JPWO2020095550A1 - 駆動回路、電子機器、および、駆動回路の制御方法 - Google Patents

Abstract

本技術は、消費電力を低減することができる駆動回路、電子機器および駆動回路の制御方法を提供することを目的とする。駆動回路は、容量性負荷への交流電圧の印加を制御する制御回路と、容量性負荷とともに閉回路を構成する誘導性素子と、容量性負荷及び誘導性素子の間で誘導性素子に直列に接続されて閉回路を構成するダイオードと、容量性負荷及び誘導性素子の間でダイオードと直列に接続されて閉回路を構成するスイッチ素子とを備えている。

Description

本技術は、駆動回路、電子機器、および、駆動回路の制御方法に関する。

従来より、撮像装置やロボットにおいてレンズ等の部材を変位させるために圧電アクチュエータなどの容量性負荷が用いられている。この容量性負荷を駆動する回路として、例えば、駆動信号を非反転増幅回路により増幅して容量性負荷の正側端子に供給し、その信号を反転増幅回路により反転して容量性負荷の負側端子に供給する駆動回路が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。

特開２０１５−１５９７２４号公報

上述の従来技術では、駆動回路は、例えば、ハイレベルの駆動信号により容量性負荷の正側端子に電流を供給し、ローレベルの駆動信号により、その負側端子に電流を供給することができる。しかしながら、ハイレベルの駆動信号の供給時に負側の反転増幅回路の接地端子に電流が流れて、その分、消費電力が増大するおそれがある。また、ローレベルの駆動信号の供給時に正側の非反転増幅回路の接地端子に電流が流れて、その分、消費電力が増大するおそれがある。このように上述の駆動回路では、駆動時に接地端子に電流が流れて電力効率が低下し、消費電力が増大してしまうという問題がある。

本技術の目的は、消費電力を低減することができる駆動回路、電子機器および駆動回路の制御方法を提供することにある。

上記目的を達成するために、本技術の一態様による駆動回路は、第一容量性負荷への交流電圧の印加を制御する第一制御回路と、前記第一容量性負荷とともに第一閉回路を構成する誘導性素子と、前記第一容量性負荷及び前記誘導性素子の間で前記誘導性素子に直列に接続されて前記第一閉回路を構成する第一ダイオード型素子と、前記第一容量性負荷及び前記誘導性素子の間で前記第一ダイオード型素子と直列に接続されて前記第一閉回路を構成する第一スイッチ素子とを備える。

また、上記目的を達成するために、本技術の一態様による電子機器は、上記本技術の一態様による駆動回路を備える。

また、この第１の側面において、上記正側回路および上記負側回路のそれぞれは、電圧の昇圧および降圧を行うチョッパ回路を備えてもよい。これにより、チョッパ回路によって電圧が変換されるという作用をもたらす。

また、上記目的を達成するために、本技術の一態様による駆動回路の制御方法は、第一容量性負荷に直列に接続された誘導性素子と、前記第一容量性負荷及び前記誘導性素子の間で前記誘導性素子に直列に接続された第一ダイオード型素子と、前記第一容量性負荷及び前記誘導性素子の間で前記第一ダイオード型素子と直列に接続された第一スイッチ素子とで構成された第一閉回路の前記第一スイッチ素子をオフ状態からオン状態に移行し、前記第一閉回路を介して前記第一容量性負荷に印加された電圧の極性を反転し、前記第一スイッチ素子をオン状態からオフ状態に移行し、前記第一容量性負荷に印加されている電圧と同極性の交流電圧を第一制御回路から印加する。

本技術の第１実施形態による電子機器の一構成例を示すブロック図である。 本技術の第１実施形態による駆動回路の一構成例を示すブロック図である。 本技術の第１実施形態による駆動回路の一構成例を示す回路図である。 本技術の第１実施形態による駆動回路の制御方法を説明するための制御波形の一例を示す図（その１）である。 本技術の第１実施形態による駆動回路の制御方法の説明するための制御波形の一例を示す図（その２）である。 本技術の第２実施形態による駆動回路の一構成例を示す回路図である。 本技術の第３実施形態による駆動回路の一構成例を示す回路図である。 本技術の第１実施形態から第３実施形態による駆動回路に適用可能な駆動回路の制御方法の変形例を説明するための図（その１）である。 本技術の第１実施形態から第３実施形態による駆動回路に適用可能な駆動回路の制御方法の変形例を説明するための図（その２）である。 本技術の第４実施形態による駆動回路の一構成例を示すブロック図である。 本技術の第４実施形態による駆動回路の一構成例を示す回路図である。 本技術の第４実施形態による駆動回路の制御方法の説明するための制御波形の一例を示す図である。 本開示に係る技術が適用され得るＩｏＴシステム９０００の概略的な構成の一例を示す図である。

以下、本技術を実施するための形態（以下、実施形態と称する）について図１から図１１を用いて説明する。

＜１．第１実施形態＞
［電子機器の構成例］
まず、本実施形態による電子機器について図１を用いて説明する。本実施形態による電子機器ＥＤは、本技術の第１実施形態による駆動回路１を備えている。図１は、本技術の第１の実施の形態における電子機器ＥＤの一構成例を示すブロック図である。電子機器ＥＤは、バッテリ９と、バッテリ９に接続された駆動回路１と、駆動回路１に接続された容量性負荷８とを備えている。電子機器ＥＤとして、例えば、撮像装置、スマートフォンやロボットが想定される。

図１に示すように、バッテリ９は、電子機器ＥＤの電源としての機能を発揮するようになっている。バッテリ９は、電源供給ケーブルによって駆動回路１と接続されている。バッテリ９は、直流電力を生成し、生成した直流電力を駆動回路１に電源供給ケーブルを介して供給する装置である。

駆動回路１は、複数の信号線によって駆動回路１と接続されている。駆動回路１は、外部から入力される駆動信号Ｓｄに従って、電気エネルギーを容量性負荷８に信号線を介して供給し、容量性負荷８を駆動する回路である。容量性負荷８は、例えば、圧電アクチュエータ（不図示）を有している。圧電アクチュエータは、電気エネルギーが供給されると変形し、レンズ等の部材を変位させる素子である。なお、容量性負荷８は、圧電アクチュエータ以外の素子や回路を有してもよい。

［駆動回路の構成例］
図２は、本技術の第１実施形態による駆動回路１の一構成例を示すブロック図である。
図２に示すように、駆動回路１は、バッテリ９（図２では不図示）に接続された電圧生成回路１５と、駆動信号Ｓｄが入力される制御回路１３（第一制御回路の一例）と、電圧生成回路１５および制御回路１３に接続されたエネルギー転送回路１１とを有している。エネルギー転送回路１１には、容量性負荷８（第一容量性負荷の一例）が接続されている。

電圧生成回路１５は、バッテリ９から入力される直流電圧（例えば３．５Ｖ）を昇圧し、昇圧した直流電圧（例えば５Ｖから１５Ｖ）をエネルギー転送回路１１に出力するようになっている。電圧生成回路１５は、出力電圧を所定範囲で変更可能な直流−直流（ＤＣ−ＤＣ）電圧変換回路で構成されている。

制御回路１３は、容量性負荷８への交流電圧の印加を制御する回路である。制御回路１３は、外部から入力される駆動信号Ｓｄに基づいて、エネルギー転送回路１１を制御する制御信号を生成するようになっている。制御回路１３の詳細は後述する。

エネルギー転送回路１１は、容量性負荷８が駆動される際に容量性負荷８に蓄積されたエネルギーを誘導性素子（詳細は後述）に転送する回路である。駆動回路１は、電圧生成回路１５から電力を供給して容量性負荷８を駆動するようになっている。詳細は後述するが、駆動回路１は、容量性負荷８を駆動する際に、エネルギー転送回路１１によって容量性負荷８を充放電しながら電圧生成回路１５から電力を供給できる。これにより、駆動回路１は、低消費電力化を図ることができる。

次に、本実施形態による駆動回路１の具体的な回路構成について図３を用いて説明する。図３は、駆動回路１の一構成例を示す回路図である。

図３に示すように、駆動回路１は、容量性負荷８への交流電圧の印加を制御する制御回路１３を備えている。駆動回路１は、容量性負荷８とともに閉回路１１１ｃ（第一閉回路の一例）を構成する誘導性素子１１５を備えている。駆動回路１は、容量性負荷８及び誘導性素子１１５の間で誘導性素子１１５に直列に接続されて閉回路１１１ｃを構成するダイオード１１１ｄ（第一ダイオード型素子の一例）を備えている。ダイオード１１１ｄは、例えばＰＮ接合型ダイオードで構成されている。駆動回路１は、容量性負荷８及び誘導性素子１１５の間でダイオード１１１ｄと直列に接続されて閉回路１１５ｃを構成するスイッチ素子１１１ｓ（第一スイッチ素子の一例）を備えている。スイッチ素子１１１ｓは、例えばＮ型の電界効果トランジスタで構成されている。

より具体的には、誘導性素子１１５の一端子は、容量性負荷８の一端子に接続されている。誘導性素子１１５の他端子は、ダイオード１１１ｄのアノード端子に接続されている。ダイオード１１１ｄのカソード端子は、スイッチ素子１１１ｓのドレイン端子Ｄに接続されている。スイッチ素子１１１ｓのソース端子Ｓは、容量性負荷８の他端子に接続されている。これにより、容量性負荷８、誘導性素子１１５、ダイオード１１１ｄおよびスイッチ素子１１１ｓによって電流の流れる電流経路が確立され、閉回路１１１ｃが構成される。本実施形態および後述する第２から第４実施形態では、スイッチ素子などが閉状態の場合に電流の流れる電流経路が確立される回路は、当該スイッチ素子がオフ状態で電気的に当該電流経路が切断される場合があっても閉回路と規定する。

図３に示すように、駆動回路１は、誘導性素子１１５に直列かつダイオード１１１ｄ及びスイッチ素子１１１ｓに並列に接続されて閉回路１１３ｃ（第二閉回路の一例）を構成するダイオード１１３ｄ（第二ダイオード型素子の一例）を備えている。ダイオード１１３ｄは、例えばＰＮ接合型ダイオードで構成されている。駆動回路１は、ダイオード１１３ｄに直列かつダイオード１１１ｄ及びスイッチ素子１１１ｓに並列に接続されて閉回路１１３ｃを構成するスイッチ素子１１３ｓ（第二スイッチ素子の一例）を備えている。スイッチ素子１１３ｓは、例えばＰ型の電界効果トランジスタで構成されている。

より具体的には、ダイオード１１３ｄのカソード端子は、誘導性素子１１５の他端子およびダイオード１１１ｄのアノード端子に接続されている。ダイオード１１３ｄのアノード端子は、スイッチ素子１１３ｓのドレイン端子Ｄに接続されている。スイッチ素子１１３ｓのソース端子Ｓは、スイッチ素子１１１ｓのソース端子Ｓおよび容量性負荷８の他端子に接続されている。これにより、容量性負荷８、スイッチ素子１１３ｓ、ダイオード１１３ｄおよび誘導性素子１１５によって電流の流れる電流経路が確立され、閉回路１１３ｃが構成される。

図３に示すように、駆動回路１に備えられた制御回路１３は、複数（本実施形態では４個）のスイッチ素子１３１ｇａ〜１３１ｇｄを有するスイッチ素子群１３１ｇ（第一スイッチ素子群の一例）で構成されて容量性負荷８の両端に接続されたブリッジ回路１３１（第一ブリッジ回路の一例）を有している。また、制御回路１３は、複数のスイッチ素子１３１ｇａ〜１３１ｇｄ、スイッチ素子１１１ｓ及びスイッチ素子１１３ｓのスイッチングを制御する制御信号を生成する制御信号生成部１３３（第一制御信号生成部）を有している。

ブリッジ回路１３１は、正側直流電位（第一直流電位の一例）の供給端１７ａ（第一供給端の一例）と、基準直流電位（第二直流電位の一例）の供給端１７ｂ（第二供給端の一例）との間に接続されている。正側直流電位は、電圧生成回路１５が生成した電圧のハイレベル側の電位である。基準直流電位の供給端１７ｂはグランド端子である。電圧生成回路１５の基準電位端子は当該グランド端子に接続されている。電圧生成回路１５が生成する電圧は、正側直流電位と基準直流電位との電位差に相当する。このため、ブリッジ回路１３１の両端には、電圧生成回路１５が生成した電圧が印加される。

制御回路１３は、供給端１７ａおよび供給端１７ｂの間に設けられたコンデンサ１３５を有している。コンデンサ１３５の一方の電極は供給端１７ａに接続され、コンデンサ１３５の他方の電極は供給端１７ｂに接続されている。コンデンサ１３５は、電圧生成回路１５から出力される電圧の変動を防止するために設けられている。これにより、ブリッジ回路１３１の両端には、ほぼ一定の電圧が供給される。

ブリッジ回路１３１は、４個のスイッチ素子１３１ｇａ〜１３１ｇｄで構成されたフルブリッジ回路の構成を有している。スイッチ素子１３１ｇａおよびスイッチ素子１３１ｇｂは、例えばＰ型の電界効果トランジスタで構成されている。スイッチ素子１３１ｇｃおよびスイッチ素子１３１ｇｄは、例えばＮ型の電界効果トランジスタで構成されている。

スイッチ素子１３１ｇａのソース端子Ｓは、供給端１７ａおよびスイッチ素子１３１ｇｂのソース端子Ｓに接続されている。スイッチ素子１３１ｇａのドレイン端子Ｄは、スイッチ素子１３１ｇｃのドレイン端子Ｄに接続されている。スイッチ素子１３１ｇｂのドレイン端子Ｄは、スイッチ素子１３１ｇｄのドレイン端子Ｄに接続されている。スイッチ素子１３１ｇｃのソース端子Ｓおよびスイッチ素子１３１ｇｄのソース端子Ｓは、供給端１７ｂに接続されている。

スイッチ素子１３１ｇａのドレイン端子Ｄおよびスイッチ素子１３１ｇｃのドレイン端子Ｄは、容量性負荷８の一端子および誘導性素子１１５の一端子に接続されている。スイッチ素子１３１ｇｂのドレイン端子Ｄおよびスイッチ素子１３１ｇｄのドレイン端子Ｄは、容量性負荷８の他端子並びにスイッチ素子１１１ｓのソース端子Ｓおよびスイッチ素子１１３ｓのソース端子Ｓに接続されている。

このため、スイッチ素子１３１ｇａおよびスイッチ素子１３１ｇｄがオン状態であり、かつスイッチ素子１３１ｇｂおよびスイッチ素子１３１ｇｃがオフ状態の場合には、容量性負荷８の一端子はスイッチ素子１３１ｇａを介して供給端１７ａに電気的に接続され、容量性負荷８の他端子はスイッチ素子１３１ｇｄを介して供給端１７ｂに接続される。これにより、スイッチ素子１３１ｇａ，１３１ｇｄがオン状態であり、かつスイッチ素子１３１ｇｂ，１３１ｇｃがオフ状態の場合には、容量性負荷８の一端子には正側直流電位が印加され、容量性負荷８の他端子には負側直流電位が印加される。以下、本実施形態および後述する第２から第４実施形態において、容量性負荷に印加されている直流電圧は、一端子の方が他端子よりも高い場合を正とし、他端子の方が一端子よりも高い場合を負とする。その結果、容量性負荷８の両端に印加される直流電圧は、正の電圧となる。

また、スイッチ素子１３１ｇａおよびスイッチ素子１３１ｇｄがオフ状態であり、かつスイッチ素子１３１ｇｂおよびスイッチ素子１３１ｇｃがオン状態の場合には、容量性負荷８の一端子はスイッチ素子１３１ｇｃを介して供給端１７ｂに電気的に接続され、容量性負荷８の他端子はスイッチ素子１３１ｇｂを介して供給端１７ａに接続される。これにより、スイッチ素子１３１ｇａ，１３１ｇｄがオフ状態であり、かつスイッチ素子１３１ｇｂ，１３１ｇｃがオン状態の場合には、容量性負荷８の一端子には負側直流電位が印加され、容量性負荷８の他端子には正側直流電位が印加される。その結果、容量性負荷８の両端に印加される直流電圧は、負の電圧となる。

制御信号生成部１３３は、外部から入力される駆動信号Ｓｄに基づいて生成される複数の制御信号を出力する複数（本実施形態では６個）の出力端子を有している。制御信号生成部１３３の当該複数の出力端子のうちの４個の端子は、４個のスイッチ素子１３１ｇａ〜１３１ｇｄのそれぞれのゲート端子Ｇに１対１の関係で接続されている。このため、制御回路１３は、４個のスイッチ素子１３１ｇａ〜１３１ｇｄのオン／オフ状態を独立して制御し、直流電圧の正負が反転する交流電圧を容量性負荷８の両端に印加できる。

