JPWO2020012691A1 - 容量素子 - Google Patents
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- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 75
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 26
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 127
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 51
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 25
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 20
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 20
- 238000000034 method Methods 0.000 description 14
- ORQBXQOJMQIAOY-UHFFFAOYSA-N nobelium Chemical compound [No] ORQBXQOJMQIAOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 11
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 11
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 11
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 9
- CNQCVBJFEGMYDW-UHFFFAOYSA-N lawrencium atom Chemical compound [Lr] CNQCVBJFEGMYDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Substances [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 9
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 7
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 7
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 5
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 5
- 101100163833 Arabidopsis thaliana ARP6 gene Proteins 0.000 description 4
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 4
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 4
- 229920002577 polybenzoxazole Polymers 0.000 description 4
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 3
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 229910019311 (Ba,Sr)TiO Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910006091 NiCrSi Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002367 SrTiO Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 SrTiO 3 Chemical class 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/228—Terminals
- H01G4/236—Terminals leading through the housing, i.e. lead-through
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G2/00—Details of capacitors not covered by a single one of groups H01G4/00-H01G11/00
- H01G2/10—Housing; Encapsulation
- H01G2/103—Sealings, e.g. for lead-in wires; Covers
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/005—Electrodes
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
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- H01G4/005—Electrodes
- H01G4/012—Form of non-self-supporting electrodes
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- H—ELECTRICITY
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- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/33—Thin- or thick-film capacitors
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/38—Multiple capacitors, i.e. structural combinations of fixed capacitors
- H01G4/385—Single unit multiple capacitors, e.g. dual capacitor in one coil
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/40—Structural combinations of fixed capacitors with other electric elements, the structure mainly consisting of a capacitor, e.g. RC combinations
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- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
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Abstract
Description
基板と、
前記基板に形成された下部電極と、
前記下部電極に対向配置された複数の第1上部電極と、
前記下部電極に対向配置された複数の第2上部電極と、
前記下部電極と前記複数の第1上部電極との間、及び前記下部電極と前記複数の第2上部電極との間に配置された誘電体層と、
前記複数の第1上部電極を互いに接続する第1配線導体と、
前記複数の第2上部電極を互いに接続する第2配線導体と、
を備え、
前記複数の第1上部電極及び前記複数の第2上部電極は、前記下部電極に沿った面方向で第1軸方向に、前記第1上部電極と前記第2電極とが隣接し、かつ前記下部電極に沿った面方向で第2軸方向に、前記第1上部電極と前記第2電極とが隣接状態に配置されたことを特徴とする。
図1は第1の実施形態に係る容量素子101の主要部の平面図である。図2(A)は図1におけるY1−Y1部分の断面図であり、図2(B)は図1におけるY2−Y2部分の断面図である。図2(C)は図1におけるX1−X1部分の断面図であり、図2(D)は図1におけるX2−X2部分の断面図である。ただし、図2(A)〜図2(D)では、容量形成部の範囲について示している。
Z=R+jX
X=1/(2πfC) で表される。
第2の実施形態では、バイアス電圧印加回路を備える可変容量素子の例を示す。
第3の実施形態では、バイアス電圧印加回路を備える可変容量素子の例を示す。
第4の実施形態では、これまでに示した容量素子に比べて容量形成部の数が多い容量素子について示す。
C51,C52,C61,C62,C71,C72…容量素子
ESD1,ESD2…ESD保護素子
FS1,FS2…強誘電体膜
L51,L52…インダクタ
P0,P1,P2…ポート
P11,P12,P13,P14…外部接続電極
PC1…耐湿保護膜
PC2…有機保護膜
PS,PL…電流経路
R…抵抗素子
R11,R12,R13,R14,R15…抵抗素子
SR1,SR2…層間絶縁膜
SR3…ソルダーレジスト膜
T1,T2,TC,TG…端子
T11〜T15…端子
VC…可変容量素子部
WF1,WF2,WF3…配線導体膜
