JPWO2020100190A1 - 排ガス除害装置 - Google Patents

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Abstract

熱源の種類にかかわらず、より少ない燃料消費で排ガス中の有害成分、とりわけ高温分解性のPFCsなどの難分解成分をも効率よく熱分解できる蓄熱式の排ガス除害装置を提供する。すなわち、ガス通流方向の中心軸が同心円上に並ぶように各蓄熱体(16)が配設され、且つ、その同心円の中心に対応する燃焼室(22)の天面の位置に熱源(24)が配置される。各蓄熱室(18)におけるガスの流路が、燃焼室(22)への吸気側1室に対して排気側が複数室となるように制御される。また、そのガスの流路が平面視で上記の同心円内にてシンメトリーとなるように燃焼室(22)の内面が形成される。

Description

本発明は、主としてPFCs(パーフルオロコンパウンド)などの難分解性排ガスの除害処理に好適な排ガス除害装置に関する。
より少ない燃料消費で排ガス中の有害物質を効率よく加熱分解処理(除害)することができる装置として、例えば下記の特許文献1に記載のような蓄熱式の排ガス除害装置が知られている。この蓄熱式の排ガス除害装置は、ハニカム状セラミックス製蓄熱体を有する蓄熱室を複数設け、その蓄熱室の一端を加熱手段を有する燃焼室で連通すると共に、他端を排ガス供給ダクトおよび処理ガス排気ダクトに開閉弁を介して連通し、排ガスの蓄熱室への供給と、前記燃焼室で有害成分を加熱分解した処理済みの排ガスの排気とを、前記開閉弁の駆動により前記各蓄熱室で順次切り換えながら実施する。
特開2006−250384号公報
しかしながら、上記の従来技術には、次のような問題があった。
すなわち、従来のこの種の除害装置は、PFCsを主体とする半導体製造工程より排出される排ガスの除害処理にも利用されており、比較的低温での熱分解が可能な排ガスの大風量処理には非常に有効であるが、例えばCFのようにその熱分解に概ね1500℃以上の高温が必要なものの除害にはあまり向いていないという問題があった。なぜなら、この種の除害装置では、処理対象の排ガスを熱源で直接加熱して分解するのではなく、ある程度の広がりを持った燃焼室という空間全体を熱源で加熱すると共に、排ガスがその加熱された空間を通過する際に加熱され分解する。このため、CFのように熱分解温度が高いものを除害する場合、燃焼室全体の温度がCFの熱分解温度以上となるように昇温させる必要があるが、そうすると、燃焼室を構成する部材の耐熱性を強化しなければならず、また、多くの燃料を消費することになる。さらには、熱源の種類によっては、例えば非移行型の大気圧プラズマなどのように、燃焼室全体をCFの熱分解温度まで均一に昇温させるのがあまり得意でない場合もある。
それゆえに、本発明の主たる目的は、熱源の種類にかかわらず、より少ない燃料消費で排ガス中の有害成分、とりわけ高温分解性のPFCsなどの難分解成分をも効率よく熱分解できる蓄熱式の排ガス除害装置を提供することである。
上記の目的を達成するため、本発明は、例えば、図1から図3に示すように、排ガス除害装置10を次のように構成した。
蓄熱体16を有し、上下方向にガスが通流する3室以上の蓄熱室18と、上記蓄熱室18の上端を連通すると共にその内部を加熱する熱源24が設けられた燃焼室22とで構成された熱分解炉12、及び、排ガス供給ダクト30を通じて供給される排ガスEを上記蓄熱室18に対して一定時間間隔をおいて順次供給すると共に、上記燃焼室22で加熱分解された後、上記排ガスEが供給されていない排気側の蓄熱室18を通過して熱分解炉12から排出される処理済みの排ガスEを処理ガス排気ダクト32へと送給する排ガス給排機構14を具備する。