図３に示すように、駆動回路１は、誘導性素子１１５、ダイオード１１１ｄ及びスイッチ素子１１１ｓで構成されて容量性負荷８に蓄積されているエネルギーを転送するエネルギー転送部１１１（第一エネルギー転送部の一例）を備えている。駆動回路１は、誘導性素子１１５、ダイオード１１３ｄおよびスイッチ素子１１３ｓで構成されて容量性負荷８に蓄積されているエネルギーを転送するエネルギー転送部１１３（第二エネルギー転送部の一例）を備えている。駆動回路１は、エネルギー転送部１１１およびエネルギー転送部１１３を有するエネルギー転送回路１１を備えている。

エネルギー転送部１１１は、容量性負荷８の一端子から容量性負荷８の他端子に向かって順方向となるダイオード１１１ｄを有している。エネルギー転送部１１３は、容量性負荷８の他端子から容量性負荷８の一端子に向かって順方向となるダイオード１１３ｄを有している。また、制御信号生成部１３３の制御信号を出力する複数の出力端子のうちの残余（２個）の端子は、スイッチ素子１１１ｓおよびスイッチ素子１１３ｓのそれぞれのゲート端子Ｇに１対１の関係で接続されている。このため、制御回路１３は、スイッチ素子１１１ｓおよびスイッチ素子１１３ｓのオン/オフ状態を独立して制御することができる。

このため、正の直流電圧に基づくエネルギーが容量性負荷８に蓄積されている場合、エネルギー転送回路１１は、スイッチ素子１１１ｓをオン状態とし、かつスイッチ素子１１３ｓをオフ状態とするように制御回路１３によって制御される。その結果、閉回路１１１ｃに電流経路が確立されるので、容量性負荷８に蓄積されたエネルギーは閉回路１１１ｃによって誘導性素子１１５に転送され、容量性負荷８の両端に印加された直流電圧は降圧される。

一方、負の直流電圧に基づくエネルギーが容量性負荷８に蓄積されている場合、エネルギー転送回路１１は、スイッチ素子１１１ｓをオフ状態とし、かつスイッチ素子１１３ｓをオン状態とするように制御回路１３によって制御される。その結果、閉回路１１３ｃに電流経路が確立されるので、容量性負荷８に蓄積されたエネルギーは閉回路１１３ｃによって誘導性素子１１５に転送され、容量性負荷８の両端に印加された直流電圧は昇圧される。

図３に示すように、駆動回路１は、容量性負荷８及び誘導性素子１１５の間と、正側直流電位（第一直流電位の一例）の供給端１７ａ（第一供給端の一例）との間に接続された逆バイアスダイオード１１７（第一逆バイアスダイオード型素子の一例）を備えている。逆バイアスダイオード１１７は、例えばＰＮ接合型ダイオードで構成されている。逆バイアスダイオード１１７のカソード端子は、正側直流電位が出力される供給端１７ａに接続されている。逆バイアスダイオード１１７のアノード端子は、ダイオード１１１ｄのカソード端子およびスイッチ素子１１１ｓのドレイン端子Ｄに接続されている。正側直流電位は、電圧生成回路１５が生成した電圧のハイレベル側の電位である。供給端１７ａは、制御回路１３を介して電圧生成回路１５が生成した電圧を容量性負荷８に供給するための端子である。このため、逆バイアスダイオード１１７には、正側直流電位によって逆バイアスが印加されるようになっている。

駆動回路１は、容量性負荷８及び誘導性素子１１５の間と、基準直流電位（第二直流電位の一例）の供給端１７ｂ（第二供給端の一例）との間に接続された逆バイアスダイオード１１９（第二逆バイアスダイオード型素子の一例）を備えている。逆バイアスダイオード１１９は、例えばＰＮ接合型ダイオードで構成されている。逆バイアスダイオード１１９のアノード端子は、基準電流電位の供給端１７ｂに接続されている。逆バイアスダイオード１１９のカソード端子は、ダイオード１１３ｄのアノード端子およびスイッチ素子１１３ｓのドレイン端子Ｄに接続されている。基準電流電位の供給端１７ｂはグランド端子である。このため、逆バイアスダイオード１１９には、基準直流電位によって逆バイアスが印加されるようになっている。

ところで、閉回路１１１ｃ及び閉回路１１３ｃは、供給端１７ａ及び供給端１７ｂに直結されていない。このため、駆動回路１は、容量性負荷８から電圧生成回路１５や基準電流電位の供給端１７ｂ（グランド端子）に電流が流れる経路を有していない。このため、駆動回路１は、容量性負荷８からエネルギー転送回路１１にエネルギーを転送する際に、容量性負荷８に蓄積されているエネルギーが電圧生成回路１５やグランド端子に放電することが防止される。このため、駆動回路１は、容量性負荷８を駆動する際に、容量性負荷８からエネルギー転送回路１１へのエネルギーの転送損失を低減することができる。これにより、駆動回路１は、容量性負荷８の駆動時の消費電力の低減を図ることができる。

しかしながら、閉回路１１１ｃ，１１３ｃが電圧生成回路１５の出力端子やグランド端子などの定電圧部に直結されないことによって、容量性負荷８が充放電を繰り返しているうちに容量性負荷８の両端子間の電圧が供給端１７ａおよび供給端１７ｂの電位差から外れてしまう可能性がある。ところが、駆動回路１は、上述のとおり、エネルギー転送回路１１に接続された逆バイアスダイオード１１７および逆バイアスダイオード１１９を有している。これにより、閉回路１１１ｃにおいて容量性負荷８および誘導性素子１１５が互いに接続されていない方の端子間（すなわち容量性負荷８および誘導性素子１１５のそれぞれの他端子間）が逆バイアスダイオード１１７および供給端１７ａを介して電圧生成回路１５の出力端子に電気的に接続される。同様に、閉回路１１３ｃにおいて容量性負荷８および誘導性素子１１５が互いに接続されていない方の端子間（すなわち容量性負荷８および誘導性素子１１５のそれぞれの他端子間）が逆バイアスダイオード１１９および供給端１７ｂを介し基準電流電位の供給部（グランド端子）に電気的に接続される。これにより、駆動回路１は、容量性負荷８が充放電を繰り返しても、容量性負荷８の両端子間の電圧が供給端１７ａおよび供給端１７ｂの電位差から外れてしまうことが防止される。

［駆動回路の制御方法］
次に、本実施形態による駆動回路の駆動方法について図３を参照しつつ図４および図５を用いて説明する。図４は、本実施形態による駆動回路１の制御方法を説明するための制御波形の一例を示す図である。図４中の１段目は、スイッチ素子１１１ｓのゲート端子Ｇに印加されるゲート信号（制御信号）の電圧波形を示し、図４中の２段目は、スイッチ素子１３１ｇｂのゲート端子Ｇに印加されるゲート信号（制御信号）の電圧波形を示している。図４中の３段目は、スイッチ素子１３１ｇｃのゲート端子Ｇに印加されるゲート信号（制御信号）の電圧波形を示し、図４中の４段目は、スイッチ素子１１３ｓのゲート端子Ｇに印加されるゲート信号（制御信号）の電圧波形を示している。図４中の５段目は、スイッチ素子１３１ｇａのゲート端子Ｇに印加されるゲート信号（制御信号）の電圧波形を示し、図４中の２段目は、スイッチ素子１３１ｇｄのゲート端子Ｇに印加されるゲート信号（制御信号）の電圧波形を示している。図４では、図中左から右に向かって時の経過が示されている。図５は、図４中の四角枠αで囲んだ部分およびその前後の部分の電圧波形に基づく各スイッチ素子の状態を示している。

図４に示すように、時刻ｔ０において、ブリッジ回路１３１のスイッチ素子１３１ｇｂ，１３１ｇｄのそれぞれのゲート信号の電圧レベルがハイレベルであり、ブリッジ回路１３１のスイッチ素子１３１ｇａ，１３１ｇｃのそれぞれのゲート信号の電圧レベルがローレベルである。このため、ブリッジ回路１３１のスイッチ素子１３１ｇａ，１３１ｇｄがオン状態であり、スイッチ素子１３１ｇｂ，１３１ｇｃがオフ状態である。また、エネルギー転送回路１１のスイッチ素子１１１ｓのゲート信号の電圧レベルがローレベルであり、エネルギー転送回路１１のスイッチ素子１１３ｓのゲート信号の電圧レベルがハイレベルである。このため、エネルギー転送回路１１のスイッチ素子１１１ｓおよびスイッチ素子１１３ｓはいずれもオフ状態である。このため、容量性負荷８には、正の電圧が印加される。

時刻ｔ０の後の時刻ｔ１において、スイッチ素子１３１ｇａのゲート信号の電圧レベルがローレベルからハイレベルに移行し、スイッチ素子１３１ｇｄのゲート信号の電圧レベルがハイレベルからローレベルに移行する。また、時刻ｔ１において、その他のスイッチ素子１３１ｇｂ，１３１ｇｃ，１１１ｓ，１１３ｓのそれぞれのゲート信号の電圧レベルは変化しない。これにより、スイッチ素子１３１ｇａ，１３１ｇｄはオフ状態からオン状態に移行する。一方、スイッチ素子１３１ｇｂ，１３１ｇｃはオフ状態を維持する。このため、容量性負荷８には、正の電圧が印加された状態が維持される。

時刻ｔ１の後の時刻ｔ２において、スイッチ素子１１１ｓのゲート信号の電圧レベルがローレベルからハイレベルに移行し、その他のスイッチ素子１３１ｇａ〜１３１ｇｄ，１１３ｓのそれぞれのゲート信号の電圧レベルは変化しない。これにより、スイッチ素子１１１ｓはオフ状態からオン状態に移行するので、閉回路１１１ｃの電流経路が確立される。一方、スイッチ素子１１３ｓはオフ状態を維持しているため、閉回路１１３ｃの電量経路は確立されない。さらに、スイッチ素子１３１ｇａ〜１３１ｇｄはオフ状態を維持しているので、容量性負荷８は、供給端１７ａ，１７ａから電気的に切り離された状態が維持されている。その結果、時刻ｔ２において、容量性負荷８からエネルギー転送回路１１の誘導性素子１１５にエネルギーの転送が開始され、容量性負荷８に印加されている電圧が降下し始める。

時刻ｔ２の後の時刻ｔ３において、スイッチ素子１３１ｇｂのゲート信号の電圧レベルがハイレベルからローレベルに移行し、スイッチ素子１３１ｇｃのゲート信号の電圧レベルがローレベルからハイレベルに移行する。また、時刻ｔ３において、その他のスイッチ素子１３１ｇａ，１３１ｇｄ，１１１ｓ，１１３ｓのそれぞれのゲート信号の電圧レベルは変化しない。これにより、スイッチ素子１３１ｇｂ，１３１ｇｃはオフ状態からオン状態に移行する。一方、スイッチ素子１３１ｇａ，１３１ｇｄはオフ状態を維持する。このため、容量性負荷８の一端子がスイッチ素子１３１ｇｃを介して供給端１７ｂに接続され、容量性負荷８の他端子がスイッチ素子１３１ｇｂを介して供給端１７ａに接続される。その結果、容量性負荷８には、電圧生成回路１５から出力される電圧によって負の電圧が印加され、容量性負荷８に印加される電圧はさらに降下する。このように、駆動回路１は、容量性負荷８からエネルギー転送回路１１にエネルギーを転送して容量性負荷８の印加電圧を降下している途中に電圧生成回路１５の出力電圧を容量性負荷８に印加しても、転送中のエネルギーの逆流を発生させずに容量性負荷８を駆動できる。

時刻ｔ３の後の時刻ｔ４において、スイッチ素子１１１ｓのゲート信号の電圧レベルがハイレベルからローレベルに移行し、その他のスイッチ素子１３１ｇａ〜１３１ｇｄ，１１３ｓのそれぞれのゲート信号の電圧レベルは変化しない。これにより、スイッチ素子１１１ｓはオン状態からオフ状態に移行するので、閉回路１１１ｃの電流経路が遮断される。一方、スイッチ素子１１３ｓはオフ状態を維持しているため、閉回路１１３ｃの電流経路は確立されない。さらに、スイッチ素子１３１ｇｂ，１３１ｇｃはオン状態に維持している。このため、容量性負荷８の一端子に基準直流電位が印加され、容量性負荷８の他端子には正側直流電位が印加される。その結果、容量性負荷８の両端子間には、電圧生成回路１５の出力電圧と同じ大きさの負の電圧の印加が維持される。

時刻ｔ４の後の時刻ｔ５において、スイッチ素子１３１ｇｂのゲート信号の電圧レベルがローレベルからハイレベルに移行し、スイッチ素子１３１ｇｃのゲート信号の電圧レベルがハイレベルからローレベルに移行する。また、時刻ｔ５において、その他のスイッチ素子１３１ｇａ，１３１ｇｄ，１１１ｓ，１１３ｓのそれぞれのゲート信号の電圧レベルは変化しない。これにより、スイッチ素子１３１ｇｂ，１３１ｇｃはオン状態からオフ状態に移行する。一方、スイッチ素子１３１ｇａ，１３１ｇｄはオフ状態を維持する。このため、容量性負荷８は、供給端１７ａ，１７ｂから電気的に切断されるが、容量性負荷８には、電圧生成回路１５の出力電圧と同じ大きさの負の電圧の印加が維持される。

時刻ｔ５の後の時刻ｔ６において、スイッチ素子１１３ｓのゲート信号の電圧レベルがハイレベルからローレベルに移行し、その他のスイッチ素子１３１ｇａ〜１３１ｇｄ，１１１ｓのそれぞれのゲート信号の電圧レベルは変化しない。これにより、スイッチ素子１１３ｓはオフ状態からオン状態に移行するので、閉回路１１３ｃの電流経路が確立される。一方、スイッチ素子１１１ｓはオフ状態を維持しているため、閉回路１１１ｃの電流経路は確立されない。さらに、スイッチ素子１３１ｇａ〜１３１ｇｄはオフ状態を維持しているので、容量性負荷８は、供給端１７ａ，１７ａから電気的に切り離された状態が維持されている。その結果、時刻ｔ６において、容量性負荷８からエネルギー転送回路１１の誘導性素子１１５にエネルギーの転送が開始され、容量性負荷８に印加されている電圧が上昇し始める。

時刻ｔ６の後の時刻ｔ７において、スイッチ素子１３１ｇａのゲート信号の電圧レベルがハイレベルからローレベルに移行し、スイッチ素子１３１ｇｄのゲート信号の電圧レベルがローレベルからハイレベルに移行する。また、時刻ｔ７において、その他のスイッチ素子１３１ｇｂ，１３１ｇｃ，１１１ｓ，１１３ｓのそれぞれのゲート信号の電圧レベルは変化しない。これにより、スイッチ素子１３１ｇａ，１３１ｇｄはオフ状態からオン状態に移行する。一方、スイッチ素子１３１ｇｂ，１３１ｇｃはオフ状態を維持する。このため、容量性負荷８の一端子がスイッチ素子１３１ｇａを介して供給端１７ａに接続され、容量性負荷８の他端子がスイッチ素子１３１ｇｄを介して供給端１７ｂに接続される。その結果、容量性負荷８には、電圧生成回路１５から出力される電圧によって正の電圧が印加され、容量性負荷８に印加される電圧はさらに上昇する。このように、駆動回路１は、容量性負荷８からエネルギー転送回路１１にエネルギーを転送して容量性負荷８の印加電圧が上昇している途中に、電圧生成回路１５の出力電圧を容量性負荷８に印加しても、転送中のエネルギーの逆流を発生させずに容量性負荷８を駆動できる。

時刻ｔ７の後の時刻ｔ８において、スイッチ素子１１３ｓのゲート信号の電圧レベルがローレベルからハイレベルに移行し、その他のスイッチ素子１３１ｇａ〜１３１ｇｄ，１１１ｓのそれぞれのゲート信号の電圧レベルは変化しない。これにより、スイッチ素子１１３ｓはオン状態からオフ状態に移行するので、閉回路１１３ｃの電流経路が遮断される。一方、スイッチ素子１１１ｓはオフ状態を維持しているため、閉回路１１１ｃの電流経路は確立されない。さらに、スイッチ素子１３１ｇａ，１３１ｇｄはオン状態に維持している。このため、容量性負荷８の一端子に正側直流電位が印加され、容量性負荷８の他端子には基準直流電位が印加される。その結果、容量性負荷８の両端子間には、電圧生成回路１５の出力電圧と同じ大きさの正の電圧の印加が維持される。駆動回路１は、時刻ｔ０から時刻ｔ８までの動作を繰り返すことによって、容量性負荷８に印加する電圧を極性反転して容量性負荷８を駆動する。