1…基板
9…抵抗素子
10…下部電極
11…RFIC
13…アンテナコイル
30…誘電体層
41,41A,41B,41C,41D,41E…第1上部電極
42,42A,42B,42C,42D…第2上部電極
51,52…拡散領域
60…引き出し電極
61,61A,61B…第1配線導体
62…第2配線導体
71…第1外部電極
72…第2外部電極
101,104…容量素子
102,103,202…可変容量素子
Claims (7)
- 基板と、
前記基板に形成された下部電極と、
前記下部電極に対向配置された複数の第1上部電極と、
前記下部電極に対向配置された複数の第2上部電極と、
前記下部電極と前記複数の第1上部電極との間、及び前記下部電極と前記複数の第2上部電極との間に配置された誘電体層と、
前記複数の第1上部電極を互いに接続する第1配線導体と、
前記複数の第2上部電極を互いに接続する第2配線導体と、
を備え、
前記複数の第1上部電極及び前記複数の第2上部電極は、前記下部電極に沿った面方向で第1軸方向に、前記第1上部電極と前記第2上部電極とが隣接し、かつ前記下部電極に沿った面方向で第2軸方向に、前記第1上部電極と前記第2上部電極とが隣接する状態に配置されたことを特徴とする、
容量素子。 - 互いに隣接する前記第1上部電極と前記第2上部電極との間隔は前記第1軸方向と前記第2軸方向とで実質的に等しい、請求項1に記載の容量素子。
- 前記第1配線導体及び前記第2配線導体は前記下部電極よりもシート抵抗が低い、請求項1又は2に記載の容量素子。
- 前記下部電極はPtを主成分とする金属であり、前記第1配線導体及び前記第2配線導体はCu又はAlを主成分とする金属である、請求項3に記載の容量素子。
- 前記誘電体層は強誘電体層であり、前記下部電極と前記第1上部電極との間に印加されるバイアス電圧によって前記下部電極と前記第1上部電極との間の容量が定まり、前記下部電極と前記第2上部電極との間に印加されるバイアス電圧によって前記下部電極と前記第2上部電極との間の容量が定まる、請求項1から4のいずれかに記載の容量素子。
- 前記基板に形成され、
前記下部電極と前記第1上部電極との間、及び前記下部電極と前記第2上部電極との間にそれぞれ前記バイアス電圧を印加するバイアス電圧経路を構成する、バイアス電圧印加用抵抗素子を更に備える、請求項5に記載の容量素子。 - 前記基板に形成され、
異なる抵抗値を有する複数の分圧用抵抗素子と、当該複数の分圧用抵抗素子に印加される複数の制御電圧を受ける制御電圧入力部とで構成され、前記制御電圧入力部に印加される電圧に応じて複数通りの電圧を前記バイアス電圧として出力するバイアス電圧生成回路を更に備える、請求項5又は6に記載の容量素子。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018131286 | 2018-07-11 | ||
JP2018131286 | 2018-07-11 | ||
PCT/JP2019/006944 WO2020012691A1 (ja) | 2018-07-11 | 2019-02-25 | 容量素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP6583591B1 JP6583591B1 (ja) | 2019-10-02 |
JPWO2020012691A1 true JPWO2020012691A1 (ja) | 2020-07-16 |
Family
ID=68095249
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019530512A Active JP6583591B1 (ja) | 2018-07-11 | 2019-02-25 | 容量素子 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11069482B2 (ja) |
JP (1) | JP6583591B1 (ja) |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0555459A (ja) * | 1991-08-28 | 1993-03-05 | Ricoh Co Ltd | 半導体集積回路装置とその製造方法 |
JP3045419B2 (ja) * | 1991-11-08 | 2000-05-29 | ローム株式会社 | 誘電体膜コンデンサ |
US6603161B2 (en) * | 2000-03-10 | 2003-08-05 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device having ferroelectric capacitor and method for manufacturing the same |
US7174147B2 (en) * | 2001-04-11 | 2007-02-06 | Kyocera Wireless Corp. | Bandpass filter with tunable resonator |
JP4535817B2 (ja) | 2003-09-26 | 2010-09-01 | 京セラ株式会社 | 薄膜コンデンサ、薄膜コンデンサアレイおよび電子部品 |
JP4738182B2 (ja) | 2006-01-20 | 2011-08-03 | 京セラ株式会社 | 薄膜コンデンサ |
US7449772B2 (en) * | 2006-05-19 | 2008-11-11 | Casio Computer Co., Ltd. | Chip-type electronic component including thin-film circuit elements |
JP4738299B2 (ja) * | 2006-09-20 | 2011-08-03 | 富士通株式会社 | キャパシタ、その製造方法、および電子基板 |
EP2453475A4 (en) * | 2009-07-09 | 2016-05-11 | Murata Manufacturing Co | ANTI MELTING ELEMENT |
US9757558B2 (en) * | 2011-03-01 | 2017-09-12 | Greatbatch Ltd. | RF filter for an active medical device (AMD) for handling high RF power induced in an associated implanted lead from an external RF field |
KR101358939B1 (ko) * | 2012-05-23 | 2014-02-06 | 한국과학기술연구원 | 고밀도 실장용 박막 콘덴서, 그 제조방법 및 고밀도 실장 기판 |
US9589726B2 (en) * | 2013-10-01 | 2017-03-07 | E1023 Corporation | Magnetically enhanced energy storage systems and methods |
JP2014187396A (ja) | 2014-06-26 | 2014-10-02 | Taiyo Yuden Co Ltd | 可変容量コンデンサ素子 |
CN207149415U (zh) * | 2015-02-27 | 2018-03-27 | 株式会社村田制作所 | 电容器 |
JPWO2017026233A1 (ja) * | 2015-08-10 | 2018-05-24 | 株式会社村田製作所 | コンデンサ |
JP6787676B2 (ja) | 2016-03-11 | 2020-11-18 | 新明和工業株式会社 | 水中撹拌機 |
CN208834910U (zh) | 2016-03-18 | 2019-05-07 | 株式会社村田制作所 | 电容元件 |
-
2019
- 2019-02-25 JP JP2019530512A patent/JP6583591B1/ja active Active
- 2019-08-21 US US16/546,659 patent/US11069482B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US11069482B2 (en) | 2021-07-20 |
JP6583591B1 (ja) | 2019-10-02 |
US20200020482A1 (en) | 2020-01-16 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
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|
A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
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|
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005 Effective date: 20190702 |
|
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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