JPWO2020008801A1 - 撮像素子及び固体撮像装置 - Google Patents
撮像素子及び固体撮像装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JPWO2020008801A1 JPWO2020008801A1 JP2020528743A JP2020528743A JPWO2020008801A1 JP WO2020008801 A1 JPWO2020008801 A1 JP WO2020008801A1 JP 2020528743 A JP2020528743 A JP 2020528743A JP 2020528743 A JP2020528743 A JP 2020528743A JP WO2020008801 A1 JPWO2020008801 A1 JP WO2020008801A1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- image sensor
- photoelectric conversion
- image pickup
- separation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 518
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims abstract description 373
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims abstract description 352
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 109
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 617
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 136
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 125
- 238000000034 method Methods 0.000 description 121
- 239000000463 material Substances 0.000 description 74
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 69
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 64
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 61
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 53
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 38
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 38
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 38
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 37
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 35
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 35
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 35
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 29
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 25
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 description 24
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 24
- 230000006870 function Effects 0.000 description 22
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 17
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 16
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 16
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- -1 fullerenes fluoride Chemical class 0.000 description 14
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 14
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 12
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 12
- 230000008859 change Effects 0.000 description 11
- 210000004379 membrane Anatomy 0.000 description 10
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 10
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 10
- 238000002674 endoscopic surgery Methods 0.000 description 9
- XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N C60 fullerene Chemical class C12=C3C(C4=C56)=C7C8=C5C5=C9C%10=C6C6=C4C1=C1C4=C6C6=C%10C%10=C9C9=C%11C5=C8C5=C8C7=C3C3=C7C2=C1C1=C2C4=C6C4=C%10C6=C9C9=C%11C5=C5C8=C3C3=C7C1=C1C2=C4C6=C2C9=C5C3=C12 XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 8
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 8
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 8
- 210000001519 tissue Anatomy 0.000 description 8
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 8
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 7
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 7
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 7
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 235000014692 zinc oxide Nutrition 0.000 description 7
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 6
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 6
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 6
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 6
- 229910003472 fullerene Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 6
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- PMJMHCXAGMRGBZ-UHFFFAOYSA-N subphthalocyanine Chemical class N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(=N3)N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C3=N1 PMJMHCXAGMRGBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 6
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 5
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 5
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 5
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 5
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 5
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 5
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000001356 surgical procedure Methods 0.000 description 5
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 5
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 4
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 4
- 150000002222 fluorine compounds Chemical class 0.000 description 4
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 4
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 4
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 4
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 4
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 4
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N Quinacridone Chemical class N1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=C1C(=O)C3=CC=CC=C3NC1=C2 NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 3
- 238000010336 energy treatment Methods 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 150000002391 heterocyclic compounds Chemical class 0.000 description 3
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 3
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 3
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 3
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 3
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 3
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 3
- BCMCBBGGLRIHSE-UHFFFAOYSA-N 1,3-benzoxazole Chemical class C1=CC=C2OC=NC2=C1 BCMCBBGGLRIHSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UUEWCQRISZBELL-UHFFFAOYSA-N 3-trimethoxysilylpropane-1-thiol Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCS UUEWCQRISZBELL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910005555 GaZnO Inorganic materials 0.000 description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUMBMVFBXHLACL-UHFFFAOYSA-N Melanin Chemical compound O=C1C(=O)C(C2=CNC3=C(C(C(=O)C4=C32)=O)C)=C2C4=CNC2=C1C XUMBMVFBXHLACL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 208000005646 Pneumoperitoneum Diseases 0.000 description 2