図５に示すように、エネルギー転送回路１１のスイッチ素子１１１ｓがオン状態の期間は、エネルギー放電動作期間Ｔｄ＿ｏｎとなる。また、ブリッジ回路１３１のスイッチ素子１３１ｇｂおよびスイッチ素子１３１ｇｃがオン状態の期間は、容量性負荷８の駆動動作期間Ｔｃ＿ｏｎとなる。上述のとおり、駆動回路１は、容量性負荷８からエネルギー転送回路１１にエネルギーを転送中（エネルギーの放電中）に、容量性負荷８の駆動を開始できる。本実施形態では、エネルギー放電動作期間Ｔｄ＿ｏｎおよび容量性負荷８の駆動動作期間Ｔｃ＿ｏｎが同時に動作する同時動作期間Ｔｓが高精度に制御される必要はない。駆動回路１は、エネルギー放電動作期間Ｔｄ＿ｏｎに容量性負荷８の駆動動作期間Ｔｃ＿ｏｎを開始すれば、容量性負荷８に印加される電圧を低電力で高速に反転できる。同時動作期間Ｔｓの長短は、駆動回路１の低電力化や高速化にほとんど寄与しない。このように、本実施形態による駆動回路の制御方法は、容量性負荷の放電タイミングと駆動タイミングのタイミング誤差の許容を拡大することができる。

図４中に長方形枠βで囲んで示すように、容量性負荷８のエネルギー充電動作期間においても、図５に示す容量性負荷８のエネルギー放電動作期間Ｔｄ＿ｏｎと同様に、当該エネルギー充電動作期間に容量性負荷８の駆動動作期間を開始すれば、容量性負荷８に印加される電圧を低電力で高速に反転できる。

以上のように、本実施形態による駆動回路１の制御方法では、容量性負荷８に直列に接続された誘導性素子１１５と、容量性負荷８及び誘導性素子１１５の間で誘導性素子１１５に直列に接続されたダイオード１１１ｄと、容量性負荷８及び誘導性素子１１５の間でダイオード１１１ｄと直列に接続されたスイッチ素子１１１ｓとで構成された閉回路１１１ｃ（図３参照）のスイッチ素子１１１ｓをオフ状態からオン状態に移行する（図４中に示す時刻ｔ２参照）。その後、駆動回路１の制御方法では、閉回路１１１ｃを介して容量性負荷８に印加された電圧の極性を反転する（図４中に示す時刻ｔ３参照）。その後、駆動回路１の制御方法では、スイッチ素子１１１ｓをオン状態からオフ状態に移行し（図４中に示す時刻ｔ４参照）、容量性負荷８に印加されている電圧と同極性の交流電圧を制御回路１３から印加する（図４中に示す時刻ｔ４から時刻ｔ５まで）。

駆動回路１の制御方法では、制御回路１３から容量性負荷８に印加されている電圧と同極性の交流電圧を容量性負荷８に印加した後（図４中に示す時刻ｔ５）に、誘導性素子１１５に直列かつダイオード１１１ｄ及びスイッチ素子１１１ｓに並列に接続されて閉回路１１３ｃを構成し、互いに直列に接続されたダイオード１１３ｄ及びスイッチ素子１１３ｓ（図３参照）のスイッチ素子１１３ｓをオフ状態からオン状態に移行する（図４中に示す時刻ｔ６）。その後、駆動回路１の制御方法では、閉回路１１３ｃを介して容量性負荷８に印加された電圧の極性を反転する（図４中に示す時刻ｔ７参照）。その後、駆動回路１の制御方法では、スイッチ素子１１３ｓをオン状態からオフ状態に移行し（図４中に示す時刻ｔ８参照）、容量性負荷８に印加されている電圧と同極性の交流電圧を制御回路１３から印加する（図４中に示す時刻ｔ８以降）。

以上説明したように、本実施形態による駆動回路１は、容量性負荷８への交流電圧の印加を制御する制御回路１３を備えている。駆動回路１は、容量性負荷８とともに閉回路１１１ｃを構成する誘導性素子１１５と、容量性負荷８及び誘導性素子１１５の間で誘導性素子１１５に直列に接続されて閉回路１１１ｃを構成するダイオード１１１ｄと、容量性負荷８及び誘導性素子１１５の間でダイオード１１１ｄと直列に接続されて閉回路１１１ｃを構成するスイッチ素子１１１ｓとを備えている。

当該構成を備えた駆動回路１は、容量性負荷８からエネルギー転送回路１１へのエネルギーの転送中に容量性負荷８を駆動（印加電圧を反転）できる。これにより、駆動回路１は、消費電力を低減することができる。また、駆動回路１を備える電子機器ＥＤは、消費電力を低減することができる。

＜２．第２実施形態＞
本技術の第２実施形態による駆動回路、電子機器、および、駆動回路の制御方法について図６を用いて説明する。本実施形態による電子機器は、上記第１実施形態による電子機器ＥＤと同様の構成を有し、同様の機能を発揮するため、説明は省略する。また、本実施形態による駆動回路は、上記第１実施形態による駆動回路１と同様の構成例を有するため、ブロック図の図示は省略する。さらに、本実施形態の駆動回路の構成要素に関し、上記第１実施形態による駆動回路と同一の作用・機能を奏する構成要素には、同一の符号を付してその説明は省略する。

［駆動回路の構成例］
図６は、本実施形態による駆動回路２の一構成例を示す回路図である。駆動回路２は、逆バイアスダイオードの接続が駆動回路１と異なる点に特徴を有している。

図６に示すように、駆動回路２は、上記第１実施形態による駆動回路１と同じ構成のエネルギー転送回路１１および制御回路１３を備えている。逆バイアスダイオード２１７（第一逆バイアスダイオード型素子の一例）は、容量性負荷８及び誘導性素子１１５の間と正側直流電位の供給端１７ａとの間に接続されて正側直流電位によって逆バイアスが印加されるようになっている。逆バイアスダイオード２１９（第二逆バイアスダイオード型素子の一例）は、容量性負荷８及び誘導性素子１１５の間と基準電流電位の供給端１７ｂとの間に接続されて基準直流電位によって逆バイアスが印加されるようになっている。逆バイアスダイオード２１７，２１９は、例えばＰＮ接合型ダイオードで構成されている。

逆バイアスダイオード２１７のカソード端子は、供給端１７ａ、スイッチ素子１３１ｇａのソース端子Ｓおよびスイッチ素子１３１ｇｂのソース端子に接続されている。逆バイアスダイオード２１７のアノード端子は、誘導性素子１１５の他端子、ダイオード１１１ｄのアノード端子、ダイオード１１３ｄのカソード端子及び逆バイアスダイオード２１９のカソード端子に接続されている。逆バイアスダイオード２１９のアノード端子は、供給端１７ｂ、スイッチ素子１３１ｇｃのソース端子Ｓおよびスイッチ素子１３１ｇｄのソース端子に接続されている。

本実施形態における閉回路１１１ｃ及び閉回路１１３ｃは、上記第１実施形態と同様に供給端１７ａ及び供給端１７ｂに直結されていない。このため、駆動回路２は、容量性負荷８を駆動する際に、容量性負荷８からエネルギー転送回路１１へのエネルギーの転送損失を低減することができる。これにより、駆動回路１は、容量性負荷８の駆動時の消費電力の低減を図ることができる。

また、閉回路１１１ｃ，１１３ｃが電圧生成回路１５の出力端子やグランド端子などの定電圧部に直結されないことによって、上記第１実施形態と同様に、容量性負荷８の両端子間の電圧が供給端１７ａおよび供給端１７ｂの電位差から外れてしまう可能性がある。しかしながら、駆動回路２は、エネルギー転送回路１１に接続された逆バイアスダイオード２１７および逆バイアスダイオード２１９を備えている。これにより、閉回路１１１ｃおよび閉回路１１３ｃのそれぞれにおいて、容量性負荷８および誘導性素子１１５が互いに接続されていない方の端子間（すなわち容量性負荷８および誘導性素子１１５のそれぞれの他端子間）が逆バイアスダイオード２１７および供給端１７ａを介して電圧生成回路１５の出力端子に電気的に接続される。さらに、閉回路１１１ｃおよび閉回路１１３ｃのそれぞれにおいて、容量性負荷８および誘導性素子１１５が互いに接続されていない方の端子間（すなわち容量性負荷８および誘導性素子１１５のそれぞれの他端子間）が逆バイアスダイオード１１９および供給端１７ｂを介し基準電流電位の供給部（グランド端子）に電気的に接続される。これにより、駆動回路２は、容量性負荷８が充放電を繰り返しても、容量性負荷８の両端子間の電圧が供給端１７ａおよび供給端１７ｂの電位差から外れてしまうことが防止される。

[駆動回路の制御方法]
駆動回路２は、上記第１実施形態による駆動回路１と同じ構成のブリッジ回路１３１およびエネルギー転送回路１１を備えている。このため、駆動回路２の制御方法は、上記第１実施形態による駆動回路１の制御方法と同様であるため、その説明は省略する。

以上説明したように、本実施形態による駆動回路、上記第１実施形態による駆動回路、電子機器および駆動回路の制御方法と同様の効果が得られる。

＜３．第３実施形態＞
本技術の第３実施形態による駆動回路、電子機器、および、駆動回路の制御方法について図７を用いて説明する。本実施形態による電子機器は、上記規第１実施形態による電子機器ＥＤと同様の構成を有し、同様の機能を発揮するため、説明は省略する。また、本実施形態による駆動回路は、上記第１実施形態による駆動回路１と同様の構成例を有するため、ブロック図の図示は省略する。さらに、本実施形態の駆動回路の構成要素に関し、上記第１実施形態による駆動回路と同一の作用・機能を奏する構成要素には、同一の符号を付してその説明は省略する。

［駆動回路の構成例］
図７に示すように、本実施形態による駆動回路３は、容量性負荷８への交流電圧の印加を制御する制御回路１３を備えている。駆動回路３は、容量性負荷８とともに閉回路３１１ｃ（第一閉回路の一例）を構成する誘導性素子１１５を備えている。駆動回路３は、容量性負荷８及び誘導性素子１１５の間で誘導性素子１１５に直列に接続されて閉回路３１１ｃを構成するダイオード３１１ｄ（第一ダイオード型素子の一例）を備えている。ダイオード３１１ｄは、例えばＰＮ接合型ダイオードで構成されている。駆動回路３は、容量性負荷８及び誘導性素子１１５の間でダイオード３１１ｄと直列に接続されて閉回路３１１ｃを構成するスイッチ素子３１１ｓ（第一スイッチ素子の一例）を備えている。スイッチ素子３１１ｓは、例えばＰ型の電界効果トランジスタで構成されている。

より具体的には、誘導性素子１１５の一端子は、容量性負荷８の一端子に接続されている。誘導性素子１１５の他端子は、スイッチ素子３１１ｓのドレイン端子Ｄに接続されている。スイッチ素子３１１ｓのソース端子Ｓは、ダイオード３１１ｄのアノード端子に接続されている。ダイオード３１１ｄのカソード端子は、容量性負荷８の他端子に接続されている。これにより、誘導性素子１１５、スイッチ素子３１１ｓ、ダイオード３１１ｄおよび容量性負荷８によって電流の流れる電流経路が確立され、閉回路３１１ｃが構成される。

図７に示すように、駆動回路３は、誘導性素子１１５に直列かつダイオード３１１ｄ及びスイッチ素子３１１ｓに並列に接続されて閉回路３１３ｃ（第二閉回路の一例）を構成するダイオード３１３ｄ（第二ダイオード型素子の一例）を備えている。ダイオード３１３ｄは、例えばＰＮ接合型ダイオードで構成されている。駆動回路３は、ダイオード３１３ｄに直列かつダイオード３１１ｄ及びスイッチ素子３１１ｓに並列に接続されて閉回路３１３ｃを構成するスイッチ素子３１３ｓ（第二スイッチ素子の一例）を備えている。スイッチ素子３１３ｓは、例えばＰ型の電界効果トランジスタで構成されている。

より具体的には、ダイオード３１３ｄのカソード端子は、誘導性素子１１５の他端子およびダイオード３１１ｄのカソード端子に接続されている。ダイオード３１３ｄのアノード端子は、スイッチ素子３１３ｓのドレイン端子Ｄに接続されている。スイッチ素子３１３ｓのソース端子Ｓは、ダイオード３１１ｄのカソード端子および容量性負荷８の他端子に接続されている。これにより、誘導性素子１１５、ダイオード３１３ｄ、スイッチ素子３１３ｓおよび容量性負荷８によって電流の流れる電流経路が確立され、閉回路３１３ｃが構成される。

図７に示すように、駆動回路３は、誘導性素子１１５、ダイオード３１１ｄ及びスイッチ素子３１１ｓで構成されて容量性負荷８に蓄積されているエネルギーを転送するエネルギー転送部３１１（第一エネルギー転送部の一例）を備えている。駆動回路３は、誘導性素子１１５、ダイオード３１３ｄおよびスイッチ素子３１３ｓで構成されて容量性負荷８に蓄積されているエネルギーを転送するエネルギー転送部３１３（第二エネルギー転送部の一例）を備えている。駆動回路３は、エネルギー転送部３１１およびエネルギー転送部３１３を有するエネルギー転送回路３１を備えている。

エネルギー転送部３１１は、容量性負荷８の一端子から容量性負荷８の他端子に向かって順方向となるダイオード３１１ｄを有している。エネルギー転送部３１３は、容量性負荷８の他端子から容量性負荷８の一端子に向かって順方向となるダイオード３１３ｄを有している。また、制御信号生成部１３３の制御信号を出力する複数（本実施形態では６個）の出力端子のうちの２個の端子は、スイッチ素子３１１ｓおよびスイッチ素子３１３ｓのそれぞれのゲート端子Ｇに１対１の関係で接続されている。このため、制御回路１３は、スイッチ素子３１１ｓおよびスイッチ素子３１３ｓのオン/オフ状態を独立して制御することができる。

このため、正の直流電圧に基づくエネルギーが容量性負荷８に蓄積されている場合、エネルギー転送回路３１は、スイッチ素子３１１ｓをオン状態とし、かつスイッチ素子３１３ｓをオフ状態とするように制御回路１３によって制御される。その結果、閉回路３１１ｃに電流経路が確立されるので、容量性負荷８に蓄積されたエネルギーは閉回路３１１ｃによって誘導性素子１１５に転送され、容量性負荷８の両端に印加された直流電圧は降圧される。

一方、負の直流電圧に基づくエネルギーが容量性負荷８に蓄積されている場合、エネルギー転送回路３１は、スイッチ素子３１１ｓをオフ状態とし、かつスイッチ素子３１３ｓをオン状態とするように制御回路１３によって制御される。その結果、閉回路３１３ｃに電流経路が確立されるので、容量性負荷８に蓄積されたエネルギーは閉回路３１３ｃによって誘導性素子１１５に転送され、容量性負荷８の両端に印加された直流電圧は昇圧される。

図７に示すように、駆動回路３は、容量性負荷８及び誘導性素子１１５の間と、正側直流電位（第一直流電位の一例）の供給端１７ａ（第一供給端の一例）との間に接続された逆バイアスダイオード３１７（第一逆バイアスダイオード型素子の一例）を備えている。逆バイアスダイオード３１７は、例えばＰＮ接合型ダイオードで構成されている。逆バイアスダイオード３１７のカソード端子は、正側直流電位が出力される供給端１７ａ、スイッチ素子１３１ｇａのソース端子Ｓおよびスイッチ素子１３１ｇｂのソース端子Ｓに接続されている。逆バイアスダイオード３１７のアノード端子は、スイッチ素子３１１ｓのドレイン端子Ｄおよびダイオード３１３ｄのカソード端子に接続されている。正側直流電位は、電圧生成回路１５が生成した電圧のハイレベル側の電位である。供給端１７ａは、制御回路１３を介して電圧生成回路１５が生成した電圧を容量性負荷８に供給するための端子である。このため、逆バイアスダイオード３１７には、正側直流電位によって逆バイアスが印加されるようになっている。

駆動回路３は、容量性負荷８及び誘導性素子１１５の間と、基準直流電位（第二直流電位の一例）の供給端１７ｂ（第二供給端の一例）との間に接続された逆バイアスダイオード３１９（第二逆バイアスダイオード型素子の一例）を備えている。逆バイアスダイオード３１９は、例えばＰＮ接合型ダイオードで構成されている。逆バイアスダイオード３１９のアノード端子は、基準電流電位の供給端１７ｂ、スイッチ素子１３１ｇｃのソース端子およびスイッチ素子１３１ｇｄのソース端子Ｓに接続されている。逆バイアスダイオード３１９のカソード端子は、逆バイアスダイオード３１７のアノード端子、スイッチ素子３１１ｓのドレイン端子Ｄおよびダイオード３１３ｄのカソード端子に接続されている。基準電流電位の供給端１７ｂはグランド端子である。このため、逆バイアスダイオード３１７には、基準直流電位によって逆バイアスが印加されるようになっている。

