JPWO2020091016A1 - 膜形成方法及び膜形成装置 - Google Patents
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Abstract
膜形成方法は、金属又は半導体が露出した第1の領域と絶縁体が露出した第2の領域とを含む基材表面に膜を形成する方法であって、第1の領域にパーフルオロポリエーテル基含有化合物の自己組織化単分子膜を形成するSAM形成工程と、SAM形成工程の実行後に、第2の領域に所定の膜を形成する膜成長工程とを有する。
Description
本開示は、膜形成方法及び膜形成装置に関する。
半導体プロセス等において自己組織化単分子(SAM:Self-Assembled Monolayer)膜を利用して基材表面にパターンを形成する技術がある。
特許文献1には、官能基形成性分子を含むパーフルオロポリエーテル有機イオウ化合物のSAM膜を基材表面に形成し、非官能基化領域をエッチングすることにより、基材表面に官能基形成性分子のパターンを形成する方法が開示されている。
本開示は、基材表面の材質に応じて選択的に成膜するための技術を提供する。
本開示の一態様による膜形成方法は、金属又は半導体が露出した第1の領域と絶縁体が露出した第2の領域とを含む基材表面に膜を形成する方法であって、前記第1の領域に下記式(1)又は(2)で表されるパーフルオロポリエーテル基含有化合物の自己組織化単分子膜を形成するSAM形成工程と、前記SAM形成工程の実行後に、前記第2の領域に所定の膜を形成する膜成長工程と、を有する。式(1)中、Rfは、1以上のフッ素原子により置換されていてもよい炭素数1〜16のアルキル基を表し、式(1)及び(2)中、PFPEは、−(OC6F12)a−(OC5F10)b−(OC4F8)c−(OC3F6)d−(OC2F4)e−(OCF2)f−を表し、a、b、c、d、e、及びfは、0以上200以下の整数であって、a、b、c、d、e、及びfの和は、少なくとも1であり、式(1)及び(2)中、Aは、−OH、−COOH、又は−COORを表し、Rは、炭素数1〜4のアルキル基を表し、式(1)及び(2)中、Xは、単結合又は2価〜10価の有機基を表す。
本開示によれば、基材表面の材質に応じて選択的に成膜するための技術を提供することができる。
以下、実施形態について図面を参照して説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の構成については、同一の符号を付することにより重複した説明を省く。
[膜形成方法の流れ]
本実施形態に係る膜形成方法は、基材表面に膜を形成する際に、基材表面の材質に応じて選択的に成膜するための技術を提供するものである。
本実施形態に係る膜形成方法は、基材表面に膜を形成する際に、基材表面の材質に応じて選択的に成膜するための技術を提供するものである。
図1は、実施形態に係る基材1の構成の一例を示す図である。本実施形態に係る基材1は、金属により形成された金属パターン11と、隣り合う金属パターン11の間に介在された層間絶縁膜(ILD:Inter Layer Dielectric)12とを含んでいる。基材表面20には、金属が露出した金属領域21(第1の領域)と、絶縁体が露出した絶縁体領域22(第2の領域)とが形成されている。以下において、絶縁体領域22に選択的に所定の膜を形成する方法について説明する。
図2は、実施形態に係る膜形成方法の全体的な流れの一例を示すフローチャートである。本実施形態に係る膜形成方法は、洗浄工程S101、SAM形成工程S102、余剰SAM除去工程S103、膜成長工程S104、及びSAM除去工程S105を含む。
洗浄工程S101は、基材表面20を洗浄する工程である。洗浄工程S101により、例えば、金属領域21及び絶縁体領域22に付着している汚れ、金属領域21に形成された金属酸化物等が除去される。なお、基材表面20が実質的に汚染されていない場合等には、洗浄工程S101を省略してもよい。
SAM形成工程S102は、洗浄後の基材表面20に対し、下記式(1)又は(2)で表されるパーフルオロポリエーテル基含有化合物を供給することにより、金属領域21にパーフルオロポリエーテル基含有化合物のSAM膜を形成する工程である。
式(1)中、Rfは、それぞれ独立して、1以上のフッ素原子により置換されていてもよい炭素数1〜16のアルキル基を表す。
1以上のフッ素原子により置換されていてもよい炭素数1〜16のアルキル基における「炭素数1〜16のアルキル基」は、直鎖であっても、分枝鎖であってもよい。「炭素数1〜16のアルキル基」の直鎖又は分枝鎖の炭素数は、1〜6であることが好ましく、1〜3であることがより好ましい。「炭素数1〜16のアルキル基」は、直鎖の炭素数1〜3のアルキル基であることが特に好ましい。
Rfは、1以上のフッ素原子により置換されている炭素数1〜16のアルキル基であることが好ましい。また、Rfは、CF2H−C1−15フルオロアルキレン基、又は炭素数1〜16のパーフルオロアルキル基であることがより好ましい。また、Rfは、炭素数1〜16のパーフルオロアルキル基であることが特に好ましい。
「炭素数1〜16のパーフルオロアルキル基」は、直鎖であっても、分枝鎖であってもよい。「炭素数1〜16のパーフルオロアルキル基」の直鎖又は分枝鎖の炭素数は、1〜6であることが好ましく、1〜3であることがより好ましい。「炭素数1〜16のパーフルオロアルキル基」は、直鎖の炭素数1〜3のパーフルオロアルキル基であることが特に好ましい。「直鎖の炭素数1〜3のパーフルオロアルキル基」は、具体的には、−CF3、−CF2CF3、又は−CF2CF2CF3である。
式(1)及び(2)中、PFPEは、それぞれ独立して、−(OC6F12)a−(OC5F10)b−(OC4F8)c−(OC3F6)d−(OC2F4)e−(OCF2)f−を表す。
a、b、c、d、e、及びfは、それぞれ独立して、0以上200以下の整数であって、a、b、c、d、e、及びfの和は少なくとも1である。a、b、c、d、e、及びfは、それぞれ独立して、0以上100以下の整数であることが好ましい。a、b、c、d、e、及びfの和は、5以上であることが好ましく、10以上であることがより好ましい。具体的には、a、b、c、d、e、及びfの和は、10以上100以下であってもよい。また、a、b、c、d、e、又はfを付して括弧でくくられた各繰り返し単位の存在順序は任意である。