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 2
- 229920001665 Poly-4-vinylphenol Polymers 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 2
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 2
- 239000002585 base Substances 0.000 description 2
- DZBUGLKDJFMEHC-UHFFFAOYSA-N benzoquinolinylidene Natural products C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3N=C21 DZBUGLKDJFMEHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 210000004204 blood vessel Anatomy 0.000 description 2
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001716 carbazoles Chemical class 0.000 description 2
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 description 2
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 2
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 2
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 2
- 150000004696 coordination complex Chemical class 0.000 description 2
- ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N coumarin Chemical compound C1=CC=C2OC(=O)C=CC2=C1 ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N dialuminum;dizinc;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3].[Zn+2].[Zn+2] JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000003709 fluoroalkyl group Chemical group 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007646 gravure printing Methods 0.000 description 2
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002460 imidazoles Chemical class 0.000 description 2
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical class [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MOFVSTNWEDAEEK-UHFFFAOYSA-M indocyanine green Chemical compound [Na+].[O-]S(=O)(=O)CCCCN1C2=CC=C3C=CC=CC3=C2C(C)(C)C1=CC=CC=CC=CC1=[N+](CCCCS([O-])(=O)=O)C2=CC=C(C=CC=C3)C3=C2C1(C)C MOFVSTNWEDAEEK-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 229960004657 indocyanine green Drugs 0.000 description 2
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 2
- 229940079865 intestinal antiinfectives imidazole derivative Drugs 0.000 description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 2
- MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N lanthanum(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[La+3].[La+3] MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000608 laser ablation Methods 0.000 description 2
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 238000000813 microcontact printing Methods 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007645 offset printing Methods 0.000 description 2
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 229920002098 polyfluorene Polymers 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 2
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 2
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 2
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 2
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 2
- 239000001022 rhodamine dye Substances 0.000 description 2
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 2
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 2
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 2
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004611 spectroscopical analysis Methods 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 2
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 2
- 238000002230 thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PYJJCSYBSYXGQQ-UHFFFAOYSA-N trichloro(octadecyl)silane Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC[Si](Cl)(Cl)Cl PYJJCSYBSYXGQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YBNMDCCMCLUHBL-UHFFFAOYSA-N (2,5-dioxopyrrolidin-1-yl) 4-pyren-1-ylbutanoate Chemical compound C=1C=C(C2=C34)C=CC3=CC=CC4=CC=C2C=1CCCC(=O)ON1C(=O)CCC1=O YBNMDCCMCLUHBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FCEHBMOGCRZNNI-UHFFFAOYSA-N 1-benzothiophene Chemical class C1=CC=C2SC=CC2=C1 FCEHBMOGCRZNNI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HYZJCKYKOHLVJF-UHFFFAOYSA-N 1H-benzimidazole Chemical class C1=CC=C2NC=NC2=C1 HYZJCKYKOHLVJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000022 2-aminoethyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])N([H])[H] 0.000 description 1
- KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-6-methylphenol Chemical compound [CH]OC1=CC=CC([CH])=C1O KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SJECZPVISLOESU-UHFFFAOYSA-N 3-trimethoxysilylpropan-1-amine Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCN SJECZPVISLOESU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001148 Al-Li alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- SNRUBQQJIBEYMU-UHFFFAOYSA-N Dodecane Natural products CCCCCCCCCCCC SNRUBQQJIBEYMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- 229910000799 K alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017911 MgIn Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910016006 MoSi Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 240000004050 Pentaglottis sempervirens Species 0.000 description 1
- 235000004522 Pentaglottis sempervirens Nutrition 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 description 1
- 229910000612 Sm alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910008599 TiW Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 206010047571 Visual impairment Diseases 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003363 ZnMgO Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910007717 ZnSnO Inorganic materials 0.000 description 1