本実施形態における閉回路３１１ｃ及び閉回路３１３ｃは、上記第１実施形態と同様に供給端１７ａ及び供給端１７ｂに直結されていない。このため、駆動回路３は、容量性負荷８を駆動する際に、容量性負荷８からエネルギー転送回路３１へのエネルギーの転送損失を低減することができる。これにより、駆動回路３は、容量性負荷８の駆動時の消費電力の低減を図ることができる。

また、閉回路３１１ｃ，３１３ｃが電圧生成回路１５の出力端子やグランド端子などの定電圧部に直結されないことによって、上記第１実施形態と同様に、容量性負荷８の両端子間の電圧が供給端１７ａおよび供給端１７ｂの電位差から外れてしまう可能性がある。しかしながら、駆動回路３は、エネルギー転送回路３１に接続された逆バイアスダイオード３１７および逆バイアスダイオード３１９を備えている。これにより、閉回路３１１ｃおよび閉回路３１３ｃのそれぞれにおいて、容量性負荷８および誘導性素子１１５が互いに接続されていない方の端子間（すなわち容量性負荷８および誘導性素子１１５のそれぞれの他端子間）が逆バイアスダイオード３１７および供給端１７ａを介して電圧生成回路１５の出力端子に電気的に接続される。さらに、閉回路３１１ｃおよび閉回路３１３ｃのそれぞれにおいて、容量性負荷８および誘導性素子１１５が互いに接続されていない方の端子間（すなわち容量性負荷８および誘導性素子１１５のそれぞれの他端子間）が逆バイアスダイオード３１９および供給端１７ｂを介して基準電流電位の供給部（グランド端子）に電気的に接続される。これにより、駆動回路３は、容量性負荷８が充放電を繰り返しても、容量性負荷８の両端子間の電圧が供給端１７ａおよび供給端１７ｂの電位差から外れてしまうことが防止される。

[駆動回路の制御方法]
駆動回路３は、Ｐ型の電界効果トランジスタで構成されたスイッチ素子３１１ｓをエネルギー転送部３１１に有している。これに対し、上記第１実施形態による駆動回路１は、Ｎ型の電界効果トランジスタで構成されたスイッチ素子１１１ｓをエネルギー転送部１１１に有している。このため、本実施形態による駆動回路３の制御方法は、スイッチ素子３１１ｓのゲート信号が上記第１実施形態による駆動回路１の制御方法におけるスイッチ素子１１１ｓのゲート信号（図４参照）と異なる。具体的には、スイッチ素子３１１ｓのゲート信号は、スイッチ素子１１１ｓのゲート信号と反転タイミングは同一であるが電圧レベルは逆転した信号となる。図４を参照して説明すると、スイッチ素子３１１ｓのゲート信号は、時刻ｔ０から時刻ｔ２までハイレベルであり、時刻ｔ２から時刻ｔ４までローレベルであり、時刻ｔ４以降がハイレベルである電圧波形となる。これにより、駆動回路３に設けられたエネルギー転送部３１１は、駆動回路１に設けられたエネルギー転送部１１１と同様に動作することができる。その結果、駆動回路３は、駆動回路１と同様に制御されることができる。

以上説明したように、本実施形態による駆動回路、電子機器および駆動回路の制御方法は、上記第１実施形態および上記第２実施形態による駆動回路、電子機器および駆動回路の制御方法と同様の効果が得られる。

（駆動回路の制御方法の変形例）
次に、第１実施形態から第３実施形態による駆動回路に適用可能な駆動回路の制御方法の変形例について図８Ａおよび図８Ｂを用いて説明する。図８Ａおよび図８Ｂは、本変形例を説明するための制御波形の一例を示す図である。図８Ａは、本変形例による駆動回路の制御方法を適用した場合の制御波形の一例を示している。図８Ｂは、本変形例による駆動回路の制御方法を適用していない場合の比較例の制御波形の一例を示している。図８Ａ中および図８Ｂ中のそれぞれの上段には、駆動回路の制御信号の電圧波形が示され、下段には、駆動回路の制御信号の電流波形が示されている。図８Ａ中および図８Ｂ中に示す「Ｖｄ」は、容量性負荷を駆動するための駆動電源の電圧波形を表している。図８Ａ中および図８Ｂ中に示す「Ｖｒ」は、容量性負荷に印加される負荷電圧の電圧波形を表している。図８Ａ中および図８Ｂ中に示す「Ｉｒ」は、容量性負荷に流れる負荷電流の電流波形を表している。なお、本変形例の説明において、図３に示す上記第１実施形態による駆動回路の参照符号を用いて説明する。

図８Ａ中の上段に示すように、本変形例による駆動回路１の制御方法は、１回目の負荷電圧（交流電圧の一例）の電圧レベルを２回目以降の負荷電圧の電圧レベルよりも低くして容量性負荷に印加する。

ところで、容量性負荷に印加する電圧を反転するためには、容量性負荷にエネルギーが蓄積されている（電荷が充電されている）場合よりも容量性負荷にエネルギーが蓄積されていない（電荷が充電されていない）場合の方が大きい電流量が必要とされる。駆動回路が動作を開始する前では、容量性負荷にエネルギーが蓄積されていない。このため、駆動回路は、１回目の駆動によって容量性負荷を満充電するためには、目標とする電圧レベルの駆動電源を容量性負荷に印加するとともに満充電するために必要な電流を流す必要がある。そうすると、図８Ｂ中の上段に示すように、目標とする電圧レベルの駆動電源Ｖｄによって、容量性負荷に印加される負荷電圧Ｖｒは１回目の駆動時に目標の電圧レベルとなる。しかしながら、図８Ｂ中の下段に円形枠εで囲んで示すように、１回目の駆動時の負荷電流Ｉｒは、２回目以降の負荷電流Ｉｒよりも３倍程度の電流量となる。これにより、駆動回路は、消費電力が増加するとともに、高耐圧のスイッチ素子やダイオードで構成する必要が生じる。

これに対し、図８Ａ中に駆動電源Ｖｄで示すように、本変形例による駆動回路１は、駆動回路１の動作開始前に、容量性負荷８を駆動するための駆動電源（すなわち電圧生成回路１５の出力電圧）が容量性負荷８を駆動する目標の駆動電圧よりも低い電圧レベル（例えば当該駆動電圧の電圧レベルの２／３）に設定される。さらに、本変形例による駆動回路１は、動作開始後に、容量性負荷８を駆動するための駆動電源の電圧レベルが目標の駆動電源の電圧レベルに徐々に近づくように設定される。

これにより、図８Ａ中の上段に示すように、容量性負荷８の負荷電圧Ｖｒは、駆動回路１の動作開始から数回（本変形例では４回）の反転動作において目標の電圧レベルに到達しない。しかしながら、図８Ａ中の下段に円形枠γで囲んで示すように、１回目の駆動時の負荷電流Ｉｒは、２回目以降の負荷電流Ｉｒと同程度の電流量となる。これにより、駆動回路１は、消費電力の低減と、スイッチ素子１１１ｓやダイオード１１１ｄなどの構成部品の低耐圧化とを図ることができる。

＜４．第４実施形態＞
本技術の第４実施形態による駆動回路、電子機器、および、駆動回路の制御方法について図９から図１１を用いて説明する。本実施形態による電子機器は、複数の容量性負荷を駆動できる点を除いて、上記第１実施形態による電子機器ＥＤと同様の構成を有し、同様の機能を発揮するため、説明は省略する。なお、本実施形態では、電子機器に設けられたバッテリは、上記第１実施形態による電子機器ＥＤに設けられた「バッテリ９」を用いて説明する。

［駆動回路の構成例］
図９は、本技術の第４実施形態による駆動回路４の一構成例を示すブロック図である。
図９に示すように、駆動回路４は、バッテリ９（図９では不図示）に接続された電圧生成回路４５と、駆動信号Ｓｄ４が入力される制御回路４３（第一制御回路の一例）とを有している。駆動回路４は、駆動信号Ｓｄ５が入力される制御回路５３（第二制御回路の一例）および駆動信号Ｓｄ６が入力される制御回路６３（第二制御回路の一例）を有している。駆動回路４は、電圧生成回路４５および制御回路４３に接続されたエネルギー転送回路４１と、電圧生成回路４５および制御回路５３に接続されたエネルギー転送回路５１と、電圧生成回路４５および制御回路６３に接続されたエネルギー転送回路６１とを有している。エネルギー転送回路４１には、容量性負荷８４（第一容量性負荷の一例）が接続されている。エネルギー転送回路５１には、容量性負荷８５（第二容量性負荷の一例）が接続されている。エネルギー転送回路６１には、容量性負荷８６（第二容量性負荷の一例）が接続されている。

電圧生成回路４５は、バッテリ９から入力される直流電圧（例えば３．５Ｖ）を昇圧し、昇圧した直流電圧（例えば５Ｖから１５Ｖ）をエネルギー転送回路４１，５１，６１に出力するようになっている。電圧生成回路４５は、出力電圧を所定範囲で変更可能な直流−直流（ＤＣ−ＤＣ）電圧変換回路で構成されている。

制御回路４３は、容量性負荷８４への交流電圧の印加を制御する回路である。制御回路４３は、外部から入力される駆動信号Ｓｄ４に基づいて、エネルギー転送回路４１を制御する制御信号を生成するようになっている。制御回路５３は、容量性負荷８５への交流電圧の印加を制御する回路である。制御回路５３は、外部から入力される駆動信号Ｓｄ５に基づいて、エネルギー転送回路５１を制御する制御信号を生成するようになっている。制御回路６３は、容量性負荷８６への交流電圧の印加を制御する回路である。制御回路６３は、外部から入力される駆動信号Ｓｄ６に基づいて、エネルギー転送回路６１を制御する制御信号を生成するようになっている。制御回路４３，５３，６３の詳細は後述する。

エネルギー転送回路４１は、容量性負荷８４が駆動される際に容量性負荷８４に蓄積されたエネルギーを誘導性素子４１５に転送する回路である。駆動回路４は、電圧生成回路４５から電力を供給して容量性負荷８４を駆動するようになっている。エネルギー転送回路５１は、容量性負荷８５が駆動される際に容量性負荷８５に蓄積されたエネルギーを誘導性素子４１５に転送する回路である。駆動回路４は、電圧生成回路４５から電力を供給して容量性負荷８５を駆動するようになっている。エネルギー転送回路６１は、容量性負荷８６が駆動される際に容量性負荷８６に蓄積されたエネルギーを誘導性素子４１５に転送する回路である。駆動回路４は、電圧生成回路４５から電力を供給して容量性負荷８６を駆動するようになっている。詳細は後述するが、駆動回路４は、容量性負荷８４，８５，８６を独立して駆動する際に、エネルギー転送回路４１，５１，６１によって容量性負荷８４，８５，８６を独立して充放電しながら電圧生成回路４５から電力を供給できる。これにより、駆動回路４は、低消費電力化を図ることができる。また、駆動回路４は、容量性負荷８４，８５，８６に蓄積されたエネルギーを転送する誘導性素子をエネルギー転送回路４１，５１，６１で共有するように構成されている。電界効果トランジスタやダイオードはＩＣ化することが容易であるが、マイクロヘンリー（μＨ）オーダーの誘導性素子は、ＩＣ化することが極めて困難である。本実施形態による駆動回路４では、誘導性素子をエネルギー転送回路４１，５１，６１で共有することにより、誘導性素子を外付けで設けても駆動回路４の大型化を防止できる。

次に、本実施形態による駆動回路４の具体的な回路構成について図１０を用いて説明する。図１０は、駆動回路４の一構成例を示す回路図である。

図１０に示すように、駆動回路４は、容量性負荷８４への交流電圧の印加を制御する制御回路４３を備えている。駆動回路４は、容量性負荷８４とともに閉回路４１１ｃ（第一閉回路の一例）を構成する誘導性素子４１５を備えている。駆動回路４は、容量性負荷８４及び誘導性素子４１５の間で誘導性素子４１５に直列に接続されて閉回路４１１ｃを構成するダイオード４１１ｄ（第一ダイオード型素子の一例）を備えている。ダイオード４１１ｄは、例えばＰＮ接合型ダイオードで構成されている。駆動回路４は、容量性負荷８４及び誘導性素子４１５の間でダイオード４１１ｄと直列に接続されて閉回路４１１ｃを構成するスイッチ素子４１１ｓ（第一スイッチ素子の一例）を備えている。スイッチ素子４１１ｓは、例えばＰ型の電界効果トランジスタで構成されている。

より具体的には、誘導性素子４１５の一端子は、切断スイッチ素子４６ａ，４６ｂ（詳細は後述）を介して容量性負荷８４の一端子に接続されている。誘導性素子４１５の他端子は、ダイオード４１１ｄのアノード端子に接続されている。ダイオード４１１ｄのカソード端子は、スイッチ素子４１１ｓのソース端子Ｓに接続されている。スイッチ素子４１１ｓのドレイン端子Ｄは、容量性負荷８４の他端子に接続されている。これにより、容量性負荷８４、切断スイッチ素子４６ａ，４６ｂ誘導性素子４１５、ダイオード４１１ｄおよびスイッチ素子４１１ｓによって電流の流れる電流経路が確立され、閉回路４１１ｃが構成される。

図１０に示すように、駆動回路４は、誘導性素子４１５に直列かつダイオード４１１ｄ及びスイッチ素子４１１ｓに並列に接続されて閉回路４１３ｃ（第二閉回路の一例）を構成するダイオード４１３ｄ（第二ダイオード型素子の一例）を備えている。ダイオード４１３ｄは、例えばＰＮ接合型ダイオードで構成されている。駆動回路４は、ダイオード４１３ｄに直列かつダイオード４１１ｄ及びスイッチ素子４１１ｓに並列に接続されて閉回路４１３ｃを構成するスイッチ素子４１３ｓ（第二スイッチ素子の一例）を備えている。スイッチ素子４１３ｓは、例えばＰ型の電界効果トランジスタで構成されている。

より具体的には、ダイオード４１３ｄのカソード端子は、誘導性素子４１５の他端子およびダイオード４１１ｄのアノード端子に接続されている。ダイオード４１３ｄのアノード端子は、スイッチ素子４１３ｓのドレイン端子Ｄに接続されている。スイッチ素子４１３ｓのソース端子Ｓは、スイッチ素子４１１ｓのドレイン端子Ｄおよび容量性負荷８４の他端子に接続されている。これにより、容量性負荷８４、スイッチ素子４１３ｓ、ダイオード４１３ｄ、誘導性素子４１５および切断スイッチ素子４６ａ，４６ｂによって電流の流れる電流経路が確立され、閉回路４１３ｃが構成される。

図１０に示すように、駆動回路４に備えられた制御回路４３は、複数（本実施形態では４個）のスイッチ素子４３１ｇａ〜４３１ｇｄを有するスイッチ素子群４３１ｇ（第一スイッチ素子群の一例）で構成されて容量性負荷８４の両端に接続されたブリッジ回路４３１（第一ブリッジ回路の一例）を有している。また、制御回路４３は、複数のスイッチ素子４３１ｇａ〜４３１ｇｄ、スイッチ素子４１１ｓ及びスイッチ素子４１３ｓのスイッチングを制御する制御信号を生成する制御信号生成部４３３（第一制御信号生成部）を有している。

ブリッジ回路４３１は、正側直流電位（第一直流電位の一例）の供給端１７４ａ（第一供給端の一例）と、基準直流電位（第二直流電位の一例）の供給端１７４ｂ（第二供給端の一例）との間に接続されている。正側直流電位は、電圧生成回路４５が生成した電圧のハイレベル側の電位である。基準直流電位の供給端１７４ｂはグランド端子である。電圧生成回路４５の基準電位端子は当該グランド端子に接続されている。電圧生成回路４５が生成する電圧は、正側直流電位と基準直流電位との電位差に相当する。このため、ブリッジ回路４３１の両端には、電圧生成回路４５が生成した電圧が印加される。

制御回路４３は、供給端１７４ａおよび供給端１７４ｂの間に設けられたコンデンサ４３５を有している。コンデンサ４３５の一方の電極は供給端１７４ａに接続され、コンデンサ４３５の他方の電極は供給端１７４ｂに接続されている。コンデンサ４３５は、電圧生成回路４５から出力される電圧の変動を防止するために設けられている。これにより、ブリッジ回路４３１の両端には、ほぼ一定の電圧が供給される。

ブリッジ回路４３１は、４個のスイッチ素子４３１ｇａ〜４３１ｇｄで構成されたフルブリッジ回路の構成を有している。スイッチ素子４３１ｇａおよびスイッチ素子４３１ｇｂは、例えばＰ型の電界効果トランジスタで構成されている。スイッチ素子４３１ｇｃおよびスイッチ素子４３１ｇｄは、例えばＮ型の電界効果トランジスタで構成されている。