これら繰り返し単位は、直鎖状であっても、分枝鎖状であってもよいが、直鎖状であることが好ましい。例えば、−(OC6F12)−は、−(OCF2CF2CF2CF2CF2CF2)−、−(OCF(CF3)CF2CF2CF2CF2)−、−(OCF2CF(CF3)CF2CF2CF2)−、−(OCF2CF2CF(CF3)CF2CF2)−、−(OCF2CF2CF2CF(CF3)CF2)−、−(OCF2CF2CF2CF2CF(CF3))−等であってもよいが、好ましくは−(OCF2CF2CF2CF2CF2CF2)−である。−(OC5F10)−は、−(OCF2CF2CF2CF2CF2)−、−(OCF(CF3)CF2CF2CF2)−、−(OCF2CF(CF3)CF2CF2)−、−(OCF2CF2CF(CF3)CF2)−、−(OCF2CF2CF2CF(CF3))−等であってもよいが、好ましくは−(OCF2CF2CF2CF2CF2)−である。−(OC4F8)−は、−(OCF2CF2CF2CF2)−、−(OCF(CF3)CF2CF2)−、−(OCF2CF(CF3)CF2)−、−(OCF2CF2CF(CF3))−、−(OC(CF3)2CF2)−、−(OCF2C(CF3)2)−、−(OCF(CF3)CF(CF3))−、−(OCF(C2F5)CF2)−、又は−(OCF2CF(C2F5))−のいずれであってもよいが、好ましくは−(OCF2CF2CF2CF2)−である。−(OC3F6)−は、−(OCF2CF2CF2)−、−(OCF(CF3)CF2)−、又は−(OCF2CF(CF3))−のいずれであってもよいが、好ましくは−(OCF2CF2CF2)−である。また、−(OC2F4)−は、−(OCF2CF2)−又は−(OCF(CF3))−のいずれであってもよいが、好ましくは−(OCF2CF2)−である。
一の態様において、PFPEは、それぞれ独立して、−(OC3F6)d−(dは1以上200以下、好ましくは5以上200以下、より好ましくは10以上200以下の整数)である。PFPEは、それぞれ独立して、−(OCF2CF2CF2)d−(dは1以上200以下、好ましくは5以上200以下、より好ましくは10以上200以下の整数)、又は−(OCF(CF3)CF2)d−(dは1以上200以下、好ましくは5以上200以下、より好ましくは10以上200以下の整数)であることが好ましい。PRPFは、それぞれ独立して、−(OCF2CF2CF2)d−(dは1以上200以下、好ましくは5以上200以下、より好ましくは10以上200以下の整数)であることがより好ましい。
別の態様において、PFPEは、それぞれ独立して、−(OC4F8)c−(OC3F6)d−(OC2F4)e−(OCF2)f−である。このとき、c及びdは、それぞれ独立して0以上30以下の整数であり、e及びfは、それぞれ独立して1以上200以下、好ましくは5以上200以下、より好ましくは10以上200以下の整数であり、c、d、e、又はfを付して括弧でくくられた各繰り返し単位の存在順序は任意である。PFPEは、それぞれ独立して、−(OCF2CF2CF2CF2)c−(OCF2CF2CF2)d−(OCF2CF2)e−(OCF2)f−であることが好ましい。一の態様において、PFPEは、それぞれ独立して、−(OC2F4)e−(OCF2)f−であってもよい。このとき、e及びfは、それぞれ独立して1以上200以下、好ましくは5以上200以下、より好ましくは10以上200以下の整数であり、e又はfを付して括弧でくくられた各繰り返し単位の存在順序は任意である。
さらに別の態様において、PFPEは、それぞれ独立して、−(R6−R7)q−で表される基である。R6は、OCF2又はOC2F4であり、好ましくはOC2F4である。R7は、OC2F4、OC3F6、OC4F8、OC5F10、及びOC6F12からなる群から選択される基であるか、又はこれらの基から独立して選択される2又は3の基の組み合わせである。R7は、OC2F4、OC3F6及びOC4F8からなる群から選択される基であるか、又はこれらの基から独立して選択される2又は3の基の組み合わせであることが好ましい。OC2F4、OC3F6、及びOC4F8からなる群から独立して選択される2又は3の基の組み合わせとしては、特に限定されないが、例えば−OC2F4OC3F6−、−OC2F4OC4F8−、−OC3F6OC2F4−、−OC3F6OC3F6−、−OC3F6OC4F8−、−OC4F8OC4F8−、−OC4F8OC3F6−、−OC4F8OC2F4−、−OC2F4OC2F4OC3F6−、−OC2F4OC2F4OC4F8−、−OC2F4OC3F6OC2F4−、−OC2F4OC3F6OC3F6−、−OC2F4OC4F8OC2F4−、−OC3F6OC2F4OC2F4−、−OC3F6OC2F4OC3F6−、−OC3F6OC3F6OC2F4−、−OC4F8OC2F4OC2F4−等が挙げられる。qは、2〜100の整数、好ましくは2〜50の整数である。OC2F4、OC3F6、OC4F8、OC5F10、及びOC6F12は、直鎖又は分枝鎖のいずれであってもよく、好ましくは直鎖である。この態様において、PFPEは、それぞれ独立して、−(OC2F4−OC3F6)q−又は−(OC2F4−OC4F8)q−であることが好ましい。
式(1)及び(2)中、Aは、各出現においてそれぞれ独立して、−OH、−COOH、又は−COORを表す。ここで、Rは、置換又は非置換の炭素数1〜4のアルキル基を表す。Rの例には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基等の非置換アルキル基や、クロロメチル基等の置換アルキル基が含まれる。これらの例の中でも、アルキル基、特に非置換アルキル基が好ましく、メチル基又はエチル基がより好ましい。
式(1)及び(2)中、Xは、それぞれ独立して、単結合又は2価〜10価の有機基を表す。Xは、式(1)又は(2)で表される化合物において、主に撥水性、表面滑り性等を提供するパーフルオロポリエーテル部(すなわち、Rf−PFPE部又は−PFPE−部)と、基材との結合能を提供する結合部(すなわち、A基)とを連結するリンカーと解される。従って、Xは、式(1)又は(2)で表される化合物が安定に存在し得るものであれば、いずれの有機基であってもよい。
式(1)及び(2)中、αは1〜9の整数であり、α’は1〜9の整数である。α及びα’は、Xの価数に応じて変化し得る。式(1)においては、α及びα’の和は、Xの価数と同じである。例えば、Xが10価の有機基である場合、α及びα’の和は10であり、例えばαが9且つα’が1、αが5且つα’が5、又はαが1且つα’が9となり得る。また、Xが2価の有機基である場合、α及びα’は1である。式(2)においては、αはXの価数から1を引いた値である。
Xは、好ましくは2〜7価、より好ましくは2〜4価、特に好ましくは2価の有機基である。
一の態様において、Xは2〜4価の有機基であり、αは1〜3であり、α’は1である。
別の態様において、Xは2価の有機基であり、αは1であり、α’は1である。この場合、式(1)及び(2)は、下記式(3)及び(4)で表される。
式(3)及び(4)の好ましい態様において、Xは、それぞれ独立して、特に限定されるものではないが、例えば、下記式(5)で表される2価の基である。