- RWBMMASKJODNSV-UHFFFAOYSA-N [1]benzothiolo[2,3-g][1]benzothiole Chemical class C1=CC=C2C3=C(SC=C4)C4=CC=C3SC2=C1 RWBMMASKJODNSV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JFBZPFYRPYOZCQ-UHFFFAOYSA-N [Li].[Al] Chemical compound [Li].[Al] JFBZPFYRPYOZCQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UPEMFLOMQVFMCZ-UHFFFAOYSA-N [O--].[O--].[O--].[Pm+3].[Pm+3] Chemical compound [O--].[O--].[O--].[Pm+3].[Pm+3] UPEMFLOMQVFMCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OBOYOXRQUWVUFU-UHFFFAOYSA-N [O-2].[Ti+4].[Nb+5] Chemical compound [O-2].[Ti+4].[Nb+5] OBOYOXRQUWVUFU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003187 abdominal effect Effects 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 239000000980 acid dye Substances 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 125000002252 acyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004442 acylamino group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004423 acyloxy group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 125000003282 alkyl amino group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004390 alkyl sulfonyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004414 alkyl thio group Chemical group 0.000 description 1
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 1
- 229910003481 amorphous carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001454 anthracenes Chemical class 0.000 description 1
- 229910000410 antimony oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001491 aromatic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 125000001769 aryl amino group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005104 aryl silyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005163 aryl sulfanyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004391 aryl sulfonyl group Chemical group 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001565 benzotriazoles Chemical class 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 230000000740 bleeding effect Effects 0.000 description 1
- 239000005380 borophosphosilicate glass Substances 0.000 description 1
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 239000003575 carbonaceous material Substances 0.000 description 1
- 125000002915 carbonyl group Chemical group [*:2]C([*:1])=O 0.000 description 1
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 1
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001846 chrysenes Chemical class 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 description 1
- 229960000956 coumarin Drugs 0.000 description 1
- 235000001671 coumarin Nutrition 0.000 description 1
- 150000001907 coumarones Chemical class 0.000 description 1
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004093 cyano group Chemical group *C#N 0.000 description 1
- 125000006165 cyclic alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 150000004826 dibenzofurans Chemical class 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 125000003438 dodecyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 description 1
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 229910001940 europium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- AEBZCFFCDTZXHP-UHFFFAOYSA-N europium(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Eu+3].[Eu+3] AEBZCFFCDTZXHP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002073 fluorescence micrograph Methods 0.000 description 1
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 1
- 229910001938 gadolinium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229940075613 gadolinium oxide Drugs 0.000 description 1
- CMIHHWBVHJVIGI-UHFFFAOYSA-N gadolinium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Gd+3].[Gd+3] CMIHHWBVHJVIGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 1
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 description 1
- 238000004770 highest occupied molecular orbital Methods 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 238000001659 ion-beam spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012948 isocyanate Substances 0.000 description 1
- 150000002513 isocyanates Chemical class 0.000 description 1
- AWJUIBRHMBBTKR-UHFFFAOYSA-N isoquinoline Chemical class C1=NC=CC2=CC=CC=C21 AWJUIBRHMBBTKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003446 ligand Substances 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 239000001989 lithium alloy Substances 0.000 description 1
- 238000004768 lowest unoccupied molecular orbital Methods 0.000 description 1
- 229910003443 lutetium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N magnesium silver Chemical compound [Mg].[Ag] SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910021424 microcrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003595 mist Substances 0.000 description 1
- 230000000116 mitigating effect Effects 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 210000004400 mucous membrane Anatomy 0.000 description 1
- 150000002790 naphthalenes Chemical class 0.000 description 1
- PLDDOISOJJCEMH-UHFFFAOYSA-N neodymium(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Nd+3].[Nd+3] PLDDOISOJJCEMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000480 nickel oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000484 niobium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N niobium(5+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Nb+5].[Nb+5] URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000449 nitro group Chemical group [O-][N+](*)=O 0.000 description 1
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 description 1
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 1
- QJAOYSPHSNGHNC-UHFFFAOYSA-N octadecane-1-thiol Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCCS QJAOYSPHSNGHNC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 1
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 1
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052762 osmium Inorganic materials 0.000 description 1
- SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N osmium atom Chemical compound [Os] SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000007978 oxazole derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MPARYNQUYZOBJM-UHFFFAOYSA-N oxo(oxolutetiooxy)lutetium Chemical compound O=[Lu]O[Lu]=O MPARYNQUYZOBJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VTRUBDSFZJNXHI-UHFFFAOYSA-N oxoantimony Chemical compound [Sb]=O VTRUBDSFZJNXHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N oxonickel Chemical compound [Ni]=O GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UZLYXNNZYFBAQO-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);ytterbium(3+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Yb+3].[Yb+3] UZLYXNNZYFBAQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002964 pentacenes Chemical class 0.000 description 1
- 150000002987 phenanthrenes Chemical class 0.000 description 1