スイッチ素子４３１ｇａのソース端子Ｓは、供給端１７４ａおよびスイッチ素子４３１ｇｂのソース端子Ｓに接続されている。スイッチ素子４３１ｇａのドレイン端子Ｄは、スイッチ素子４３１ｇｃのドレイン端子Ｄに接続されている。スイッチ素子４３１ｇｂのドレイン端子Ｄは、スイッチ素子４３１ｇｄのドレイン端子Ｄに接続されている。スイッチ素子４３１ｇｃのソース端子Ｓおよびスイッチ素子４３１ｇｄのソース端子Ｓは、供給端１７４ｂに接続されている。

スイッチ素子４３１ｇａのドレイン端子Ｄおよびスイッチ素子４３１ｇｃのドレイン端子Ｄは、容量性負荷８４の一端子および切断スイッチ素子４６ａ，４６ｂのソース端子Ｓに接続されている。スイッチ素子４３１ｇａのドレイン端子Ｄおよびスイッチ素子４３１ｇｃのドレイン端子Ｄは、切断スイッチ素子４６ａ，４６ｂを介して誘導性素子４１５の一端子に接続されている。スイッチ素子４３１ｇｂのドレイン端子Ｄおよびスイッチ素子４３１ｇｄのドレイン端子Ｄは、容量性負荷８４の他端子並びにスイッチ素子４１１ｓのソース端子Ｓおよびスイッチ素子４１３ｓのソース端子Ｓに接続されている。

このため、スイッチ素子４３１ｇａおよびスイッチ素子４３１ｇｄがオン状態であり、かつスイッチ素子４３１ｇｂおよびスイッチ素子４３１ｇｃがオフ状態の場合には、容量性負荷８４の一端子はスイッチ素子４３１ｇａを介して供給端１７４ａに電気的に接続され、容量性負荷８４の他端子はスイッチ素子４３１ｇｄを介して供給端１７４ｂに接続される。これにより、スイッチ素子４３１ｇａ，４３１ｇｄがオン状態であり、かつスイッチ素子４３１ｇｂ，４３１ｇｃがオフ状態の場合には、容量性負荷８４の一端子には正側直流電位が印加され、容量性負荷８４の他端子には負側直流電位が印加される。その結果、容量性負荷８４の両端に印加される直流電圧は、正の電圧となる。

また、スイッチ素子４３１ｇａおよびスイッチ素子４３１ｇｄがオフ状態であり、かつスイッチ素子４３１ｇｂおよびスイッチ素子４３１ｇｃがオン状態の場合には、容量性負荷８４の一端子はスイッチ素子４３１ｇｃを介して供給端１７４ｂに電気的に接続され、容量性負荷８４の他端子はスイッチ素子４３１ｇｂを介して供給端１７４ａに接続される。これにより、スイッチ素子４３１ｇａ，４３１ｇｄがオフ状態であり、かつスイッチ素子４３１ｇｂ，４３１ｇｃがオン状態の場合には、容量性負荷８４の一端子には負側直流電位が印加され、容量性負荷８４の他端子には正側直流電位が印加される。その結果、容量性負荷８４の両端に印加される直流電圧は、負の電圧となる。

制御信号生成部４３３は、外部から入力される駆動信号Ｓｄ４に基づいて生成される複数の制御信号を出力する複数（本実施形態では８個）の出力端子を有している。制御信号生成部４３３の当該複数の出力端子のうちの４個の端子は、４個のスイッチ素子４３１ｇａ〜４３１ｇｄのそれぞれのゲート端子Ｇに１対１の関係で接続されている。このため、制御回路４３は、４個のスイッチ素子４３１ｇａ〜４３１ｇｄのオン／オフ状態を独立して制御し、直流電圧の正負が反転する交流電圧を容量性負荷８の両端に印加できる。

図１０に示すように、駆動回路４は、誘導性素子４１５、ダイオード４１１ｄ及びスイッチ素子４１１ｓで構成されて容量性負荷８４に蓄積されているエネルギーを転送するエネルギー転送部４１１（第一エネルギー転送部の一例）を備えている。駆動回路４は、誘導性素子４１５、ダイオード４１３ｄおよびスイッチ素子４１３ｓで構成されて容量性負荷８４に蓄積されているエネルギーを転送するエネルギー転送部４１３（第二エネルギー転送部の一例）を備えている。駆動回路４は、エネルギー転送部４１１およびエネルギー転送部４１３を有するエネルギー転送回路４１を備えている。

エネルギー転送部４１１は、容量性負荷８４の一端子から容量性負荷８４の他端子に向かって順方向となるダイオード４１１ｄを有している。エネルギー転送部４１３は、容量性負荷８４の他端子から容量性負荷８４の一端子に向かって順方向となるダイオード４１３ｄを有している。また、制御信号生成部４３３の制御信号を出力する複数の出力端子の残余の４個のうちの２個の端子は、スイッチ素子４１１ｓおよびスイッチ素子４１３ｓのそれぞれのゲート端子Ｇに１対１の関係で接続されている。このため、制御回路４３は、スイッチ素子４１１ｓおよびスイッチ素子４１３ｓのオン/オフ状態を独立して制御することができる。

このため、正の直流電圧に基づくエネルギーが容量性負荷８４に蓄積されている場合、エネルギー転送回路４１は、スイッチ素子４１１ｓをオン状態とし、かつスイッチ素子４１３ｓをオフ状態とするように制御回路４３によって制御される。その結果、閉回路４１１ｃに電流経路が確立されるので、容量性負荷８４に蓄積されたエネルギーは閉回路４１１ｃによって誘導性素子４１５に転送され、容量性負荷８４の両端に印加された直流電圧は降圧される。

一方、負の直流電圧に基づくエネルギーが容量性負荷８４に蓄積されている場合、エネルギー転送回路４１は、スイッチ素子４１１ｓをオフ状態とし、かつスイッチ素子４１３ｓをオン状態とするように制御回路４３によって制御される。その結果、閉回路４１３ｃに電流経路が確立されるので、容量性負荷８４に蓄積されたエネルギーは閉回路４１３ｃによって誘導性素子４１５に転送され、容量性負荷８４の両端に印加された直流電圧は昇圧される。

図１０に示すように、駆動回路４は、容量性負荷８４及び誘導性素子４１５の間と、正側直流電位（第一直流電位の一例）の供給端１７４ａ（第一供給端の一例）との間に接続された逆バイアスダイオード４１７ａ，４１７ｂ（第一逆バイアスダイオード型素子の一例）を備えている。逆バイアスダイオード４１７ａおよび逆バイアスダイオード４１７ｂのそれぞれのカソード端子は、正側直流電位が出力される供給端１７４ａに接続されている。逆バイアスダイオード４１７ａのアノード端子は、誘導性素子４１５の他端子、ダイオード４１１ｄのアノード端子およびダイオード４１３ｄのカソード端子に接続されている。逆バイアスダイオード４１７ｂのアノード端子は、誘導性素子４１５の一端子、切断スイッチ素子４６ａのドレイン端子Ｄおよび切断スイッチ素子４６ｂのソース端子Ｓに接続されている。正側直流電位は、電圧生成回路４５が生成した電圧のハイレベル側の電位である。供給端１７４ａは、制御回路４３を介して電圧生成回路４５が生成した電圧を容量性負荷８４に供給するための端子である。このため、逆バイアスダイオード４１７ａ，４１７ｂには、正側直流電位によって逆バイアスが印加されるようになっている。

駆動回路４は、容量性負荷８４及び誘導性素子４１５の間と、基準直流電位（第二直流電位の一例）の供給端１７４ｂ（第二供給端の一例）との間に接続された逆バイアスダイオード４１９ａ，４１９ｂ（第二逆バイアスダイオード型素子の一例）を備えている。逆バイアスダイオード４１９ａおよび逆バイアスダイオード４１９ｂのそれぞれのアノード端子は、基準電流電位の供給端１７４ｂに接続されている。逆バイアスダイオード４１９ａのカソード端子は、誘導性素子４１５の他端子、ダイオード４１１ｄのアノード端子およびダイオード４１３ｄのカソード端子に接続されている。逆バイアスダイオード４１９ｂのカソード端子は、誘導性素子４１５の一端子、逆バイアスダイオード４１７ｂのアノード端子、切断スイッチ素子４６ａのドレイン端子Ｄおよび切断スイッチ素子４６ｂのソース端子Ｓに接続されている。基準電流電位の供給端１７４ｂはグランド端子である。このため、逆バイアスダイオード４１９，４１９ｂには、基準直流電位によって逆バイアスが印加されるようになっている。

ところで、閉回路４１１ｃ及び閉回路４１３ｃは、供給端１７４ａ及び供給端１７４ｂに直結されていない。このため、駆動回路４は、容量性負荷８４から電圧生成回路４５や基準電流電位の供給端１７４ｂ（グランド端子）に電流が流れる経路を有していない。このため、駆動回路４は、容量性負荷８４からエネルギー転送回路４１にエネルギーを転送する際に、容量性負荷８４に蓄積されているエネルギーが電圧生成回路４５やグランド端子に放電することが防止される。このため、駆動回路４は、容量性負荷８４を駆動する際に、容量性負荷８４からエネルギー転送回路４１へのエネルギーの転送損失を低減することができる。これにより、駆動回路４は、容量性負荷８４の駆動時の消費電力の低減を図ることができる。

しかしながら、閉回路４１１ｃ，４１３ｃが電圧生成回路４５の出力端子やグランド端子などの定電圧部に直結されないことによって、容量性負荷８４が充放電を繰り返しているうちに容量性負荷８４の両端子間の電圧が供給端１７４ａおよび供給端１７４ｂの電位差から外れてしまう可能性がある。ところが、駆動回路４は、上述のとおり、エネルギー転送回路４１に接続された逆バイアスダイオード４１７ａ，４１７ｂおよび逆バイアスダイオード４１９ａ，４１９ｂを有している。これにより、閉回路４１１ｃにおいて容量性負荷８４および誘導性素子４１５が切断スイッチ素子４６ａ，４６ｂを介して互いに接続されていない方の端子間（すなわち容量性負荷８４および誘導性素子４１５のそれぞれの他端子間）が逆バイアスダイオード４１７ａおよび供給端１７４ａを介して電圧生成回路４５の出力端子に電気的に接続される。同様に、閉回路４１３ｃにおいて容量性負荷８４および誘導性素子４１５が互いに接続されていない方の端子間（すなわち容量性負荷８４および誘導性素子４１５のそれぞれの他端子間）が逆バイアスダイオード４１９ａおよび供給端１７４ｂを介し基準電流電位の供給部（グランド端子）に電気的に接続される。これにより、駆動回路４は、容量性負荷８４が充放電を繰り返しても、容量性負荷８４の両端子間の電圧が供給端１７４ａおよび供給端１７４ｂの電位差から外れてしまうことが防止される。

駆動回路４は、容量性負荷８４及び誘導性素子４１５の間で容量性負荷８４及び誘導性素子４１５に直列に接続されて閉回路４１１ｃ及び閉回路４１３ｃから誘導性素子４１５を電気的に切断する切断スイッチ素子４６ａ，４６ｂ（第一切断スイッチ素子の一例）を備えている。切断スイッチ素子４６ａおよび切断スイッチ素子４６ｂはいずれも、例えばＰ型の電界効果トランジスタで構成されている。切断スイッチ素子４６ａのソース端子Ｓは、容量性負荷８４の一端子および切断スイッチ素子４６ｂのドレイン端子Ｄに接続されている。切断スイッチ素子４６ａのドレイン端子Ｄは、誘導性素子４１５の一端子および切断スイッチ素子４６ｂのソース端子Ｓに接続されている。切断スイッチ素子４６ａおよび切断スイッチ素子４６ｂのそれぞれのゲート端子Ｇは、制御信号生成部４３３の制御信号を出力する複数の出力端子の残余（２個）の端子に１対１の関係で接続されている。このため、制御回路４３は、切断スイッチ素子４６ａおよび切断スイッチ素子４６ｂのオン/オフ状態を独立して制御することができる。

上述のとおり、誘導性素子４１５は、エネルギー転送回路４１、エネルギー転送回路５１およびエネルギー転送回路６１で共有されている。このため、駆動回路４は、エネルギー転送回路４１によって容量性負荷８４からエネルギーを誘導性素子４１５に転送している場合には、エネルギー転送回路５１，６１のそれぞれに接続された切断スイッチ素子（詳細は後述）を全てオフ状態に設定する。これにより、駆動回路４は、エネルギー転送回路５１，６１を誘導性素子４１５から電気的に切り離し、エネルギー転送回路４１による容量性負荷８４から誘導性素子４１５へのエネルギーの転送に不具合が発生することを防止できる。

正の直流電圧に基づくエネルギーが容量性負荷８４に蓄積されている場合、制御回路４３は、切断スイッチ素子４６ａがオン状態となり、切断スイッチ素子４６ｂがオフ状態となるように制御する。これにより、容量性負荷８４、切断スイッチ素子４６ａ、誘導性素子４１５、ダイオード４１１ｄおよびスイッチ素子４１１ｓが電気的に接続され、閉回路４１１ｃに電流経路が確立される。このため、容量性負荷８４に蓄積されたエネルギーは閉回路４１１ｃによって誘導性素子４１５に転送される。負の直流電圧に基づくエネルギーが容量性負荷８４に蓄積されている場合、制御回路４３は、切断スイッチ素子４６ａがオフ状態となり、切断スイッチ素子４６ｂがオン状態となるように制御する。これにより、容量性負荷８４、スイッチ素子４１３ｓ、ダイオード４１３ｄ、誘導性素子４１５および切断スイッチ素子４６ｂが電気的に接続され、閉回路４１３ｃに電流経路が確立される。このため、容量性負荷８４に蓄積されたエネルギーは閉回路４１３ｃによって誘導性素子４１５に転送される。

次に、駆動回路４に備えられたエネルギー転送回路５１および制御回路５３について説明する。
図１０に示すように、駆動回路４は、容量性負荷８５への交流電圧の印加を制御する制御回路５３を備えている。駆動回路４は、容量性負荷８５及び誘導性素子４１５の間で誘導性素子４１５に直列に接続されて閉回路５１１ｃ（第三閉回路の一例）を構成するダイオード５１１ｄ（第三ダイオード型素子の一例）を備えている。ダイオード５１１ｄは、例えばＰＮ接合型ダイオードで構成されている。駆動回路４は、容量性負荷８５及び誘導性素子４１５の間でダイオード５１１ｄと直列に接続されて閉回路５１１ｃを構成するスイッチ素子５１１ｓ（第三スイッチ素子の一例）を備えている。スイッチ素子５１１ｓは、例えばＰ型の電界効果トランジスタで構成されている。

駆動回路４は、誘導性素子４１５に直列かつダイオード５１１ｄ及びスイッチ素子５１１ｓに並列に接続されて閉回路５１３ｃ（第四閉回路の一例）を構成するダイオード５１３ｄ（第四ダイオード型素子の一例）を備えている。ダイオード５１３ｄは、例えばＰＮ接合型ダイオードで構成されている。駆動回路４は、ダイオード５１３ｄに直列かつダイオード５１１ｄ及びスイッチ素子５１１ｓに並列に接続されて閉回路５１３ｃを構成するスイッチ素子５１３ｓ（第四スイッチ素子の一例）を備えている。スイッチ素子５１３ｓは、例えばＰ型の電界効果トランジスタで構成されている。

駆動回路４に設けられた制御回路５３は、複数（本実施形態では４個）のスイッチ素子５３１ｇａ〜５３１ｇｄを有するスイッチ素子群５３１ｇ（第二スイッチ素子群の一例）で構成されて容量性負荷８５の両端に接続されたブリッジ回路５３１（第二ブリッジ回路の一例）を有している。また、制御回路５３は、複数のスイッチ素子５３１ｇａ〜５３１ｇｄ、スイッチ素子５１１ｓ及びスイッチ素子５１３ｓのスイッチングを制御する制御信号を生成する制御信号生成部５３３（第二制御信号生成部の一例）を有している。

ブリッジ回路５３１は、正側直流電位（第一直流電位の一例）の供給端１７５ａ（第一供給端の一例）と、基準直流電位（第二直流電位の一例）の供給端１７５ｂ（第二供給端の一例）との間に接続されている。正側直流電位は、電圧生成回路４５が生成した電圧のハイレベル側の電位である。基準直流電位の供給端１７５ｂはグランド端子である。電圧生成回路４５の基準電位端子は当該グランド端子に接続されている。電圧生成回路４５が生成する電圧は、正側直流電位と基準直流電位との電位差に相当する。このため、ブリッジ回路５３１の両端には、電圧生成回路４５が生成した電圧が印加される。

制御回路５３は、供給端１７５ａおよび供給端１７５ｂの間に設けられたコンデンサ５３５を有している。コンデンサ５３５の一方の電極は供給端１７５ａに接続され、コンデンサ５３５の他方の電極は供給端１７５ｂに接続されている。コンデンサ５３５は、電圧生成回路４５から出力される電圧の変動を防止するために設けられている。これにより、ブリッジ回路５３１の両端には、ほぼ一定の電圧が供給される。

