JPWO2020079215A5 - - Google Patents

Claims (17)

1. 銀、銀合金、金、又は金合金の表面を電解により不動態化するための方法であって、
   (i)前記表面を備える基板を用意する工程、
   (ii)
   - 3価クロムイオン、及び
   - カルボン酸残基アニオンの1つ又は2つ以上の種
   を含む不動態化水溶液を用意する工程、
   (iii)基板を前記不動態化溶液と接触させ、カソード及びアノードとしての基板間に電流を流して、前記表面上に電解により不動態化層を堆積させる工程
   を含み、
   前記3価クロムイオンと、前記カルボン酸残基アニオンの全ての種とが、1:10～1:400の範囲のモル比を形成する、方法。
2. 前記不動態化水溶液が、3.1～7.5の範囲のpHを有する、請求項1に記載の方法。
3. 前記カルボン酸残基アニオンの1つ又は2つ以上の種が、脂肪族カルボン酸残基アニオンの種である、請求項1又は2に記載の方法。
4. 前記カルボン酸残基アニオンの1つ又は2つ以上の種が、ギ酸アニオン及び/又はシュウ酸アニオンを含む、請求項1から3のいずれか一項に記載の方法。
5. 前記不動態化溶液中、前記モル比が、1:15～1:350の範囲である、請求項1から4のいずれか一項に記載の方法。
6. 工程(i)において、銀合金及び金合金の表面が、それぞれ個々に、それぞれの表面の原子の総量に対して、それぞれ、55原子%以上の総量の銀及び金を含む、請求項1から5のいずれか一項に記載の方法。
7. 前記不動態化水溶液が、+6未満の酸化状態を有する硫黄原子を含む硫黄含有化合物、ホウ酸、リン酸イオン、硝酸イオン、アンモニウムイオン、及び塩化物イオンを含まない、請求項1から6のいずれか一項に記載の方法。
8. 工程(iii)において、電流が、0.5A/dm²～25A/dm ² の範囲のカソード電流密度を有する、請求項1から7のいずれか一項に記載の方法。
9. 工程(iii)で堆積される前記不動態化層が、少なくとも、元素クロム、炭素、及び酸素を含む、請求項1から8のいずれか一項に記載の方法。
10. 工程(iii)で堆積される前記不動態化層が、3価クロムの酸化物及び/又は水酸化物を含む、請求項1から9のいずれか一項に記載の方法。
11. 工程(iii)において、前記接触が、1秒～1000秒、実施される、請求項1から10のいずれか一項に記載の方法。
12. 工程(iii)において、前記不動態化溶液が、25℃～70℃の範囲である、請求項1から11のいずれか一項に記載の方法。
13. 5.4～7.2の範囲のpHを有する不動態化水溶液であって、
    - 3価クロムイオン、並びに
    - 前記3価クロムイオンの錯体形成剤としてギ酸アニオン及び/又はシュウ酸アニオン
    を含み、
    前記3価クロムイオンと、全てのギ酸アニオン及び全てのシュウ酸アニオンとが、1:15～1:400の範囲のモル比を形成する、不動態化水溶液。
14. 前記3価クロムイオンが、前記不動態化溶液の総体積に対して、0.1g/L～5.0g/Lの範囲の濃度で存在する、請求項13に記載の不動態化水溶液。
15. 前記溶液が、前記ギ酸アニオンを含み、前記3価クロムイオンと全てのギ酸アニオンとが、1:15～1:350の範囲のモル比を形成する、請求項13又は14に記載の不動態化溶液。
16. 銀、銀合金、金、又は金合金の表面を電解により不動態化するための、
    - 3価クロムイオン、並びに
    - 前記3価クロムイオンの錯体形成剤としてギ酸アニオン及び/又はシュウ酸アニオン
    を含む不動態化水溶液であって、前記3価クロムイオンと、全てのギ酸アニオン及び全てのシュウ酸アニオンとが、1:10～1:400の範囲のモル比を形成する、不動態化水溶液の使用。
17. 前記不動態化水溶液が、5.4～7.2の範囲のpHを有する、請求項16に記載の使用。