式(5)中、R31は、単結合、−(CH2)s’−、若しくはo−、m−、又はp−フェニレン基を表し、好ましくは−(CH2)s’−である。s’は、1〜20の整数、好ましくは1〜6の整数、より好ましくは1〜3の整数、特に好ましくは1又は2である。Xaは、−(Xb)l’−を表し、Xbは、各出現においてそれぞれ独立して、−O−、−S−、o−、m−、又はp−フェニレン基、−C(O)O−、−Si(R33)2−、−(Si(R33)2O)m”−Si(R33)2−、−CONR34−、−O−CONR34−、−NR34−、及び−(CH2)n’−からなる群から選択される基を表す。R33は、各出現においてそれぞれ独立して、フェニル基、C1−6アルキル基、又はC1−6アルコキシ基を表し、好ましくはフェニル基又はC1−6アルキル基であり、より好ましくはメチル基である。R34は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子、フェニル基、又はC1−6アルキル基(好ましくはメチル基)を表す。m”は、各出現において、それぞれ独立して、1〜100の整数、好ましくは1〜20の整数である。n’は、各出現において、それぞれ独立して、1〜20の整数、好ましくは1〜6の整数、より好ましくは1〜3の整数である。l’は、1〜10の整数、好ましくは1〜5の整数、より好ましくは1〜3の整数である。p1は、0又は1である。q1は、0又は1である。p1又はq1の少なくとも一方は1であり、p1又はq1を付して括弧でくくられた各繰り返し単位の存在順序は任意である。なお、R31及びXa(典型的にはR31及びXaの水素原子)は、フッ素原子、C1−3アルキル基、及びC1−3フルオロアルキル基からなる群から選択される1以上の置換基により置換されていてもよい。
Xは、それぞれ独立して、−(R31)p1−(Xa)q1−R32−であることが好ましい。R32は、単結合、−(CH2)t’−、若しくはo−、m−、又はp−フェニレン基を表し、好ましくは−(CH2)t’−である。t’は、1〜20の整数、好ましくは2〜6の整数、より好ましくは2〜3の整数である。R32(典型的にはR32の水素原子)は、フッ素原子、C1−3アルキル基、及びC1−3フルオロアルキル基からなる群から選択される1以上の置換基により置換されていてもよい。
Xは、好ましくは、それぞれ独立して、C1−20アルキレン基、−R31−Xc−R32−、又は−Xd−R32−であり得る。この式中、R31及びR32は、上記と同意義である。
Xは、より好ましくは、それぞれ独立して、C1−20アルキレン基、−(CH2)s’−Xc−、−(CH2)s’−Xc−(CH2)t’−、−Xd−、又は−Xd−(CH2)t’−である。この式中、s’及びt’は、上記と同意義である。
Xcは、−O−、−S−、−C(O)O−、−CONR34−、−O−CONR34−、−Si(R33)2−、−(Si(R33)2O)m”−Si(R33)2−、−O−(CH2)u’−(Si(R33)2O)m”−Si(R33)2−、−O−(CH2)u’−Si(R33)2−O−Si(R33)2−CH2CH2−Si(R33)2−O−Si(R33)2−、−O−(CH2)u’−Si(OCH3)2OSi(OCH3)2−、−CONR34−(CH2)u’−(Si(R33)2O)m”−Si(R33)2−、−CONR34−(CH2)u’−N(R34)−、又は−CONR34−(o−、m−、又はp−フェニレン)−Si(R33)2−を表す。このとき、R33、R34、及びm”は、上記と同意義である。u’は、1〜20の整数、好ましくは2〜6の整数、より好ましくは2〜3の整数である。Xcは、好ましくは−O−である。
Xdは、−S−、−C(O)O−、−CONR34−、−CONR34−(CH2)u’b−(Si(R33)2O)m”−Si(R33)2−、−CONR34−(CH2)u’−N(R34)−、又は−CONR34−(o−、m−、又はp−フェニレン)−Si(R33)2−を表す。この式中、各記号は、上記と同意義である。
より好ましくは、Xは、それぞれ独立して、C1−20アルキレン基、−(CH2)s’−Xc−(CH2)t’−、又は−Xd−(CH2)t’−であり得る。この式中、各記号は、上記と同意義である。
特に好ましくは、Xは、それぞれ独立して、C1−20アルキレン基、−(CH2)s’−O−(CH2)t’−、−(CH2)s’−(Si(R33)2O)m”−Si(R33)2−(CH2)t’−、−(CH2)s’−O−(CH2)u’−(Si(R33)2O)m”−Si(R33)2−(CH2)t’−、又は−(CH2)s’−O−(CH2)t’−Si(R33)2−(CH2)u’−Si(R33)2−(CvH2v)−である。R33、m”、s’、t’、及びu’は、上記と同意義であり、vは1〜20の整数、好ましくは2〜6の整数、より好ましくは2〜3の整数である。
−(CvH2v)−は、直鎖であっても、分枝鎖であってもよく、例えば、−CH2CH2−、−CH2CH2CH2−、−CH(CH3)−、又は−CH(CH3)CH2−であり得る。
Xは、それぞれ独立して、フッ素原子、C1−3アルキル基、及びC1−3フルオロアルキル基(好ましくは、C1−3パーフルオロアルキル基)からなる群から選択される1以上の置換基により置換されていてもよい。
一の態様において、Xは、それぞれ独立して、−O−C1−6アルキレン基以外であり得る。
別の態様において、Xとしては、例えば下記式(6)〜(12)で表される基が挙げられる。
式(6)〜(12)中、R41は、それぞれ独立して、水素原子、フェニル基、炭素数1〜6のアルキル基、又はC1−6アルコキシ基であり、好ましくはメチル基である。Dは、−CH2O(CH2)2−、−CH2O(CH2)3−、−CF2O(CH2)3−、−(CH2)2−、−(CH2)3−、−(CH2)4−、−CONH−(CH2)3−、−CON(CH3)−(CH2)3−、−CON(Ph)−(CH2)3−(Phはフェニルを意味する)、及び下記式(13)で表される基からなる群から選択される基である。
式(13)中、R42は、それぞれ独立して、水素原子、C1−6のアルキル基、又はC1−6のアルコキシ基であり、好ましくはメチル基又はメトキシ基であり、より好ましくはメチル基である。
式(6)〜(12)中、Eは、−(CH2)n−(nは2〜6の整数)であり、Dは、分子主鎖のPFPEに結合し、Eは、PFPEと反対の基に結合する。
Xの具体的な例としては、例えば:
−CH2O(CH2)2−、
−CH2O(CH2)3−、
−CH2O(CH2)6−、
−CH2O(CH2)3Si(CH3)2OSi(CH3)2(CH2)2−、
−CH2O(CH2)3Si(CH3)2OSi(CH3)2OSi(CH3)2(CH2)2−、
−CH2O(CH2)3Si(CH3)2O(Si(CH3)2O)2Si(CH3)2(CH2)2−、
−CH2O(CH2)3Si(CH3)2O(Si(CH3)2O)3Si(CH3)2(CH2)2−、
−CH2O(CH2)3Si(CH3)2O(Si(CH3)2O)10Si(CH3)2(CH2)2−、
−CH2O(CH2)3Si(CH3)2O(Si(CH3)2O)20Si(CH3)2(CH2)2−、
−CH2OCF2CHFOCF2−、
−CH2OCF2CHFOCF2CF2−、