- 150000005041 phenanthrolines Chemical class 0.000 description 1
- 150000002988 phenazines Chemical class 0.000 description 1
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical class N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001007 phthalocyanine dye Substances 0.000 description 1
- 150000003039 picenes Chemical class 0.000 description 1
- 239000003495 polar organic solvent Substances 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229920000090 poly(aryl ether) Polymers 0.000 description 1
- 229920000553 poly(phenylenevinylene) Polymers 0.000 description 1
- 229920000172 poly(styrenesulfonic acid) Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 229940005642 polystyrene sulfonic acid Drugs 0.000 description 1
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 1
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 1
- BITYAPCSNKJESK-UHFFFAOYSA-N potassiosodium Chemical compound [Na].[K] BITYAPCSNKJESK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 1
- 238000005036 potential barrier Methods 0.000 description 1
- 150000003216 pyrazines Chemical class 0.000 description 1
- 150000003217 pyrazoles Chemical class 0.000 description 1
- 150000003220 pyrenes Chemical class 0.000 description 1
- 150000003222 pyridines Chemical class 0.000 description 1
- 150000003230 pyrimidines Chemical class 0.000 description 1
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 1
- 150000003248 quinolines Chemical class 0.000 description 1
- XSCHRSMBECNVNS-UHFFFAOYSA-N quinoxaline Chemical class N1=CC=NC2=CC=CC=C21 XSCHRSMBECNVNS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 239000003870 refractory metal Substances 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N samarium atom Chemical compound [Sm] KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FKTOIHSPIPYAPE-UHFFFAOYSA-N samarium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Sm+3].[Sm+3] FKTOIHSPIPYAPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 101150018075 sel-2 gene Proteins 0.000 description 1
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005353 silylalkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000002689 soil Substances 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 125000000472 sulfonyl group Chemical group *S(*)(=O)=O 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004434 sulfur atom Chemical group 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 1
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 1
- SCRZPWWVSXWCMC-UHFFFAOYSA-N terbium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Tb+3].[Tb+3] SCRZPWWVSXWCMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003518 tetracenes Chemical class 0.000 description 1
- TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N tetrafluoromethane Chemical compound FC(F)(F)F TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003536 tetrazoles Chemical class 0.000 description 1
- 150000007979 thiazole derivatives Chemical class 0.000 description 1
- VJYJJHQEVLEOFL-UHFFFAOYSA-N thieno[3,2-b]thiophene Chemical class S1C=CC2=C1C=CS2 VJYJJHQEVLEOFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003577 thiophenes Chemical class 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QHGNHLZPVBIIPX-UHFFFAOYSA-N tin(ii) oxide Chemical class [Sn]=O QHGNHLZPVBIIPX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 1
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 125000005259 triarylamine group Chemical group 0.000 description 1
- 150000003918 triazines Chemical class 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
- TYHJXGDMRRJCRY-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) tin(4+) Chemical compound [O-2].[Zn+2].[Sn+4].[In+3] TYHJXGDMRRJCRY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RNWHGQJWIACOKP-UHFFFAOYSA-N zinc;oxygen(2-) Chemical class [O-2].[Zn+2] RNWHGQJWIACOKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic radiation-sensitive element covered by group H10K30/00
- H10K39/30—Devices controlled by radiation
- H10K39/32—Organic image sensors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14665—Imagers using a photoconductor layer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14609—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements
- H01L27/14612—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements involving a transistor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14638—Structures specially adapted for transferring the charges across the imager perpendicular to the imaging plane
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
- H01L27/14645—Colour imagers
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N23/00—Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
- H04N23/80—Camera processing pipelines; Components thereof
- H04N23/84—Camera processing pipelines; Components thereof for processing colour signals
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/79—Arrangements of circuitry being divided between different or multiple substrates, chips or circuit boards, e.g. stacked image sensors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
- H10K30/80—Constructional details
- H10K30/81—Electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
- H01L27/14645—Colour imagers
- H01L27/14647—Multicolour imagers having a stacked pixel-element structure, e.g. npn, npnpn or MQW elements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K19/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic element specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, covered by group H10K10/00
- H10K19/201—Integrated devices having a three-dimensional layout, e.g. 3D ICs
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
Description
第1電極、
第1電極と離間して配置された電荷蓄積用電極、
第1電極及び電荷蓄積用電極と離間して配置され、電荷蓄積用電極を取り囲む分離電極、
第1電極と接し、絶縁層を介して電荷蓄積用電極の上方に形成された光電変換層、並びに、
光電変換層上に形成された第2電極、
を備えており、
分離電極は、第1分離電極、及び、第1分離電極と離間して配置された第2分離電極から構成されており、
第1分離電極は、第1電極と第2分離電極との間に位置する。
第1の方向に沿ってP個、第1の方向とは異なる第2の方向に沿ってQ個の、P×Q個(但し、P≧2,Q≧1)の撮像素子から構成された撮像素子ブロックを、複数、有しており、
各撮像素子は、
第1電極、
第1電極と離間して配置された電荷蓄積用電極、
第1電極及び電荷蓄積用電極と離間して配置され、電荷蓄積用電極を取り囲む分離電極、
第1電極と接し、絶縁層を介して電荷蓄積用電極の上方に形成された光電変換層、並びに、
光電変換層上に形成された第2電極、
を備えており、
分離電極は、第1分離電極、第2分離電極及び第3分離電極から構成されており、
第1分離電極は、撮像素子ブロックにおける、少なくとも第2の方向に沿って並置された撮像素子と撮像素子の間に、第1電極と隣接して、且つ、離間して配置されており、