上記の各蓄熱室18内の蓄熱体16は、それらのガス通流方向の中心軸が同心円上に並ぶよう配設されると共に、その同心円の中心に対応する上記の燃焼室22の天面の位置に熱源24が配置される。また、上記の各蓄熱室18におけるガスの流路は、燃焼室22への吸気側1室に対して排気側が複数室となるように制御されると共に、そのガスの流路が平面視で上記の同心円内にてシンメトリーとなるように上記の燃焼室22が形成される。
この発明では、ガス通流方向の中心軸が同心円上に並ぶように各蓄熱体16が配設され、且つ、その同心円の中心に対応する燃焼室22の天面の位置に熱源24が配置されると共に、各蓄熱室18におけるガスの流路が、燃焼室22への吸気側1室に対して排気側が複数室となるように制御されるのに加え、そのガスの流路が平面視で上記の同心円内にてシンメトリーとなるように燃焼室22の内面が形成されるので、吸気側の蓄熱室18を経由して燃焼室22内に取り込まれた処理対象の排ガスEの大部分は、必ず熱源24付近を通過するようになる。このため、従来の蓄熱式の排ガス除害装置のように燃焼室全体が排ガスの熱分解温度となるように昇温させなくとも、排ガスE中の熱分解性成分を非常に効率よく熱分解させることができる。
本発明においては、前記の熱源24が、非移行型のプラズマトーチであり、燃焼室22の天面に設けられたプラズマ導入孔40を、下方に向けてその内径が拡大するテーパー状に形成するのが好ましい。
この場合、吸気側の蓄熱室18から排気側の蓄熱室18に向けて燃焼室22内を通過する排ガスEが、より一層、非移行型のプラズマトーチからプラズマ導入孔40を介して燃焼室22内へと供給されるプラズマアーク24a付近を通過するようになる。このプラズマアーク24aは非常に高温であるため、排ガスEの除害効率を一段と向上させることができる。
さらに、本発明は、後述する実施形態に記載された特有の構成を付加することが好ましい。
本発明によれば、熱源の種類にかかわらず、より少ない燃料消費で排ガス中の有害成分、とりわけ高温分解性のPFCsなどの難分解成分をも効率よく熱分解できる蓄熱式の排ガス除害装置を提供することができる。
本発明の一実施形態の排ガス除害装置の概略を示す図で、図1Aは部分断面図であり、図1Bは図1Aの天板を取り外した状態でのA矢視図である。 本発明の一実施形態の排ガス除害装置の燃焼室を示す斜視図である。 本発明の一実施形態の排ガス除害装置における三段階(図3A〜図3C)の排ガス通流シーケンスを示す図で、上段が平面視の燃焼室透視図であり、下段が装置全体の排ガスフローを示す図である。
以下、本発明の一実施形態を図1から図3によって説明する。
図1は、本発明の排ガス除害装置10の概略を示すもので、図1Aは部分断面図であり、図1Bは図1Aの天板を取り外した状態でのA矢視図である。この排ガス除害装置10は、図示しない排出源より排出される排ガスEを除害処理する装置であり、熱分解炉12,排ガス給排機構14で大略構成される。
なお、この排ガス除害装置10は、処理対象となる排ガスEの種類を限定するものではないが、半導体製造装置から排出されたPFCs(パーフルオロコンパウンド),モノシラン(SiH),塩素系ガスなどのようにその排出基準が定められている難分解性の排ガスEを除害処理するのに特に好適である。したがって、以下では、この排ガス除害装置10について、半導体製造装置から排出された排ガスEの除害処理に用いるものを念頭に置いて説明する。
また、本明細書及び図面における各符号に関し、各部位を上位概念で示す場合にはアルファベットの枝番をつけずアラビア数字のみで示し、各部位を区別する必要がある場合(すなわち下位概念で示す場合)にはアルファベット大文字の枝番をアラビア数字に付して区別する。