−CH2OCF2CHFOCF2CF2CF2−、
−CH2OCH2CF2CF2OCF2−、
−CH2OCH2CF2CF2OCF2CF2−、
−CH2OCH2CF2CF2OCF2CF2CF2−、
−CH2OCH2CF2CF2OCF(CF3)CF2OCF2−、
−CH2OCH2CF2CF2OCF(CF3)CF2OCF2CF2−、
−CH2OCH2CF2CF2OCF(CF3)CF2OCF2CF2CF2−、
−CH2OCH2CHFCF2OCF2−、
−CH2OCH2CHFCF2OCF2CF2−、
−CH2OCH2CHFCF2OCF2CF2CF2−、
−CH2OCH2CHFCF2OCF(CF3)CF2OCF2−、
−CH2OCH2CHFCF2OCF(CF3)CF2OCF2CF2−、
−CH2OCH2CHFCF2OCF(CF3)CF2OCF2CF2CF2−、
−CH2OCH2(CH2)7CH2Si(OCH3)2OSi(OCH3)2(CH2)2Si(OCH3)2OSi(OCH3)2(CH2)2−、
−CH2OCH2CH2CH2Si(OCH3)2OSi(OCH3)2(CH2)3−、
−CH2OCH2CH2CH2Si(OCH2CH3)2OSi(OCH2CH3)2(CH2)3−、
−CH2OCH2CH2CH2Si(OCH3)2OSi(OCH3)2(CH2)2−、
−CH2OCH2CH2CH2Si(OCH2CH3)2OSi(OCH2CH3)2(CH2)2−、
−(CH2)2−、
−(CH2)3−、
−(CH2)4−、
−(CH2)5−、
−(CH2)6−、
−CONH−(CH2)3−、
−CON(CH3)−(CH2)3−、
−CON(Ph)−(CH2)3−(式中、Phはフェニルを意味する)、
−CONH−(CH2)6−、
−CON(CH3)−(CH2)6−、
−CON(Ph)−(CH2)6−(式中、Phはフェニルを意味する)、
−CONH−(CH2)2NH(CH2)3−、
−CONH−(CH2)6NH(CH2)3−、
−CH2O−CONH−(CH2)3−、
−CH2O−CONH−(CH2)6−、
−S−(CH2)3−、
−(CH2)2S(CH2)3−、
−CONH−(CH2)3Si(CH3)2OSi(CH3)2(CH2)2−、
−CONH−(CH2)3Si(CH3)2OSi(CH3)2OSi(CH3)2(CH2)2−、
−CONH−(CH2)3Si(CH3)2O(Si(CH3)2O)2Si(CH3)2(CH2)2−、
−CONH−(CH2)3Si(CH3)2O(Si(CH3)2O)3Si(CH3)2(CH2)2−、
−CONH−(CH2)3Si(CH3)2O(Si(CH3)2O)10Si(CH3)2(CH2)2−、
−CONH−(CH2)3Si(CH3)2O(Si(CH3)2O)20Si(CH3)2(CH2)2−、
−C(O)O−(CH2)3−、
−C(O)O−(CH2)6−、
−CH2−O−(CH2)3−Si(CH3)2−(CH2)2−Si(CH3)2−(CH2)2−、
−CH2−O−(CH2)3−Si(CH3)2−(CH2)2−Si(CH3)2−CH(CH3)−、
−CH2−O−(CH2)3−Si(CH3)2−(CH2)2−Si(CH3)2−(CH2)3−、
−CH2−O−(CH2)3−Si(CH3)2−(CH2)2−Si(CH3)2−CH(CH3)−CH2−、
−OCH2−、
−O(CH2)3−、
−OCFHCF2−、
下記式(14)で表される基、
下記式(15)で表される基、
等が挙げられる。
−CH2O(CH2)2−、
−CH2O(CH2)3−、
−CH2O(CH2)6−、
−CH2O(CH2)3Si(CH3)2OSi(CH3)2(CH2)2−、
−CH2O(CH2)3Si(CH3)2OSi(CH3)2OSi(CH3)2(CH2)2−、
−CH2O(CH2)3Si(CH3)2O(Si(CH3)2O)2Si(CH3)2(CH2)2−、
−CH2O(CH2)3Si(CH3)2O(Si(CH3)2O)3Si(CH3)2(CH2)2−、
−CH2O(CH2)3Si(CH3)2O(Si(CH3)2O)10Si(CH3)2(CH2)2−、
−CH2O(CH2)3Si(CH3)2O(Si(CH3)2O)20Si(CH3)2(CH2)2−、
−CH2OCF2CHFOCF2−、
−CH2OCF2CHFOCF2CF2−、
−CH2OCF2CHFOCF2CF2CF2−、
−CH2OCH2CF2CF2OCF2−、
−CH2OCH2CF2CF2OCF2CF2−、
−CH2OCH2CF2CF2OCF2CF2CF2−、
−CH2OCH2CF2CF2OCF(CF3)CF2OCF2−、
−CH2OCH2CF2CF2OCF(CF3)CF2OCF2CF2−、
−CH2OCH2CF2CF2OCF(CF3)CF2OCF2CF2CF2−、
−CH2OCH2CHFCF2OCF2−、
−CH2OCH2CHFCF2OCF2CF2−、
−CH2OCH2CHFCF2OCF2CF2CF2−、
−CH2OCH2CHFCF2OCF(CF3)CF2OCF2−、
−CH2OCH2CHFCF2OCF(CF3)CF2OCF2CF2−、
−CH2OCH2CHFCF2OCF(CF3)CF2OCF2CF2CF2−、
−CH2OCH2(CH2)7CH2Si(OCH3)2OSi(OCH3)2(CH2)2Si(OCH3)2OSi(OCH3)2(CH2)2−、
−CH2OCH2CH2CH2Si(OCH3)2OSi(OCH3)2(CH2)3−、
−CH2OCH2CH2CH2Si(OCH2CH3)2OSi(OCH2CH3)2(CH2)3−、
−CH2OCH2CH2CH2Si(OCH3)2OSi(OCH3)2(CH2)2−、
−CH2OCH2CH2CH2Si(OCH2CH3)2OSi(OCH2CH3)2(CH2)2−、
−(CH2)2−、
−(CH2)3−、
−(CH2)4−、
−(CH2)5−、
−(CH2)6−、
−CONH−(CH2)3−、
−CON(CH3)−(CH2)3−、
−CON(Ph)−(CH2)3−(式中、Phはフェニルを意味する)、
−CONH−(CH2)6−、
−CON(CH3)−(CH2)6−、
−CON(Ph)−(CH2)6−(式中、Phはフェニルを意味する)、
−CONH−(CH2)2NH(CH2)3−、
−CONH−(CH2)6NH(CH2)3−、
−CH2O−CONH−(CH2)3−、
−CH2O−CONH−(CH2)6−、
−S−(CH2)3−、
−(CH2)2S(CH2)3−、
−CONH−(CH2)3Si(CH3)2OSi(CH3)2(CH2)2−、
−CONH−(CH2)3Si(CH3)2OSi(CH3)2OSi(CH3)2(CH2)2−、
−CONH−(CH2)3Si(CH3)2O(Si(CH3)2O)2Si(CH3)2(CH2)2−、
−CONH−(CH2)3Si(CH3)2O(Si(CH3)2O)3Si(CH3)2(CH2)2−、
−CONH−(CH2)3Si(CH3)2O(Si(CH3)2O)10Si(CH3)2(CH2)2−、