第2分離電極は、撮像素子ブロックにおける撮像素子と撮像素子の間に配置されており、
第3分離電極は、撮像素子ブロックと撮像素子ブロックの間に配置されている。
1.本開示の撮像素子、本開示の第1の態様〜第2の態様に係る固体撮像装置、全般に関する説明
2.実施例1(本開示の撮像素子、及び、本開示の第2の態様に係る固体撮像装置)
3.実施例2(本開示の第1の態様に係る固体撮像装置)
4.実施例3(実施例1〜実施例2の変形)
5.実施例4(実施例1〜実施例3の変形)
6.実施例5(実施例1〜実施例4の変形)
7.実施例6(実施例1〜実施例5の変形、転送制御用電極を備えた撮像素子)
8.実施例7(実施例1〜実施例6の変形、複数の電荷蓄積用電極セグメントを備えた本開示の撮像素子)
9.実施例8(実施例1〜実施例6の変形、第1構成及び第6構成の撮像素子)
10.実施例9(本開示の第2構成及び第6構成の撮像素子)
11.実施例10(第3構成の撮像素子)
12.実施例11(第4構成の撮像素子)
13.実施例12(第5構成の撮像素子)
14.実施例13(第6構成の撮像素子)
15.その他
本開示の第2の態様に係る固体撮像装置において、撮像素子の下方には、少なくとも1つの下方撮像素子が設けられており、撮像素子が受光する光の波長と、下方撮像素子が受光する光の波長とは、異なる形態とすることができる。そして、この場合、2つの下方撮像素子が積層されている形態とすることができる。
第1分離電極は、撮像素子ブロックにおける、第2の方向に沿って並置された撮像素子と撮像素子の間に、第1電極と隣接して、且つ、離間して配置されており、
第2分離電極は、第1の方向に沿って並置された撮像素子と撮像素子の間に配置されており、且つ、第2の方向に沿って並置された撮像素子と撮像素子の間に、第1分離電極と離間して配置されている構成とすることができる。そして、この場合、第2分離電極と第3分離電極とは繋がっている構成とすることができる。
第1分離電極は、撮像素子ブロックにおける、第2の方向に沿って並置された撮像素子と撮像素子の間に、第1電極と隣接して、且つ、離間して配置されており、更に、第1の方向に沿って並置された撮像素子と撮像素子の間に、第1電極と隣接して、且つ、離間して配置されており、
第2分離電極は、第2の方向に沿って並置された撮像素子と撮像素子の間に、第1分離電極と離間して配置されており、更に、第1の方向に沿って並置された撮像素子と撮像素子の間に、第1分離電極と離間して配置されている構成とすることができる。そして、この場合、第2分離電極と第3分離電極とは繋がっている構成とすることができる。
下方撮像素子ブロックは、複数(具体的には、第1の方向に沿ってP個、第2の方向に沿ってQ個のP×Q個)の撮像素子から構成されており、
撮像素子ブロックを構成する撮像素子が受光する光の波長と、下方撮像素子ブロックを構成する撮像素子が受光する光の波長とは、異なる形態とすることができる。そして、このような好ましい形態を含む本開示の第1の態様に係る固体撮像装置において、下方撮像素子ブロックは、2層、設けられている形態とすることができる。更には、以上に説明した好ましい形態を含む本開示の第1の態様に係る固体撮像装置において、下方撮像素子ブロックを構成する複数(具体的には、P×Q個)の撮像素子は、共有された浮遊拡散層を備えている形態とすることができる。
電荷蓄積期間 電荷転送期間
第1電極 V11 V12
第2電極 V21 V22
電荷蓄積用電極 V31 V32
第1分離電極
ケース−1 VES-1 VES-1
ケース−2 VES-1 VES-1’
第2分離電極 VES-2 VES-2
第3分離電極 VES-3 VES-3
転送制御用電極 V41 V42
電荷排出電極 V51 V52
4≦s1’/s1
を満足することが好ましい。
第1電極の頂面の縁部は絶縁層で覆われており、
開口部の底面には第1電極が露出しており、
第1電極の頂面と接する絶縁層の面を第1面、電荷蓄積用電極と対向する光電変換層の部分と接する絶縁層の面を第2面としたとき、開口部の側面は、第1面から第2面に向かって広がる傾斜を有する形態とすることができ、更には、第1面から第2面に向かって広がる傾斜を有する開口部の側面は、電荷蓄積用電極側に位置する形態とすることができる。尚、光電変換層と第1電極との間に他の層が形成されている形態(例えば、光電変換層と第1電極との間に電荷蓄積に適した材料層が形成されている形態)を包含する。
半導体基板に設けられ、駆動回路を有する制御部を更に備えており、
第1電極及び電荷蓄積用電極は、駆動回路に接続されており、
電荷蓄積期間において、駆動回路から、第1電極に電位V11が印加され、電荷蓄積用電極に電位V31が印加され、光電変換層に電荷が蓄積され、
電荷転送期間において、駆動回路から、第1電極に電位V12が印加され、電荷蓄積用電極に電位V32が印加され、光電変換層に蓄積された電荷が第1電極を経由して制御部に読み出される構成とすることができる。但し、第1電極の電位が第2電極の電位よりも高い場合、
V31≧V11、且つ、V32<V12
であり、第1電極の電位が第2電極の電位よりも低い場合、
V31≦V11、且つ、V32>V12
である。
光電変換層は、絶縁層に設けられた第2開口部内を延在し、電荷排出電極と接続されており、
電荷排出電極の頂面の縁部は絶縁層で覆われており、
第2開口部の底面には電荷排出電極が露出しており、
電荷排出電極の頂面と接する絶縁層の面を第3面、電荷蓄積用電極と対向する光電変換層の部分と接する絶縁層の面を第2面としたとき、第2開口部の側面は、第3面から第2面に向かって広がる傾斜を有する形態とすることができる。
半導体基板に設けられ、駆動回路を有する制御部を更に備えており、
第1電極、電荷蓄積用電極及び電荷排出電極は、駆動回路に接続されており、
電荷蓄積期間において、駆動回路から、第1電極に電位V11が印加され、電荷蓄積用電極に電位V31が印加され、電荷排出電極に電位V51が印加され、光電変換層に電荷が蓄積され、
電荷転送期間において、駆動回路から、第1電極に電位V12が印加され、電荷蓄積用電極に電位V32が印加され、電荷排出電極に電位V52が印加され、光電変換層に蓄積された電荷が第1電極を介して制御部に読み出される構成とすることができる。但し、第1電極の電位が第2電極の電位よりも高い場合、
V51>V11、且つ、V52<V12
であり、第1電極の電位が第2電極の電位よりも低い場合、
V51<V11、且つ、V52>V12
である。
第1電極の電位が第2電極の電位よりも高い場合、電荷転送期間において、第1電極に最も近い所に位置する電荷蓄積用電極セグメント(第1番目の光電変換部セグメント)に印加される電位は、第1電極に最も遠い所に位置する電荷蓄積用電極セグメント(第N番目の光電変換部セグメント)に印加される電位よりも高く、
第1電極の電位が第2電極の電位よりも低い場合、電荷転送期間において、第1電極に最も近い所に位置する電荷蓄積用電極セグメント(第1番目の光電変換部セグメント)に印加される電位は、第1電極に最も遠い所に位置する電荷蓄積用電極セグメント(第N番目の光電変換部セグメント)に印加される電位よりも低い形態とすることができる。
半導体基板には、制御部を構成する少なくとも浮遊拡散層及び増幅トランジスタが設けられており、
第1電極は、浮遊拡散層及び増幅トランジスタのゲート部に接続されている形態とすることができる。そして、この場合、更には、
半導体基板には、更に、制御部を構成するリセット・トランジスタ及び選択トランジスタが設けられており、
浮遊拡散層は、リセット・トランジスタの一方のソース/ドレイン領域に接続されており、
増幅トランジスタの一方のソース/ドレイン領域は、選択トランジスタの一方のソース/ドレイン領域に接続されており、選択トランジスタの他方のソース/ドレイン領域は信号線に接続されている形態とすることができる。
光電変換部は、N個(但し、N≧2)の光電変換部セグメントから構成されており、
光電変換層は、N個の光電変換層セグメントから構成されており、
絶縁層は、N個の絶縁層セグメントから構成されており、
第1構成〜第3構成の撮像素子にあっては、電荷蓄積用電極は、N個の電荷蓄積用電極セグメントから構成されており、
第4構成〜第5構成の撮像素子にあっては、電荷蓄積用電極は、相互に離間されて配置された、N個の電荷蓄積用電極セグメントから構成されており、
第n番目(但し、n=1,2,3・・・N)の光電変換部セグメントは、第n番目の電荷蓄積用電極セグメント、第n番目の絶縁層セグメント及び第n番目の光電変換層セグメントから構成されており、
nの値が大きい光電変換部セグメントほど、第1電極から離れて位置する。
[A]第1タイプの青色光用光電変換部、第1タイプの緑色光用光電変換部及び第1タイプの赤色光用光電変換部が、垂直方向に積層され、
第1タイプの青色光用撮像素子、第1タイプの緑色光用撮像素子及び第1タイプの赤色光用撮像素子の制御部のそれぞれが、半導体基板に設けられた構成、構造
[B]第1タイプの青色光用光電変換部及び第1タイプの緑色光用光電変換部が、垂直方向に積層され、
これらの2層の第1タイプの光電変換部の下方に、第2タイプの赤色光用光電変換部が配置され、
第1タイプの青色光用撮像素子、第1タイプの緑色光用撮像素子及び第2タイプの赤色光用撮像素子の制御部のそれぞれが、半導体基板に設けられた構成、構造
[C]第1タイプの緑色光用光電変換部の下方に、第2タイプの青色光用光電変換部及び第2タイプの赤色光用光電変換部が配置され、
第1タイプの緑色光用撮像素子、第2タイプの青色光用撮像素子及び第2タイプの赤色光用撮像素子の制御部のそれぞれが、半導体基板に設けられた構成、構造
[D]第1タイプの青色光用光電変換部の下方に、第2タイプの緑色光用光電変換部及び第2タイプの赤色光用光電変換部が配置され、
第1タイプの青色光用撮像素子、第2タイプの緑色光用撮像素子及び第2タイプの赤色光用撮像素子の制御部のそれぞれが、半導体基板に設けられた構成、構造
を挙げることができる。尚、これらの撮像素子の光電変換部の垂直方向における配置順は、光入射方向から青色光用光電変換部、緑色光用光電変換部、赤色光用光電変換部の順、あるいは、光入射方向から緑色光用光電変換部、青色光用光電変換部、赤色光用光電変換部の順であることが好ましい。これは、より短い波長の光がより入射表面側において効率良く吸収されるからである。赤色は3色の中では最も長い波長であるので、光入射面から見て赤色光用光電変換部を最下層に位置させることが好ましい。これらの撮像素子の積層構造によって、1つの画素が構成される。また、第1タイプの赤外線用光電変換部を備えていてもよい。ここで、第1タイプの赤外線用光電変換部の光電変換層は、例えば、有機系材料から構成され、第1タイプの撮像素子の積層構造の最下層であって、第2タイプの撮像素子よりも上に配置することが好ましい。あるいは又、第1タイプの光電変換部の下方に、第2タイプの赤外線用光電変換部を備えていてもよい。
(1)p型有機半導体から構成する。
(2)n型有機半導体から構成する。
(3)p型有機半導体層/n型有機半導体層の積層構造から構成する。p型有機半導体層/p型有機半導体とn型有機半導体との混合層(バルクヘテロ構造)/n型有機半導体層の積層構造から構成する。p型有機半導体層/p型有機半導体とn型有機半導体との混合層(バルクヘテロ構造)の積層構造から構成する。n型有機半導体層/p型有機半導体とn型有機半導体との混合層(バルクヘテロ構造)の積層構造から構成する。
(4)p型有機半導体とn型有機半導体の混合(バルクヘテロ構造)から構成する。
の4態様のいずれかとすることができる。但し、積層順は任意に入れ替えた構成とすることができる。
全ての撮像素子において、一斉に、光電変換層に電荷を蓄積しながら、第1電極における電荷を系外に排出し、その後、
全ての撮像素子において、一斉に、光電変換層に蓄積された電荷を第1電極に転送し、転送完了後、順次、各撮像素子において第1電極に転送された電荷を読み出す、
各工程を繰り返す固体撮像装置の駆動方法とすることができる。
第1電極21、
第1電極21と離間して配置された電荷蓄積用電極24、
第1電極21及び電荷蓄積用電極24と離間して配置され、電荷蓄積用電極24を取り囲む分離電極30、
第1電極21と接し、絶縁層82を介して電荷蓄積用電極24の上方に形成された光電変換層23、並びに、
光電変換層23上に形成された第2電極22、
を備えており、
分離電極30は、第1分離電極31A、及び、第1分離電極31Aと離間して配置された第2分離電極31Bから構成されており、
第1分離電極31Aは、第1電極21と第2分離電極31Bとの間に位置する。
半導体基板70に設けられ、駆動回路を有する制御部を更に備えており、
第1電極21及び電荷蓄積用電極24は、駆動回路に接続されており、
電荷蓄積期間において、駆動回路から、第1電極21に電位V11が印加され、電荷蓄積用電極24に電位V31が印加され、光電変換層23に電荷が蓄積され、
電荷転送期間において、駆動回路から、第1電極21に電位V12が印加され、電荷蓄積用電極24に電位V32が印加され、光電変換層23に蓄積された電荷が第1電極21を経由して制御部に読み出される。但し、第1電極21の電位を第2電極22の電位よりも高くしたので、
V31≧V11、且つ、V32<V12
である。
具体的には、電荷蓄積期間においては、駆動回路から、第1電極21に電位V11が印加され、電荷蓄積用電極24に電位V31が印加され、第1分離電極31Aに電位VES-1が印加され、第2分離電極31Bに電位VES-2が印加される。また、第2電極22に電位V21が印加される。こうして、光電変換層23に電荷(電子であり、模式的に黒点で示す)が蓄積される。電荷蓄積期間の終了直前における電荷の蓄積状態を模式的に図2Aあるいは図5Aに示す。光電変換によって生成した電子は、電荷蓄積用電極24に引き付けられ、電荷蓄積用電極24と対向した光電変換層23の領域に止まる。即ち、光電変換層23に電荷が蓄積される。V31>V11であるが故に、光電変換層23の内部に生成した電子が、第1電極21に向かって移動することはない。また、電荷蓄積用電極24の電位V31は、第1分離電極31Aの電位VES-1及び第2分離電極31Bの電位VES-2よりも高いので、光電変換層23の内部に生成した電子が、第1分離電極31A及び第2分離電極31Bに向かって移動することもない。即ち、光電変換によって生成した電荷が隣接する撮像素子11に流れ込むことを抑制することができる。光電変換の時間経過に伴い、電荷蓄積用電極24と対向した光電変換層23の領域における電位は、より負側の値となる。電荷蓄積期間の後期において、リセット動作がなされる。これによって、第1浮遊拡散層FD1の電位がリセットされ、第1浮遊拡散層FD1の電位(VFD)は電源の電位VDDとなる。
