプ封入ガス:Xe
エキシマ光強度:6J/cm2(172nm)
試料と光源の距離 :2mm
ステージ加熱温度 :80℃
照射装置内の酸素濃度:0.3体積%
真空紫外線(VUV)照射時にこれら酸素以外のガスとしては乾燥不活性ガスを用いることが好ましく、特にコストの観点から乾燥窒素ガスにすることが好ましい。
本発の封止層を形成する封止層形成用組成物においては、上記説明した有機金属酸化物の他に、バインダー成分として、少なくともエポキシ樹脂を含有する。
本発明の封止層においては、上記説明した有機金属酸化物及びエポキシ樹脂の他に、本発明の目的効果を損なわない範囲で、各種添加剤を添加することができる。
本発明の封止層に適用可能な硬化剤としては、例えば、重付加型の硬化剤、触媒型の硬化剤、縮合型の硬化剤の3タイプを用いることが可能である。
本発明の封止層に適用が可能なフィラー(以下、無機充填材ともいう。)としては、一般の封止層形成用組成物に使用されているものを挙げることができる。例えば、大球シリカ、小球シリカ、結晶シリカ、タルク、アルミナ、チタンホワイト、窒化ケイ素等が挙げられ、中でも、大球シリカ及び小球シリカが特に好ましい。しかし、これらに限定されるものでは無い。
本発明の封止層においては、銅ワイヤー(ボンディングワイヤー)と半導体素子の電極パッド(ランド)との接合部の腐食(酸化劣化)を抑制するために、半導層形成用組成物の硬化体の加熱により発生する酸性の腐食性ガスを中和する中和剤を含んでいてもよい。具体的には、塩基性金属塩、特にカルシウム元素を含む化合物、アルミニウム元素を含む化合物及びマグネシウム元素を含む化合物からなる群から選択される少なくとも1種の中和剤を含有させることが好ましい。
本発明の封止層には、硬化促進剤を用いることができる。この硬化促進剤は、エポキシ基と硬化剤との硬化反応を促進させるものであればよい。具体的には、上記硬化促進剤として、1,8−ジアザビシクロ[5.4.0]ウンデセン−7等のジアザビシクロアルケン及びその誘導体;トリブチルアミン、ベンジルジメチルアミン等のアミン系化合物;2−メチルイミダゾール等のイミダゾール化合物;トリフェニルホスフィン、メチルジフェニルホスフィン等の有機ホスフィン類;テトラフェニルホスホニウム・テトラフェニルボレート、テトラフェニルホスホニウム・テトラ安息香酸ボレート、テトラフェニルホスホニウム・テトラナフトイックアシッドボレート、テトラフェニルホスホニウム・テトラナフトイルオキシボレート、テトラフェニルホスホニウム・テトラナフチルオキシボレート等のテトラ置換ホスホニウム・テトラ置換ボレート;ベンゾキノンをアダクトしたトリフェニルホスフィン等が挙げられる。これらは1種類を単独で用いても2種類以上を組み合わせて用いてもよい。
本発明の封止層には、上記各成分以外に、必要に応じてカップリング剤、レベリング剤、着色剤、変性剤、離型剤、低応力剤、感光剤、消泡剤、紫外線吸収剤、発泡剤、酸化防止剤、難燃剤、及びイオン捕捉剤等から選択される一種又は二種以上の添加物を添加してもよい。カップリング剤としては、例えば、エポキシシランカップリング剤、カチオニックシランカップリング剤、アミノシランカップリング剤、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシランカップリング剤、フェニルアミノプロピルトリメトキシシランカップリング剤、メルカプトシランカップリング剤、3−メルカプトプロピルトリメトキシシランカップリング剤などのシランカップリング剤、チタネート系カップリング剤およびシリコーンオイル型カップリング剤等が挙げられる。レベリング剤としては、アクリル系共重合物等が挙げられる。着色剤としては、カーボンブラック等が挙げられる。離型剤としては、天然ワックス、モンタン酸エステル等の合成ワックス、高級脂肪酸もしくはその金属塩類、パラフィン、酸化ポリエチレン等が挙げられる。低応力剤としては、シリコーンオイル、シリコーンゴム等が挙げられる。イオン捕捉剤としては、ハイドロタルサイト等が挙げられる。難燃剤としては、水酸化アルミニウム等が挙げられる。