ブリッジ回路５３１の構成は、ブリッジ回路４３１の構成と同様であるため、詳細な説明は省略する。すなわち、ブリッジ回路５３１は、ブリッジ回路４３１に設けられたスイッチ素子４３１ｇａをスイッチ素子５３１ｇａと、スイッチ素子４３１ｇｂをスイッチ素子５３１ｇｂと、スイッチ素子４３１ｇｃをスイッチ素子５３１ｇｃと、スイッチ素子４３１ｇｄをスイッチ素子５３１ｇｄと読み替え、供給端１７４ａを供給端１７５ａと、供給端１７４ｂを供給端１７５ｂと読み替え、容量性負荷８４を容量性負荷８５と読み替え、制御信号生成部４３３を制御信号生成部５３３と読み替えた場合のブリッジ回路４３１と同様の構成を有している。

図１０に示すように、駆動回路４は、誘導性素子４１５、ダイオード５１１ｄ及びスイッチ素子５１１ｓで構成されて容量性負荷８５に蓄積されているエネルギーを転送するエネルギー転送部５１１（第三エネルギー転送部の一例）を備えている。駆動回路４は、誘導性素子４１５、ダイオード５１３ｄ及びスイッチ素子５１３ｓで構成されて容量性負荷８５に蓄積されたエネルギーを転送するエネルギー転送部５１３（第四エネルギー転送部の一例）備えている。駆動回路４は、エネルギー転送部５１１およびエネルギー転送部５１３を有するエネルギー転送回路５１（第二エネルギー転送回路の一例）を備えている。

駆動回路４は、容量性負荷８５及び誘導性素子４１５の間で容量性負荷８５及び誘導性素子４１５に直列に接続されて閉回路５１１ｃから誘導性素子４１５を電気的に切断する切断スイッチ素子５６ａ，５６ｂ（第二切断スイッチ素子の一例）を備えている。切断スイッチ素子５６ａおよび切断スイッチ素子５６ｂはいずれも、例えばＰ型の電界効果トランジスタで構成されている。

エネルギー転送回路５１および切断スイッチ素子５６ａ，５６ｂの構成は、エネルギー転送回路４１および切断スイッチ素子４６ａ，４６ｂの構成と同様であるため、詳細な説明は省略する。すなわち、エネルギー転送回路５１は、エネルギー転送回路４１に設けられたスイッチ素子４１１ｓをスイッチ素子５１１ｓと、ダイオード４１１ｄをダイオード５１１ｄと、スイッチ素子４１３ｓをスイッチ素子５１３ｓと、ダイオード４１３ｄをダイオード５１３ｄと読み替え、容量性負荷８４を容量性負荷８５と読み替え、エネルギー転送部４１１をエネルギー転送部５１１と、エネルギー転送部４１３をエネルギー転送部５１３と読み替え、制御信号生成部４３３を制御信号生成部５３３と読み替えた場合のエネルギー転送回路４１と同様の構成を有している。また、切断スイッチ素子５６ａは、容量性負荷８４を容量性負荷８５と読み替え、制御信号生成部４３３を制御信号生成部５３３と読み替えた場合の切断スイッチ素子４６ａと同様の構成を有している。切断スイッチ素子５６ｂは、容量性負荷８４を容量性負荷８５と読み替え、制御信号生成部４３３を制御信号生成部５３３と読み替えた場合の切断スイッチ素子４６ｂと同様の構成を有している。

次に、駆動回路４に備えられたエネルギー転送回路６１および制御回路６３について説明する。
図１０に示すように、駆動回路４は、誘導性素子４１５とともに閉回路６１１ｃ（第三閉回路の一例）を構成し容量性負荷８６への交流電圧の印加を制御する制御回路６３を備えている。駆動回路４は、容量性負荷８６及び誘導性素子４１５の間で誘導性素子４１５に直列に接続されて閉回路６１１ｃを構成するダイオード６１１ｄ（第三ダイオード型素子の一例）を備えている。ダイオード６１１ｄは、例えばＰＮ接合型ダイオードで構成されている。駆動回路４は、容量性負荷８６及び誘導性素子４１５の間でダイオード６１１ｄと直列に接続されて閉回路６１１ｃを構成するスイッチ素子６１１ｓ（第三スイッチ素子の一例）を備えている。スイッチ素子６１１ｓは、例えばＰ型の電界効果トランジスタで構成されている。

駆動回路４は、誘導性素子４１５に直列かつダイオード６１１ｄ及びスイッチ素子６１１ｓに並列に接続されて閉回路６１３ｃ（第四閉回路の一例）を構成するダイオード６１３ｄ（第四ダイオード型素子の一例）を備えている。ダイオード６１３ｄは、例えばＰＮ接合型ダイオードで構成されている。駆動回路４は、ダイオード６１３ｄに直列かつダイオード６１１ｄ及びスイッチ素子６１１ｓに並列に接続されて閉回路６１３ｃを構成するスイッチ素子６１３ｓ（第四スイッチ素子の一例）を備えている。スイッチ素子６１３ｓは、例えばＰ型の電界効果トランジスタで構成されている。

駆動回路４に設けられた制御回路６３は、複数（本実施形態では４個）のスイッチ素子６３１ｇａ〜６３１ｇｄを有するスイッチ素子群６３１ｇ（第二スイッチ素子群の一例）で構成されて容量性負荷８６の両端に接続されたブリッジ回路６３１（第二ブリッジ回路の一例）を有している。また、制御回路６３は、複数のスイッチ素子６３１ｇａ〜６３１ｇｄ、スイッチ素子６１１ｓ及びスイッチ素子６１３ｓのスイッチングを制御する制御信号を生成する制御信号生成部６３３（第二制御信号生成部の一例）を有している。

ブリッジ回路６３１は、正側直流電位（第一直流電位の一例）の供給端１７６ａ（第一供給端の一例）と、基準直流電位（第二直流電位の一例）の供給端１７６ｂ（第二供給端の一例）との間に接続されている。正側直流電位は、電圧生成回路４５が生成した電圧のハイレベル側の電位である。基準直流電位の供給端１７６ｂはグランド端子である。電圧生成回路４５の基準電位端子は当該グランド端子に接続されている。電圧生成回路４５が生成する電圧は、正側直流電位と基準直流電位との電位差に相当する。このため、ブリッジ回路６３１の両端には、電圧生成回路４５が生成した電圧が印加される。

制御回路６３は、供給端１７６ａおよび供給端１７６ｂの間に設けられたコンデンサ６３５を有している。コンデンサ６３５の一方の電極は供給端１７６ａに接続され、コンデンサ６３５の他方の電極は供給端１７６ｂに接続されている。コンデンサ６３５は、電圧生成回路４５から出力される電圧の変動を防止するために設けられている。これにより、ブリッジ回路６３１の両端には、ほぼ一定の電圧が供給される。

ブリッジ回路６３１の構成は、ブリッジ回路４３１の構成と同様であるため、詳細な説明は省略する。すなわち、ブリッジ回路６３１は、ブリッジ回路４３１に設けられたスイッチ素子４３１ｇａをスイッチ素子６３１ｇａと、スイッチ素子４３１ｇｂをスイッチ素子６３１ｇｂと、スイッチ素子４３１ｇｃをスイッチ素子６３１ｇｃと、スイッチ素子４３１ｇｄをスイッチ素子６３１ｇｄと読み替え、供給端１７４ａを供給端１７６ａと、供給端１７４ｂを供給端１７６ｂと読み替え、容量性負荷８４を容量性負荷８６と読み替え、制御信号生成部４３３を制御信号生成部６３３と読み替えた場合のブリッジ回路４３１と同様の構成を有している。

図１０に示すように、駆動回路４は、誘導性素子４１５、ダイオード６１１ｄ及びスイッチ素子６１１ｓで構成されて容量性負荷８６に蓄積されているエネルギーを転送するエネルギー転送部６１１（第三エネルギー転送部の一例）を備えている。駆動回路４は、誘導性素子４１５、ダイオード６１３ｄ及びスイッチ素子６１３ｓで構成されて容量性負荷８６に蓄積されたエネルギーを転送するエネルギー転送部６１３（第四エネルギー転送部の一例）備えている。駆動回路４は、エネルギー転送部６１１およびエネルギー転送部６１３を有するエネルギー転送回路６１（第二エネルギー転送回路の一例）を備えている。

駆動回路４は、容量性負荷８６及び誘導性素子４１５の間で容量性負荷８６及び誘導性素子４１５に直列に接続されて閉回路６１１ｃから誘導性素子４１５を電気的に切断する切断スイッチ素子６６ａ，６６ｂ（第二切断スイッチ素子の一例）を備えている。切断スイッチ素子６６ａおよび切断スイッチ素子６６ｂはいずれも、例えばＰ型の電界効果トランジスタで構成されている。

エネルギー転送回路６１および切断スイッチ素子６６ａ，６６ｂの構成は、エネルギー転送回路４１および切断スイッチ素子４６ａ，４６ｂの構成と同様であるため、詳細な説明は省略する。すなわち、エネルギー転送回路６１は、エネルギー転送回路４１に設けられたスイッチ素子４１１ｓをスイッチ素子６１１ｓと、ダイオード４１１ｄをダイオード６１１ｄと、スイッチ素子４１３ｓをスイッチ素子６１３ｓと、ダイオード４１３ｄをダイオード６１３ｄと読み替え、容量性負荷８４を容量性負荷８６と読み替え、エネルギー転送部４１１をエネルギー転送部６１１と、エネルギー転送部４１３をエネルギー転送部６１３と読み替え、制御信号生成部４３３を制御信号生成部６３３と読み替えた場合のエネルギー転送回路４１と同様の構成を有している。また、切断スイッチ素子６６ａは、容量性負荷８４を容量性負荷８６と読み替え、制御信号生成部４３３を制御信号生成部６３３と読み替えた場合の切断スイッチ素子４６ａと同様の構成を有している。切断スイッチ素子６６ｂは、容量性負荷８４を容量性負荷８６と読み替え、制御信号生成部４３３を制御信号生成部６３３と読み替えた場合の切断スイッチ素子４６ｂと同様の構成を有している。

駆動回路４は、エネルギー転送回路５１によって容量性負荷８５からエネルギーを誘導性素子４１５に転送している場合には、エネルギー転送回路４１に接続された切断スイッチ素子４６ａ，４６ｂをオフ状態に設定し、エネルギー転送回路６１に接続された切断スイッチ素子６６ａ，６６ｂをオフ状態に設定する。これにより、駆動回路４は、エネルギー転送回路４１，６１を誘導性素子４１５から電気的に切り離し、エネルギー転送回路５１による容量性負荷８５から誘導性素子４１５へのエネルギーの転送に不具合が発生することを防止できる。

駆動回路４は、エネルギー転送回路６１によって容量性負荷８６からエネルギーを誘導性素子４１５に転送している場合には、エネルギー転送回路４１に接続された切断スイッチ素子４６ａ，４６ｂをオフ状態に設定し、エネルギー転送回路５１に接続された切断スイッチ素子５６ａ，５６ｂをオフ状態に設定する。これにより、駆動回路４は、エネルギー転送回路４１，５１を誘導性素子４１５から電気的に切り離し、エネルギー転送回路６１による容量性負荷８６から誘導性素子４１５へのエネルギーの転送に不具合が発生することを防止できる。

［駆動回路の制御方法］
次に、本実施形態による駆動回路の制御方法について図１０を参照しつつ図１１を用いて説明する。図１１中の１段目には、エネルギー転送回路４１および制御回路４３の制御信号の電圧波形の一例が図示されている。図１１中の２段目には、エネルギー転送回路５１および制御回路５３の制御信号の電圧波形の一例が図示されている。図１１中の３段目には、エネルギー転送回路６１および制御回路６３の制御信号の電圧波形が図示されている。図１１において、左から右に向かって時の経過が表されている。

駆動回路４に設けられたエネルギー転送回路４１および制御回路４３の単体としての制御方法は、スイッチ素子４１１ｓのゲート信号を除いて、上記第１実施形態において説明した駆動回路の制御方法と同様である。また、駆動回路４に設けられたエネルギー転送回路５１および制御回路５３の単体としての制御方法は、スイッチ素子５１１ｓのゲート信号を除いて、上記第１実施形態において説明した駆動回路の制御方法と同様である。さらに、駆動回路４に設けられたエネルギー転送回路６１および制御回路６３の単体としての制御方法は、スイッチ素子６１１ｓのゲート信号を除いて、上記第１実施形態において説明した駆動回路の制御方法と同様である。

具体的には、スイッチ素子４１１ｓのゲート信号は、スイッチ素子１１１ｓのゲート信号と反転タイミングは同一であるが電圧レベルは逆転した信号となる。同様に、スイッチ素子５１１ｓのゲート信号は、スイッチ素子１１１ｓのゲート信号と反転タイミングは同一であるが電圧レベルは逆転した信号となる。同様に、スイッチ素子６１１ｓのゲート信号は、スイッチ素子１１１ｓのゲート信号と反転タイミングは同一であるが電圧レベルは逆転した信号となる。すなわち、図４を参照して説明すると、スイッチ素子４１１ｓ，５１１ｓ，６１１ｓのそれぞれのゲート信号は、時刻ｔ０から時刻ｔ２までハイレベルであり、時刻ｔ２から時刻ｔ４までローレベルであり、時刻ｔ４以降がハイレベルである電圧波形となる。これにより、駆動回路４に設けられたエネルギー転送回路４１，５１，６１は単体として、駆動回路１に設けられたエネルギー転送回路１１と同様に動作することができる。その結果、駆動回路４は、駆動回路１と同様に制御されることができる。

駆動回路４は、３個のエネルギー転送回路４１，５１，６１を備えている。このため、容量性負荷８４，８５，８６を駆動する順番を決定した後に、決定した順番に基づいて容量性負荷に蓄積されたエネルギーを誘導性素子４１５に転送するようになっている。ここで、容量性負荷の駆動する順序を１番目が容量性負荷８４とし、２番目が容量性負荷８５とし、３番目が容量性負荷８６として、以下説明する。

本実施形態による駆動回路４の制御方法では、閉回路５１１ｃ，６１１ｃのスイッチ素子５１１ｓ，６１１ｓのオン状態及びオフ状態を制御する制御信号と、閉回路４１１ｃのスイッチ素子４１１ｓのオン状態及びオフ状態を制御する制御信号との初期位相差に基づいて誘導性素子４１５から電気的に切り離す閉回路を決定する。上述のとおり、閉回路５１１ｃは、誘導性素子４１５と、容量性負荷８５と、容量性負荷８５及び誘導性素子４１５の間で誘導性素子４１５に直列に接続されたダイオード５１１ｄと、容量性負荷８５及び誘導性素子４１５の間でダイオード５１１ｄと直列に接続されたスイッチ素子５１１ｓとで構成される閉回路である。また、閉回路６１１ｃは、誘導性素子４１５と、容量性負荷８６と、容量性負荷８６及び誘導性素子４１５の間で誘導性素子４１５に直列に接続されたダイオード６１１ｄと、容量性負荷８５及び誘導性素子４１５の間でダイオード６１１ｄと直列に接続されたスイッチ素子６１１ｓとで構成される閉回路である。また、スイッチ素子５１１ｓのオン状態及びオフ状態を制御する制御信号は、制御信号生成部５３３から出力される制御信号である。また、スイッチ素子６１１ｓのオン状態及びオフ状態を制御する制御信号は、制御信号生成部６３３から出力される制御信号である。さらに、スイッチ素子４１１ｓのオン状態及びオフ状態を制御する制御信号は、制御信号生成部４３３から出力される制御信号である。

図１１中の矢印Ｙ１，Ｙ２，Ｙ３で示すように、本例では、スイッチ素子４１１ｓの制御信号の位相が最も早く、次にスイッチ素子５１１ｓの制御信号の位相が早く、スイッチ素子６１１ｓの制御信号の位相が最も遅い。このため、駆動回路４は、スイッチ素子４１１ｓ，５１１ｓ，６１１ｓの初期位相差に基づいて、スイッチ素子４１１ｓ及びスイッチ素子５１１ｓ，６１１ｓのうちの後にオフ状態からオン状態に移行するスイッチ素子５１１ｓ，６１１ｓを有する閉回路５１１ｃ，６１１ｃである後続閉回路から誘導性素子４１５を電気的に切り離す。具体的には、制御回路５３は、制御信号生成部５３３から切断スイッチ素子５６ａ，５６ｂをオフ状態にする電圧レベルの制御信号を出力する。同様に、制御回路６３は、制御信号生成部６３３から切断スイッチ素子６６ａ，６６ｂをオフ状態にする電圧レベルの制御信号を出力する。

誘導性素子４１５から閉回路５１１ｃ，６１１ｃを切り離した後に、駆動回路４の制御方法では、スイッチ素子４１１ｓ及びスイッチ素子５１１ｓ，６１１ｓのうちの先にオフ状態からオン状態に移行するスイッチ素子４１１ｓを有する閉回路４１１ｃである先行閉回路を構成するスイッチ素子４１１ｓをオフ状態からオン状態に移行する。これにより、図１１中の矢印Ｙ４で示すように、エネルギー転送回路４１は、容量性負荷８４に蓄積されていたエネルギーを誘導性素子４１５に転送する。

容量性負荷８４に蓄積されていたエネルギーを誘導性素子４１５に転送を開始した後に、駆動回路４の制御方法では、先行閉回路である閉回路４１１ｃを介して当該先行閉回路を構成する容量性負荷８４に印加された電圧の極性を反転する。このように、本実施形態による駆動回路４は、容量性負荷８４から誘導性素子４１５にエネルギーを転送中に容量性負荷８４の駆動を開始できる。

容量性負荷８４に印加されている電圧の絶対値が電圧生成回路４５から出力された電圧と同じ大きさになると、スイッチ素子４１１ｓをオン状態からオフ状態に移行する。これにより、容量性負荷８４の放電動作が終了する。その後、切断スイッチ素子４６ａ，４６ｂをオン状態からオフ状態に移行して、閉回路４１１ｃを誘導性素子４１５から切り離す。

閉回路４１１ｃを誘導性素子４１５から切り離した後に、切断スイッチ素子５６ａ，５６ｂをオフ状態からオン状態に移行して、閉回路５１１ｃを誘導性素子４１５に接続する。次に、後続閉回路である閉回路５１１ｃのスイッチ素子５１１ｓをオフ状態からオン状態に移行する。これにより、図１１中の矢印Ｙ５で示すように、エネルギー転送回路５１は、容量性負荷８５に蓄積されていたエネルギーの誘導性素子４１５への転送を開始する。

容量性負荷８５に蓄積されていたエネルギーを誘導性素子４１５に転送を開始した後に、駆動回路４の制御方法では、後続閉回路を構成する容量性負荷８５に印加されている交流電圧とは逆極性の交流電圧を容量性負荷８５に印加する。このように、本実施形態による駆動回路４は、容量性負荷８５から誘導性素子４１５にエネルギーを転送中に容量性負荷８５の駆動を開始できる。

容量性負荷８５に印加されている電圧の絶対値が電圧生成回路４５から出力された電圧と同じ大きさになると、スイッチ素子５１１ｓをオン状態からオフ状態に移行する。これにより、容量性負荷８５の放電動作が終了する。その後、切断スイッチ素子５６ａ，５６ｂをオン状態からオフ状態に移行して、閉回路５１１ｃを誘導性素子４１５から切り離す。

閉回路５１１ｃを誘導性素子４１５から切り離した後に、切断スイッチ素子６６ａ，６６ｂをオフ状態からオン状態に移行して、閉回路６１１ｃを誘導性素子４１５に接続する。次に、後続閉回路である閉回路６１１ｃのスイッチ素子６１１ｓをオフ状態からオン状態に移行する。これにより、図１１中の矢印Ｙ６で示すように、エネルギー転送回路６１は、容量性負荷８６に蓄積されていたエネルギーの誘導性素子４１５への転送を開始する。

容量性負荷８６に蓄積されていたエネルギーを誘導性素子４１５に転送を開始した後に、駆動回路４の制御方法では、後続閉回路を構成する容量性負荷８６に印加されている交流電圧とは逆極性の交流電圧を容量性負荷８６に印加する。このように、本実施形態による駆動回路４は、容量性負荷８６から誘導性素子４１５にエネルギーを転送中に容量性負荷８６の駆動を開始できる。

容量性負荷８６に印加されている電圧の絶対値が電圧生成回路４５から出力された電圧と同じ大きさになると、スイッチ素子６１１ｓをオン状態からオフ状態に移行する。これにより、容量性負荷８６の放電動作が終了する。その後、切断スイッチ素子６６ａ，６６ｂをオン状態からオフ状態に移行して、閉回路６１１ｃを誘導性素子４１５から切り離す。

図示は省略するが、閉回路４１３ｃ，５１３ｃ，６１３ｃも閉回路４１１ｃ，５１１ｃ，６１１ｃと同様の制御方法によって誘導性素子４１５から順次切り離され、容量性負荷８４，８５，８６が駆動される。駆動回路４は、以上の動作を繰り返し、容量性負荷８４，８５，８６を順次繰り返し駆動することができる。

閉回路５１１ｃ，６１１ｃスイッチ素子５１１ｓ，６１１ｓのオン状態及びオフ状態を制御する制御信号と、閉回路４１１ｃのスイッチ素子４１１ｓのオン状態及びオフ状態を制御する制御信号との位相差は、容量性負荷８４，８５，８６を繰り返し駆動することに従って大きくなっている。同様に、閉回路５１３ｃ，６１３ｃスイッチ素子５１３ｓ，６１３ｓのオン状態及びオフ状態を制御する制御信号と、閉回路４１３ｃのスイッチ素子４１３ｓのオン状態及びオフ状態を制御する制御信号との位相差は、容量性負荷８４，８５，８６を繰り返し駆動することに従って大きくなっている。

そこで、本実施形態による駆動回路の制御方法では、先行閉回路を構成する容量性負荷８４及び後続閉回路を構成する容量性負荷８５，８６に所定回数の交流電圧を印加したのちに、スイッチ素子４１１ｓを制御する制御信号とスイッチ素子５１１ｓ，６１１ｓを制御する制御信号との位相差を初期位相差に戻すようになっていてもよい。同様に、先行閉回路を構成する容量性負荷８４及び後続閉回路を構成する容量性負荷８５，８６に所定回数の交流電圧を印加したのちに、スイッチ素子４１３ｓを制御する制御信号とスイッチ素子５１３ｓ，６１３ｓを制御する制御信号との位相差を初期位相差に戻すようになっていてもよい。これにより、先行閉回路（本例では閉回路４１１ｃ）を構成する容量性負荷（本例では容量性負荷８４）の駆動が終了する前に、後続閉回路（本例では閉回路５１１ｃ，６１１ｃ）を構成する容量性負荷（本例では容量性負荷８５，８６）の放電動作が開始されることを防止できる。

以上説明したように、本実施形態による駆動回路４は、複数の容量性負荷８４，８５，８６を駆動することができる。また、駆動回路４は、容量性負荷８４，８５，８６からエネルギー転送回路４１，５１，６１へのエネルギーの転送中に容量性負荷８４，８５，８６を駆動（印加電圧を反転）できる。これにより、駆動回路４は、消費電力を低減することができる。また、駆動回路４を備える電子機器ＥＤは、消費電力を低減することができる。

本技術は、上記実施形態に限らず、種々の変形が可能である。
上記第１から第４実施形態では、各ダイオードおよび各逆バイアスダイオードは、ＰＮ接合型ダイオードで構成されているが、本技術はこれに限られない。例えば、各ダイオードおよび各逆バイアスダイオードは、ダイオード接続されたトランジスタで構成されていてもよい。

容量性負荷を駆動する電源は、電圧生成回路（ＤＣ−ＤＣ変換回路）に限られず、オペアンプやデジタル−アナログ変換回路（ＤＡＣ）が出力する電圧でもよい。

上記変形例において、１回目の放電を行った後に電圧レベルの上昇を開始してもよい。

上記第１実施形態から第４実施形態では、供給端１７ａ，１７４ａ，１７５ａ，１７６ａは、電圧生成回路１５，４５で生成された電圧（ハイレベル側の電位）が供給される端子であるが、本技術はこれに限られない。例えば、１７ａ，１７４ａ，１７５ａ，１７６ａは、駆動回路１の電源が供給される端子、あるいは固定電位に準ずる容量素子（例えばバイパスコンデンサ）の正側の電極に接続された端子であってもよい。また、上記第１実施形態から第４実施形態では、供給端１７ｂ，１７４ｂ，１７５ｂ，１７６ｂは、グランド端子であるが、本技術はこれに限られない。例えば、供給端１７ｂ，１７４ｂ，１７５ｂ，１７６ｂは、基準電位（グランドの電位）よりも低い電位（負極の電位）が供給される端子であってもよい。この場合、供給端１７ａ，１７４ａ，１７５ａ，１７６ａは、例えばグランド端子であってもよい。

本技術は、容量が小さい、あるいは周波数が高い回路であって高速動作が可能な触感提示デバイスなどの電子機器に使用できる。また、本技術は、圧電アクチュエーター（ポンプ、振動デバイス）を設置可能な容量が小さい（例えば１μＦ程度）電子機器（例えばスマートフォン、ロボット、ゲームコントローラーなど）に使用できる。

＜５．応用例＞
本開示に係る技術は、いわゆる「物のインターネット」であるＩｏＴ（Ｉｎｔｅｒｎｅｔ ｏｆ ｔｈｉｎｇｓ）と呼ばれる技術へ応用可能である。ＩｏＴとは、「物」であるＩｏＴデバイス９１００が、他のＩｏＴデバイス９００３、インターネット、クラウド９００５などに接続され、情報交換することにより相互に制御する仕組みである。ＩｏＴは、農業、家、自動車、製造、流通、エネルギー、など様々な産業に利用できる。

図１２は、本開示に係る技術が適用され得るＩｏＴシステム９０００の概略的な構成の一例を示す図である。

ＩｏＴデバイス９００１には、温度センサー、湿度センサー、照度センサー、加速度センサー、距離センサー、画像センサー、ガスセンサー、人感センサーなどの各種センサーなどが含まれる。また、ＩｏＴデバイス９００１には、スマートフォン、携帯電話、ウェアラブル端末、ゲーム機器などの端末を含めてもよい。ＩｏＴデバイス９００１は、ＡＣ電源、ＤＣ電源、電池、非接触給電、いわゆるエナジーハーベストなどにより給電される。ＩｏＴデバイス９００１は、有線、無線、近接無線通信などにより通信することができる。通信方式は３Ｇ／ＬＴＥ、ＷｉＦｉ、ＩＥＥＥ８０２．１５．４、Ｂｌｕｅｔｏｏｔｈ（登録商標）、Ｚｉｇｂｅｅ（登録商標）、Ｚ−Ｗａｖｅなどが好適に用いられる。ＩｏＴデバイス９００１は、これらの通信手段の複数を切り替えて通信してもよい。

ＩｏＴデバイス９００１は、１対１、星状、ツリー状、メッシュ状のネットワークを形成してもよい。ＩｏＴデバイス９００１は、直接に、またはゲートウエイ９００２を通して、外部のクラウド９００５に接続してもよい。ＩｏＴデバイス９００１には、ＩＰｖ４、ＩＰｖ６、６ＬｏＷＰＡＮなどによって、アドレスが付与される。ＩｏＴデバイス９００１から収集されたデータは、他のＩｏＴデバイス９００３、サーバ９００４、クラウド９００５などに送信される。ＩｏＴデバイス９００１からデータを送信するタイミングや頻度は好適に調整され、データを圧縮して送信してもよい。このようなデータはそのまま利用してもよく、統計解析、機械学習、データマイニング、クラスタ分析、判別分析、組み合わせ分析、時系列分析など様々な手段でデータをコンピュータ９００８で分析してもよい。このようなデータを利用することにより、コントロール、警告、監視、可視化、自動化、最適化、など様々なサービスを提供することができる。

本開示に係る技術は、家に関するデバイス、サービスにも応用可能である。家におけるＩｏＴデバイス９００１には、洗濯機、乾燥機、ドライヤ、電子レンジ、食洗機、冷蔵庫、オーブン、炊飯器、調理器具、ガス器具、火災報知器、サーモスタット、エアコン、テレビ、レコーダ、オーディオ、照明機器、温水器、給湯器、掃除機、扇風機、空気清浄器、セキュリティカメラ、錠、扉・シャッター開閉装置、スプリンクラー、トイレ、温度計、体重計、血圧計などが含まれる。さらにＩｏＴデバイス９００１には、太陽電池、燃料電池、蓄電池、ガスメータ、電力メータ、分電盤を含んでもよい。

家におけるＩｏＴデバイス９００１の通信方式は、低消費電力タイプの通信方式が望ましい。また、ＩｏＴデバイス９００１は屋内ではＷｉＦｉ、屋外では３Ｇ/ＬＴＥにより通信するようにしてもよい。クラウド９００５上にＩｏＴデバイス制御用の外部サーバ９００６を設置し、ＩｏＴデバイス９００１を制御してもよい。ＩｏＴデバイス９００１は、家庭機器の状況、温度、湿度、電力使用量、家屋内外の人・動物の存否などのデータを送信する。家庭機器から送信されたデータは、クラウド９００５を通じて、外部サーバ９００６に蓄積される。このようなデータに基づき、新たなサービスが提供される。このようなＩｏＴデバイス９００１は、音声認識技術を利用することにより、音声によりコントロールすることができる。

また各種家庭機器からテレビに情報を直接送付することにより、各種家庭機器の状態を可視化することができる。さらには、各種センサーが居住者の有無を判断し、データを空調機、照明などに送付することで、それらの電源をオン・オフすることができる。さらには、各種家庭機器に供えられたディスプレイにインターネットを通じて広告を表示することができる。

以上、本開示に係る技術が適用され得るＩｏＴシステム９０００の一例について説明した。本開示に係る技術は、以上説明した構成のうち、ＩｏＴデバイス９００１に好適に適用され得る。具体的には、電子機器ＥＤをＩｏＴデバイス９００１に適用することができる。ＩｏＴデバイス９００１に本開示に係る技術を適用することにより、消費電力を削減して、ＩｏＴデバイス９００１のバッテリの駆動時間を長くすることができる。

なお、上述の実施の形態は本技術を具現化するための一例を示したものであり、実施の形態における事項と、請求の範囲における発明特定事項とはそれぞれ対応関係を有する。同様に、請求の範囲における発明特定事項と、これと同一名称を付した本技術の実施の形態における事項とはそれぞれ対応関係を有する。ただし、本技術は実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において実施の形態に種々の変形を施すことにより具現化することができる。