リセット動作の完了後、電荷転送期間が開始される。電荷転送期間においては、駆動回路から、第1電極21に電位V12が印加され、電荷蓄積用電極24に電位V32が印加され、第1分離電極31Aに電位VES-1あるいは電位VES-1’が印加され、第2分離電極31Bに電位VES-2が印加される。また、第2電極22に電位V22が印加される。こうして、撮像素子11の光電変換層23に蓄積された電荷が、読み出される。電荷転送期間の終了直前における電荷の蓄積状態を模式的に図2B、図3A、図3B、図4A、図4B、図5B、図5B、図6A、図6Bに示す。即ち、電荷蓄積用電極24と対向した光電変換層23の領域に止まっていた電子は、第1電極21、更には、第1浮遊拡散層FD1へと読み出される。云い換えれば、光電変換層23に蓄積された電荷は制御部に読み出される。第1分離電極31Aの電位は、第1電極21の電位よりも低いが、電荷蓄積用電極24の電位よりも高いので、光電変換層23の内部に生成した電子は、第1電極21へと流れ、第2分離電極31Bに向かって移動することがない。即ち、光電変換によって生成した電荷が隣接する撮像素子11に流れ込むことを抑制することができる。
VFD>V12=VES-1>V32>VES-2,V31>V32
を満足する。また、図3Aに示す例にあっては、
VFD>V12>VES-1>V32>VES-2,V31>V32
を満足する。更には、図3Bに示す例にあっては、
VFD>V12>VES-1’>V32>VES-2,VES-1’>VES-1,V31>V32
を満足する。また、図4Aに示す例にあっては、
VFD>V12=VES-1’>V32(=V31)>VES-2,VES-1’>VES-1
を満足する。また、図4Bに示す例にあっては、
VFD>V12>VES-1’>V32>VES-2,VES-1’>VES-1,V31>V32
を満足する。
VFD>V12=VES-1’>V32(=V31)>VES-2
を満足する。また、図5Cに示す例にあっては、
VFD>V12>VES-1’>V32(=V31)>VES-2
を満足する。更には、図6Aに示す例にあっては、
VFD>V12(=V11)=VES-1’>V32>VES-2,V31>V32
を満足する。また、図6Bに示す例にあっては、
VFD>V12(=V11)>VES-1’>V32>VES-2,V31>V32
を満足する。
4≦s1’/s1
を満足することが好ましく、実施例1あるいは後述する各種実施例の撮像素子にあっては、限定するものではないが、例えば、
s1’/s1=8
とした。尚、後述する実施例7〜実施例10にあっては、3つの光電変換部セグメント201,202,203)の大きさを同じ大きさとし、平面形状も同じとした。
第1の方向に沿ってP個、第1の方向とは異なる第2の方向に沿ってQ個の、P×Q個(但し、P≧2,Q≧1であり、実施例2においては、P=2,Q=2)の撮像素子(光電変換素子)から構成された撮像素子ブロック10を、複数、有しており、
各撮像素子11は、
第1電極21、
第1電極21と離間して配置された電荷蓄積用電極24、
第1電極21及び電荷蓄積用電極24と離間して配置され、電荷蓄積用電極24を取り囲む分離電極30、
第1電極21と接し、絶縁層82を介して電荷蓄積用電極24の上方に形成された光電変換層23、並びに、
光電変換層23上に形成された第2電極22、
を備えており、
分離電極30は、第1分離電極31A、第2分離電極31B及び第3分離電極32から構成されており、
第1分離電極31Aは、撮像素子ブロックにおける、少なくとも第2の方向に沿って並置された撮像素子と撮像素子の間に、第1電極21と隣接して、且つ、離間して配置されており、
第2分離電極31Bは、撮像素子ブロックにおける撮像素子と撮像素子の間に配置されており、
第3分離電極32は、撮像素子ブロックと撮像素子ブロックの間に配置されている。
第1分離電極31Aは、撮像素子ブロックにおける、第2の方向に沿って並置された撮像素子と撮像素子の間に、第1電極21と隣接して、且つ、離間して配置されており、
第2分離電極31Bは、第1の方向に沿って並置された撮像素子と撮像素子の間に配置されており、且つ、第2の方向に沿って並置された撮像素子と撮像素子の間に、第1分離電極31Aと離間して配置されている。そして、この場合、第2分離電極31Bと第3分離電極32とは繋がっている。
第1分離電極31Aは、撮像素子ブロックにおける、第2の方向に沿って並置された撮像素子と撮像素子の間に、第1電極21と隣接して、且つ、離間して配置されており、更に、第1の方向に沿って並置された撮像素子と撮像素子の間に、第1電極21と隣接して、且つ、離間して配置されており、
第2分離電極31Bは、第2の方向に沿って並置された撮像素子と撮像素子の間に、第1分離電極31Aと離間して配置されており、更に、第1の方向に沿って並置された撮像素子と撮像素子の間に、第1分離電極31Aと離間して配置されている。そして、この場合、第2分離電極31Bと第3分離電極32とは繋がっている。
下方撮像素子ブロックは、複数(具体的には、第1の方向に沿ってP個、第2の方向に沿ってQ個のP×Q個)の撮像素子から構成されており、
撮像素子ブロックを構成する撮像素子が受光する光の波長と、下方撮像素子ブロックを構成する撮像素子が受光する光の波長とは、異なる。下方撮像素子ブロックを構成する複数(具体的には、P×Q個)の撮像素子は、共有された浮遊拡散層を備えている。そして、第3分離電極32の制御下、隣接する撮像素子ブロック間における撮像素子の間での、光電変換層23に蓄積された電荷の移動は禁止される。
光電変換部は、N個(但し、N≧2)の光電変換部セグメント(具体的には、3つの光電変換部セグメント201,202,203)から構成されており、
光電変換層23は、N個の光電変換層セグメント(具体的には、3つの光電変換層セグメント231,232,233)から構成されており、
絶縁層82は、N個の絶縁層セグメント(具体的には、3つの絶縁層セグメント821,822,823)から構成されており、
実施例8〜実施例10において、電荷蓄積用電極24は、N個の電荷蓄積用電極セグメント(具体的には、各実施例にあっては、3つの電荷蓄積用電極セグメント241,242,243)から構成されており、
実施例11〜実施例12において、場合によっては、実施例10において、電荷蓄積用電極24は、相互に離間されて配置された、N個の電荷蓄積用電極セグメント(具体的には、3つの電荷蓄積用電極セグメント241,242,243)から構成されており、
第n番目(但し、n=1,2,3・・・N)の光電変換部セグメント20nは、第n番目の電荷蓄積用電極セグメント24n、第n番目の絶縁層セグメント82n及び第n番目の光電変換層セグメント23nから構成されており、
nの値が大きい光電変換部セグメントほど、第1電極21から離れて位置する。
第1電極21、光電変換層23及び第2電極22が積層されて成る光電変換部を備えており、
光電変換部は、更に、第1電極21と離間して配置され、且つ、絶縁層82を介して光電変換層23と対向して配置された電荷蓄積用電極24を備えており、
電荷蓄積用電極24と絶縁層82と光電変換層23の積層方向をZ方向、第1電極21から離れる方向をX方向としたとき、YZ仮想平面で電荷蓄積用電極24と絶縁層82と光電変換層23が積層された積層部分を切断したときの積層部分の断面積は、第1電極21からの距離に依存して変化する。
全ての撮像素子において、一斉に、光電変換層23に電荷を蓄積しながら、第1電極21における電荷を系外に排出し、その後、
全ての撮像素子において、一斉に、光電変換層23に蓄積された電荷を第1電極21に転送し、転送完了後、順次、各撮像素子において第1電極21に転送された電荷を読み出す、
各工程を繰り返す。
[ステップ−A]
コンパレータへのオートゼロ信号入力
[ステップ−B]
共有された1つの浮遊拡散層のリセット動作
[ステップ−C]
電荷蓄積用電極2421に対応した撮像素子におけるP相読み出し及び第1電極212への電荷の移動
[ステップ−D]
電荷蓄積用電極2421に対応した撮像素子におけるD相読み出し及び第1電極212への電荷の移動
[ステップ−E]
共有された1つの浮遊拡散層のリセット動作
[ステップ−F]
コンパレータへのオートゼロ信号入力
[ステップ−G]
電荷蓄積用電極2422に対応した撮像素子におけるP相読み出し及び第1電極212への電荷の移動
[ステップ−H]
電荷蓄積用電極2422に対応した撮像素子におけるD相読み出し及び第1電極212への電荷の移動
という流れで、電荷蓄積用電極2421及び電荷蓄積用電極2422に対応した2つの撮像素子からの信号を読み出す。相関2重サンプリング(CDS)処理に基づき、[ステップ−C]におけるP相読み出しと[ステップ−D]におけるD相読み出しとの差分が、電荷蓄積用電極2421に対応した撮像素子からの信号であり、[ステップ−G]におけるP相読み出しと[ステップ−H]におけるD相読み出しとの差分が、電荷蓄積用電極2422に対応した撮像素子からの信号である。
[A01]《撮像素子》
第1電極、
第1電極と離間して配置された電荷蓄積用電極、
第1電極及び電荷蓄積用電極と離間して配置され、電荷蓄積用電極を取り囲む分離電極、
第1電極と接し、絶縁層を介して電荷蓄積用電極の上方に形成された光電変換層、並びに、
光電変換層上に形成された第2電極、
を備えており、
分離電極は、第1分離電極、及び、第1分離電極と離間して配置された第2分離電極から構成されており、
第1分離電極は、第1電極と第2分離電極との間に位置する撮像素子。
[A02]第1分離電極の電位は一定の値VES-1であり、第2分離電極の電位も一定の値VES-2である[A01]に記載の撮像素子。
[A03]第1分離電極の電位は一定の値VES-1から変化し、第2分離電極の電位は一定の値VES-2である[A01]に記載の撮像素子。
[A04]蓄積すべき電荷が電子の場合、VES-1>VES-2、蓄積すべき正孔が電子の場合、VES-1<VES-2を満足する[A02]又は[A03]に記載の撮像素子。
[A05]VES-2=VES-1を満足する[A02]又は[A03]に記載の撮像素子。
[A06]《固体撮像装置:第1の態様》
第1の方向に沿ってP個、第1の方向とは異なる第2の方向に沿ってQ個の、P×Q個(但し、P≧2,Q≧1)の撮像素子から構成された撮像素子ブロックを、複数、有しており、
各撮像素子は、
第1電極、
第1電極と離間して配置された電荷蓄積用電極、
第1電極及び電荷蓄積用電極と離間して配置され、電荷蓄積用電極を取り囲む分離電極、
第1電極と接し、絶縁層を介して電荷蓄積用電極の上方に形成された光電変換層、並びに、
光電変換層上に形成された第2電極、
を備えており、
分離電極は、第1分離電極、第2分離電極及び第3分離電極から構成されており、
第1分離電極は、撮像素子ブロックにおける、少なくとも第2の方向に沿って並置された撮像素子と撮像素子の間に、第1電極と隣接して、且つ、離間して配置されており、
第2分離電極は、撮像素子ブロックにおける撮像素子と撮像素子の間に配置されており、
第3分離電極は、撮像素子ブロックと撮像素子ブロックの間に配置されている固体撮像装置。
[A07]第3分離電極は、隣接する撮像素子ブロックにおいて共有されている[A06]に記載の固体撮像装置。
[A08]第1分離電極は、撮像素子ブロックにおける、第2の方向に沿って並置された撮像素子と撮像素子の間に、第1電極と隣接して、且つ、離間して配置されており、
第2分離電極は、第1の方向に沿って並置された撮像素子と撮像素子の間に配置されており、且つ、第2の方向に沿って並置された撮像素子と撮像素子の間に、第1分離電極と離間して配置されている[A06]又は[A07]に記載の固体撮像装置。
[A09]第2分離電極と第3分離電極とは繋がっている[A08]に記載の固体撮像装置。
[A10]第1分離電極は、撮像素子ブロックにおける、第2の方向に沿って並置された撮像素子と撮像素子の間に、第1電極と隣接して、且つ、離間して配置されており、更に、第1の方向に沿って並置された撮像素子と撮像素子の間に、第1電極と隣接して、且つ、離間して配置されており、
第2分離電極は、第2の方向に沿って並置された撮像素子と撮像素子の間に、第1分離電極と離間して配置されており、更に、第1の方向に沿って並置された撮像素子と撮像素子の間に、第1分離電極と離間して配置されている[A06]又は[A07]に記載の固体撮像装置。
[A11]第2分離電極と第3分離電極とは繋がっている[A10]に記載の固体撮像装置。
[A12]第1分離電極の電位は一定の値VES-1であり、第2分離電極及び第3分離電極の電位も一定の値VES-2である[A11]に記載の固体撮像装置。
[A13]第1分離電極の電位は一定の値VES-1から変化し、第2分離電極及び第3分離電極の電位は一定の値VES-2である[A11]に記載の固体撮像装置。
[A14]蓄積すべき電荷が電子の場合、VES-1>VES-2、蓄積すべき正孔が電子の場合、VES-1<VES-2を満足する[A12]又は[A13]に記載の固体撮像装置。
[A15]VES-2=VES-1を満足する[A12]又は[A13]に記載の固体撮像装置。
[A16]撮像素子ブロックを構成するP×Q個の撮像素子において、第1電極は共有されている[A06]乃至[A15]のいずれか1項に記載の固体撮像装置。
[A17]P=2,Q=2である[A06]乃至[A16]のいずれか1項に記載の固体撮像装置。
[A18]半導体基板を更に備えており、
光電変換部は、半導体基板の上方に配置されている[A01]乃至[A17]のいずれか1項に記載の固体撮像装置。
[A19]第1電極と電荷蓄積用電極との間に、第1電極及び電荷蓄積用電極と離間して配置され、且つ、絶縁層を介して光電変換層と対向して配置された転送制御用電極を更に備えている[A01]乃至[A18]のいずれか1項に記載の固体撮像装置。
[A20]電荷蓄積用電極は、複数の電荷蓄積用電極セグメントから構成されている[A01]乃至[A19]のいずれか1項に記載の固体撮像装置。