本発明の封止層の製造方法は、前記一般式(A)で表される化合物又は前記一般式(1)で表される構造を有する有機金属酸化物と、アルコール類とを含有する封止層形成用の混合液を用いて製造することを特徴とする。
本発明の半導体装置は、少なくとも半導体素子及び部品で構成される半導体装置であって、前記部材又は半導体素子が、エポキシ樹脂及び有機金属酸化物により構成される封止層形成用組成物、又は有機金属酸化物のみを用いて、前記説明した図1A〜図1Cで例示する本発明の封止方法に従って形成された封止層で被覆されていることを特徴とする。
下記の方法に従って、腐食耐性を評価する評価用チップ(TEG)を作製した。
下記の各評価用チップの作製に用いた各構成材料の詳細を、以下に示す。
小球シリカ:(株)アドマテックス製 球状シリカレギュラーグレード「SO−C5」(平粒粒径1.3〜1.7μm)
エポキシ樹脂:京セラ社製 KE−G3000D
硬化剤:日本化薬社製 フェノールアラルキルGPH65
硬化触媒:四国化成社製 2P4MHZ
着色剤:カーボンブラック(三菱化学社製 MA−100)
難燃剤:テトラクロロ無水フタル酸
カップリング剤:信越化学社製 KBM−503(3−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン)
〈有機金属酸化物群〉
Ti金属酸化物:例示化合物1
Cu金属酸化物:例示化合物141
Bi金属酸化物:例示化合物136。
〔評価用チップ1の作製:比較例〕
(封止層形成用組成物1の調製)
下記の各添加剤より構成される封止層形成用組成物1を調製した。
前記硬化剤 5質量部
前記難燃剤 2質量部
前記カップリング剤 1質量部
(テストパターニング基板(13)の作製)
下記の方法に従って、図4に記載の構成からなる腐食耐性評価用のテストパターニング基板(13)を作製した。
次いで、図5で示すように、テストパターニング基板(13)の上段及び下段に、上記調製した封止層形成用組成物1(比較例、有機金属酸化物を未含有)により、くし場電極全体を被覆する形態でドライ膜厚が20μmとなる条件で塗工し、150℃で60分乾燥させることにより、半導体封止用組成物1のみで構成される封止層(20)を形成して、評価用チップ1(19)を作製した。
(封止層形成用組成物2の調製)
下記の各添加剤より構成される封止層形成用組成物2を調製した。半導体封止用組成物2は、有機金属化合物より構成される有機金属酸化物群A(ゾル・ゲル液)を、エポキシ樹脂、硬化剤、難燃剤及びカップリング剤から構成される塗布液に直接添加して、塗布液を調製する方法(塗布液添加)である。
前記硬化剤 5質量部
前記難燃剤 2質量部
前記カップリング剤 1質量部
〈有機金属酸化物群A:ゾル・ゲル液〉
前記Ti金属酸化物 2質量部
前記Cu金属酸化物 1質量部 前記Bi金属酸化物 2質量部
(評価用チップ(TEG)の作製〕
次いで、上記評価用チップ1(比較例)の作製と同様にして、図5で示すように、テストパターニング基板(13)の上段及び下段に、上記調製した有機金属酸化物群Aを含有する封止層形成用組成物2を、くし場電極全体を被覆する形態でドライ膜厚が20μmとなる条件で塗工し、150℃で60分乾燥させることにより、封止層(20)を形成して、評価用チップ2を作製した。図6には、図5で示した評価用チップ(19)の上面図に記載のA−A′切断面における断面図を示す。
(テストパターニング基板(13)への有機金属酸化物群Aの付与)