−CONH−(CH2)3Si(CH3)2O(Si(CH3)2O)20Si(CH3)2(CH2)2−、
−C(O)O−(CH2)3−、
−C(O)O−(CH2)6−、
−CH2−O−(CH2)3−Si(CH3)2−(CH2)2−Si(CH3)2−(CH2)2−、
−CH2−O−(CH2)3−Si(CH3)2−(CH2)2−Si(CH3)2−CH(CH3)−、
−CH2−O−(CH2)3−Si(CH3)2−(CH2)2−Si(CH3)2−(CH2)3−、
−CH2−O−(CH2)3−Si(CH3)2−(CH2)2−Si(CH3)2−CH(CH3)−CH2−、
−OCH2−、
−O(CH2)3−、
−OCFHCF2−、
下記式(14)で表される基、
下記式(15)で表される基、
等が挙げられる。
さらに別の態様において、Xは、それぞれ独立して、下記式(16)で表される基である。
式(16)中、x、y、及びzは、それぞれ独立して、0〜10の整数であり、x、y、及びzの和は1以上であり、括弧でくくられた各繰り返し単位の存在順序は任意である。R16は、各出現においてそれぞれ独立して、酸素原子、フェニレン、カルバゾリレン、−NR26−(R26は、水素原子又は有機基を表す)、又は2価の有機基であり、好ましくは、酸素原子又は2価の極性基である。
「2価の極性基」としては、特に限定されないが、−C(O)−、−C(=NR27)−、及び−C(O)NR27−(R27は、水素原子又は低級アルキル基を表す)が挙げられる。「低級アルキル基」は、例えば、炭素数1〜6のアルキル基(例えばメチル、エチル、又はn−プロピル)であり、これらは1以上のフッ素原子により置換されていてもよい。
式(16)中、R17は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子、フッ素原子、又は低級フルオロアルキル基であり、好ましくはフッ素原子である。「低級フルオロアルキル基」の炭素数は、例えば、1〜6である。「低級フルオロアルキル基」は、好ましくは炭素数1〜3のフルオロアルキル基又は炭素数1〜3のパーフルオロアルキル基であり、より好ましくはトリフルオロメチル基又はペンタフルオロエチル基であり、特に好ましくはトリフルオロメチル基である。
さらに別の態様において、Xの例として、式(17)〜(24)で表される基が挙げられる。
式(17)〜(24)中、R41は、それぞれ独立して、水素原子、フェニル基、炭素数1〜6のアルキル基、又はC1−6アルコキシ基であり、好ましくはメチル基である。
各Xにおいて、Tのうち任意のいくつかは、分子主鎖のPFPEに結合する以下の基である。
−CH2O(CH2)2−、
−CH2O(CH2)3−、
−CF2O(CH2)3−、
−(CH2)2−、
−(CH2)3−、
−(CH2)4−、
−CONH−(CH2)3−、
−CON(CH3)−(CH2)3−、
−CON(Ph)−(CH2)3−(式中、Phはフェニルを意味する)、
又は下記式(25)で表される基。
−CH2O(CH2)2−、
−CH2O(CH2)3−、
−CF2O(CH2)3−、
−(CH2)2−、
−(CH2)3−、
−(CH2)4−、
−CONH−(CH2)3−、
−CON(CH3)−(CH2)3−、
−CON(Ph)−(CH2)3−(式中、Phはフェニルを意味する)、
又は下記式(25)で表される基。
式(25)中、R42は、それぞれ独立して、水素原子、C1−6のアルキル基、又はC1−6のアルコキシ基であり、好ましくはメチル基又はメトキシ基であり、より好ましくはメチル基である。
別のTのいくつかは、分子主鎖のPFPEと反対の基に結合する−(CH2)n”−(n”は2〜6の整数)であり、存在する場合、残りのTは、それぞれ独立して、メチル基、フェニル基、C1−6アルコキシ基、ラジカル捕捉基、又は紫外線吸収基である。
ラジカル捕捉基は、光照射で生じるラジカルを捕捉できるものであれば特に限定されないが、例えば、ベンゾフェノン類、ベンゾトリアゾール類、安息香酸エステル類、サリチル酸フェニル類、クロトン酸類、マロン酸エステル類、オルガノアクリレート類、ヒンダードアミン類、ヒンダードフェノール類、トリアジン類の残基等であり得る。
紫外線吸収基は、紫外線を吸収できるものであれば特に限定されないが、例えば、ベンゾトリアゾール類、ヒドロキシベンゾフェノン類、置換及び未置換安息香酸又はサリチル酸化合物のエステル類、アクリレート又はアルコキシシンナメート類、オキサミド類、オキサニリド類、ベンゾキサジノン類、ベンゾキサゾール類の残基等であり得る。
好ましい態様において、好ましいラジカル捕捉基又は紫外線吸収基としては、下記式(26)〜(28)で表される基が挙げられる。
この態様において、Xは、それぞれ独立して、3〜10価の有機基であり得る。
本実施形態で用いられるパーフルオロポリエーテル基含有化合物(反応性パーフルオロポリエーテル基含有シラン化合物)の数平均分子量は、1000〜30000であり、好ましくは1500〜30000であり、より好ましくは2000〜10000である。
本実施形態に係るパーフルオロポリエーテル基含有化合物は、上述したように、主に撥水性、表面滑り性等を提供するパーフルオロポリエーテル部(Rf−PFPE部又は−PFPE−部)と、基材との結合能を提供する結合部(A基)と、パーフルオロポリエーテル部と結合部とを連結するリンカーとを有している。結合部の金属又は半導体に対する結合力(親和力)は、絶縁体に対する結合力より大きい。そのため、パーフルオロポリエーテル基含有化合物は、金属領域21に選択的に結合してSAM膜を形成する。
パーフルオロポリエーテル部は、絶縁体領域22上に成膜しようとしている膜を構成する物質をブロックする作用を有する。リンカーが長いほど、結合部が結合している基材表面20(金属領域21)とパーフルオロポリエーテル部との間の距離が長くなり、SAM膜のマスク効果(金属領域21に膜が形成されることを抑制する効果)が大きくなる。
本実施形態に係る金属領域21を構成する物質、すなわちパーフルオロポリエーテル基含有化合物が結合しやすい金属又は半導体としては、例えば、銅(Cu)、タングステン(W)、ルテニウム(Ru)、ゲルマニウム(Ge)、ケイ素(Si)、窒化チタン(TiN)、コバルト(Co)、モリブデン(Mo)等が挙げられる。
絶縁体領域22を構成する物質、すなわちパーフルオロポリエーテル基含有化合物が結合しにくい絶縁体としては、例えば、酸化アルミニウム(AlO)、窒化ケイ素(SiN)、酸化ケイ素(SiO2)、酸化ハフニウム(HfO2)、ジルコニア(ZrO2)等が挙げられる。
余剰SAM除去工程S103は、SAM形成工程S102の実行時に、絶縁体領域22に形成されたSAM膜(余剰SAM膜)を除去する工程である。上記パーフルオロポリエーテル基含有化合物は、上述したように、金属又は半導体への結合力が絶縁体より強いものであるが、絶縁体とも結合する場合がある。従って、SAM形成工程S102により、金属領域21のみならず絶縁体領域22にも僅かにSAM膜が形成されてしまう場合がある。このような場合、絶縁体領域22に付着したパーフルオロポリエーテル基含有化合物(余剰SAM膜)を除去することが好ましい。