熱分解炉12は、排ガスEを加熱分解するための装置であり、具体的には、例えばスチール(SS)やステンレス(SUS)或いはハステロイ(ヘインズ社登録商標)と言った金属等の高耐熱材料を角筒形状或いは円筒形状(図示実施形態では変則六角筒状)に形成した本体ケーシング26を有する。この本体ケーシング26は、その軸が鉛直方向(上下方向)を向くように立設されており、その内部には、下側の蓄熱部12aと上側の燃焼部12bとが設けられる。このうち、蓄熱部12aは、鉛直方向に延在する複数の隔壁28によってその内部空間が複数の蓄熱室18(図示実施形態の場合は、3つの蓄熱室18A〜18C;図1B参照)に区画される。
蓄熱室18の内部には、蓄熱体16が配設され、この蓄熱体16が排ガスEの通流路となる。
蓄熱体16は、アルミナやコーディエライト等と言ったセラミックからなり、正四角柱形状に形成されたハニカム構造の固体蓄熱材であり、各蓄熱室18A〜18Cに配設される蓄熱体16は、それらのガス通流方向の中心軸が同心円上に並ぶよう配設される(図1B参照)。換言すれば、各蓄熱体16は、その同心円の中心を通る軸(=本体ケーシング26の軸)周りに回転対称となるように配設されている。
なお、図示実施形態では、蓄熱体16としてセラミックからなり、正四角柱形状に形成されたハニカム構造の固体蓄熱体を例示しているが、この蓄熱体16は、熱分解炉12内で熱分解された処理済の排ガスEから熱を奪って蓄熱し、蓄熱したその熱で熱分解炉12内に供給される処理対象の排ガスEを予熱できるものであれば、その形状や構造は如何なるものであってもよく、上述したものに限定されるものではない。但し、各蓄熱室18内に配設され、排ガスEの通流路となる蓄熱体16は、そのガス通流方向の中心軸が同心円上に並ぶよう配設させる必要がある。
また、図示はしないが、蓄熱室18内における蓄熱体16で構成された排ガスEの通流路以外の部分に、必要に応じて断熱材などを充填するようにしてもよい。
以上のように構成された蓄熱部12aの内部を区画する隔壁28よりも上側に形成される本体ケーシング26内の空間が、蓄熱室18A〜18Cの上端を連通する燃焼室22が形成される燃焼部12bとなる。
また、蓄熱部12aの下部には、各蓄熱室18の排ガスEの通流路それぞれと個別に連通して後述する排ガス給排機構14の一部を形成するチャンバー54が連結されている。
燃焼部12bの内部では、本体ケーシング26の内壁に、断熱材34や耐火材36が積層され、所定形状の燃焼室22が形成される。具体的には、この燃焼室22は、各蓄熱室18における排ガスEの流れを燃焼室22への吸気側1室に対して排気側が複数室(図示実施形態の場合は2室)となるようにした際の平面視での燃焼室22内の排ガスEの流路が、各蓄熱体16のガス通流方向中心軸を通る同心円内にてシンメトリーとなるような内面形状に形成される(図1Bおよび図2参照)。このため、平面視での燃焼室22を通流する排ガスEは、必ず上記の同心円の中心付近を通るようになっている。
また、燃焼部12bの天面には、金属板の内側に耐火材38aを内貼りして一体化された天板38が、本体ケーシング26の上端に形成されたフランジ26aにボルト止めされている。この天板38の中央部、すなわち、平面視で各蓄熱体16のガス通流方向中心軸を通る同心円の中心部分(図1Bの点線円)に対応する位置に、熱源24が配置される。このため、燃焼室22の形状とも相俟って、燃焼室22を通流する排ガスEの大部分は、必ず熱源24付近を通過するようになる。
熱源24は、燃焼室22内の温度を除害対象の排ガスEの熱分解温度にまで加熱するための手段である。除害対象の排ガスEがPFCsを主体とする半導体製造工程より排出されるものの場合には、燃焼室22内を最大で1500℃前後位まで昇温させることができるものが好ましく、例えば、電熱式ヒーター,火炎式バーナー,非移行型或いは移行型のプラズマトーチなどを好適に用いることができる。
ここで、図示実施形態では、この熱源24としてプラズマアーク24aを噴射する非移行型のプラズマトーチを用いることから、天板38におけるプラズマトーチ設置位置には、プラズマ導入孔40が穿設される。このプラズマ導入孔40は、下方に向けてその内径が拡大するテーパー状にて形成されおり(図1A参照)、これにより、プラズマアーク24aによって天板38内側の耐火材38aが損傷するのを防止できると共に、吸気側の蓄熱室18から排気側の蓄熱室18に向けて燃焼室22内を通過する排ガスEが、より一層、プラズマトーチからプラズマ導入孔40を介して燃焼室22内へと供給されるプラズマアーク24a付近を通過するようになる。因みに、テーパー状に形成するプラズマ導入孔40のテーパー角を120°以上の広角とすることにより、上記の効果がより一層顕著となる。
なお、図1A中における符号42は、必要に応じて燃焼室22内に水分などの分解・反応補助剤を導入するためのノズルであり、符号44は燃焼室22内の温度を計測する温度計測手段である。
排ガス給排機構14は、排ガス供給ダクト30を通じて供給される排ガスEを複数の蓄熱室18A〜18Cに対して一定時間間隔をおいて順次供給すると共に、上記燃焼室22で加熱分解された後、上記排ガスEが供給されていない蓄熱室18を通過して熱分解炉12から排出される処理済みの排ガスEを処理ガス排気ダクト32へと送給する配管系であり、上述したチャンバー54に加え、排ガス供給ダクト30に連通する第1〜第3のガス導入配管46A〜46Cと、これに対応した第1〜第3のガス導入開閉弁48A〜48C、および処理ガス排気ダクト32に連通する第1〜第3のガス排出配管50A〜50Cと、これに対応した第1〜第3のガス排出開閉弁52A〜52Cとを有する。
このうち、第1ガス導入配管46Aの下流端と第1ガス排出配管50Aの上流端とは、蓄熱室18Aの排ガスEの通流路に連通するチャンバー54Aに連通接続される。また、第2ガス導入配管46Bの下流端と第2ガス排出配管50Bの上流端とは、蓄熱室18Bの排ガスEの通流路に連通するチャンバー54Bに連通接続される。さらに、第3ガス導入配管46Cの下流端と第3ガス排出配管50Cの上流端とは、蓄熱室18Cの排ガスEの通流路に連通するチャンバー54Cに連通接続される(図1Aおよび図3参照)。
上記の処理ガス排気ダクト32には、図示しない排気ファンが接続されており、この排気ファンが稼働することによって排ガス除害装置10の内部が常に大気圧よりも低い圧力(=負圧)に保たれる。このため、熱分解処理前の排ガスEや処理済みで排ガスEなどが誤って排ガス除害装置10から外部へ漏れ出すことがない。
なお、本実施形態の排ガス除害装置10における熱分解炉12内を除く他の部分には、排ガスEに含まれる、或いは排ガスEを分解することによって生じるフッ酸などの腐食性成分による腐食から各部を確実に守るため、塩化ビニル樹脂,ポリエチレン樹脂,不飽和ポリエステル樹脂及びフッ素樹脂などによる耐腐食性のライニングやコーティングを施すのが好ましい。
次に、以上のように構成された排ガス除害装置10を用いて排ガスEの除害処理を行う際には、まず始めに、排ガス除害装置10の運転スイッチ(図示せず)をオンにして熱分解炉12の熱源24を作動させ、熱分解炉12内の加熱を開始する。続いて、燃焼室22内の温度が当該排ガスEに含まれる除害対象成分の熱分解温度に達し、且つ、蓄熱体16にある程度の熱が蓄積されると、排気ファンを作動させ、排ガス除害装置10への排ガスEの導入を開始させる。
ここで、排ガス除害装置10への排ガスE導入開始時に、排ガス給排機構14を図3Aの状態、すなわち、第1ガス導入開閉弁48Aと第2ガス排出開閉弁52Bおよび第3ガス排出開閉弁52Cとを開操作し、第2ガス導入開閉弁48Bおよび第3ガス導入開閉弁48Cと第1ガス排出開閉弁52Aとを閉操作した状態にする。すると、排ガス供給ダクト30を通じて供給される排ガスEは、先ず第1ガス導入配管46Aからチャンバー54Aを通って蓄熱室18Aへと導入され、ここで蓄熱体16より熱を与えられて予熱された後、燃焼室22へと送られる。そして、燃焼室22で所定の処理対象成分が加熱分解されて処理済みと成った排ガスEは、蓄熱室18Bと蓄熱室18Cとを分配されてこれらを通り、蓄熱体16と間で熱交換して冷却された後、チャンバー54Bおよび54Cから第2ガス排出配管50Bおよび第3ガス排出配管50Cを通過して処理ガス排気ダクト32へと与えられる。その後、排気ファンを通って大気中へと放出される。
続いて、上記排ガス除害装置10の稼働開始から所定時間が経過すると、排ガス給排機構14が図3Bの状態へと切り換わる。すなわち、第2ガス導入開閉弁48Bと第1ガス排出開閉弁52Aおよび第3ガス排出開閉弁52Cとを開操作し、第1ガス導入開閉弁48Aおよび第3ガス導入開閉弁48Cと第2ガス排出開閉弁52Bとを閉操作した状態へと切り換わる。そうすると、排ガス供給ダクト30を通じて供給される排ガスEは、第2ガス導入配管46Bからチャンバー54Bを通って蓄熱室18Bへと導入され、そこで蓄熱体16より熱を与えられて予熱された後、燃焼室22へと送られる。そして、燃焼室22で所定の処理対象成分が加熱分解されて処理済みと成った排ガスEは、蓄熱室18Aと蓄熱室18Cとを分配されてこれらを通り、蓄熱体16と間で熱交換して冷却された後、チャンバー54Aおよび54Cから第1ガス排出配管50Aおよび第3ガス排出配管50Cを通過して処理ガス排気ダクト32へと与えられる。
さらに、上記排ガス除害装置10の稼働開始から所定時間が経過すると、排ガス給排機構14が図3Cの状態へと切り換わる。すなわち、第3ガス導入開閉弁48Cと第1ガス排出開閉弁52Aおよび第2ガス排出開閉弁52Bとを開操作し、第1ガス導入開閉弁48Aおよび第2ガス導入開閉弁48Bと第3ガス排出開閉弁52Cとを閉操作した状態へと切り換わる。そうすると、排ガス供給ダクト30を通じて供給される排ガスEは、第3ガス導入配管46Cからチャンバー54Cを通って蓄熱室18Cへと導入され、そこで蓄熱体16より熱を与えられて予熱された後、燃焼室22へと送られる。そして、燃焼室22で所定の処理対象成分が加熱分解されて処理済みと成った排ガスEは、蓄熱室18Aと蓄熱室18Bとを分配されてこれらを通り、蓄熱体16と間で熱交換して冷却された後、チャンバー54Aおよび54Bから第1ガス排出配管50Aおよび第2ガス排出配管50Bを通過して処理ガス排気ダクト32へと与えられる。
以下、所定時間が経過すると、再び排ガス給排機構14が作動して、図3Aの状態へと切り換わり、これ以降の排ガス除害装置10稼働中は、所定時間間隔をおいて上述の動作が繰り返される。
本実施形態の排ガス除害装置10では、熱分解炉12内に蓄熱室18が3室設けられ、各蓄熱室18におけるガスの流路が、燃焼室22への吸気側1室に対して排気側が2室となるように制御される。
一般的に通路を気体が通るとき、その流速は通路の中心部が速く、周囲が遅くなる。このことから、吸気側の流路となっていた蓄熱室18が排気側の流路に切り替わったとき、吸気中の処理前の排ガスEは一気に排気側に押し出されるのではなく、燃焼室22で処理後の排ガスEと混ざりながら排気される。ここで、上述の通り、本実施形態の排ガス除害装置10では、蓄熱室18を吸気側1室に対して排気側2室としているので、排ガスEの流路の断面積は排気側の方が大きくなる。このため、燃焼室22の高温で熱膨張している排気側のガスの流速が遅くなり、処理前の排ガスEと熱分解後の処理済の排ガスEとが混ざり易くなる。加えて、蓄熱室18では蓄熱体16から処理前の排ガスEに熱が与えられているので、その処理前の排ガスEの一定量は熱分解される。その結果、従来の吸気と排気とを切り替える方式の排ガス除害装置で必要とされているパージ処理が不要となる。ここで、吸気側の流路となっていた蓄熱室18を排気側の流路に切り替える際に、ガス導入開閉弁48を閉操作して、導入路を一定期間閉鎖する方法もある。かかる方法では、上記処理前の排ガスEの蓄熱体16による熱分解作用がより一層顕著となる。
なお、上述の実施形態では、熱分解炉12に3室の蓄熱室18A〜18Cで形成される場合を示したが、この蓄熱室18は、本体ケーシング26の軸回りに3室以上設けられるものであれば良く、図示しないが4室や5室或いは8室設けるようにしてもよい。但し、これらの何れの場合においても、蓄熱室18内の蓄熱体16は、それらのガス通流方向の中心軸が同心円上に並ぶよう配設される必要がある。
また、上述の実施形態では、排ガス供給ダクト30からの排ガスEを直接、熱分解炉12に供給すると共に、熱分解炉12で除害処理した排ガスEを直接、処理ガス排気ダクト32に放出する場合を示しているが、排ガス供給ダクト30と熱分解炉12との間または熱分解炉12と処理ガス排気ダクト32との間の少なくとも何れか一方に排ガスEを液洗する湿式のスクラバーを設けるようにしてもよい。
その他に、当業者が想定できる範囲で種々の変更を行えることは勿論である。
10:排ガス除害装置,12:熱分解炉,14:排ガス給排機構,16:蓄熱体,18:蓄熱室,22:燃焼室,24:熱源,30:排ガス供給ダクト,32:処理ガス排気ダクト,40:プラズマ導入孔,E:排ガス.

Claims (2)

  1. 蓄熱体(16)を有し、上下方向にガスが通流する3室以上の蓄熱室(18)と、上記蓄熱室(18)の上端を連通すると共にその内部を加熱する熱源(24)が設けられた燃焼室(22)とで構成された熱分解炉(12)、及び、排ガス供給ダクト(30)を通じて供給される排ガス(E)を上記蓄熱室(18)に対して一定時間間隔をおいて順次供給すると共に、上記燃焼室(22)で加熱分解された後、上記排ガス(E)が供給されていない排気側の蓄熱室(18)を通過して熱分解炉(12)から排出される処理済みの排ガス(E)を処理ガス排気ダクト(32)へと送給する排ガス給排機構(14)を具備する排ガス除害装置であって、
    上記の各蓄熱室(18)内の蓄熱体(16)は、それらのガス通流方向の中心軸が同心円上に並ぶよう配設されると共に、その同心円の中心に対応する上記の燃焼室(22)の天面の位置に熱源(24)が配置されており、
    上記の各蓄熱室(18)におけるガスの流路は、燃焼室(22)への吸気側1室に対して排気側が複数室となるように制御されると共に、そのガスの流路が平面視で上記の同心円内にてシンメトリーとなるように上記の燃焼室(22)が形成されている、
    ことを特徴とする排ガス除害装置。
  2. 請求項1の排ガス除害装置において、
    前記の熱源(24)が、非移行型のプラズマトーチであり、
    前記の燃焼室(22)の天面に設けられたプラズマ導入孔(40)が、下方に向けてその内径が拡大するテーパー状に形成されている、ことを特徴とする排ガス除害装置。
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