[A21]電荷蓄積用電極の大きさは第1電極よりも大きい[A01]乃至[A20]のいずれか1項に記載の固体撮像装置。
[A22]第1電極は、絶縁層に設けられた開口部内を延在し、光電変換層と接続されている[A01]乃至[A21]のいずれか1項に記載の固体撮像装置。
[A23]光電変換層は、絶縁層に設けられた開口部内を延在し、第1電極と接続されている[A01]乃至[A21]のいずれか1項に記載の固体撮像装置。
[A24]第1電極の頂面の縁部は絶縁層で覆われており、
開口部の底面には第1電極が露出しており、
第1電極の頂面と接する絶縁層の面を第1面、電荷蓄積用電極と対向する光電変換層の部分と接する絶縁層の面を第2面としたとき、開口部の側面は、第1面から第2面に向かって広がる傾斜を有する[A23]に記載の固体撮像装置。
[A25]第1面から第2面に向かって広がる傾斜を有する開口部の側面は、電荷蓄積用電極側に位置する[A24]に記載の固体撮像装置。
[A26]《第1電極及び電荷蓄積用電極の電位の制御》
半導体基板に設けられ、駆動回路を有する制御部を更に備えており、
第1電極及び電荷蓄積用電極は、駆動回路に接続されており、
電荷蓄積期間において、駆動回路から、第1電極に電位V11が印加され、電荷蓄積用電極に電位V12が印加され、光電変換層に電荷が蓄積され、
電荷転送期間において、駆動回路から、第1電極に電位V21が印加され、電荷蓄積用電極に電位V22が印加され、光電変換層に蓄積された電荷が第1電極を経由して制御部に読み出される[A01]乃至[A25]のいずれか1項に記載の固体撮像装置。
但し、第1電極の電位が第2電極より高い場合、
V12≧V11、且つ、V22<V21
であり、第1電極の電位が第2電極より低い場合、
V12≦V11、且つ、V22>V21
である。
[A27]《電荷蓄積用電極セグメント》
電荷蓄積用電極は、複数の電荷蓄積用電極セグメントから構成されている[A01]乃至[A19]のいずれか1項に記載の固体撮像装置。
[A28]第1電極の電位が第2電極より高い場合、電荷転送期間において、第1電極に最も近い所に位置する電荷蓄積用電極セグメントに印加される電位は、第1電極に最も遠い所に位置する電荷蓄積用電極セグメントに印加される電位よりも高く、
第1電極の電位が第2電極より低い場合、電荷転送期間において、第1電極に最も近い所に位置する電荷蓄積用電極セグメントに印加される電位は、第1電極に最も遠い所に位置する電荷蓄積用電極セグメントに印加される電位よりも低い[A27]に記載の固体撮像装置。
[A29]半導体基板には、制御部を構成する少なくとも浮遊拡散層及び増幅トランジスタが設けられており、
第1電極は、浮遊拡散層及び増幅トランジスタのゲート部に接続されている[A01]乃至[A28]のいずれか1項に記載の固体撮像装置。
[A30]半導体基板には、更に、制御部を構成するリセット・トランジスタ及び選択トランジスタが設けられており、
浮遊拡散層は、リセット・トランジスタの一方のソース/ドレイン領域に接続されており、
増幅トランジスタの一方のソース/ドレイン領域は、選択トランジスタの一方のソース/ドレイン領域に接続されており、選択トランジスタの他方のソース/ドレイン領域は信号線に接続されている[A29]に記載の固体撮像装置。
[A31]第2電極側から光が入射し、第2電極よりの光入射側には遮光層が形成されている[A01]乃至[A30]のいずれか1項に記載の固体撮像装置。
[A32]第2電極側から光が入射し、第1電極には光が入射しない[A01]乃至[A30]のいずれか1項に記載の固体撮像装置。
[A33]第2電極よりの光入射側であって、第1電極の上方には遮光層が形成されている[A32]に記載の固体撮像装置。
[A34]電荷蓄積用電極及び第2電極の上方にはオンチップ・マイクロ・レンズが設けられており、
オンチップ・マイクロ・レンズに入射する光は、電荷蓄積用電極に集光される[A32]に記載の固体撮像装置。
[B01]《撮像素子:第1構成》
光電変換部は、N個(但し、N≧2)の光電変換部セグメントから構成されており、
光電変換層は、N個の光電変換層セグメントから構成されており、
絶縁層は、N個の絶縁層セグメントから構成されており、
電荷蓄積用電極は、N個の電荷蓄積用電極セグメントから構成されており、
第n番目(但し、n=1,2,3・・・N)の光電変換部セグメントは、第n番目の電荷蓄積用電極セグメント、第n番目の絶縁層セグメント及び第n番目の光電変換層セグメントから構成されており、
nの値が大きい光電変換部セグメントほど、第1電極から離れて位置し、
第1番目の光電変換部セグメントから第N番目の光電変換部セグメントに亙り、絶縁層セグメントの厚さが、漸次、変化している[A01]乃至[A34]のいずれか1項に記載の固体撮像装置。
[B02]《撮像素子:第2構成》
光電変換部は、N個(但し、N≧2)の光電変換部セグメントから構成されており、
光電変換層は、N個の光電変換層セグメントから構成されており、
絶縁層は、N個の絶縁層セグメントから構成されており、
電荷蓄積用電極は、N個の電荷蓄積用電極セグメントから構成されており、
第n番目(但し、n=1,2,3・・・N)の光電変換部セグメントは、第n番目の電荷蓄積用電極セグメント、第n番目の絶縁層セグメント及び第n番目の光電変換層セグメントから構成されており、
nの値が大きい光電変換部セグメントほど、第1電極から離れて位置し、
第1番目の光電変換部セグメントから第N番目の光電変換部セグメントに亙り、光電変換層セグメントの厚さが、漸次、変化している[A01]乃至[A34]のいずれか1項に記載の固体撮像装置。
[B03]《撮像素子:第3構成》
光電変換部は、N個(但し、N≧2)の光電変換部セグメントから構成されており、
光電変換層は、N個の光電変換層セグメントから構成されており、
絶縁層は、N個の絶縁層セグメントから構成されており、
電荷蓄積用電極は、N個の電荷蓄積用電極セグメントから構成されており、
第n番目(但し、n=1,2,3・・・N)の光電変換部セグメントは、第n番目の電荷蓄積用電極セグメント、第n番目の絶縁層セグメント及び第n番目の光電変換層セグメントから構成されており、
nの値が大きい光電変換部セグメントほど、第1電極から離れて位置し、
隣接する光電変換部セグメントにおいて、絶縁層セグメントを構成する材料が異なる[A01]乃至[A34]のいずれか1項に記載の固体撮像装置。
[B04]《撮像素子:第4構成》
光電変換部は、N個(但し、N≧2)の光電変換部セグメントから構成されており、
光電変換層は、N個の光電変換層セグメントから構成されており、
絶縁層は、N個の絶縁層セグメントから構成されており、
電荷蓄積用電極は、相互に離間されて配置された、N個の電荷蓄積用電極セグメントから構成されており、
第n番目(但し、n=1,2,3・・・N)の光電変換部セグメントは、第n番目の電荷蓄積用電極セグメント、第n番目の絶縁層セグメント及び第n番目の光電変換層セグメントから構成されており、
nの値が大きい光電変換部セグメントほど、第1電極から離れて位置し、
隣接する光電変換部セグメントにおいて、電荷蓄積用電極セグメントを構成する材料が異なる[A01]乃至[A34]のいずれか1項に記載の固体撮像装置。
[B05]《撮像素子:第5構成》
光電変換部は、N個(但し、N≧2)の光電変換部セグメントから構成されており、
光電変換層は、N個の光電変換層セグメントから構成されており、
絶縁層は、N個の絶縁層セグメントから構成されており、
電荷蓄積用電極は、相互に離間されて配置された、N個の電荷蓄積用電極セグメントから構成されており、
第n番目(但し、n=1,2,3・・・N)の光電変換部セグメントは、第n番目の電荷蓄積用電極セグメント、第n番目の絶縁層セグメント及び第n番目の光電変換層セグメントから構成されており、
nの値が大きい光電変換部セグメントほど、第1電極から離れて位置し、
第1番目の光電変換部セグメントから第N番目の光電変換部セグメントに亙り、電荷蓄積用電極セグメントの面積が、漸次、小さくなっている[A01]乃至[A34]のいずれか1項に記載の固体撮像装置。
[B06]《撮像素子:第6構成》
電荷蓄積用電極と絶縁層と光電変換層の積層方向をZ方向、第1電極から離れる方向をX方向としたとき、YZ仮想平面で電荷蓄積用電極と絶縁層と光電変換層が積層された積層部分を切断したときの積層部分の断面積は、第1電極からの距離に依存して変化する[A01]乃至[A34]のいずれか1項に記載の固体撮像装置。
[C01]《積層型撮像素子》
[A01]乃至[B06]のいずれか1項に記載の撮像素子を少なくとも1つ有する積層型固体撮像装置。
[D01]《固体撮像装置:第2の態様》
[A01]乃至[B06]のいずれか1項に記載の撮像素子を少なくとも1つ有する積層型撮像素子を備えている固体撮像装置。
[D02]撮像素子の下方には、少なくとも1つの下方撮像素子が設けられており、
撮像素子が受光する光の波長と、下方撮像素子が受光する光の波長とは、異なる[D01]に記載の固体撮像装置。
[D03]2つの下方撮像素子が積層されている[D02]の記載の固体撮像装置。
[D04]下方撮像素子ブロックは、2層、設けられている[D02]又は[D03]の記載の固体撮像装置。
[D05]下方撮像素子ブロックを構成する複数の撮像素子は、共有された浮遊拡散層を備えている[D01]乃至[D04]のいずれか1項に記載の固体撮像装置。
Claims (20)
- 第1電極、
第1電極と離間して配置された電荷蓄積用電極、
第1電極及び電荷蓄積用電極と離間して配置され、電荷蓄積用電極を取り囲む分離電極、
第1電極と接し、絶縁層を介して電荷蓄積用電極の上方に形成された光電変換層、並びに、
光電変換層上に形成された第2電極、
を備えており、
分離電極は、第1分離電極、及び、第1分離電極と離間して配置された第2分離電極から構成されており、
第1分離電極は、第1電極と第2分離電極との間に位置する撮像素子。 - 第1分離電極の電位は一定の値VES-1であり、第2分離電極の電位も一定の値VES-2である請求項1に記載の撮像素子。
- 第1分離電極の電位は一定の値VES-1から変化し、第2分離電極の電位は一定の値VES-2である請求項1に記載の撮像素子。
- 蓄積すべき電荷が電子の場合、VES-1>VES-2、蓄積すべき正孔が電子の場合、VES-1<VES-2を満足する請求項2又は請求項3に記載の撮像素子。
- VES-2=VES-1を満足する請求項2又は請求項3に記載の撮像素子。
- 第1の方向に沿ってP個、第1の方向とは異なる第2の方向に沿ってQ個の、P×Q個(但し、P≧2,Q≧1)の撮像素子から構成された撮像素子ブロックを、複数、有しており、
各撮像素子は、
第1電極、
第1電極と離間して配置された電荷蓄積用電極、
第1電極及び電荷蓄積用電極と離間して配置され、電荷蓄積用電極を取り囲む分離電極、
第1電極と接し、絶縁層を介して電荷蓄積用電極の上方に形成された光電変換層、並びに、
光電変換層上に形成された第2電極、
を備えており、
分離電極は、第1分離電極、第2分離電極及び第3分離電極から構成されており、
第1分離電極は、撮像素子ブロックにおける、少なくとも第2の方向に沿って並置された撮像素子と撮像素子の間に、第1電極と隣接して、且つ、離間して配置されており、
第2分離電極は、撮像素子ブロックにおける撮像素子と撮像素子の間に配置されており、
第3分離電極は、撮像素子ブロックと撮像素子ブロックの間に配置されている固体撮像装置。 - 第3分離電極は、隣接する撮像素子ブロックにおいて共有されている請求項6に記載の固体撮像装置。
- 第1分離電極は、撮像素子ブロックにおける、第2の方向に沿って並置された撮像素子と撮像素子の間に、第1電極と隣接して、且つ、離間して配置されており、
第2分離電極は、第1の方向に沿って並置された撮像素子と撮像素子の間に配置されており、且つ、第2の方向に沿って並置された撮像素子と撮像素子の間に、第1分離電極と離間して配置されている請求項6に記載の固体撮像装置。 - 第2分離電極と第3分離電極とは繋がっている請求項8に記載の固体撮像装置。
- 第1分離電極は、撮像素子ブロックにおける、第2の方向に沿って並置された撮像素子と撮像素子の間に、第1電極と隣接して、且つ、離間して配置されており、更に、第1の方向に沿って並置された撮像素子と撮像素子の間に、第1電極と隣接して、且つ、離間して配置されており、
第2分離電極は、第2の方向に沿って並置された撮像素子と撮像素子の間に、第1分離電極と離間して配置されており、更に、第1の方向に沿って並置された撮像素子と撮像素子の間に、第1分離電極と離間して配置されている請求項6に記載の固体撮像装置。 - 第2分離電極と第3分離電極とは繋がっている請求項10に記載の固体撮像装置。
- 第1分離電極の電位は一定の値VES-1であり、第2分離電極及び第3分離電極の電位も一定の値VES-2である請求項11に記載の固体撮像装置。
- 第1分離電極の電位は一定の値VES-1から変化し、第2分離電極及び第3分離電極の電位は一定の値VES-2である請求項11に記載の固体撮像装置。
- 蓄積すべき電荷が電子の場合、VES-1>VES-2、蓄積すべき正孔が電子の場合、VES-1<VES-2を満足する請求項12に記載の固体撮像装置。
- VES-2=VES-1を満足する請求項12に記載の固体撮像装置。
- 撮像素子ブロックを構成するP×Q個の撮像素子において、第1電極は共有されている請求項6に記載の固体撮像装置。
- P=2,Q=2である請求項6に記載の固体撮像装置。
- 請求項1乃至請求項17のいずれか1項に記載の撮像素子を少なくとも1つ有する積層型撮像素子を備えている固体撮像装置。
- 撮像素子の下方には、少なくとも1つの下方撮像素子が設けられており、
撮像素子が受光する光の波長と、下方撮像素子が受光する光の波長とは、異なる請求項18に記載の固体撮像装置。 - 2つの下方撮像素子が積層されている請求項19に記載の固体撮像装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2023111849A JP2023126323A (ja) | 2018-07-03 | 2023-07-07 | 光検出素子及び光検出装置 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018126650 | 2018-07-03 | ||