なお、本技術は以下のような構成もとることができる。
（１）
第一容量性負荷への交流電圧の印加を制御する第一制御回路と、
前記第一容量性負荷とともに第一閉回路を構成する誘導性素子と、
前記第一容量性負荷及び前記誘導性素子の間で前記誘導性素子に直列に接続されて前記第一閉回路を構成する第一ダイオード型素子と、
前記第一容量性負荷及び前記誘導性素子の間で前記第一ダイオード型素子と直列に接続されて前記第一閉回路を構成する第一スイッチ素子と
を備える駆動回路。
（２）
前記第一容量性負荷及び前記誘導性素子の間と第一直流電位の第一供給端との間に接続されて前記第一直流電位によって逆バイアスが印加される第一逆バイアスダイオード型素子と、
前記第一容量性負荷及び前記誘導性素子の間と第二直流電位の第二供給端との間に接続されて前記第二直流電位によって逆バイアスが印加される第二逆バイアスダイオード型素子を備える
前記（１）に記載の駆動回路。
（３）
前記誘導性素子に直列かつ前記第一ダイオード型素子及び前記第一スイッチ素子に並列に接続されて第二閉回路を構成する第二ダイオード型素子と、
前記第二ダイオード型素子に直列かつ前記第一ダイオード型素子及び前記第一スイッチ素子に並列に接続されて前記第一閉回路を構成する第二スイッチ素子と
を備える
前記（２）に記載の駆動回路。
（４）
前記第一閉回路及び前記第二閉回路は、前記第一供給端及び前記第二供給端に直結されていない
前記（３）に記載の駆動回路。
（５）
前記第一制御回路は、
複数のスイッチ素子を有する第一スイッチ素子群で構成されて前記第一容量性負荷の両端に接続された第一ブリッジ回路と、
前記複数のスイッチ素子、前記第一スイッチ素子及び前記第二スイッチ素子のスイッチングを制御する制御信号を生成する第一制御信号生成部と
を有する
前記（３）又は（４）に記載の駆動回路。
（６）
前記誘導性素子、前記第一ダイオード型素子及び前記第一スイッチ素子で構成され、前記第一容量性負荷に蓄積されているエネルギーを転送する第一エネルギー転送部と、
前記誘導性素子、前記第二ダイオード型素子及び前記第二スイッチ素子で構成され、前記第一容量性負荷に蓄積されているエネルギーを転送する第二エネルギー転送部と
を有するエネルギー転送回路を備える
前記（５）に記載の駆動回路。
（７）
前記第一スイッチ素子、前記第二スイッチ素子及び前記第一スイッチ素子群に設けられた前記複数のスイッチ素子は、電界効果トランジスタで構成されている
前記（５）又は（６）に記載の駆動回路。
（８）
第二容量性負荷への交流電圧の印加を制御する第二制御回路と、
前記第二容量性負荷及び前記誘導性素子の間で前記誘導性素子に直列に接続されて前記第三閉回路を構成する第三ダイオード型素子と、
前記第二容量性負荷及び前記誘導性素子の間で前記第三ダイオード型素子と直列に接続されて前記第三閉回路を構成する第三スイッチ素子と、
前記第一容量性負荷及び前記誘導性素子の間で前記第一容量性負荷及び前記誘導性素子に直列に接続されて前記第一閉回路及び前記第二閉回路から前記誘導性素子を電気的に切断する第一切断スイッチ素子と、
前記第二容量性負荷及び前記誘導性素子の間で前記第二容量性負荷及び前記誘導性素子に直列に接続されて前記第三閉回路から前記誘導性素子を電気的に切断する第二切断スイッチ素子と
を備える前記（３）から（７）までのいずれか一項に記載の駆動回路。
（９）
前記誘導性素子に直列かつ前記第三ダイオード型素子及び前記第三スイッチ素子に並列に接続されて第四閉回路を構成する第四ダイオード型素子と、
前記第四ダイオード型素子に直列かつ前記第三ダイオード型素子及び前記第三スイッチ素子に並列に接続されて前記第四閉回路を構成する第四スイッチ素子と
を備える
前記（８）に記載の駆動回路。
（１０）
前記第二制御回路は、
複数のスイッチ素子を有する第二スイッチ素子群で構成されて前記第二容量性負荷の両端に接続された第二ブリッジ回路と、
前記第三スイッチ素子、前記第四スイッチ素子及び前記第二スイッチ素子群のスイッチングを制御する制御信号を生成する第二制御信号生成部と
を有する
前記（９）に記載の駆動回路。
（１１）
前記誘導性素子、前記第三ダイオード型素子及び前記第三スイッチ素子で構成され、前記第二容量性負荷に蓄積されているエネルギーを転送する第三エネルギー転送部と、
前記誘導性素子、前記第四ダイオード型素子及び前記第四スイッチ素子で構成され、前記第二容量性負荷に蓄積されたエネルギーを転送する第四エネルギー転送部と
を有する第二エネルギー転送回路を備える
前記（９）又は（１０）に記載の駆動回路。
（１２）
前記第三スイッチ素子、前記第四スイッチ素子及び前記第二スイッチ素子群に設けられた前記複数のスイッチ素子は、電界効果トランジスタで構成されている
前記（１０）又は（１１）に記載の駆動回路。
（１３）
前記（１）から（１２）までのいずれか一項に記載の駆動回路を備える電子機器。
（１４）
第一容量性負荷に直列に接続された誘導性素子と、前記第一容量性負荷及び前記誘導性素子の間で前記誘導性素子に直列に接続された第一ダイオード型素子と、前記第一容量性負荷及び前記誘導性素子の間で前記第一ダイオード型素子と直列に接続された第一スイッチ素子とで構成された第一閉回路の前記第一スイッチ素子をオフ状態からオン状態に移行し、
前記第一閉回路を介して前記第一容量性負荷に印加された電圧の極性を反転し、
前記第一スイッチ素子をオン状態からオフ状態に移行し、
前記第一容量性負荷に印加されている電圧と同極性の交流電圧を第一制御回路から印加する
駆動回路の制御方法。
（１５）
前記第一制御回路から前記同極性の交流電圧を前記第一容量性負荷に印加した後に、
前記誘導性素子に直列かつ前記第一ダイオード型素子及び前記第一スイッチ素子に並列に接続されて第二閉回路を構成し、互いに直列に接続された第二ダイオード型素子及び第二スイッチ素子の前記第二スイッチ素子をオフ状態からオン状態に移行し、
前記第二閉回路を介して前記第一容量性負荷に印加された電圧の極性を反転し、
前記第二スイッチ素子をオン状態からオフ状態に移行し、
前記第一容量性負荷に印加されている電圧と同極性の交流電圧を前記第一制御回路から印加する
前記（１４）に記載の駆動回路の制御方法。
（１６）
前記第一制御回路は、１回目の交流電圧の電圧レベルを２回目以降の交流電圧の電圧レベルよりも低くして前記第一容量性負荷に印加する
前記（１４）又は（１５）に記載の駆動回路の制御方法。
（１７）
前記誘導性素子と、第二容量性負荷と、前記第二容量性負荷及び前記誘導性素子の間で前記誘導性素子に直列に接続された第三ダイオード型素子と、前記第二容量性負荷及び前記誘導性素子の間で前記第三ダイオード型素子と直列に接続された第三スイッチ素子とで構成されて第三閉回路の前記第三スイッチ素子のオン状態及びオフ状態を制御する制御信号と、前記第一スイッチ素子のオン状態及びオフ状態を制御する制御信号との初期位相差に基づいて、前記第一スイッチ素子及び前記第三スイッチ素子のうちの後にオフ状態からオン状態に移行するスイッチ素子を有する閉回路である後続閉回路から前記誘導性素子を電気的に切り離し、
前記第一スイッチ素子及び前記第三スイッチ素子のうちの先にオフ状態からオン状態に移行するスイッチ素子を有する閉回路である先行閉回路を構成するスイッチ素子をオフ状態からオン状態に移行し、
前記先行閉回路を介して前記先行閉回路を構成する容量性負荷に印加された電圧の極性を反転し、
前記後続閉回路を構成する容量性負荷に印加されている交流電圧とは逆極性の交流電圧を該容量性負荷に印加し、
前記後続閉回路を構成する前記スイッチ素子をオン状態からオフ状態に移行する
前記（１４）から（１６）までのいずれか一項に記載の駆動回路の制御方法。
（１８）
前記先行閉回路を構成する容量性負荷及び前記後続閉回路を構成する容量性負荷に所定回数の交流電圧を印加したのちに、前記第一スイッチ素子を制御する前記制御信号と前記第三スイッチ素子を制御する前記制御信号との位相差を前記初期位相差に戻す
前記（１７）に記載の駆動回路の制御方法。

１，２，３，４ 駆動回路
８，８４，８５，８６ 容量性負荷
９ バッテリ
１１，３１，４１，５１，６１ エネルギー転送回路
１３，４３，５３，６３ 制御回路
１５，４５ 電圧生成回路
１７ａ，１７ｂ，１７４ａ，１７４ｂ，１７５ａ，１７５ｂ，１７６ａ，１７６ｂ 供給端
４６ａ，４６ｂ，５６ａ，５６ｂ，６６ａ，６６ｂ 切断スイッチ素子
１１１，１１３，３１１，３１３，４１１，４１３，５１１，５１３，６１１，６１３ エネルギー転送部
１１１ｃ，１１３ｃ，３１１ｃ，３１３ｃ，４１１ｃ，４１３ｃ，４１５ｃ，５１１ｃ，５１３ｃ，６１１ｃ，６１３ｃ 閉回路
１１１ｄ，１１３ｄ，３１１ｄ，３１３ｄ，４１１ｄ，４１３ｄ，５１１ｄ，５１３ｄ，６１１ｄ，６１３ｄ ダイオード
１１１ｓ，１１３ｓ，１３１ｇａ，１３１ｇｂ，１３１ｇｃ，１３１ｇｄ，３１１ｓ，３１３ｓ，４１１ｓ，４１３ｓ，４３１ｇａ，４３１ｇｂ，４３１ｇｃ，４３１ｇｄ，５１１ｓ，５１３ｓ，５３１ｇａ，５３１ｇｂ，５３１ｇｃ，５３１ｇｄ，６１１ｓ，６１３ｓ，６３１ｇａ，６３１ｇｂ，６３１ｇｃ，６３１ｇｄ スイッチ素子
１１５，４１５ 誘導性素子
１１７，１１９，２１７，２１９，３１７，３１９，４１７ａ，４１７ｂ，４１９，４１９ａ，４１９ｂ 逆バイアスダイオード
１３１，４３１，５３１，６３１ ブリッジ回路
１３１ｇ，４３１ｇ，５３１ｇ，６３１ｇ スイッチ素子群
１３３，４３３，５３３，６３３ 制御信号生成部
１３５，４３５，５３５，６３５ コンデンサ
９０００ システム
９００１ デバイス
９００２ ゲートウエイ
９００３ デバイス
９００４ サーバ
９００５ クラウド
９００６ 外部サーバ
９００８ コンピュータ
９１００ デバイス
ＥＤ 電子機器

Claims (18)

1. 第一容量性負荷への交流電圧の印加を制御する第一制御回路と、
   前記第一容量性負荷とともに第一閉回路を構成する誘導性素子と、
   前記第一容量性負荷及び前記誘導性素子の間で前記誘導性素子に直列に接続されて前記第一閉回路を構成する第一ダイオード型素子と、
   前記第一容量性負荷及び前記誘導性素子の間で前記第一ダイオード型素子と直列に接続されて前記第一閉回路を構成する第一スイッチ素子と
   を備える駆動回路。
2. 前記第一容量性負荷及び前記誘導性素子の間と第一直流電位の第一供給端との間に接続されて前記第一直流電位によって逆バイアスが印加される第一逆バイアスダイオード型素子と、
   前記第一容量性負荷及び前記誘導性素子の間と第二直流電位の第二供給端との間に接続されて前記第二直流電位によって逆バイアスが印加される第二逆バイアスダイオード型素子を備える
   請求項１に記載の駆動回路。
3. 前記誘導性素子に直列かつ前記第一ダイオード型素子及び前記第一スイッチ素子に並列に接続されて第二閉回路を構成する第二ダイオード型素子と、
   前記第二ダイオード型素子に直列かつ前記第一ダイオード型素子及び前記第一スイッチ素子に並列に接続されて前記第一閉回路を構成する第二スイッチ素子と
   を備える
   請求項２に記載の駆動回路。
4. 前記第一閉回路及び前記第二閉回路は、前記第一供給端及び前記第二供給端に直結されていない
   請求項３に記載の駆動回路。
5. 前記第一制御回路は、
   複数のスイッチ素子を有する第一スイッチ素子群で構成されて前記第一容量性負荷の両端に接続された第一ブリッジ回路と、
   前記複数のスイッチ素子、前記第一スイッチ素子及び前記第二スイッチ素子のスイッチングを制御する制御信号を生成する第一制御信号生成部と
   を有する
   請求項３に記載の駆動回路。
6. 前記誘導性素子、前記第一ダイオード型素子及び前記第一スイッチ素子で構成され、前記第一容量性負荷に蓄積されているエネルギーを転送する第一エネルギー転送部と、
   前記誘導性素子、前記第二ダイオード型素子及び前記第二スイッチ素子で構成され、前記第一容量性負荷に蓄積されているエネルギーを転送する第二エネルギー転送部と
   を有するエネルギー転送回路を備える
   請求項５に記載の駆動回路。
7. 前記第一スイッチ素子、前記第二スイッチ素子及び前記第一スイッチ素子群に設けられた前記複数のスイッチ素子は、電界効果トランジスタで構成されている
   請求項５に記載の駆動回路。
8. 第二容量性負荷への交流電圧の印加を制御する第二制御回路と、
   前記第二容量性負荷及び前記誘導性素子の間で前記誘導性素子に直列に接続されて第三閉回路を構成する第三ダイオード型素子と、
   前記第二容量性負荷及び前記誘導性素子の間で前記第三ダイオード型素子と直列に接続されて前記第三閉回路を構成する第三スイッチ素子と、
   前記第一容量性負荷及び前記誘導性素子の間で前記第一容量性負荷及び前記誘導性素子に直列に接続されて前記第一閉回路及び前記第二閉回路から前記誘導性素子を電気的に切断する第一切断スイッチ素子と、
   前記第二容量性負荷及び前記誘導性素子の間で前記第二容量性負荷及び前記誘導性素子に直列に接続されて前記第三閉回路から前記誘導性素子を電気的に切断する第二切断スイッチ素子と
   を備える請求項３に記載の駆動回路。
9. 前記誘導性素子に直列かつ前記第三ダイオード型素子及び前記第三スイッチ素子に並列に接続されて第四閉回路を構成する第四ダイオード型素子と、
   前記第四ダイオード型素子に直列かつ前記第三ダイオード型素子及び前記第三スイッチ素子に並列に接続されて前記第四閉回路を構成する第四スイッチ素子と
   を備える
   請求項８に記載の駆動回路。
10. 前記第二制御回路は、
    複数のスイッチ素子を有する第二スイッチ素子群で構成されて前記第二容量性負荷の両端に接続された第二ブリッジ回路と、
    前記第三スイッチ素子、前記第四スイッチ素子及び前記第二スイッチ素子群のスイッチングを制御する制御信号を生成する第二制御信号生成部と
    を有する
    請求項９に記載の駆動回路。
11. 前記誘導性素子、前記第三ダイオード型素子及び前記第三スイッチ素子で構成され、前記第二容量性負荷に蓄積されているエネルギーを転送する第三エネルギー転送部と、
    前記誘導性素子、前記第四ダイオード型素子及び前記第四スイッチ素子で構成され、前記第二容量性負荷に蓄積されたエネルギーを転送する第四エネルギー転送部と
    を有する第二エネルギー転送回路を備える
    請求項９に記載の駆動回路。
12. 前記第三スイッチ素子、前記第四スイッチ素子及び前記第二スイッチ素子群に設けられた前記複数のスイッチ素子は、電界効果トランジスタで構成されている
    請求項１０に記載の駆動回路。
13. 請求項１に記載の駆動回路を備える電子機器。
14. 第一容量性負荷に直列に接続された誘導性素子と、前記第一容量性負荷及び前記誘導性素子の間で前記誘導性素子に直列に接続された第一ダイオード型素子と、前記第一容量性負荷及び前記誘導性素子の間で前記第一ダイオード型素子と直列に接続された第一スイッチ素子とで構成された第一閉回路の前記第一スイッチ素子をオフ状態からオン状態に移行し、
    前記第一閉回路を介して前記第一容量性負荷に印加された電圧の極性を反転し、
    前記第一スイッチ素子をオン状態からオフ状態に移行し、
    前記第一容量性負荷に印加されている電圧と同極性の交流電圧を第一制御回路から印加する
    駆動回路の制御方法。
15. 前記第一制御回路から前記同極性の交流電圧を前記第一容量性負荷に印加した後に、
    前記誘導性素子に直列かつ前記第一ダイオード型素子及び前記第一スイッチ素子に並列に接続されて第二閉回路を構成し、互いに直列に接続された第二ダイオード型素子及び第二スイッチ素子の前記第二スイッチ素子をオフ状態からオン状態に移行し、
    前記第二閉回路を介して前記第一容量性負荷に印加された電圧の極性を反転し、
    前記第二スイッチ素子をオン状態からオフ状態に移行し、
    前記第一容量性負荷に印加されている電圧と同極性の交流電圧を前記第一制御回路から印加する
    請求項１４に記載の駆動回路の制御方法。
16. 前記第一制御回路は、１回目の交流電圧の電圧レベルを２回目以降の交流電圧の電圧レベルよりも低くして前記第一容量性負荷に印加する
    請求項１４に記載の駆動回路の制御方法。
17. 前記誘導性素子と、第二容量性負荷と、前記第二容量性負荷及び前記誘導性素子の間で前記誘導性素子に直列に接続された第三ダイオード型素子と、前記第二容量性負荷及び前記誘導性素子の間で前記第三ダイオード型素子と直列に接続された第三スイッチ素子とで構成されて第三閉回路の前記第三スイッチ素子のオン状態及びオフ状態を制御する制御信号と、前記第一スイッチ素子のオン状態及びオフ状態を制御する制御信号との初期位相差に基づいて、前記第一スイッチ素子及び前記第三スイッチ素子のうちの後にオフ状態からオン状態に移行するスイッチ素子を有する閉回路である後続閉回路から前記誘導性素子を電気的に切り離し、
    前記第一スイッチ素子及び前記第三スイッチ素子のうちの先にオフ状態からオン状態に移行するスイッチ素子を有する閉回路である先行閉回路を構成するスイッチ素子をオフ状態からオン状態に移行し、
    前記先行閉回路を介して前記先行閉回路を構成する容量性負荷に印加された電圧の極性を反転し、
    前記後続閉回路を構成する容量性負荷に印加されている交流電圧とは逆極性の交流電圧を該容量性負荷に印加し、
    前記後続閉回路を構成する前記スイッチ素子をオン状態からオフ状態に移行する
    請求項１４に記載の駆動回路の制御方法。
18. 前記先行閉回路を構成する容量性負荷及び前記後続閉回路を構成する容量性負荷に所定回数の交流電圧を印加したのちに、前記第一スイッチ素子を制御する前記制御信号と前記第三スイッチ素子を制御する前記制御信号との位相差を前記初期位相差に戻す
    請求項１７に記載の駆動回路の制御方法。

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