上記作製した図4で示す構成のテストパターニング基板(13)上へ、下記の構成からなる有機金属酸化物群A(ゾル・ゲル液)を、ディスペンサーで100μm厚になるように塗布した。次いで、乾燥のため110℃で30分加熱し、重合反応のため、エキシマ光を1.5J/cm2照射して、有機金属酸化物群を含有する皮膜層を形成した。
前記Cu金属酸化物 1質量部
前記Bi金属酸化物 2質量部
(封止層の形成)
次いで、有機金属酸化物群を含む皮膜層を形成したテストパターニング基板(13)上に、図5で示す構成となるように、上段及び下段に、下記に示す構成からなる封止層形成用組成物3を付与して、ドライ膜厚が20μmとなるように塗布した後、150℃で60分乾燥させて、封止層(20)を形成し、評価用チップ3を作製した。
前記大球シリカ 72質量部
前記小球シリカ 15質量部
前記エポキシ樹脂 8質量部
前記硬化剤 0.5質量部
前記硬化促進剤 0.5質量部
前記難燃剤 2質量部
前記カップリング剤 1質量部
〔評価用チップ4の作製:本発明〕
上記評価用チップ3の作製において、有機金属酸化物群Aの添加方法を、下記の方法に変更した以外は同様にして、評価用チップ4を作製した。
下記の方法に従って、フィラー表面に予め有機金属酸化物群をディップ塗布によりコーティングした。
前記Ti金属酸化物 0.4質量部
前記Cu金属酸化物 0.2質量部
前記Bi金属酸化物 0.4質量部
(封止層の調製)
表Iに示すように、上記調製したシリコーン被覆を被覆した大球シリカを72質量部、有機金属酸化物群A(ゾル・ゲル液)を1質量被覆した小球シリカを15質量部、エポシキ樹脂を8質量部、硬化剤を1質量部、硬化触媒を0.5質量部、着色剤を0.5質量部、難燃剤を2質量部から構成される封止層形成用組成物4を調製した。
次いで、テストパターニング基板(13)上に、図5で示す構成となるように、上段及び下段に、上記調製した封止層形成用組成物4を付与して、ドライ膜厚が20μmとなるように塗布した後、150℃で60分乾燥させて、封止層(20)を形成し、評価用チップ4を作製した。
上記評価用チップ4の作製において、小球シリカにディップコーティングする有機金属酸化物群として、有機金属酸化物群Aに代えて、下記の組成からなる有機金属酸化物群Bを用いた以外は同様にして、評価用チップ5を作製した。
前記Ti金属酸化物 0.5質量部
前記Bi金属酸化物 0.5質量部
〔評価用チップ6の作製:本発明〕
上記評価用チップ4の作製において、小球シリカにディップコーティングする有機金属酸化物群として、有機金属酸化物群Aに代えて、下記の組成からなる有機金属酸化物群Cを用いた以外は同様にして、評価用チップ6を作製した。
前記Bi金属酸化物 1.0質量部
〔評価用チップ7の作製:本発明〕
上記評価用チップ4の作製において、小球シリカにディップコーティングする有機金属酸化物群として、有機金属酸化物群Aに代えて、下記の組成からなる有機金属酸化物群Dを用いた以外は同様にして、評価用チップ7を作製した。
前記Cu金属酸化物 0.5質量部
前記Bi金属酸化物 0.5質量部
《評価用チップ(TEG)の評価》
上記作製した図5に記載の構成からなる各評価用チップをそれぞれ2枚(くし場電極本数:240本)用意し、下記の方法に従って腐食耐性の評価を行った。
〔半導体装置1の作製(比較例):QFN形態の半導体装置の作製〕
下記の方法に従って、実施例1に記載の評価用チップ1(比較例)の作製に使用した封止層形成用組成物1を用いて、図7A及び図7Bに記載の構成からなる半導体装置1(21、QFNパッケージ、比較例)を作製した。
上記QFN形態である比較例の半導体装置1の作製において、比較例である封止層形成用組成物1に代えて、実施例1に記載の評価用チップ2(本発明)の作製で用いた有機金属酸化物群Aを含有する封止層形成用組成物2を用いた以外は同様にして、封止方式として、方法1(タイプA)を用いて、図7に記載のパッケージング仕様のQFN形態である本発明の半導体装置2を作製した。
上記比較例である半導体装置1の作製で用いたのと同様の半導体素子が固定されているリードフレームやランド、ボンディングワイヤーを有するエレメント基板上に対し、実施例1に記載の有機金属酸化物群Aにより、ボンディングワイヤーとランドの全表面を、インクジェット・プリント法を用いて、厚さ200nmとなる条件で被覆した。
次いで、ボンディングワイヤーとランドを有機金属酸化物群Aで被覆したエレメント基板をキャビティー内のセットし、プランジャーに充填した実施例1に記載の封止層形成用組成物3をトランスファー方式でモールディングして、封止方法3(図1Cに記載のタイプC)で封止した封止層(4)を用いて形成した本発明の半導体装置3を作製した。
実施例1で記載の評価用チップ4(本発明3)の作製に用いたシリコーン被覆を被覆した大球シリカを72質量部、有機金属酸化物群A(ゾル・ゲル液)を1質量被覆した小球シリカを15質量部、エポシキ樹脂を8質量部、硬化剤を1質量部、硬化触媒を0.5質量部、着色剤を0.5質量部、難燃剤を2質量部から構成される封止層形成用組成物4を用い、上記半導体装置2の作製に用いたトランスファー方式でモールディングして、封止層(4)を形成及び硬化し、本発明の封止方法であるフィラー(小球シリカ)表面を有機金属酸化物群Aで被覆する方法2(タイプB)で作製した封止層を有する本発明の半導体装置4を作製した。
上記半導体装置4の作製において、封止層形成用組成物4に代えて、実施例1で調製した有機金属酸化物群Bを含む封止層形成用組成物5を用いた以外は同様にして、本発明に係る封止方法である方法2で封止層を形成した本発明の半導体装置5を作製した。
上記半導体装置4の作製において、封止層形成用組成物4に代えて、実施例1で調製した有機金属酸化物群Cを含む封止層形成用組成物6を用いた以外は同様にして、本発明に係る封止方法である方法2で封止層を形成した本発明の半導体装置6を作製した。
上記半導体装置4の作製において、封止層形成用組成物4に代えて、実施例1で調製した有機金属酸化物群Dを含む封止層形成用組成物7を用いた以外は同様にして、本発明に係る封止方法である方法2で封止層を形成した本発明の半導体装置7を作製した。
上記作製したQFN仕様の半導体装置である半導体装置1〜7について、下記の方法に従って腐食耐性の評価を行った。
○:半導体装置100個の内、稼働操作で異常が発生した個体数は、4個以上、10個以下である
△:半導体装置100個の内、稼働操作で異常が発生した個体数は、11個以上、20個以下である
×:半導体装置100個の内、稼働操作で異常が発生した個体数は、21個以上である
以上により得られた結果を、表IIに示す。
2 パッケージ基板
3 半導体素子
4、20 封止層
5 有機金属酸化物
6 樹脂バインダー
7 ランド
8 ボンディングワイヤー
9 半導体素子積層体
10 アンダーフィル材
11 回路基板
12 ハンダバンプ
13 テストパターニング基板
14 エレメント基板
15 マイナス電極
16 プラス電極
17 くし場電極
18 電源
19 評価用チップ
22 リードフレーム
23 ダイボンド
F フィラー
G 腐食成分
P 部品
Claims (12)
- 半導体装置を構成する半導体素子及び部品の封止方法であって、
(1)エポキシ樹脂と有機金属酸化物とを含有する組成物を用いる方法1、
(2)エポキシ樹脂と、有機金属酸化物で被覆されたフィラーとを含有する組成物を用いる方法2、又は
(3)前記部品を有機金属酸化物で封止した後、エポキシ樹脂で被覆する方法3、
のいずれかにより封止層を形成することを特徴とする封止方法。 - 前記有機金属酸化物が、下記一般式(1)で表される構造を有する有機金属酸化物であることを特徴とする請求項1に記載の封止方法。
一般式(1) R−[M(OR1)y(O−)x-y]n−R
〔式中、Rは、水素原子、炭素数1個以上のアルキル基、アルケニル基、アリール基、シクロアルキル基、アシル基、アルコキシ基、又は複素環基を表す。ただし、Rは置換基としてフッ素原子を含んでもよい。Mは、金属原子を表す。OR1は、フッ化アルコキシ基を表す。xは金属原子の価数、yは1とxの間の任意な整数を表す。nは重縮合度を表す。〕 - 前記封止層を塗布法で形成する工程を有することを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の封止方法。
- 少なくとも、エポキシ樹脂及び下記一般式(1)で表される構造を有する有機金属酸化物で構成されていることを特徴とする封止層。
一般式(1) R−[M(OR1)y(O−)x-y]n−R
〔式中、Rは、水素原子、炭素数1個以上のアルキル基、アルケニル基、アリール基、シクロアルキル基、アシル基、アルコキシ基、又は複素環基を表す。ただし、Rは置換基としてフッ素原子を含んでもよい。Mは、金属原子を表す。OR1は、フッ化アルコキシ基を表す。xは金属原子の価数、yは1とxの間の任意な整数を表す。nは重縮合度を表す。〕 - 下記一般式(1)で表される構造を有する有機金属酸化物で構成されていることを特徴とする封止層。
一般式(1) R−[M(OR1)y(O−)x-y]n−R
〔式中、Rは、水素原子、炭素数1個以上のアルキル基、アルケニル基、アリール基、シクロアルキル基、アシル基、アルコキシ基、又は複素環基を表す。ただし、Rは置換基としてフッ素原子を含んでもよい。Mは、金属原子を表す。OR1は、フッ化アルコキシ基を表す。xは金属原子の価数、yは1とxの間の任意な整数を表す。nは重縮合度を表す。〕 - 前記有機金属酸化物における炭素原子数とフッ素原子数の総数に対するフッ素原子数の比の値F/(C+F)が、下式(a)で規定する条件を満たすことを特徴とする請求項4又は請求項5に記載の封止層。
式(a) 0.05≦F/(C+F)≦1.00 - 前記一般式(1)におけるMで表される金属原子が、Ti、Zr、Sn、Ta、Fe、Zn、Bi、Cu、Mg、Mn、Co、Ni、Ag及びAlからから選択される少なくとも一種であることを特徴とする請求項4から請求項6までのいずれか一項に記載の封止層。
- 前記有機金属酸化物で被覆されたフィラーを含有することを特徴とする請求項4から請求項7までのいずれか一項に記載の封止層。
- 下記一般式(A)で表される化合物又は下記一般式(1)で表される構造を有する有機金属酸化物と、アルコール類とを含有することを特徴とする封止層形成用の混合液。
一般式(A) M(OR1)y(O−R)x-y
一般式(1) R−[M(OR1)y(O−)x-y]n−R
〔式中、Rは、水素原子、炭素数1個以上のアルキル基、アルケニル基、アリール基、シクロアルキル基、アシル基、アルコキシ基、又は複素環基を表す。ただし、Rは置換基としてフッ素原子を含んでもよい。Mは、金属原子を表す。OR1は、フッ化アルコキシ基を表す。xは金属原子の価数、yは1とxの間の任意な整数を表す。nは重縮合度を表す。〕 - 請求項4から請求項8までのいずれか一項に記載の封止層を製造する封止層の製造方法であって、
請求項9に記載の封止層形成用の混合液を用いて製造することを特徴とする封止層の製造方法。 - 少なくとも半導体素子及び部品で構成される半導体装置であって、
前記半導体素子又は部品が、請求項4から請求項7までのいずれか一項に記載の封止層で被覆されていることを特徴とする半導体装置。 - 前記封止層で被覆された前記部品が、ボンディングワイヤー又はランドであることを特徴とする請求項11に記載の半導体装置。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
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