絶縁体領域22に付着した余剰SAM膜を除去する方法は特に限定されるべきものではないが、例えば、基材表面20に形成されたSAM膜を全体的に薄く除去する方法、絶縁体領域22を余剰SAM膜ごと薄く剥離する方法等を利用することができる。余剰SAM除去工程S103を実行する際に使用可能な処理剤としては、例えば、フッ化アンモニウム水溶液等が挙げられる。なお、絶縁体領域22に余剰SAM膜が形成されていないか、又は実質的に問題が生じない程度にしか形成されていない場合には、余剰SAM除去工程S103を省略してもよい。
膜成長工程S104は、目的とする膜を絶縁体領域22に形成する工程である。このとき、金属領域21に形成されたパーフルオロポリエーテル基含有化合物のSAM膜がマスクとして機能することにより、目的とする膜を絶縁体領域22に選択的に成長させることが可能となる。
絶縁体領域22に成長させる目的の膜(所定の膜)を構成する物質としては、例えば、SiO2、Al2O3等が挙げられる。
SAM除去工程S105は、膜成長工程S104の実行後に、金属領域21に形成されたSAM膜を除去する工程である。金属領域21に形成されたSAM膜を除去する方法は特に限定されるべきものではないが、例えば、金属領域21上のSAM膜を溶解、エッチング等により直接除去する方法、金属領域21をSAM膜ごと薄く剥離する方法等を利用することができる。SAM除去工程S105を実行する際に使用可能な処理剤としては、例えば、ハイドロフロオロエーテル等が挙げられる。
図3は、実施形態に係る膜形成方法の実行時における基材1の状態変化の一例を示す図である。図3において、状態A〜Dが示されている。
状態Aは、SAM形成工程S102後の状態を例示している。SAM形成工程S102により、基材表面20の金属領域21にパーフルオロポリエーテル基含有化合物のSAM膜31Aが形成される。このとき、状態Aに示すように、絶縁体領域22にもパーフルオロポリエーテル基化合物が若干付着し、絶縁体領域22に余剰SAM膜31Bが形成される場合がある。
状態Bは、余剰SAM除去工程S103後の状態を例示している。余剰SAM除去工程S103により、絶縁体領域22の余剰SAM膜31Bが除去され、金属領域21にのみSAM膜31Aが形成された状態となる。
状態Cは、膜成長工程S104後の状態を例示している。膜成長工程S104の実行時には、金属領域21に形成されたSAM膜31Aのマスク効果により、目的とする膜35を構成する物質が金属領域21に付着することが防止される。これにより、目的とする膜35は、絶縁体領域22にのみ形成される。
状態Dは、SAM膜除去工程S105後の状態を例示している。SAM膜除去工程S105により、金属領域21に形成されたSAM膜31Aが除去され、基材表面20に金属領域21の金属が露出した状態となる。
以上のように、本実施形態によれば、金属又は半導体に選択的に結合するパーフルオロポリエーテル基含有化合物を用いて金属領域21にSAM膜31Aを形成することにより、フォトリソグラフィ等の処理を用いることなく、目的の膜35を絶縁体領域22に選択的に形成することができる。
[SAM膜の機能について]
図4は、実施形態に係る金属領域21にSAM膜31Aを形成した後における基材表面20の状態の一例を模式的に示す図である。図5は、実施形態に係る絶縁体領域22に膜35を形成した後における基材表面20の状態の一例を模式的に示す図である。
図4は、実施形態に係る金属領域21にSAM膜31Aを形成した後における基材表面20の状態の一例を模式的に示す図である。図5は、実施形態に係る絶縁体領域22に膜35を形成した後における基材表面20の状態の一例を模式的に示す図である。
図4に示すように、金属領域21上に複数のパーフルオロポリエーテル基含有化合物30が密接して配置されることにより、SAM膜31Aが形成される。各パーフルオロポリエーテル基含有化合物30は、それぞれ結合部R、リンカーRm、及びパーフルオロポリエーテル部Reを有している。各結合部Rは、金属領域21の表面に露出した金属と結合する。各リンカーRmは、金属領域21の表面から直立するように密接して配列される。各パーフルオロポリエーテル部Reは、各リンカーRmの結合部Rとは反対側の端部に結合されており、基材表面20からリンカーRmの長さ分だけ離れた位置に配置される。基材表面20からパーフルオロポリエーテル部Reまでの距離は、リンカーRmの長さに応じて変化する。リンカーRmの長さは基本的に、パーフルオロポリエーテル基含有化合物30の数平均分子量の増加に伴い増加し、分枝鎖構造より直鎖構造を採用することにより増加する。
通常、リンカーRmが長いほどSAM膜31Aのマスク効果(膜35が金属領域21に形成されることを抑制する効果)は大きくなる。しかし、リンカーRmが過度に長い(分子量が大きい)と、パーフルオロポリエーテル基含有化合物30の融点及び沸点が高くなるため、SAM膜31Aの形成時における熱により基材1(金属パターン11及び層間絶縁膜12)が破損する可能性が高くなる。そこで、パーフルオロポリエーテル基含有化合物30の数平均分子量を1000〜30000(好ましくは1500〜30000、より好ましくは2000〜10000)の範囲内とすることにより、マスク効果とSAM膜31Aの成膜性とを両立させることが可能となる。特に、数平均分子量を2000〜10000の範囲内とすることが好ましい。数平均分子量を2000以上とすることにより、実質的に十分なマスク効果を得ることができる。数平均分子量を10000以下とすることにより、パーフルオロポリエーテル基含有化合物30をガス化して基材表面20に供給する蒸着法を利用してSAM膜31Aを形成することが可能となる。
図6は、Cu表面及びSiO2表面のそれぞれにSAM膜を形成する処理を施した試料に対して測定したX線光電子分光におけるCの1s軌道スペクトルを示すグラフである。同グラフの横軸は電子の軌道エネルギーを示し、縦軸は測定された電子の強度を示している。同グラフにおいて、Cu上にSAM膜31Aを形成する処理を施した試料については、293eV付近にフッ素と結合したCの存在を示す強い信号が観測されている。一方、SiO2上にSAM膜31Aを形成する処理を施した試料については、293eV付近にフッ素と結合したCの存在を示す信号がほとんど観測されていない。このことから、SAM膜31AはCu上に選択的に成膜されることがわかる。
図7は、SAM膜31Aが形成されていないSi基板及びSAM膜31Aが形成されたCu基板のそれぞれにSiO2膜を蒸着成膜した試料における膜厚の変化量を示すグラフである。同グラフの横軸は水晶振動子膜厚計で測定した膜厚(SiO2の供給量)を示し、縦軸は試料上に実際に形成されたSiO2膜の膜厚を示している。同グラフにおいて、SAM膜31Aが形成されていないSi基板上ではSiO2の供給量の増加に伴い実際に形成されるSiO2膜の膜厚が増加しているのに対し、SAM膜31Aが形成されたCu基板上ではSiO2膜の膜厚がほとんど増加しないことが示されている。このことから、SiO2膜はSAM膜31Aが形成されていないSi基板上に選択的に成膜されることがわかる。
[パーフルオロポリエーテル基含有化合物の製造方法]
本実施形態に係るパーフルオロポリエーテル基含有化合物の製造方法は特に限定されるべきものではなく、パーフルオロポリエーテル基含有化合物は公知又は新規な物質及び方法を適宜用いて製造され得るものである。
本実施形態に係るパーフルオロポリエーテル基含有化合物の製造方法は特に限定されるべきものではなく、パーフルオロポリエーテル基含有化合物は公知又は新規な物質及び方法を適宜用いて製造され得るものである。
本実施形態に係るパーフルオロポリエーテル基含有化合物は、例えば、特許第5668888号公報に開示されている物質を利用して製造することができる。
[膜形成装置の構成]
図8は、実施形態に係る膜形成装置101の構成の一例を示す図である。ここで示す膜形成装置101は、基材1の基材表面20の金属領域21にSAM膜31Aを形成する手段と、基材表面20の絶縁体領域22に膜35とを形成する手段とを有する。
図8は、実施形態に係る膜形成装置101の構成の一例を示す図である。ここで示す膜形成装置101は、基材1の基材表面20の金属領域21にSAM膜31Aを形成する手段と、基材表面20の絶縁体領域22に膜35とを形成する手段とを有する。
膜形成装置101は、基材1を収容するチャンバ102と、チャンバ102内に基材1を保持する基板保持部103と、基材表面20に成膜する原料ガスGをチャンバ102内に供給する原料ガス供給部104と、基板保持部103に保持された基材1を加熱する基材加熱部105と、チャンバ102内の雰囲気を排出する排気部106と、膜形成装置101全体の制御を司る制御部161とを有する。
チャンバ102は、底壁部111と、底壁部111の周縁部から起立する周壁部112と、周壁部112の上方開口部を封止する上壁部113とを有する。周壁部112には、基材1を搬入出するための搬入出口117が設けられており、搬入出口117は、ゲートバルブ等の気密シャッタ118により開閉可能となっている。
排気部106は、チャンバ102の周壁部112に設けられた1又は複数の排気口141と、排気管142を介して排気口141に接続された圧力調整バルブ143と、排気管142を介して圧力調整バルブ143に接続された真空ポンプ144とを有する。真空ポンプ144が排気口141及び排気管142を介してチャンバ102内の雰囲気を吸引することにより、チャンバ102内の雰囲気が排出され、チャンバ102内が減圧される。
基板保持部103は、枠部121とチャック部122とを有する。枠部121は、基材1の基材表面20をチャンバ102の底壁部111の内壁面115に向かって露出させる開口部123を有する。
チャンバ102には、チャンバ102内の空間を、基材表面20が露出する第1の空間V1と、基材裏面40が露出する第2の空間V2とに仕切る隔壁部114が設けられている。隔壁部114は、枠部121から上壁部113まで延在している。隔壁部114には、搬入出口(不図示)が設けられている。第1の空間V1と第2の空間V2とは、搬入出口を通じて連続している。搬入出口を介して、基板保持部103への基材1の搬入、及び基板保持部103から外部への基材1の搬出が行われる。基板保持部103に基材1が保持されていない時、第1の空間V1と第2の空間V2とは、枠部121の開口部123を通じて連続している。基板保持部103に基材1が保持されると、基板保持部103に保持された基材1によって開口部123が塞がれる。これにより、基材裏面40における成膜が防止される。
原料ガス供給部104は、ガス生成容器131と、ガス生成容器131内に設けられた原料収容容器132と、ガス生成容器131と連通しガス生成容器131内で生成された原料ガスGをチャンバ102内に供給する原料ガス供給管134とを有する。
原料収容容器132には、上記膜形成方法の各工程S101〜S105に適合した原料Lが収容される。SAM形成工程S102の実行時における原料Lは、パーフルオロポリエーテル基含有化合物となる。膜成長工程S104の実行時における原料Lは、膜35を構成する化合物となる。また、本膜形成装置101を用いてSAM除去工程S105を行う場合には、SAM膜31Aをエッチング可能な物質や、金属をエッチング可能な物質を原料Lとすればよい。また、洗浄工程S101を行う場合には、基材表面20の金属酸化物を除去可能な物質を原料Lとすればよい。また、余剰SAM除去工程S103を行う場合には、SAM膜31Aをエッチング可能な物質や、絶縁体をエッチング可能な物質を原料Lとすればよい。
原料収容容器132には、ヒータ133が設けられている。ヒータ133は、原料Lを所定の温度に加熱することにより、原料Lを気化させる。
原料Lの気化によって生成された原料ガスGは、原料ガス供給管134に搬送される。原料ガス供給管134のチャンバ102側の端部には、シャッタ140が設けられている。シャッタ140は、一端を軸として回転可能とされおり、原料ガス供給管134のチャンバ102側の端部を閉塞した閉塞状態と、原料ガス供給管134のチャンバ102側の端部を開放した開放状態とに切り替え可能とされている。原料ガス供給管134のチャンバ102側の端部が開放状態である場合、原料ガス供給管134に搬送された原料ガスGは、チャンバ102内に供給される。原料ガスGは、基板保持部103に保持された基材1の基材表面20とチャンバ102の底壁部111の内壁面115との間、すなわち、第1の空間V1に供給される。
原料ガスGは、チャンバ102の底壁部111を貫通してチャンバ102内に延びる原料ガス供給管134の先端から基材表面20に向けて吐出される。すなわち、原料ガスGは、チャンバ102の底壁部111の内壁面115から基材表面20へ向かう方向に供給される。
基材加熱部105は、抵抗加熱ヒータ、ランプヒータ(例えばLEDランプヒータ)等のヒータを有する。本実施形態において、基材加熱部105は、基材1の基材裏面40側(第2の空間V2内)に設けられている。従って、基材加熱部105は、基材裏面40から側から基材1を加熱する。
本実施形態に係る膜形成装置101は、更に、原料ガス供給部104から供給された原料ガスGを活性化する活性化ガスを照射する照射部151を有している。照射部151は、活性化ガスを供給するガスソース155と、活性化ガスの流量をコントロールするマスフローコントローラ156と、チャンバ102内に活性化ガスを供給するガス供給管157とを有している。
ガスソース155から供給された活性化ガスは、マスフローコントローラ156を介して、ガス供給管157の一端に供給される。マスフローコントローラ156は、ガス供給管157の一端に供給される活性化ガスの流量をコントロールする。ガス供給管157の他端は、チャンバ102内の基板保持部103の下部に配置されている。また、ガス供給管157には、イオン銃が設けられている。ガス供給管157の一端に供給された活性化ガスは、イオン銃によって所定のエネルギーでイオン化されてガス供給管157の他端から放出される。活性化ガスの種類は特に限定されるべきものではないが、例えばアルゴン(Ar)等の希ガスであり得る。
上記のように構成された膜形成装置101は、制御部161によってその動作が統括的に制御される。制御部161は、例えば、コンピュータであり、膜形成装置101の各部を制御する。膜形成装置101は、制御部161によってその動作が統括的に制御される。
制御部161は、例えば、CPU(Central Processing Unit)、MPU(Micro Processing Unit)、RAM(Random Access Memory)、ROM(Read Only Memory)等を備えたコンピュータで構成され、RAM、ROM等の記憶部には、膜形成装置101によって実行される各種処理を制御するプログラムが格納される。例えば、記憶部には、上記洗浄工程S101、SAM形成工程S102、余剰SAM除去工程S103、膜成長工程S104、及びSAM除去工程S105の少なくとも一部を実行するためのプログラムが記憶される。CPU、MPU等の主制御部は、RAM、ROM等の記憶部に記憶されたプログラムを読み出して実行することによって膜形成装置101の動作を制御する。なお、プログラムは、コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体に記録されたものであってもよいし、その記憶媒体から制御部161の記憶部にインストールされたものであってもよい。コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体としては、例えば、ハードディスク(HD)、フレキシブルディスク(FD)、コンパクトディスク(CD)、マグネットオプティカルディスク(MO)、メモリカード等が挙げられる。
上記のような構成を有する膜形成装置101を利用することにより、フォトリソグラフィ等の処理を用いることなく、金属領域21にマスク効果を有するSAM膜31Aを形成し、目的の膜35を絶縁体領域22に選択的に形成することができる。
今回開示された実施形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその趣旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。
1 基材
11 金属パターン
12 層間絶縁膜
20 基材表面
21 金属領域
22 絶縁体領域
30 パーフルオロポリエーテル基含有化合物
31A SAM膜(自己組織化単分子膜)
31B 余剰SAM膜
35 膜
101 膜形成装置
102 チャンバ
103 基板保持部
104 原料ガス供給部
105 基材加熱部
106 排気部
151 照射部
R 結合部
Re パーフルオロポリエーテル部
Rm リンカー
11 金属パターン
12 層間絶縁膜
20 基材表面
21 金属領域
22 絶縁体領域
30 パーフルオロポリエーテル基含有化合物
31A SAM膜(自己組織化単分子膜)
31B 余剰SAM膜
35 膜
101 膜形成装置
102 チャンバ
103 基板保持部
104 原料ガス供給部
105 基材加熱部
106 排気部
151 照射部
R 結合部
Re パーフルオロポリエーテル部
Rm リンカー
Claims (9)
- 金属又は半導体が露出した第1の領域と絶縁体が露出した第2の領域とを含む基材表面に膜を形成する方法であって、
前記第1の領域に下記式(1)又は(2)で表されるパーフルオロポリエーテル基含有化合物の自己組織化単分子膜を形成するSAM形成工程と、
前記SAM形成工程の実行後に、前記第2の領域に所定の膜を形成する膜成長工程と、
を有する膜形成方法。
式(1)中、Rfは、1以上のフッ素原子により置換されていてもよい炭素数1〜16のアルキル基を表し、式(1)及び(2)中、PFPEは、−(OC6F12)a−(OC5F10)b−(OC4F8)c−(OC3F6)d−(OC2F4)e−(OCF2)f−を表し、a、b、c、d、e、及びfは、0以上200以下の整数であって、a、b、c、d、e、及びfの和は、少なくとも1であり、式(1)及び(2)中、Aは、−OH、−COOH、又は−COORを表し、Rは、炭素数1〜4のアルキル基を表し、式(1)及び(2)中、Xは、単結合又は2価〜10価の有機基を表す。
- 前記パーフルオロポリエーテル基含有化合物の数平均分子量は、10000以下であり、
前記自己組織化単分子膜は、蒸着により形成される、
請求項1に記載の膜形成方法。 - 前記パーフルオロポリエーテル基含有化合物の数平均分子量は、2000〜10000である、
請求項1又は2に記載の膜形成方法。 - 前記膜成長工程の実行前に、前記第2の領域に形成された前記自己組織化単分子膜を除去する余剰SAM除去工程、
を更に有する、
請求項1〜3のいずれか1項に記載の膜形成方法。 - 前記SAM形成工程の実行前に、前記基材表面を洗浄する洗浄工程、
を更に有する、
請求項1〜4のいずれか1項に記載の膜形成方法。 - 前記膜成長工程の実行後に、前記第1の領域に形成された前記自己組織化単分子膜を除去するSAM除去工程、
を更に有する、
請求項1〜5のいずれか1項に記載の膜形成方法。 - 前記金属又は半導体は、銅、タングステン、ルテニウム、ゲルマニウム、ケイ素、窒化チタン、コバルト、及びモリブデンからなる群から選択される少なくとも1つである、
請求項1〜6のいずれか1項に記載の膜形成方法。 - 前記絶縁体は、酸化アルミニウム、窒化ケイ素、酸化ケイ素、酸化ハフニウム、及びジルコニアからなる群から選択される少なくとも1つである、
請求項1〜7のいずれか1項に記載の膜形成方法。 - 金属又は半導体が露出した第1の領域と絶縁体が露出した第2の領域とを含む基材表面に膜を形成する装置であって、
前記第1の領域に下記式(1)又は(2)で表されるパーフルオロポリエーテル基含有化合物の自己組織化単分子膜を形成する手段と、
前記自己組織化単分子膜を形成した後に、前記第2の領域に所定の膜を形成する手段と、
を備える膜形成装置。
式(1)中、Rfは、1以上のフッ素原子により置換されていてもよい炭素数1〜16のアルキル基を表し、式(1)及び(2)中、PFPEは、−(OC6F12)a−(OC5F10)b−(OC4F8)c−(OC3F6)d−(OC2F4)e−(OCF2)f−を表し、a、b、c、d、e、及びfは、0以上200以下の整数であって、a、b、c、d、e、及びfの和は、少なくとも1であり、式(1)及び(2)中、Aは、−OH、−COOH、又は−COORを表し、Rは、炭素数1〜4のアルキル基を表し、式(1)及び(2)中、Xは、単結合又は2価〜10価の有機基を表す。
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