JP2018126650 | 2018-07-03 | ||
PCT/JP2019/022702 WO2020008801A1 (ja) | 2018-07-03 | 2019-06-07 | 撮像素子及び固体撮像装置 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2023111849A Division JP2023126323A (ja) | 2018-07-03 | 2023-07-07 | 光検出素子及び光検出装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2020008801A1 true JPWO2020008801A1 (ja) | 2021-08-02 |
JP7391844B2 JP7391844B2 (ja) | 2023-12-05 |
Family
ID=69060806
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020528743A Active JP7391844B2 (ja) | 2018-07-03 | 2019-06-07 | 固体撮像装置 |
JP2023111849A Pending JP2023126323A (ja) | 2018-07-03 | 2023-07-07 | 光検出素子及び光検出装置 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2023111849A Pending JP2023126323A (ja) | 2018-07-03 | 2023-07-07 | 光検出素子及び光検出装置 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US11563058B2 (ja) |
JP (2) | JP7391844B2 (ja) |
CN (1) | CN112368836A (ja) |
DE (1) | DE112019003394T5 (ja) |
TW (2) | TW202343774A (ja) |
WO (1) | WO2020008801A1 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2020008801A1 (ja) | 2018-07-03 | 2020-01-09 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 撮像素子及び固体撮像装置 |
US11475699B2 (en) | 2020-01-22 | 2022-10-18 | Asti Global Inc., Taiwan | Display module and image display thereof |
CN114582256A (zh) * | 2020-12-02 | 2022-06-03 | 台湾爱司帝科技股份有限公司 | 显示模块及其图像显示器 |
US11317039B1 (en) * | 2021-01-06 | 2022-04-26 | Visera Technologies Company Limited | Image-sensing device |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2010116974A1 (ja) * | 2009-04-07 | 2010-10-14 | ローム株式会社 | 光電変換装置および撮像装置 |
US20160037098A1 (en) * | 2014-07-31 | 2016-02-04 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Image Sensors Including Semiconductor Channel Patterns |
JP2016127264A (ja) * | 2014-12-26 | 2016-07-11 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子およびその製造方法、並びに電子機器 |
JP2017055085A (ja) * | 2015-09-11 | 2017-03-16 | 株式会社東芝 | 固体撮像装置 |
JP2017108101A (ja) * | 2015-12-04 | 2017-06-15 | キヤノン株式会社 | 撮像装置、および、撮像システム |
JP2017157816A (ja) * | 2016-03-01 | 2017-09-07 | ソニー株式会社 | 撮像素子、積層型撮像素子及び固体撮像装置、並びに、固体撮像装置の駆動方法 |
JP2018085402A (ja) * | 2016-11-22 | 2018-05-31 | ソニー株式会社 | 撮像素子、積層型撮像素子及び固体撮像装置 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012190951A (ja) * | 2011-03-10 | 2012-10-04 | Sony Corp | 固体撮像装置およびカメラ |
JP6226683B2 (ja) * | 2013-10-09 | 2017-11-08 | キヤノン株式会社 | 撮像装置 |
JP6308864B2 (ja) * | 2014-05-15 | 2018-04-11 | キヤノン株式会社 | 撮像装置 |
JP6395482B2 (ja) * | 2014-07-11 | 2018-09-26 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置、および、撮像システム |
DE102016122658B4 (de) | 2015-12-04 | 2021-07-15 | Canon Kabushiki Kaisha | Abbildungsvorrichtung und Abbildungssystem |
TWI756207B (zh) | 2016-03-01 | 2022-03-01 | 日商新力股份有限公司 | 成像元件、堆疊型成像元件、固態成像裝置及用於固態成像裝置之驅動方法 |
JP2019186738A (ja) * | 2018-04-10 | 2019-10-24 | キヤノン株式会社 | 撮像装置 |
WO2020008801A1 (ja) * | 2018-07-03 | 2020-01-09 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 撮像素子及び固体撮像装置 |
-
2019
- 2019-06-07 WO PCT/JP2019/022702 patent/WO2020008801A1/ja active Application Filing
- 2019-06-07 CN CN201980042585.4A patent/CN112368836A/zh active Pending
- 2019-06-07 JP JP2020528743A patent/JP7391844B2/ja active Active
- 2019-06-07 US US17/252,774 patent/US11563058B2/en active Active
- 2019-06-07 DE DE112019003394.8T patent/DE112019003394T5/de active Pending
- 2019-06-14 TW TW112127579A patent/TW202343774A/zh unknown
- 2019-06-14 TW TW108120583A patent/TWI812735B/zh active
-
2022
- 2022-11-03 US US17/979,904 patent/US11793009B2/en active Active
-
2023
- 2023-07-07 JP JP2023111849A patent/JP2023126323A/ja active Pending
- 2023-09-08 US US18/244,109 patent/US20230422534A1/en active Pending
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2010116974A1 (ja) * | 2009-04-07 | 2010-10-14 | ローム株式会社 | 光電変換装置および撮像装置 |
US20160037098A1 (en) * | 2014-07-31 | 2016-02-04 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Image Sensors Including Semiconductor Channel Patterns |
JP2016127264A (ja) * | 2014-12-26 | 2016-07-11 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子およびその製造方法、並びに電子機器 |
JP2017055085A (ja) * | 2015-09-11 | 2017-03-16 | 株式会社東芝 | 固体撮像装置 |
JP2017108101A (ja) * | 2015-12-04 | 2017-06-15 | キヤノン株式会社 | 撮像装置、および、撮像システム |
JP2017157816A (ja) * | 2016-03-01 | 2017-09-07 | ソニー株式会社 | 撮像素子、積層型撮像素子及び固体撮像装置、並びに、固体撮像装置の駆動方法 |
JP2018085402A (ja) * | 2016-11-22 | 2018-05-31 | ソニー株式会社 | 撮像素子、積層型撮像素子及び固体撮像装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20210257415A1 (en) | 2021-08-19 |
DE112019003394T5 (de) | 2021-04-08 |
TW202343774A (zh) | 2023-11-01 |
US20230068319A1 (en) | 2023-03-02 |
US20230422534A1 (en) | 2023-12-28 |
JP7391844B2 (ja) | 2023-12-05 |
US11793009B2 (en) | 2023-10-17 |
JP2023126323A (ja) | 2023-09-07 |
CN112368836A (zh) | 2021-02-12 |
TW202006937A (zh) | 2020-02-01 |
TWI812735B (zh) | 2023-08-21 |
US11563058B2 (en) | 2023-01-24 |
WO2020008801A1 (ja) | 2020-01-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR102656300B1 (ko) | 촬상 소자, 적층형 촬상 소자 및 고체 촬상 장치 | |
JP7259849B2 (ja) | 撮像素子、積層型撮像素子及び固体撮像装置 | |
JP7272354B2 (ja) | 撮像素子、積層型撮像素子及び固体撮像装置 | |
JPWO2020017330A1 (ja) | 撮像素子、積層型撮像素子及び固体撮像装置 | |
JP7192857B2 (ja) | 撮像素子、積層型撮像素子及び固体撮像装置 | |
JP7391844B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
KR102653049B1 (ko) | 촬상 장치 | |
JPWO2019203222A1 (ja) | 撮像素子、積層型撮像素子及び固体撮像装置 | |
JPWO2020066553A1 (ja) | 撮像素子、積層型撮像素子及び固体撮像装置 | |
WO2020202902A1 (ja) | 撮像素子、積層型撮像素子及び固体撮像装置、並びに、撮像素子の製造方法 | |
JP7337056B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
JP7428131B2 (ja) | 撮像素子、積層型撮像素子及び固体撮像装置 | |
JP2021064703A (ja) | 固体撮像装置及び撮像方法 | |
JP7441785B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
WO2021002090A1 (ja) | 撮像素子、積層型撮像素子及び固体撮像装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20211019 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20220531 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20221108 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230105 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20230509 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230803 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20230814 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20231024 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20231122 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7391844 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |