JPWO2020017330A1 - 撮像素子、積層型撮像素子及び固体撮像装置 - Google Patents

撮像素子、積層型撮像素子及び固体撮像装置 Download PDF

Info

Publication number
JPWO2020017330A1
JPWO2020017330A1 JP2020531227A JP2020531227A JPWO2020017330A1 JP WO2020017330 A1 JPWO2020017330 A1 JP WO2020017330A1 JP 2020531227 A JP2020531227 A JP 2020531227A JP 2020531227 A JP2020531227 A JP 2020531227A JP WO2020017330 A1 JPWO2020017330 A1 JP WO2020017330A1
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electrode
image pickup
photoelectric conversion
layer
pickup device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2020531227A
Other languages
English (en)
Other versions
JP7407708B2 (ja
Inventor
定榮　正大
正大 定榮
村田　賢一
賢一 村田
晋太郎 平田
晋太郎 平田
利彦 林
利彦 林
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sony Semiconductor Solutions Corp
Original Assignee
Sony Semiconductor Solutions Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sony Semiconductor Solutions Corp filed Critical Sony Semiconductor Solutions Corp
Publication of JPWO2020017330A1 publication Critical patent/JPWO2020017330A1/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7407708B2 publication Critical patent/JP7407708B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14665—Imagers using a photoconductor layer
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K19/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic element specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, covered by group H10K10/00
    • H10K19/20—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic element specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, covered by group H10K10/00 comprising components having an active region that includes an inorganic semiconductor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14603—Special geometry or disposition of pixel-elements, address-lines or gate-electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14609—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements
    • H01L27/14612—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements involving a transistor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14638—Structures specially adapted for transferring the charges across the imager perpendicular to the imaging plane
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14641—Electronic components shared by two or more pixel-elements, e.g. one amplifier shared by two pixel elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
    • H01L27/14645—Colour imagers
    • H01L27/14647—Multicolour imagers having a stacked pixel-element structure, e.g. npn, npnpn or MQW elements
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/60—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
    • H04N25/65—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise applied to reset noise, e.g. KTC noise related to CMOS structures by techniques other than CDS
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
    • H10K30/60—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation in which radiation controls flow of current through the devices, e.g. photoresistors
    • H10K30/65—Light-sensitive field-effect devices, e.g. phototransistors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic radiation-sensitive element covered by group H10K30/00
    • H10K39/30—Devices controlled by radiation
    • H10K39/32—Organic image sensors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14609—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
    • H10K30/20—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation comprising organic-organic junctions, e.g. donor-acceptor junctions
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
    • H10K30/30—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation comprising bulk heterojunctions, e.g. interpenetrating networks of donor and acceptor material domains
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)

Abstract

撮像素子１０は、第１電極２１、有機系材料から成る光電変換層２３Ａ及び第２電極２２が積層されて成る光電変換部を備えており、第１電極２１と光電変換層２３Ａとの間には、第１電極側から、酸化物半導体層２３Ｃ及び酸化膜２３Ｂが形成されている。

Description

本開示は、撮像素子、積層型撮像素子及び固体撮像装置に関する。
イメージセンサー等を構成する撮像素子として、近年、積層型撮像素子が着目されている。積層型撮像素子においては、光電変換層（受光層）が２つの電極で挟み込まれた構造を有する。そして、積層型撮像素子にあっては、光電変換に基づき光電変換層において発生した信号電荷を、蓄積し、転送する構造が必要とされる。従来の構造では、信号電荷がＦＤ（Floating Drain）電極に蓄積及び転送される構造が必要とされ、信号電荷が遅延しないような高速転送が必要とされる。
このような課題を解決するための撮像素子（光電変換素子）が、例えば、特開２０１６−０６３１６５号公報に開示されている。この撮像素子は、
第１の絶縁層上に形成された蓄積電極、
蓄積電極上に形成された第２の絶縁層、
蓄積電極及び第２の絶縁層を覆うように形成された半導体層、
半導体層に接するように形成され、蓄積電極から離れるように形成された捕集電極、
半導体層上に形成された光電変換層、及び、
光電変換層上に形成された上部電極、
を備えている。
光電変換層に有機半導体材料を用いる撮像素子は、特定の色（波長帯）を光電変換することが可能である。そして、このような特徴を有するが故に、固体撮像装置における撮像素子として用いる場合、オンチップ・カラーフィルタ層（ＯＣＣＦ）と撮像素子との組合せから副画素が成り、副画素が２次元配列されている、従来の固体撮像装置では不可能な、副画素を積層した構造（積層型撮像素子）を得ることが可能である（例えば、特開２０１１−１３８９２７号公報参照）。また、デモザイク処理を必要としないことから、偽色が発生しないといった利点がある。以下の説明において、半導体基板の上あるいは上方に設けられた光電変換部を備えた撮像素子を、便宜上、『第１タイプの撮像素子』と呼び、第１タイプの撮像素子を構成する光電変換部を、便宜上、『第１タイプの光電変換部』と呼び、半導体基板内に設けられた撮像素子を、便宜上、『第２タイプの撮像素子』と呼び、第２タイプの撮像素子を構成する光電変換部を、便宜上、『第２タイプの光電変換部』と呼ぶ場合がある。
図５１に従来の積層型撮像素子（積層型固体撮像装置）の構成例を示す。図５１に示す例では、半導体基板３７０内に、第２タイプの撮像素子である第３撮像素子３４３及び第２撮像素子３４１を構成する第２タイプの光電変換部である第３光電変換部３４３Ａ及び第２光電変換部３４１Ａが積層され、形成されている。また、半導体基板３７０の上方（具体的には、第２撮像素子３４１の上方）には、第１タイプの光電変換部である第１光電変換部３１０Ａが配置されている。ここで、第１光電変換部３１０Ａは、第１電極３２１、有機系材料から成る光電変換層３２３、第２電極３２２を備えており、第１タイプの撮像素子である第１撮像素子３１０を構成する。第２光電変換部３４１Ａ及び第３光電変換部３４３Ａにおいては、吸収係数の違いにより、それぞれ、例えば、青色光及び赤色光が光電変換される。また、第１光電変換部３１０Ａにおいては、例えば、緑色光が光電変換される。
第２光電変換部３４１Ａ及び第３光電変換部３４３Ａにおいて光電変換によって生成した電荷は、これらの第２光電変換部３４１Ａ及び第３光電変換部３４３Ａに一旦蓄積された後、それぞれ、縦型トランジスタ（ゲート部３４５を図示する）と転送トランジスタ（ゲート部３４６を図示する）によって第２浮遊拡散層（Floating Diffusion）ＦＤ2及び第３浮遊拡散層ＦＤ3に転送され、更に、外部の読み出し回路（図示せず）に出力される。これらのトランジスタ及び浮遊拡散層ＦＤ2，ＦＤ3も半導体基板３７０に形成されている。
第１光電変換部３１０Ａにおいて光電変換によって生成した電荷は、コンタクトホール部３６１、配線層３６２を介して、半導体基板３７０に形成された第１浮遊拡散層ＦＤ1に蓄積される。また、第１光電変換部３１０Ａは、コンタクトホール部３６１、配線層３６２を介して、電荷量を電圧に変換する増幅トランジスタのゲート部３５２にも接続されている。そして、第１浮遊拡散層ＦＤ1は、リセット・トランジスタ（ゲート部３５１を図示する）の一部を構成している。参照番号３７１は素子分離領域であり、参照番号３７２は半導体基板３７０の表面に形成された絶縁材料膜であり、参照番号３７６，３８１は層間絶縁層であり、参照番号３８３は保護材料層であり、参照番号３１４はオンチップ・マイクロ・レンズである。
特開２０１６−０６３１６５号公報 特開２０１１−１３８９２７号公報
上記の特開２０１６−０６３１６５号公報には、半導体層を構成する材料に関して幾つか言及されている。しかしながら、半導体層を酸化物半導体層から構成した場合、酸化物半導体層の表面（光電変換層と接する面）あるいはその近傍において酸素欠損が生じると、酸化物半導体層の特性変動（例えば、閾値電圧で評価される特性の変動）が起こり、電荷転送特性が低下し、撮像された画像の画質低下が発生する虞がある。
従って、本開示の目的は、光電変換層に蓄積された電荷の転送特性に優れた撮像素子、積層型撮像素子及び固体撮像装置を提供することにある。
上記の目的を達成するための本開示の撮像素子は、
第１電極、光電変換層及び第２電極が積層されて成る光電変換部を備えており、
光電変換層の直下には、光電変換層側から、酸化膜及び酸化物半導体層が形成されている。
上記の目的を達成するための本開示の積層型撮像素子は、上記の本開示の撮像素子を少なくとも１つ有する。
上記の目的を達成するための本開示の第１の態様に係る固体撮像装置は、上記の本開示の撮像素子を、複数、備えている。また、上記の目的を達成するための本開示の第２の態様に係る固体撮像装置は、上記の本開示の積層型撮像素子を、複数、備えている。
図１は、実施例１の撮像素子（並置された２つの撮像素子）の一部分の模式的な断面図である。 図２は、実施例１の撮像素子、積層型撮像素子の１つの模式的な一部断面図である。 図３は、実施例１の撮像素子、積層型撮像素子の等価回路図である。 図４は、実施例１の撮像素子、積層型撮像素子の等価回路図である。 図５は、実施例１の撮像素子を構成する第１電極及び電荷蓄積用電極並びに制御部を構成するトランジスタの模式的な配置図である。 図６は、実施例１の撮像素子の動作時の各部位における電位の状態を模式的に示す図である。 図７Ａ及び図７Ｂは、図６（実施例１）及び図２１、図２２（実施例５）の各部位を説明するための実施例１及び実施例５の撮像素子、積層型撮像素子の等価回路図である。 図８は、実施例１の固体撮像装置の概念図である。 図９は、実施例１の撮像素子、積層型撮像素子の変形例の等価回路図である。 図１０は、図９に示した実施例１の撮像素子の別の変形例を構成する第１電極及び電荷蓄積用電極並びに制御部を構成するトランジスタの模式的な配置図である。 図１１は、実施例１の撮像素子を構成する第１電極及び電荷蓄積用電極の更に別の変形例の模式的な配置図である。 図１２は、実施例３の撮像素子、積層型撮像素子の模式的な一部断面図である。 図１３は、実施例４の撮像素子、積層型撮像素子の模式的な一部断面図である。 図１４は、実施例４の撮像素子、積層型撮像素子の変形例の模式的な一部断面図である。 図１５は、実施例４の撮像素子の別の変形例の模式的な一部断面図である。 図１６は、実施例４の撮像素子の更に別の変形例の模式的な一部断面図である。 図１７は、実施例５の撮像素子、積層型撮像素子の一部分の模式的な一部断面図である。 図１８は、実施例５の撮像素子、積層型撮像素子の等価回路図である。 図１９は、実施例５の撮像素子、積層型撮像素子の等価回路図である。 図２０は、実施例５の撮像素子を構成する第１電極、転送制御用電極及び電荷蓄積用電極並びに制御部を構成するトランジスタの模式的な配置図である。 図２１は、実施例５の撮像素子の動作時の各部位における電位の状態を模式的に示す図である。 図２２は、実施例５の撮像素子の別の動作時の各部位における電位の状態を模式的に示す図である。 図２３は、実施例５の撮像素子の変形例を構成する第１電極、転送制御用電極及び電荷蓄積用電極並びに制御部を構成するトランジスタの模式的な配置図である。 図２４は、実施例６の撮像素子の一部分の模式的な一部断面図である。 図２５は、実施例６の撮像素子の電荷蓄積用電極を備えた光電変換部を構成する第１電極、電荷蓄積用電極及び電荷排出電極の模式的な配置図である。 図２６は、実施例７の撮像素子（並置された２つの撮像素子）の一部分の模式的な断面図である。 図２７は、実施例７の撮像素子を構成する第１電極及び電荷蓄積用電極等並びに制御部を構成するトランジスタの模式的な配置図である。 図２８は、実施例７の撮像素子を構成する第１電極及び電荷蓄積用電極等の模式的な配置図である。 図２９は、実施例７の撮像素子を構成する第１電極及び電荷蓄積用電極等の変形例の模式的な配置図である。 図３０は、実施例７の撮像素子を構成する第１電極及び電荷蓄積用電極等の変形例の模式的な配置図である。 図３１Ａ及び図３１Ｂは、実施例７の撮像素子を構成する第１電極及び電荷蓄積用電極等の変形例の模式的な配置図である。 図３２は、実施例８の撮像素子（並置された２つの撮像素子）の一部分の模式的な断面図である。 図３３Ａ及び図３３Ｂは、実施例８の撮像素子（並置された２つの撮像素子）の変形例の一部分の模式的な断面図である。 図３４は、実施例８の撮像素子（並置された２×２の撮像素子）の一部分の模式的な平面図である。 図３５は、実施例８の撮像素子（並置された２×２の撮像素子）の変形例の一部分の模式的な平面図である。 図３６Ａ及び図３６Ｂは、実施例８の撮像素子（並置された２つの撮像素子）の変形例の一部分の模式的な断面図である。 図３７Ａ及び図３７Ｂは、実施例８の撮像素子の変形例の一部分の模式的な平面図である。 図３８Ａ及び図３８Ｂは、実施例８の撮像素子の変形例の一部分の模式的な平面図である。 図３９は、実施例１の撮像素子、積層型撮像素子の更に別の変形例の模式的な一部断面図である。 図４０は、実施例１の撮像素子、積層型撮像素子の更に別の変形例の模式的な一部断面図である。 図４１は、実施例１の撮像素子、積層型撮像素子の更に別の変形例の模式的な一部断面図である。 図４２は、実施例１の撮像素子、積層型撮像素子の別の変形例の模式的な一部断面図である。 図４３は、実施例１の撮像素子、積層型撮像素子の更に別の変形例の模式的な一部断面図である。 図４４は、実施例４の撮像素子、積層型撮像素子の更に別の変形例の一部分の模式的な一部断面図である。 図４５は、実施例１の撮像素子、積層型撮像素子における光電変換層、酸化膜及び酸化物半導体層の積層構造体における各種エネルギー値の関係を模式的に示す図である。 図４６Ａ及び図４６Ｂは、酸化物半導体層の上に酸化膜を形成することの効果を調べた結果を示す図である。 図４７の（Ａ）及び図４７の（Ｂ）は、酸化物半導体層の上に酸化膜を形成した後、水素終端化していない場合の効果を調べた結果及び断面の概念図を示す図であり、図４７の（Ｃ）及び図４７の（Ｄ）は、酸化物半導体層の上に酸化膜を形成した後、水素終端化した場合の効果を調べた結果及び断面の概念図を示す図である。 図４８は、図４７の（Ｃ）に示した酸化膜及び酸化物半導体層のＳＩＭＳ解析結果の一例を示す図である。 図４９の（ａ）及び（ｂ）は、それぞれ、欠陥サイトの例として過剰な酸素が存在する酸化物半導体層と酸化膜との界面を第１原理計算に基づき予測した結果を示す図、及び、図４９の（ａ）に示す状態に水素を添加したときの状態を第１原理計算に基づき予測した結果を示す図である。 図５０は、本開示の撮像素子、積層型撮像素子から構成された固体撮像装置を電子機器（カメラ）を用いた例の概念図である。 図５１は、従来の積層型撮像素子（積層型固体撮像装置）の概念図である。 図５２は、車両制御システムの概略的な構成の一例を示すブロック図である。 図５３は、車外情報検出部及び撮像部の設置位置の一例を示す説明図である。 図５４は、内視鏡手術システムの概略的な構成の一例を示す図である。 図５５は、カメラヘッド及びＣＣＵの機能構成の一例を示すブロック図である。
以下、図面を参照して、実施例に基づき本開示を説明するが、本開示は実施例に限定されるものではなく、実施例における種々の数値や材料は例示である。尚、説明は、以下の順序で行う。
１．本開示の撮像素子、本開示の積層型撮像素子、本開示の第１の態様〜第２の態様に係る固体撮像装置、全般に関する説明
２．実施例１（本開示の撮像素子、本開示の積層型撮像素子、本開示の第２の態様に係る固体撮像装置）
３．実施例２（実施例１の変形）
４．実施例３（実施例１〜実施例２の変形）
５．実施例４（実施例１〜実施例３の変形、本開示の第１の態様に係る固体撮像装置）
６．実施例５（実施例１〜実施例４の変形、転送制御用電極を備えた撮像素子）
７．実施例６（実施例１〜実施例５の変形、電荷排出電極を備えた撮像素子）
８．実施例７（実施例１〜実施例６の変形、下部電荷移動制御電極を備えた撮像素子）
９．実施例８（実施例１〜実施例７の変形、上部電荷移動制御電極を備えた撮像素子）
１０．その他
〈本開示の撮像素子、本開示の積層型撮像素子、本開示の第１の態様〜第２の態様に係る固体撮像装置、全般に関する説明〉
本開示の撮像素子、本開示の積層型撮像素子を構成する本開示の撮像素子、本開示の第１の態様〜第２の態様に係る固体撮像装置を構成する本開示の撮像素子（以下、これらの撮像素子を総称して、『本開示の撮像素子等』と呼ぶ場合がある）において、酸化膜を構成する元素の少なくとも一部は、酸化物半導体層を構成する元素と異なる形態とすることができる。
上記の好ましい形態を含む本開示の撮像素子等にあっては、真空準位をゼロ基準として、真空準位から離れるほどエネルギー（値の符号は負）の絶対値が大きいと定義すると、酸化物半導体層の伝導帯の最大エネルギー値（図４５の「Ｃ」参照）におけるエネルギー平均値（以下、『酸化物半導体層の伝導帯におけるエネルギー平均値』と略称する場合がある）をＥ2、酸化膜の伝導帯の最大エネルギー値（図４５の「Ｂ」参照）におけるエネルギー平均値（以下、『酸化膜の伝導帯におけるエネルギー平均値』と略称する場合がある）をＥ1としたとき、
Ｅ1−Ｅ2≧−０．４（ｅＶ）
好ましくは、
Ｅ1−Ｅ2≧０（ｅＶ）
より好ましくは、
Ｅ1−Ｅ2≧０．１（ｅＶ）
より一層好ましくは、
Ｅ1−Ｅ2＞０．１（ｅＶ）
を満足することが好ましく、この場合、更には、光電変換層のＬＵＭＯ値（図４５の「Ａ」参照）におけるエネルギー平均値をＥ0としたとき、
Ｅ0−Ｅ1≧−０．４（ｅＶ）
好ましくは、
Ｅ0−Ｅ1≧０（ｅＶ）
より好ましくは、
Ｅ0−Ｅ1≧０．１（ｅＶ）
より一層好ましくは、
Ｅ0−Ｅ1＞０．１（ｅＶ）
を満足することが好ましく、更には、
Ｅ0≧Ｅ1≧Ｅ2
を満足することが一層好ましい。各障壁の大小関係が、上述したとおり、（−０．４ｅＶ）程度であれば、電荷蓄積用電極及び第２電極に印加する電位を最適化し、光電変換層に加わる電界強度を増加させることにより、電荷を、例えば、光電変換層から酸化膜を介して酸化物半導体層へと確実に移動させることができる。また、後述するように、酸化膜を十分に薄膜化すれば、トンネル効果により電荷を移動させることができる。尚、『最小エネルギー』とはエネルギーの値の絶対値が最小であることを意味し、『最大エネルギー』とはエネルギーの値の絶対値が最大であることを意味する。以下においても同様である。
以上に説明した各種の好ましい形態を含む本開示の撮像素子等にあっては、前述のように、真空準位をゼロ基準として、真空準位から離れるほどエネルギー（値の符号は負）の絶対値が大きいと定義すると、酸化膜の価電子帯における最小エネルギー値（図４５の「Ｅ」参照）のエネルギー平均値（以下、『酸化膜の価電子帯におけるエネルギー平均値』と略称する場合がある）をＥ4、光電変換層のＨＯＭＯ値（図４５の「Ｄ」参照）におけるエネルギー平均値をＥ3としたとき、
Ｅ3−Ｅ4≧−０．４（ｅＶ）
好ましくは、
Ｅ3−Ｅ4≧０（ｅＶ）
より好ましくは、
Ｅ3−Ｅ4≧０．１（ｅＶ）
より一層好ましくは、
Ｅ3−Ｅ4＞０．１（ｅＶ）
を満足することが好ましく、この場合、更には、酸化物半導体層の価電子帯の最小エネルギー値（図４５の「Ｆ」参照）におけるエネルギー平均値（（以下、『酸化物半導体層の価電子帯におけるエネルギー平均値』と略称する場合がある）をＥ5としたとき、
Ｅ4−Ｅ5≧−０．４（ｅＶ）
好ましくは、
Ｅ4−Ｅ5≧０（ｅＶ）
より好ましくは、
Ｅ4−Ｅ5≧０．１（ｅＶ）
より一層好ましくは、
Ｅ4−Ｅ5＞０．１（ｅＶ）
を満足することがより好ましく、更には、
Ｅ3≧Ｅ4≧Ｅ5
を満足することが一層好ましい。
ここで、価電子帯のエネルギー、ＨＯＭＯの値は、例えば、紫外光電子分光法（ＵＰＳ法）に基づき求めることができる。また、伝導帯のエネルギーやＬＵＭＯの値は、｛（価電子帯のエネルギー、ＨＯＭＯの値）＋Ｅb｝から求めることができる。更には、バンドギャップエネルギーＥbは、光学的に吸収する波長λ（光学的な吸収端波長であり、単位はｎｍ）から、以下の式に基づき求めることができる。
Ｅb＝ｈν＝ｈ（ｃ／λ）＝１２３９．８／λ［ｅＶ］
更には、以上に説明した各種の好ましい形態を含む本開示の撮像素子等において、酸化膜を構成する材料は、金属酸化物から成る構成とすることができ、この場合、金属酸化物は、タンタル（Ｔａ）、チタン（Ｔｉ）、バナジウム（Ｖ）、ニオブ（Ｎｂ）、タングステン（Ｗ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ハフニウム（Ｈｆ）、スカンジウム（Ｓｃ）、イットリウム（Ｙ）、ランタン（Ｌａ）、ガリウム（Ｇａ）及びマグネシウム（Ｍｇ）から成る群から選択された少なくとも１種類の元素を含む構成とすることができる。更には、酸化膜には、シリコン（Ｓｉ）、タンタル（Ｔａ）、バナジウム（Ｖ）、ニオブ（Ｎｂ）、タングステン（Ｗ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ハフニウム（Ｈｆ）、スカンジウム（Ｓｃ）、イットリウム（Ｙ）、ランタン（Ｌａ）、ガリウム（Ｇａ）、マグネシウム（Ｍｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、ストロンチウム（Ｓｒ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、水素（Ｈ）、炭素（Ｃ）及び窒素（Ｎ）から成る群から選択された少なくとも１種類の元素（但し、金属酸化物を構成する元素とは異なる元素である）が添加されている構成とすることができ、この場合、酸化膜には、シリコン（Ｓｉ）、ニオブ（Ｎｂ）、タングステン（Ｗ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、アルミニウム（Ａｌ）、炭素（Ｃ）及び窒素（Ｎ）から成る群から選択された少なくとも１種類の元素（但し、金属酸化物を構成する元素とは異なる元素である）が添加されている構成とすることが好ましい。これらの添加元素の添加割合として、限定するものではないが、０．３３原子％乃至１６．７原子％、好ましくは０．５４原子％乃至１４．３原子％、より好ましくは０．８１原子％乃至１１．１原子％を挙げることができる。尚、金属酸化物を構成する原子（酸素原子を含む）の原子％の合計を１００原子％とする。即ち、例えば、酸化膜がタンタル原子とシリコン原子と酸素原子から構成されている場合、金属酸化物を構成するタンタル原子の原子％と、シリコン原子の原子％と、酸素原子の原子％の合計を１００原子％とする。酸化膜にこれらの元素をいずれかを添加することによって、撮像素子の製造工程における熱処理において酸化膜の結晶化を抑制することができる。酸化膜に局所的な結晶化は生じると、この局所的に結晶化した部分を基点したリーク電流が発生する虞があるが、均一なアモルファス構造を有する酸化膜を得ることができるので、このような問題の発生を防止することができ、光電変換層の閾値電圧の安定化を図ることができる結果、電荷蓄積及び転送効率の特性の一層の改善を図ることができ、撮像画質を向上することができる。更には、これらの場合、酸化膜の厚さは、１原子層以上、１×１０-7ｍ以下である構成とすることができる。金属酸化物として、具体的には、Ｔａ2Ｏ5、ＴｉＯ2、Ｖ2Ｏ5、Ｎｂ2Ｏ5、Ｗ2Ｏ3、ＺｒＯ2、ＨｆＯ2、Ｓｃ2Ｏ3、Ｙ2Ｏ3、Ｌａ2Ｏ3、Ｇａ2Ｏ3、ＭｇＯを挙げることができる。酸化膜の膜厚が１原子層（０．１５ｎｍ程度）であっても、酸化物半導体の安定化には充分なる効果がある。
あるいは又、以上に説明した各種の好ましい形態を含む本開示の撮像素子等において、酸化膜はトンネル酸化膜から成る構成とすることができ、この場合、トンネル酸化膜は、ＳｉＯX、ＳｉＯＮ、ＳｉＯＣ及びＡｌＯYから成る群から選択された少なくとも１種類の材料から構成することができ、更には、これらの場合、トンネル酸化膜の厚さは、１原子層以上、５×１０-9ｍ以下である構成とすることができる。
あるいは又、以上に説明した各種の好ましい形態を含む本開示の撮像素子等において、酸化膜は、金属酸化物から成る膜とトンネル酸化膜との積層構造を有する構成とすることができ、この場合、金属酸化物は、タンタル、チタン、バナジウム、ニオブ、タングステン、ジルコニウム、ハフニウム、スカンジウム、イットリウム、ランタン、ガリウム及びマグネシウムから成る群から選択された少なくとも１種類の元素を含む構成とすることができ、更には、金属酸化物から成る膜の厚さは、１原子層以上、１×１０-7ｍ以下である構成とすることができる。更には、これらの場合、トンネル酸化膜は、ＳｉＯX、ＳｉＯＮ、ＳｉＯＣ及びＡｌＯYから成る群から選択された少なくとも１種類の材料から構成することができ、更には、これらの場合、トンネル酸化膜の厚さは、１原子層以上、５×１０-9ｍ以下である構成とすることができる。
酸化物半導体層を構成する材料である酸化物半導体（以下、『酸化物半導体層構成材料』と呼ぶ場合がある）として、例えば、インジウム酸化物、ガリウム酸化物、亜鉛酸化物、スズ酸化物や、これらの酸化物が少なくとも１種類含まれる材料、これらの材料にドーパントを添加した材料、具体的には、例えば、ＩＧＺＯ（酸化亜鉛にドーパントとしてインジウムとガリウムを添加したインジウム−ガリウム−亜鉛酸化物）、ＩＴＺＯ、ＩＷＺＯ、ＩＷＯ、ＺＴＯ、ＩＴＯ−ＳｉＯX系材料（ケイ素酸化物が混合又はドーピングされたインジウム−錫酸化物）、ＧＺＯ（酸化亜鉛にドーパントとしてガリウムを添加したガリウム−亜鉛酸化物）、ＩＧＯ（酸化ガリウムにドーパントとしてインジウムを添加したインジウム−ガリウム酸化物）、ＺｎＳｎＯ3、ＡｌＺｎＯ、ＧａＺｎＯ、ＩｎＺｎＯを挙げることができるし、また、ＣｕＩ、ＩｎＳｂＯ4、ＺｎＭｇＯ、ＣｕＩｎＯ2、ＭｇＩｎ2Ｏ4、ＣｄＯ等を含む材料を挙げることができるが、これらの材料に限定するものではない。あるいは又、酸化物半導体層構成材料として、蓄積すべき電荷が電子である場合、光電変換層を構成する材料（以下、『光電変換層構成材料』と呼ぶ場合がある）のイオン化ポテンシャルよりも大きなイオン化ポテンシャルを有する材料を挙げることができるし、蓄積すべき電荷が正孔である場合、光電変換層構成材料の電子親和力よりも小さな電子親和力を有する材料を挙げることができる。あるいは又、酸化物半導体層構成材料における不純物濃度は１×１０18ｃｍ-3以下であることが好ましい。酸化物半導体層は、単層構成であってもよいし、多層構成であってもよい。電荷蓄積用電極の上方に位置する酸化物半導体層構成材料と、第１電極の上方に位置する酸化物半導体層構成材料とを、異ならせてもよい。
更には、以上に説明した各種の好ましい形態、構成を含む本開示の撮像素子等において、酸化膜と酸化物半導体層との界面近傍の酸化物半導体層の部分における水素原子濃度の平均値ＣｏｎｃH-1は、酸化物半導体層の厚さ方向に沿った中央部分における水素原子濃度の平均値ＣｏｎｃH-2よりも高い構成とすることができ、この場合、
ＣｏｎｃH-1／ＣｏｎｃH-2≧１．１
を満足することが好ましい。更には、あるいは又、酸化膜と酸化物半導体層との界面近傍の酸化物半導体層の部分における水素原子濃度の値をＣｏｎｃH-1、酸化膜と酸化物半導体層との界面近傍の酸化物半導体層の部分における酸化膜を構成する原子の濃度の値をＣｏｎｃM-1としたとき、酸化物半導体層の厚さ方向に沿った中央部分に向かうＣｏｎｃH-1の平均変化率ΔＣｏｎｃH-1は、酸化物半導体層の厚さ方向に沿った中央部分に向かうＣｏｎｃM-1の平均変化率ΔＣｏｎｃM-1よりも大きい構成とすることができる。ここで、酸化膜と酸化物半導体層との界面とは、酸化膜における酸化膜を構成する原子の濃度のピーク値をＣｏｎｃM-Peakとしたとき、酸化膜における酸化膜を構成する原子の濃度の値がＣｏｎｃM-Peakの１０％となる部分と定義する。また、酸化膜と酸化物半導体層との界面近傍の酸化物半導体層の部分とは、酸化膜と光電変換層との界面を基準として、光電変換層の厚さの１０％以内を占める領域（即ち、光電変換層の厚さの０％乃至１０％に亙る領域）を指すし、酸化物半導体層の厚さ方向に沿った中央部分とは、酸化膜と光電変換層との界面を基準として、光電変換層の厚さの４０％から６０％を占める領域（即ち、光電変換層の厚さの４０％乃至６０％に亙る領域）を指す。水素原子濃度や酸化膜を構成する原子の濃度は、例えば、アメテック株式会社 カメカ事業部の二次イオン質量分析装置を用いた二次イオン質量分析法（Secondary Ion Mass Spectrometry 法，ＳＩＭＳ法）によって求めることができるし、エネルギー分散型Ｘ線分光法（Energy Dispersive X-ray Spectroscopy 法，ＥＤＳ法）に基づき求めることもできる。また、厚さ方向の或る領域（便宜上、『或る区間』と呼ぶ）における原子の濃度の値の平均変化率は、或る区間の支点から終点に亙り原子濃度値の分析値のスムージングを行い、｛（スムージングによって得られた終点における原子濃度値）−（スムージングによって得られた支点における原子濃度値）｝の値を、（終点から始点までの距離）で除することによって、求めることができる。
第１電極、第２電極、電荷蓄積用電極及び光電変換層に関しては、後に詳しく説明する。
更には、以上に説明した各種の好ましい形態、構成を含む本開示の撮像素子等において、光電変換層において生成した電荷は、酸化膜及び酸化物半導体層を介して第１電極へと移動する形態とすることができ、この場合、電荷は電子である形態とすることができる。
本開示の撮像素子等においては、酸化膜を構成する材料（以下、『酸化膜構成材料』と呼ぶ場合がある）の特性、光電変換層構成材料の特性、酸化物半導体層構成材料の特性を規定しているが、光電変換層構成材料の特性は、酸化膜の近傍に位置する光電変換層の部分の特性平均値を指す。酸化膜構成材料の特性は、酸化膜における平均値であるし、酸化物半導体層構成材料の特性は、酸化物半導体層における平均値である。即ち、酸化膜、酸化物半導体層の伝導帯におけるエネルギー平均値Ｅ1，Ｅ2は、酸化膜、酸化物半導体層における平均値とする。また、光電変換層のＬＵＭＯ値におけるエネルギー平均値Ｅ0は、酸化膜の近傍に位置する光電変換層の部分における平均値とする。同様に、酸化膜、酸化物半導体層の価電子帯におけるエネルギー平均値値Ｅ4，Ｅ5は、酸化膜、酸化物半導体層における平均値とする。また、光電変換層のＨＯＭＯ値におけるエネルギー平均値Ｅ3は、酸化膜の近傍に位置する光電変換層の部分における平均値とする。ここで、「酸化膜の近傍に位置する光電変換層の部分」とは、酸化膜と光電変換層との界面を基準として、光電変換層の厚さの１０％以内を占める領域（即ち、光電変換層の厚さの０％乃至１０％に亙る領域）に位置する光電変換層の部分を指す。
更には、以上に説明した各種の好ましい形態、構成を含む本開示の撮像素子等において、酸化物半導体層は非晶質である（例えば、局所的に結晶構造を持たない非晶質である）形態とすることができる。酸化物半導体層が非晶質であるか否かは、Ｘ線回折分析に基づき決定することができる。但し、酸化物半導体層は、非晶質であることに限定されず、結晶構造を有していてもよいし、多結晶構造を有していてもよい。
更には、以上に説明した各種の好ましい形態、構成を含む本開示の撮像素子等において、酸化物半導体層の厚さは、１×１０-8ｍ乃至１．５×１０-7ｍ、好ましくは、２×１０-8ｍ乃至１．０×１０-7ｍ、より好ましくは、３×１０-8ｍ乃至１．０×１０-7ｍである形態とすることができる。酸化物半導体層のキャリア濃度（キャリア密度）は１×１０16／ｃｍ3未満であることが好ましく、これによって、酸化物半導体層における電荷蓄積量の増加を図ることができる。また、酸化物半導体層構成材料のキャリア移動度は１０ｃｍ2／Ｖ・ｓ以上であることが好ましく、これによって、酸化物半導体層に蓄積された電荷を第１電極へと速やかに移動させることができる。
更には、以上に説明した各種の好ましい形態、構成を含む本開示の撮像素子等において、
第２電極から光が入射し、
光電変換層側の酸化物半導体層表面（酸化膜と酸化物半導体層との界面における酸化物半導体層表面であり、以下においても同様）の表面粗さＲａは１．５ｎｍ以下であり、酸化物半導体層表面の二乗平均平方根粗さＲｑの値は２．５ｎｍ以下である形態とすることができる。表面粗さＲａ，Ｒｑは、ＪＩＳ Ｂ０６０１：２０１３の規定に基づく。このような酸化物半導体層表面の平滑性は、酸化物半導体層表面における散乱反射を抑制し、光電変換における明電流特性の向上を図ることができる。電荷蓄積用電極表面の表面粗さＲａは１．５ｎｍ以下であり、電荷蓄積用電極表面の二乗平均平方根粗さＲｑの値は２．５ｎｍ以下である形態とすることができる。
図５１に示した従来の撮像素子にあっては、第２光電変換部３４１Ａ及び第３光電変換部３４３Ａにおいて光電変換によって生成した電荷は、第２光電変換部３４１Ａ及び第３光電変換部３４３Ａに一旦蓄積された後、第２浮遊拡散層ＦＤ2及び第３浮遊拡散層ＦＤ3に転送される。それ故、第２光電変換部３４１Ａ及び第３光電変換部３４３Ａを完全空乏化することができる。しかしながら、第１光電変換部３１０Ａにおいて光電変換によって生成した電荷は、直接、第１浮遊拡散層ＦＤ1に蓄積される。それ故、第１光電変換部３１０Ａを完全空乏化することは困難である。そして、以上の結果、ｋＴＣノイズが大きくなり、ランダムノイズが悪化し、撮像画質の低下をもたらす虞がある。
本開示の撮像素子等においては、上述したとおり、第１電極と離間して配置され、且つ、絶縁層を介して酸化物半導体層と対向して配置された電荷蓄積用電極を備えていれば、光電変換部に光が照射され、光電変換部において光電変換されるとき、酸化物半導体層（場合によっては、酸化物半導体層及び光電変換層、あるいは又、酸化物半導体層、酸化膜及び光電変換層）に電荷を蓄えることができる。それ故、露光開始時、電荷蓄積部を完全空乏化し、電荷を消去することが可能となる。その結果、ｋＴＣノイズが大きくなり、ランダムノイズが悪化し、撮像画質の低下をもたらすといった現象の発生を抑制することができる。尚、以下の説明において、酸化物半導体層、あるいは、酸化物半導体層及び光電変換層、あるいは、酸化物半導体層、酸化膜及び光電変換層を総称して、『酸化物半導体層等』と呼ぶ場合がある。
酸化物半導体層や酸化膜は、例えば、物理的気相成長法（ＰＶＤ法）、具体的には、例えば、スパッタリング法に基づき成膜することができる。より具体的には、スパッタリング装置として、例えば、平行平板スパッタリング装置あるいはＤＣマグネトロンスパッタリング装置、ＲＦスパッタリング装置を用い、プロセスガスとしてアルゴン（Ａｒ）ガスを使用し、所望の焼結体をターゲットとして用いたスパッタリング法を例示することができる。あるいは又、酸化膜の形成方法として、アトミック・レイヤー・デポジッション法（ＡＬＤ法）を例示することができる。但し、これらの成膜方法に限定されるものではない。
酸化物半導体層をスパッタリング法に基づき形成する場合、酸素ガス導入量（酸素ガス分圧）を制御することによって、酸化物半導体層のエネルギー準位を制御することができる。具体的には、スパッタリング法に基づき形成する際の
酸素ガス分圧＝（Ｏ2ガス圧力）／（ＡｒガスとＯ2ガスの圧力合計）
に基づき制御することが可能である。酸素ガス分圧は、０．００５乃至０．１０とすることが好ましい。更には、本開示の撮像素子等にあっては、酸化物半導体層における酸素の含有率が化学量論組成の酸素含有率よりも少ない形態とすることができる。ここで、酸素の含有率に基づいて酸化物半導体層のエネルギー準位を制御することができ、酸素の含有率が化学量論組成の酸素含有率よりも少なくなる程、即ち、酸素欠損が多くなる程、エネルギー準位が深くなる。
本開示の撮像素子等として、ＣＣＤ素子、ＣＭＯＳイメージセンサー、ＣＩＳ（Contact Image Sensor）、ＣＭＤ（Charge Modulation Device）型の信号増幅型イメージセンサーを挙げることができる。本開示の第１の態様〜第２の態様に係る固体撮像装置、後述する第１構成〜第２構成の固体撮像装置から、例えば、デジタルスチルカメラやビデオカメラ、カムコーダ、監視カメラ、車両搭載用カメラ、スマートホン用カメラ、ゲーム用のユーザーインターフェースカメラ、生体認証用カメラを構成することができる。
実施例１は、本開示の撮像素子、本開示の積層型撮像素子及び本開示の第２の態様に係る固体撮像装置に関する。実施例１の撮像素子及び積層型撮像素子（以下、単に「撮像素子」と呼ぶ）の一部分の模式的な断面図を図１に示す。尚、図１においては、並置された２つの撮像素子を図示しているが、図１の模式的な断面図は、例えば、図１１の一点鎖線Ａ−Ａに沿ったと同様の模式的な断面図である。また、実施例１の撮像素子、積層型撮像素子の１つの模式的な一部断面図を図２に示し、実施例１の撮像素子、積層型撮像素子の等価回路図を図３及び図４に示し、実施例１の撮像素子を構成する第１電極及び電荷蓄積用電極並びに制御部を構成するトランジスタの模式的な配置図を図５に示す。更には、実施例１の撮像素子の動作時の各部位における電位の状態を模式的に図６に示し、図６の各部位を説明するための実施例１の撮像素子、積層型撮像素子の等価回路図を図７Ａに示し、実施例１の固体撮像装置の概念図を図８に示す。尚、層間絶縁層８１より下方に位置する各種の撮像素子構成要素を、図面を簡素化するために、便宜上、纏めて、参照番号１３で示す場合がある。
実施例１の撮像素子１０は、第１電極２１、光電変換層２３Ａ及び第２電極２２が積層されて成る光電変換部を備えており、光電変換層２３Ａの直下には、光電変換層側から、酸化膜２３Ｂ及び酸化物半導体層２３Ｃが形成されている。ここで、実施例１において、酸化物半導体層２３Ｃは第１電極２１と接し、酸化物半導体層２３Ｃと酸化膜２３Ｂとは接し、酸化膜２３Ｂは光電変換層２３Ａと接している。
実施例１の積層型撮像素子は、実施例１の撮像素子１０を少なくとも１つ有する。また、実施例１の固体撮像装置は、実施例１の積層型撮像素子１０を、複数、備えている。そして、実施例１の固体撮像装置から、例えば、デジタルスチルカメラやビデオカメラ、カムコーダ、監視カメラ、車両搭載用カメラ（車載カメラ）、スマートホン用カメラ、ゲーム用のユーザーインターフェースカメラ、生体認証用カメラ等が構成されている。
酸化物半導体層２３Ｃは、第１電極２１と接する領域、絶縁層８２と接しており、下方には電荷蓄積用電極２４が存在しない領域、及び、絶縁層８２と接しており、下方に電荷蓄積用電極２４が存在する領域を有する。そして、第２電極２２から光が入射する。光電変換層側の酸化物半導体層２３Ｃの表面における表面粗さＲａは１．５ｎｍ以下であり、二乗平均平方根粗さＲｑの値は２．５ｎｍ以下である。また、酸化物半導体層２３Ｃは非晶質であるし、酸化物半導体層２３Ｃの厚さは、１×１０-8ｍ乃至１．５×１０-7ｍである。
酸化膜構成元素の少なくとも一部は、酸化物半導体層２３Ｃを構成する元素と異なる。酸化物半導体層の伝導帯におけるエネルギー平均値をＥ2、酸化膜の伝導帯におけるエネルギー平均値をＥ1としたとき、
Ｅ1−Ｅ2≧−０．４（ｅＶ）
好ましくは、
Ｅ1−Ｅ2≧０（ｅＶ）
より好ましくは、
Ｅ1−Ｅ2≧０．１（ｅＶ）
より一層好ましくは、
Ｅ1−Ｅ2＞０．１（ｅＶ）
を満足するし、更には、光電変換層のＬＵＭＯ値におけるエネルギー平均値をＥ0としたとき、
Ｅ0−Ｅ1≧−０．４（ｅＶ）
好ましくは、
Ｅ0−Ｅ1≧０（ｅＶ）
より好ましくは、
Ｅ0−Ｅ1≧０．１（ｅＶ）
より一層好ましくは、
Ｅ0−Ｅ1＞０．１（ｅＶ）
を満足する。更には、好ましくは、
Ｅ0≧Ｅ1≧Ｅ2
を満足する。光電変換層２３Ａ、酸化膜２３Ｂ及び酸化物半導体層２３Ｃの積層構造体における各種エネルギー値の関係を、図４５に模式的に示す。
酸化膜構成材料は金属酸化物から成り、酸化膜２３Ｂの厚さは１原子層以上、１×１０-7ｍ以下である。具体的には、酸化膜２３Ｂは、例えば、厚さ１０ｎｍのＴｉＯ2といった金属酸化物から構成されているし、酸化物半導体層２３Ｃは、例えば、厚さ５０ｎｍのＩＧＺＯから構成されている。また、光電変換層２３Ａは、例えば、Ｃ６０を含む有機半導体材料（有機光電変換材料）から構成されている。酸化物半導体層の伝導帯におけるエネルギー平均値Ｅ2、価電子帯におけるエネルギー平均値Ｅ5、酸化膜の伝導帯におけるエネルギー平均値Ｅ1、価電子帯におけるエネルギー平均値Ｅ4、光電変換層のＬＵＭＯ値におけるエネルギー平均値Ｅ0及びＨＯＭＯ値におけるエネルギー平均値Ｅ3は、以下の表１のとおりである。そして、光電変換層２３Ａにおいて生成した電荷は、酸化膜２３Ｂ及び酸化物半導体層２３Ｃを介して第１電極２１へと移動する。電荷は電子である。酸化物半導体層構成材料の移動度は１０ｃｍ2／Ｖ・ｓ以上であるし、酸化物半導体層２３Ｃのキャリア濃度は１×１０16／ｃｍ3未満である。尚、酸化膜２３Ｂは、金属酸化物から成る層の単層構造とすることができるし、金属酸化物から成る層の複数が積層された積層構造とすることができる。
〈表１〉
Ｅ2：−４．７ｅＶ
Ｅ1：−４．５ｅＶ
Ｅ0：−４．４ｅＶ
Ｅ5：−７．７ｅＶ
Ｅ4：−７．６ｅＶ
Ｅ3：−６．２ｅＶ
酸化物半導体層２３Ｃの上に酸化膜２３Ｂを形成することの効果を調べた。具体的には、ＴＦＴのチャネル形成領域を酸化物半導体層及び酸化膜の積層構造から構成し、ＶgsとＩdとの関係を求めた。その結果を図４６Ａに示す。また、比較例として、チャネル形成領域を酸化物半導体層のみから構成したＴＦＴにおけるＶgsとＩdとの関係を求めたグラフを図４６Ｂに示す。図４６Ａ及び図４６Ｂから、チャネル形成領域を酸化物半導体層及び酸化膜の積層構造から構成する方が、特性が安定していることが判る。
実施例１の撮像素子において、光電変換部は、第２電極側から、光電変換層、酸化膜及び酸化物半導体層から構成されているので、即ち、酸化物半導体層の上には酸化膜が形成されているので、酸化物半導体層の表面（光電変換層側の面）あるいはその近傍において酸素欠損が生じ難い。一般に、酸化物半導体層の表面は不安定であるが、このように酸化膜で終端させることでエネルギー的に安定化させることができ、酸化物半導体層の表面の酸素欠損を低減させることができる。それ故、酸化物半導体内のトラップ及びキャリアの低減を図ることができるので、酸化物半導体層の特性変動（例えば、閾値電圧で評価される特性の変動）が生じ難く、電荷蓄積及び電荷転送効率の特性改善を図ることができるし、電荷転送特性の低下、撮像された画像の画質低下といった問題の発生を確実に防止することができる。しかも、酸化物半導体層が設けられているので、例えば、電荷蓄積時の再結合を防止することができるし、光電変換層に蓄積した電荷の第１電極への電荷転送効率を一層増加させることができる。更には、光電変換層で生成された電荷を一時的に保持し、転送のタイミング等を制御することができるし、暗電流の生成を抑制することができる。
ところで、酸化物半導体層２３Ｃ中に、過剰な酸素や酸素欠損のような欠陥サイトが残存する場合がある。このような場合には、欠陥サイトを水素で終端処理することによって、欠陥サイトに起因する欠陥準位を低減あるいは無効化することができる。酸化物半導体層２３Ｃの上に酸化膜２３Ｂを形成し、水素終端化した場合の効果を調べた。具体的には、ＴＦＴのチャネル形成領域を酸化物半導体層２３Ｃ及び酸化膜２３Ｂの積層構造から構成し、水素終端処理前のＶgsとＩdとの関係を調べた結果を図４７の（Ａ）に示し、併せて、図４７の（Ｂ）に断面の概念図を示す。また、水素終端処理後のＶgsとＩdとの関係を調べた結果を図４７の（Ｃ）に示し、併せて、図４７の（Ｄ）に断面の概念図を示す。水素終端処理を行うことにより、酸化物半導体層２３Ｃと酸化膜２３Ｂの積層構造がチャネル層として機能していることが判る。図４７の（Ｂ）及び（Ｄ）において、「酸化物」は酸化膜２３Ｂを示し、「酸化物半導体」は酸化物半導体層２３Ｃを示す。図４８に、図４７の（Ｃ）に示した酸化膜２３Ｂ及び酸化物半導体層２３ＣのＳＩＭＳ解析結果の一例を示す。尚、図４７の（Ｄ）において「Ａ」及び「Ｂ」で示す部分が、図４８において「Ａ」及び「Ｂ」で示す部分に相当する。図４７の（Ｄ）及び図４８において「Ａ」で示す部分は、酸化物半導体層２３Ｃと酸化膜２３Ｂとの界面に相当する。この例では、酸化物半導体層２３Ｃから酸化膜２３Ｂに向かって、酸化膜を構成する原子（具体的には、Ｔｉ）の濃度が急激に上昇する以上に、水素原子濃度が急激に上昇していることが判る。つまり、酸化物半導体層２３Ｃと酸化膜２３Ｂとの界面近傍の酸化物半導体層の部分において水素原子の濃度が上昇していることが判る。図４９の（ａ）に、欠陥サイトの例として過剰な酸素が存在する酸化物半導体層２３Ｃと酸化膜２３Ｂとの界面を第１原理計算に基づき予測した結果を示す。また、図４９の（ｂ）に、図４９の（ａ）に示す状態に水素を添加したときの状態を第１原理計算に基づき予測した結果を示すが、水素原子が過剰な酸素原子と結合し、安定化した系を得ることができることが判る。
即ち、酸化膜２３Ｂと酸化物半導体層２３Ｃとの界面近傍の酸化物半導体層２３Ｃの部分における水素原子濃度の平均値ＣｏｎｃH-1は、酸化物半導体層２３Ｃの厚さ方向に沿った中央部分における水素原子濃度の平均値ＣｏｎｃH-2よりも高い。具体的には、
ＣｏｎｃH-1／ＣｏｎｃH-2≧１．１
を満足することが好ましい。更には、あるいは又、酸化膜２３Ｂと酸化物半導体層２３Ｃとの界面近傍の酸化物半導体層２３Ｃの部分における水素原子濃度の値をＣｏｎｃH-1、酸化膜２３Ｂと酸化物半導体層２３Ｃとの界面近傍の酸化物半導体層２３Ｃの部分における酸化膜２３Ｂを構成する原子の濃度の値をＣｏｎｃM-1としたとき、酸化物半導体層２３Ｃの厚さ方向に沿った中央部分に向かうＣｏｎｃH-1の平均変化率ΔＣｏｎｃH-1は、図４８に示すように、酸化物半導体層２３Ｃの厚さ方向に沿った中央部分に向かうＣｏｎｃM-1の平均変化率ΔＣｏｎｃM-1よりも大きい。尚、図４８において、酸化膜と酸化物半導体層との界面近傍の酸化物半導体層の部分を、「区間Ａ」で示す。
酸化膜２３Ｂを、トンネル酸化膜から構成することもできる。ここで、トンネル酸化膜は、ＳｉＯX、ＳｉＯＮ、ＳｉＯＣ及びＡｌＯYから成る群から選択された少なくとも１種類の材料から構成することができる。尚、トンネル酸化膜は、これらの材料の内の１種類の材料から成る層の単層構造とすることができるし、これらの材料の内の複数種の材料から成る複数の層が積層された積層構造とすることもできる。トンネル酸化膜の厚さは、１原子層以上、５×１０-9ｍ以下であることが好ましい。このようなトンネル酸化膜から酸化膜を構成した場合にも、上述したと同様の優れた結果を得ることができた。
あるいは又、酸化膜２３Ｂは、金属酸化物から成る膜とトンネル酸化膜との積層構造を有する構成とすることができ、この場合、金属酸化物は、タンタル、チタン、バナジウム、ニオブ、タングステン、ジルコニウム、ハフニウム、スカンジウム、イットリウム、ランタン、ガリウム及びマグネシウムから成る群から選択された少なくとも１種類の元素を含む構成とすることができ、更には、金属酸化物から成る膜の厚さは、１原子層以上、１×１０-7ｍ以下である構成とすることができる。更には、これらの場合、トンネル酸化膜は、ＳｉＯX、ＳｉＯＮ、ＳｉＯＣ及びＡｌＯYから成る群から選択された少なくとも１種類の材料から構成することができ、更には、これらの場合、トンネル酸化膜の厚さは、１原子層以上、５×１０-9ｍ以下である構成とすることができる。具体的には、例えば、酸化膜２３Ｂを、厚さ１０ｎｍの金属酸化物から成る膜（より具体的には、例えば、光電変換層２３Ａ側に位置するＴｉＯ2膜）と、厚さ０．５ｎｍのトンネル酸化膜（より具体的には、例えば、酸化物半導体層２３Ｃ側に位置するＳｉＯ2膜）との積層構造を有する構成とすることができ、このような構造を有する酸化膜を用いた場合にも、上述したと同様の優れた結果を得ることができた。
また、電荷を正孔とする場合、酸化膜の価電子帯におけるエネルギー平均値をＥ4、光電変換層のＨＯＭＯ値におけるエネルギー平均値をＥ3としたとき、
Ｅ3−Ｅ4≧−０．４（ｅＶ）
好ましくは、
Ｅ3−Ｅ4≧０（ｅＶ）
より好ましくは、
Ｅ3−Ｅ4≧０．１（ｅＶ）
より一層好ましくは、
Ｅ3−Ｅ4＞０．１（ｅＶ）
を満足することが好ましく、この場合、更には、酸化物半導体層の価電子帯におけるエネルギー平均値をＥ5としたとき、
Ｅ4−Ｅ5≧−０．４（ｅＶ）
好ましくは、
Ｅ4−Ｅ5≧０（ｅＶ）
より好ましくは、
Ｅ4−Ｅ5≧０．１（ｅＶ）
より一層好ましくは、
Ｅ4−Ｅ5＞０．１（ｅＶ）
を満足することがより好ましく、更には、
Ｅ3≧Ｅ4≧Ｅ5
を満足することが一層好ましい。
以下、本開示の撮像素子、本開示の積層型撮像素子及び本開示の第２の態様に係る固体撮像装置の全般的な説明を行い、次いで、実施例１の撮像素子、固体撮像装置の詳細な説明を行う。以下においては、第１電極に印加される電位が第２電極に印加される電位よりも高い場合について説明を行うが、第１電極に印加される電位が第２電極に印加される電位よりも低い場合には、各種電極に印加される電位の高低を逆とすればよい。以下の説明において各種電極に印加される電位を表す符号を、以下の表２に示す。
〈表２〉
電荷蓄積期間 電荷転送期間
第１電極 Ｖ11 Ｖ12
第２電極 Ｖ21 Ｖ22
電荷蓄積用電極 Ｖ31 Ｖ32
電荷移動制御電極 Ｖ41 Ｖ42
転送制御用電極 Ｖ51 Ｖ52
電荷排出電極 Ｖ61 Ｖ62
本開示の撮像素子等にあっては、酸化物半導体層の、波長４００ｎｍ乃至６６０ｎｍの光に対する光透過率は６５％以上であることが好ましい。また、電荷蓄積用電極の、波長４００ｎｍ乃至６６０ｎｍの光に対する光透過率も６５％以上であることが好ましい。電荷蓄積用電極のシート抵抗値は３×１０Ω／□乃至１×１０3Ω／□であることが好ましい。
本開示の撮像素子等にあっては、半導体基板を更に備えており、光電変換部は、半導体基板の上方に配置されている形態とすることができる。尚、第１電極、電荷蓄積用電極、第２電極及び各種電極は、後述する駆動回路に接続されている。
光入射側に位置する第２電極は、複数の撮像素子において共通化されていてもよい。即ち、後述する本開示の上部電荷移動制御電極を備えた撮像素子等を除き、第２電極を所謂ベタ電極とすることができる。光電変換層は、複数の撮像素子において共通化されていてもよいし、即ち、複数の撮像素子において１層の光電変換層が形成されていてもよいし、撮像素子毎に設けられていてもよい。酸化物半導体層は、撮像素子毎に設けられていることが好ましいが、場合によっては、複数の撮像素子において共通化されていてもよい。即ち、例えば、後述する電荷移動制御電極を撮像素子と撮像素子との間に設けることで、複数の撮像素子において共通化された１層の酸化物半導体層が形成されていてもよい。複数の撮像素子において共通化された１層の酸化物半導体層が形成されている場合、酸化物半導体層の端部は、少なくとも光電変換層で覆われていることが、酸化物半導体層の端部の保護といった観点から望ましい。
更には、以上に説明した各種の好ましい形態、構成を含む本開示の撮像素子等において、第１電極は、絶縁層に設けられた開口部内を延在し、酸化物半導体層と接続されている形態とすることができる。あるいは又、酸化物半導体層は、絶縁層に設けられた開口部内を延在し、第１電極と接続されている形態とすることができ、この場合、
第１電極の頂面の縁部は絶縁層で覆われており、
開口部の底面には第１電極が露出しており、
第１電極の頂面と接する絶縁層の面を第１面、電荷蓄積用電極と対向する酸化物半導体層の部分と接する絶縁層の面を第２面としたとき、開口部の側面は、第１面から第２面に向かって広がる傾斜を有する形態とすることができ、更には、第１面から第２面に向かって広がる傾斜を有する開口部の側面は、電荷蓄積用電極側に位置する形態とすることができる。
更には、以上に説明した各種の好ましい形態、構成を含む本開示の撮像素子等において、
半導体基板に設けられ、駆動回路を有する制御部を更に備えており、
第１電極及び電荷蓄積用電極は、駆動回路に接続されており、
電荷蓄積期間において、駆動回路から、第１電極に電位Ｖ11が印加され、電荷蓄積用電極に電位Ｖ31が印加され、酸化物半導体層（あるいは、酸化物半導体層及び光電変換層、あるいは、酸化物半導体層、酸化膜及び光電変換層）に電荷が蓄積され、
電荷転送期間において、駆動回路から、第１電極に電位Ｖ12が印加され、電荷蓄積用電極に電位Ｖ32が印加され、酸化物半導体層（あるいは、酸化物半導体層及び光電変換層）に蓄積された電荷が第１電極を経由して制御部に読み出される構成とすることができる。但し、第１電極の電位は第２電極の電位よりも高く、
Ｖ31≧Ｖ11、且つ、Ｖ32＜Ｖ12
である。尚、酸化物半導体層、あるいは、酸化物半導体層及び光電変換層、あるいは、酸化物半導体層、酸化膜及び光電変換層を、総称して、前述したとおり、『酸化物半導体層等』と呼ぶ場合がある。
更には、以上に説明した各種の好ましい形態、構成を含む本開示の撮像素子等にあっては、隣接する撮像素子の間に位置する光電変換層の領域に絶縁層を介して対向する領域には、電荷移動制御電極が形成されている形態とすることができる。尚、このような形態を、便宜上、『本開示の下部電荷移動制御電極を備えた撮像素子等』と呼ぶ場合がある。あるいは又、隣接する撮像素子の間に位置する光電変換層の領域の上には、第２電極が形成される代わりに、電荷移動制御電極が形成されている形態とすることができる。尚、このような形態を、便宜上、『本開示の上部電荷移動制御電極を備えた撮像素子等』と呼ぶ場合がある。
以下の説明において、「隣接する撮像素子の間に位置する光電変換層の領域」を、便宜上、『光電変換層の領域−Ａ』と呼び、「隣接する撮像素子の間に位置する絶縁層の領域」を、便宜上、『絶縁層の領域−Ａ』と呼ぶ。光電変換層の領域−Ａは絶縁層の領域−Ａと対応している。更には、「隣接する撮像素子の間の領域」を、便宜上、『領域−ａ』と呼ぶ。
本開示の下部電荷移動制御電極（下方・電荷移動制御電極であり、光電変換層を基準として光入射側とは反対側に位置する電荷移動制御電極）を備えた撮像素子等にあっては、光電変換層の領域−Ａに絶縁層を介して対向する領域には下部電荷移動制御電極が形成されている。云い換えれば、隣接する撮像素子のそれぞれを構成する電荷蓄積用電極と電荷蓄積用電極とによって挟まれた領域（領域−ａ）における絶縁層の部分（絶縁層の領域−Ａ）の下に、下部電荷移動制御電極が形成されている。下部電荷移動制御電極は、電荷蓄積用電極と離間して設けられている。あるいは又、云い換えれば、下部電荷移動制御電極は、電荷蓄積用電極を取り囲んで、電荷蓄積用電極と離間して設けられており、下部電荷移動制御電極は絶縁層を介して、光電変換層の領域−Ａと対向して配置されている。
そして、本開示の下部電荷移動制御電極を備えた撮像素子等は、半導体基板に設けられ、駆動回路を有する制御部を更に備えており、
第１電極、第２電極、電荷蓄積用電極及び下部電荷移動制御電極は、駆動回路に接続されており、
電荷蓄積期間において、駆動回路から、第１電極に電位Ｖ11が印加され、電荷蓄積用電極に電位Ｖ31が印加され、下部電荷移動制御電極に電位Ｖ41が印加され、酸化物半導体層等に電荷が蓄積され、
電荷転送期間において、駆動回路から、第１電極に電位Ｖ12が印加され、電荷蓄積用電極に電位Ｖ32が印加され、下部電荷移動制御電極に電位Ｖ42が印加され、酸化物半導体層等に蓄積された電荷が第１電極を経由して制御部に読み出される形態とすることができる。但し、
Ｖ31≧Ｖ11、Ｖ31＞Ｖ41、且つ、Ｖ12＞Ｖ32＞Ｖ42
である。下部電荷移動制御電極は、第１電極あるいは電荷蓄積用電極と同じレベルに形成されていてもよいし、異なるレベルに形成されていてもよい。
本開示の上部電荷移動制御電極（上方・電荷移動制御電極であり、光電変換層を基準として光入射側に位置する電荷移動制御電極）を備えた撮像素子等にあっては、隣接する撮像素子の間に位置する光電変換層の領域の上には、第２電極が形成される代わりに、上部電荷移動制御電極が形成されているが、上部電荷移動制御電極は、第２電極と離間して設けられている。云い換えれば、
［Ａ］第２電極は撮像素子毎に設けられており、上部電荷移動制御電極は、第２電極の少なくとも一部を取り囲んで、第２電極と離間して、光電変換層の領域−Ａの上に設けられている形態とすることができるし、あるいは又、
［Ｂ］第２電極は撮像素子毎に設けられており、上部電荷移動制御電極は、第２電極の少なくとも一部を取り囲んで、第２電極と離間して設けられており、上部電荷移動制御電極の下方には、電荷蓄積用電極の一部が存在する形態を挙げることもできるし、あるいは又、
［Ｃ］第２電極は撮像素子毎に設けられており、上部電荷移動制御電極は、第２電極の少なくとも一部を取り囲んで、第２電極と離間して設けられており、上部電荷移動制御電極の下方には、電荷蓄積用電極の一部が存在し、しかも、上部電荷移動制御電極の下方には、下部電荷移動制御電極が形成されている形態を挙げることもできる。上部電荷移動制御電極と第２電極との間の領域の下に位置する光電変換層の領域には、上部電荷移動制御電極と第２電極とのカップリングによって生成した電位が加わる場合がある。
また、本開示の上部電荷移動制御電極を備えた撮像素子等は、半導体基板に設けられ、駆動回路を有する制御部を更に備えており、
第１電極、第２電極、電荷蓄積用電極及び上部電荷移動制御電極は、駆動回路に接続されており、
電荷蓄積期間において、駆動回路から、第２電極に電位Ｖ21が印加され、上部電荷移動制御電極に電位Ｖ41が印加され、酸化物半導体層等に電荷が蓄積され、
電荷転送期間において、駆動回路から、第２電極に電位Ｖ22が印加され、上部電荷移動制御電極に電位Ｖ42が印加され、酸化物半導体層等に蓄積された電荷が第１電極を経由して制御部に読み出される形態とすることができる。但し、
Ｖ21≧Ｖ41、且つ、Ｖ22≧Ｖ42
である。上部電荷移動制御電極は、第２電極と同じレベルに形成されている。
更には、以上に説明した各種の好ましい形態、構成を含む本開示の撮像素子等にあっては、第１電極と電荷蓄積用電極との間に、第１電極及び電荷蓄積用電極と離間して配置され、且つ、絶縁層を介して酸化物半導体層と対向して配置された転送制御用電極（電荷転送電極）を更に備えている形態とすることができる。このような形態の本開示の撮像素子等を、便宜上、『本開示の転送制御用電極を備えた撮像素子等』と呼ぶ。
そして、本開示の転送制御用電極を備えた撮像素子等にあっては、
半導体基板に設けられ、駆動回路を有する制御部を更に備えており、
第１電極、電荷蓄積用電極及び転送制御用電極は、駆動回路に接続されており、
電荷蓄積期間において、駆動回路から、第１電極に電位Ｖ11が印加され、電荷蓄積用電極に電位Ｖ31が印加され、転送制御用電極に電位Ｖ51が印加され、酸化物半導体層等に電荷が蓄積され、
電荷転送期間において、駆動回路から、第１電極に電位Ｖ12が印加され、電荷蓄積用電極に電位Ｖ32が印加され、転送制御用電極に電位Ｖ52が印加され、酸化物半導体層等に蓄積された電荷が第１電極を介して制御部に読み出される構成とすることができる。但し、第１電極の電位は第２電極の電位よりも高く、
Ｖ31＞Ｖ51、且つ、Ｖ32≦Ｖ52≦Ｖ12
である。
更には、以上に説明した各種の好ましい形態、構成を含む本開示の撮像素子等にあっては、酸化物半導体層に接続され、第１電極及び電荷蓄積用電極と離間して配置された電荷排出電極を更に備えている形態とすることができる。このような形態の本開示の撮像素子等を、便宜上、『本開示の電荷排出電極を備えた撮像素子等』と呼ぶ。そして、本開示の電荷排出電極を備えた撮像素子等において、電荷排出電極は、第１電極及び電荷蓄積用電極を取り囲むように（即ち、額縁状に）配置されている形態とすることができる。電荷排出電極は、複数の撮像素子において共有化（共通化）することができる。そして、この場合、
酸化物半導体層等は、絶縁層に設けられた第２開口部内を延在し、電荷排出電極と接続されており、
電荷排出電極の頂面の縁部は絶縁層で覆われており、
第２開口部の底面には電荷排出電極が露出しており、
電荷排出電極の頂面と接する絶縁層の面を第３面、電荷蓄積用電極と対向する酸化物半導体層の部分と接する絶縁層の面を第２面としたとき、第２開口部の側面は、第３面から第２面に向かって広がる傾斜を有する形態とすることができる。
更には、本開示の電荷排出電極を備えた撮像素子等にあっては、
半導体基板に設けられ、駆動回路を有する制御部を更に備えており、
第１電極、電荷蓄積用電極及び電荷排出電極は、駆動回路に接続されており、
電荷蓄積期間において、駆動回路から、第１電極に電位Ｖ11が印加され、電荷蓄積用電極に電位Ｖ31が印加され、電荷排出電極に電位Ｖ61が印加され、酸化物半導体層等に電荷が蓄積され、
電荷転送期間において、駆動回路から、第１電極に電位Ｖ12が印加され、電荷蓄積用電極に電位Ｖ32が印加され、電荷排出電極に電位Ｖ62が印加され、酸化物半導体層等に蓄積された電荷が第１電極を介して制御部に読み出される構成とすることができる。但し、第１電極の電位は第２電極の電位よりも高く、
Ｖ61＞Ｖ11、且つ、Ｖ62＜Ｖ12
である。
更には、本開示の撮像素子等における以上に説明した各種の好ましい形態、構成において、電荷蓄積用電極は、複数の電荷蓄積用電極セグメントから構成されている形態とすることができる。このような形態の本開示の撮像素子等を、便宜上、『本開示の複数の電荷蓄積用電極セグメントを備えた撮像素子等』と呼ぶ。電荷蓄積用電極セグメントの数は、２以上であればよい。そして、本開示の複数の電荷蓄積用電極セグメントを備えた撮像素子等にあっては、Ｎ個の電荷蓄積用電極セグメントのそれぞれに、異なる電位を加える場合、
第１電極の電位が第２電極の電位よりも高い場合、電荷転送期間において、第１電極に最も近い所に位置する電荷蓄積用電極セグメント（第１番目の光電変換部セグメント）に印加される電位は、第１電極に最も遠い所に位置する電荷蓄積用電極セグメント（第Ｎ番目の光電変換部セグメント）に印加される電位よりも高く、
第１電極の電位が第２電極の電位よりも低い場合、電荷転送期間において、第１電極に最も近い所に位置する電荷蓄積用電極セグメント（第１番目の光電変換部セグメント）に印加される電位は、第１電極に最も遠い所に位置する電荷蓄積用電極セグメント（第Ｎ番目の光電変換部セグメント）に印加される電位よりも低い形態とすることができる。
以上に説明した各種の好ましい形態、構成を含む本開示の撮像素子等において、
半導体基板には、制御部を構成する少なくとも浮遊拡散層及び増幅トランジスタが設けられており、
第１電極は、浮遊拡散層及び増幅トランジスタのゲート部に接続されている構成とすることができる。そして、この場合、更には、
半導体基板には、更に、制御部を構成するリセット・トランジスタ及び選択トランジスタが設けられており、
浮遊拡散層は、リセット・トランジスタの一方のソース／ドレイン領域に接続されており、
増幅トランジスタの一方のソース／ドレイン領域は、選択トランジスタの一方のソース／ドレイン領域に接続されており、選択トランジスタの他方のソース／ドレイン領域は信号線に接続されている構成とすることができる。
更には、以上に説明した各種の好ましい形態、構成を含む本開示の撮像素子等において、電荷蓄積用電極の大きさは第１電極よりも大きい形態とすることができる。電荷蓄積用電極の面積をｓ1’、第１電極の面積をｓ1としたとき、限定するものではないが、
４≦ｓ1’／ｓ1
を満足することが好ましい。
あるいは又、以上に説明した各種の好ましい形態、構成を含む本開示の撮像素子等の変形例として、以下に説明する第１構成〜第６構成の撮像素子を挙げることができる。即ち、以上に説明した各種の好ましい形態、構成を含む本開示の撮像素子等における第１構成〜第６構成の撮像素子において、
光電変換部は、Ｎ個（但し、Ｎ≧２）の光電変換部セグメントから構成されており、
酸化物半導体層等は、Ｎ個の光電変換層セグメントから構成されており、
絶縁層は、Ｎ個の絶縁層セグメントから構成されており、
第１構成〜第３構成の撮像素子にあっては、電荷蓄積用電極は、Ｎ個の電荷蓄積用電極セグメントから構成されており、
第４構成〜第５構成の撮像素子にあっては、電荷蓄積用電極は、相互に離間されて配置された、Ｎ個の電荷蓄積用電極セグメントから構成されており、
第ｎ番目（但し、ｎ＝１，２，３・・・Ｎ）の光電変換部セグメントは、第ｎ番目の電荷蓄積用電極セグメント、第ｎ番目の絶縁層セグメント及び第ｎ番目の光電変換層セグメントから構成されており、
ｎの値が大きい光電変換部セグメントほど、第１電極から離れて位置する。ここで、『光電変換層セグメント』とは、光電変換層と酸化膜と酸化物半導体層とが積層されて成るセグメントを指す。
そして、第１構成の撮像素子にあっては、第１番目の光電変換部セグメントから第Ｎ番目の光電変換部セグメントに亙り、絶縁層セグメントの厚さが、漸次、変化している。また、第２構成の撮像素子にあっては、第１番目の光電変換部セグメントから第Ｎ番目の光電変換部セグメントに亙り、光電変換層セグメントの厚さが、漸次、変化している。尚、光電変換層セグメントにおいて、光電変換層の部分の厚さを変化させ、酸化物半導体層の部分の厚さを一定として、光電変換層セグメントの厚さを変化させてもよいし、光電変換層の部分の厚さを一定とし、酸化物半導体層の部分の厚さを変化させて、光電変換層セグメントの厚さを変化させてもよいし、光電変換層の部分の厚さを変化させ、酸化物半導体層の部分の厚さを変化させて、光電変換層セグメントの厚さを変化させてもよい。更には、第３構成の撮像素子にあっては、隣接する光電変換部セグメントにおいて、絶縁層セグメントを構成する材料が異なる。また、第４構成の撮像素子にあっては、隣接する光電変換部セグメントにおいて、電荷蓄積用電極セグメントを構成する材料が異なる。更には、第５構成の撮像素子にあっては、第１番目の光電変換部セグメントから第Ｎ番目の光電変換部セグメントに亙り、電荷蓄積用電極セグメントの面積が、漸次、小さくなっている。面積は、連続的に小さくなっていてもよいし、階段状に小さくなっていてもよい。
あるいは又、以上に説明した各種の好ましい形態、構成を含む本開示の撮像素子等における第６構成の撮像素子において、電荷蓄積用電極と絶縁層と酸化物半導体層と光電変換層の積層方向をＺ方向、第１電極から離れる方向をＸ方向としたとき、ＹＺ仮想平面で電荷蓄積用電極と絶縁層と酸化物半導体層と酸化膜と光電変換層が積層された積層部分を切断したときの積層部分の断面積は、第１電極からの距離に依存して変化する。断面積の変化は、連続的な変化であってもよいし、階段状の変化であってもよい。
第１構成〜第２構成の撮像素子において、Ｎ個の光電変換層セグメントは連続して設けられており、Ｎ個の絶縁層セグメントも連続して設けられており、Ｎ個の電荷蓄積用電極セグメントも連続して設けられている。第３構成〜第５構成の撮像素子において、Ｎ個の光電変換層セグメントは連続して設けられている。また、第４構成、第５構成の撮像素子において、Ｎ個の絶縁層セグメントは連続して設けられている一方、第３構成の撮像素子において、Ｎ個の絶縁層セグメントは、光電変換部セグメントのそれぞれに対応して設けられている。更には、第４構成〜第５構成の撮像素子において、場合によっては、第３構成の撮像素子において、Ｎ個の電荷蓄積用電極セグメントは、光電変換部セグメントのそれぞれに対応して設けられている。そして第１構成〜第６構成の撮像素子にあっては、電荷蓄積用電極セグメントの全てに同じ電位が加えられる。あるいは又、第４構成〜第５構成の撮像素子において、場合によっては、第３構成の撮像素子において、Ｎ個の電荷蓄積用電極セグメントのそれぞれに、異なる電位を加えてもよい。
第１構成〜第６構成の撮像素子から成る本開示の撮像素子等にあっては、絶縁層セグメントの厚さが規定され、あるいは又、光電変換層セグメントの厚さが規定され、あるいは又、絶縁層セグメントを構成する材料が異なり、あるいは又、電荷蓄積用電極セグメントを構成する材料が異なり、あるいは又、電荷蓄積用電極セグメントの面積が規定され、あるいは又、積層部分の断面積が規定されているので、一種の電荷転送勾配が形成され、光電変換によって生成した電荷を、一層容易に、且つ、確実に、第１電極へ転送することが可能となる。そして、その結果、残像の発生や電荷転送残しの発生を防止することができる。
第１構成〜第５構成の撮像素子にあっては、ｎの値が大きい光電変換部セグメントほど第１電極から離れて位置するが、第１電極から離れて位置するか否かは、Ｘ方向を基準として判断する。また、第６構成の撮像素子にあっては、第１電極から離れる方向をＸ方向としているが、『Ｘ方向』を以下のとおり、定義する。即ち、撮像素子あるいは積層型撮像素子が複数配列された画素領域は、２次元アレイ状に、即ち、Ｘ方向及びＹ方向に規則的に複数配列された画素から構成される。画素の平面形状を矩形とした場合、第１電極に最も近い辺が延びる方向をＹ方向とし、Ｙ方向と直交する方向をＸ方向とする。あるいは又、画素の平面形状を任意の形状とした場合、第１電極に最も近い線分や曲線が含まれる全体的な方向をＹ方向とし、Ｙ方向と直交する方向をＸ方向とする。
以下、第１構成〜第６構成の撮像素子に関して、第１電極の電位が第２電極の電位よりも高い場合についての説明を行うが、第１電極の電位が第２電極の電位よりも低い場合は、電位の高低を逆にすればよい。
第１構成の撮像素子にあっては、第１番目の光電変換部セグメントから第Ｎ番目の光電変換部セグメントに亙り、絶縁層セグメントの厚さが、漸次、変化しているが、絶縁層セグメントの厚さは、漸次、厚くなっていることが好ましく、これによって、一種の電荷転送勾配が形成される。そして、電荷蓄積期間において、Ｖ31≧Ｖ11といった状態になると、第ｎ番目の光電変換部セグメントの方が、第（ｎ＋１）番目の光電変換部セグメントよりも、多くの電荷を蓄積することができるし、強い電界が加わり、第１番目の光電変換部セグメントから第１電極への電荷の流れを確実に防止することができる。また、電荷転送期間において、Ｖ32＜Ｖ12といった状態になると、第１番目の光電変換部セグメントから第１電極への電荷の流れ、第（ｎ＋１）番目の光電変換部セグメントから第ｎ番目の光電変換部セグメントへの電荷の流れを、確実に確保することができる。
第２構成の撮像素子にあっては、第１番目の光電変換部セグメントから第Ｎ番目の光電変換部セグメントに亙り、光電変換層セグメントの厚さが、漸次、変化しているが、光電変換層セグメントの厚さは、漸次、厚くなっていることが好ましく、これによって、一種の電荷転送勾配が形成される。そして、電荷蓄積期間においてＶ31≧Ｖ11といった状態になると、第ｎ番目の光電変換部セグメントの方が、第（ｎ＋１）番目の光電変換部セグメントよりも強い電界が加わり、第１番目の光電変換部セグメントから第１電極への電荷の流れを確実に防止することができる。また、電荷転送期間において、Ｖ32＜Ｖ12といった状態になると、第１番目の光電変換部セグメントから第１電極への電荷の流れ、第（ｎ＋１）番目の光電変換部セグメントから第ｎ番目の光電変換部セグメントへの電荷の流れを、確実に確保することができる。
第３構成の撮像素子にあっては、隣接する光電変換部セグメントにおいて、絶縁層セグメントを構成する材料が異なり、これによって、一種の電荷転送勾配が形成されるが、第１番目の光電変換部セグメントから第Ｎ番目の光電変換部セグメントに亙り、絶縁層セグメントを構成する材料の比誘電率の値が、漸次、小さくなることが好ましい。そして、このような構成を採用することで、電荷蓄積期間において、Ｖ31≧Ｖ11といった状態になると、第ｎ番目の光電変換部セグメントの方が、第（ｎ＋１）番目の光電変換部セグメントよりも多くの電荷を蓄積することができる。また、電荷転送期間において、Ｖ32＜Ｖ12といった状態になると、第１番目の光電変換部セグメントから第１電極への電荷の流れ、第（ｎ＋１）番目の光電変換部セグメントから第ｎ番目の光電変換部セグメントへの電荷の流れを、確実に確保することができる。
第４構成の撮像素子にあっては、隣接する光電変換部セグメントにおいて、電荷蓄積用電極セグメントを構成する材料が異なり、これによって、一種の電荷転送勾配が形成されるが、第１番目の光電変換部セグメントから第Ｎ番目の光電変換部セグメントに亙り、絶縁層セグメントを構成する材料の仕事関数の値が、漸次、大きくなることが好ましい。そして、このような構成を採用することで、電圧（電位）の正負に依存すること無く、信号電荷転送に有利な電位勾配を形成することができる。
第５構成の撮像素子にあっては、第１番目の光電変換部セグメントから第Ｎ番目の光電変換部セグメントに亙り、電荷蓄積用電極セグメントの面積が、漸次、小さくなっており、これによって、一種の電荷転送勾配が形成されるので、電荷蓄積期間において、Ｖ31≧Ｖ11といった状態になると、第ｎ番目の光電変換部セグメントの方が、第（ｎ＋１）番目の光電変換部セグメントよりも多くの電荷を蓄積することができる。また、電荷転送期間において、Ｖ32＜Ｖ12といった状態になると、第１番目の光電変換部セグメントから第１電極への電荷の流れ、第（ｎ＋１）番目の光電変換部セグメントから第ｎ番目の光電変換部セグメントへの電荷の流れを、確実に確保することができる。
第６構成の撮像素子において、積層部分の断面積は第１電極からの距離に依存して変化し、これによって、一種の電荷転送勾配が形成される。具体的には、積層部分の断面の厚さを一定とし、積層部分の断面の幅を第１電極から離れるほど狭くする構成を採用すれば、第５構成の撮像素子において説明したと同様に、電荷蓄積期間において、Ｖ31≧Ｖ11といった状態になると、第１電極に近い領域の方が、遠い領域よりも多くの電荷を蓄積することができる。従って、電荷転送期間において、Ｖ32＜Ｖ12といった状態になると、第１電極に近い領域から第１電極への電荷の流れ、遠い領域から近い領域への電荷の流れを、確実に確保することができる。一方、積層部分の断面の幅を一定とし、積層部分の断面の厚さ、具体的には、絶縁層セグメントの厚さを、漸次、厚くする構成を採用すれば、第１構成の撮像素子において説明したと同様に、電荷蓄積期間において、Ｖ31≧Ｖ11といった状態になると、第１電極に近い領域の方が、遠い領域よりも、多くの電荷を蓄積することができるし、強い電界が加わり、第１電極に近い領域から第１電極への電荷の流れを確実に防止することができる。そして、電荷転送期間において、Ｖ32＜Ｖ12といった状態になると、第１電極に近い領域から第１電極への電荷の流れ、遠い領域から近い領域への電荷の流れを、確実に確保することができる。また、光電変換層セグメントの厚さを、漸次、厚くする構成を採用すれば、第２構成の撮像素子において説明したと同様に、電荷蓄積期間において、Ｖ31≧Ｖ11といった状態になると、第１電極に近い領域の方が、遠い領域よりも強い電界が加わり、第１電極に近い領域から第１電極への電荷の流れを確実に防止することができる。そして、電荷転送期間において、Ｖ32＜Ｖ12といった状態になると、第１電極に近い領域から第１電極への電荷の流れ、遠い領域から近い領域への電荷の流れを、確実に確保することができる。
以上に説明した好ましい形態、構成を含む第１構成〜第６構成の撮像素子の２種類あるいはそれ以上を、所望に応じて、適宜、組み合わせることができる。
本開示の第１の態様〜第２の態様に係る固体撮像装置の変形例として、
第１構成〜第６構成の撮像素子を、複数、有しており、
複数の撮像素子から撮像素子ブロックが構成されており、
撮像素子ブロックを構成する複数の撮像素子において第１電極が共有されている固体撮像装置とすることができる。このような構成の固体撮像装置を、便宜上、『第１構成の固体撮像装置』と呼ぶ。あるいは又、本開示の第１の態様〜第２の態様に係る固体撮像装置の変形例として、
第１構成〜第６構成の撮像素子、あるいは又、第１構成〜第６構成の撮像素子を少なくとも１つ有する積層型撮像素子を、複数、有しており、
複数の撮像素子あるいは積層型撮像素子から撮像素子ブロックが構成されており、
撮像素子ブロックを構成する複数の撮像素子あるいは積層型撮像素子において第１電極が共有されている固体撮像装置とすることができる。このような構成の固体撮像装置を、便宜上、『第２構成の固体撮像装置』と呼ぶ。そして、このように撮像素子ブロックを構成する複数の撮像素子において第１電極を共有化すれば、撮像素子が複数配列された画素領域における構成、構造を簡素化、微細化することができる。
第１構成〜第２構成の固体撮像装置にあっては、複数の撮像素子（１つの撮像素子ブロック）に対して１つの浮遊拡散層が設けられる。ここで、１つの浮遊拡散層に対して設けられる複数の撮像素子は、後述する第１タイプの撮像素子の複数から構成されていてもよいし、少なくとも１つの第１タイプの撮像素子と、１又は２以上の後述する第２タイプの撮像素子とから構成されていてもよい。そして、電荷転送期間のタイミングを適切に制御することで、複数の撮像素子が１つの浮遊拡散層を共有することが可能となる。複数の撮像素子は連係して動作させられ、後述する駆動回路には撮像素子ブロックとして接続されている。即ち、撮像素子ブロックを構成する複数の撮像素子が１つの駆動回路に接続されている。但し、電荷蓄積用電極の制御は、撮像素子毎に行われる。また、複数の撮像素子が１つのコンタクトホール部を共有することが可能である。複数の撮像素子で共有された第１電極と、各撮像素子の電荷蓄積用電極の配置関係は、第１電極が、各撮像素子の電荷蓄積用電極に隣接して配置されている場合もある。あるいは又、第１電極が、複数の撮像素子の一部の電荷蓄積用電極に隣接して配置されており、複数の撮像素子の残りの電荷蓄積用電極とは隣接して配置されてはいない場合もあり、この場合には、複数の撮像素子の残りから第１電極への電荷の移動は、複数の撮像素子の一部を経由した移動となる。撮像素子を構成する電荷蓄積用電極と撮像素子を構成する電荷蓄積用電極との間の距離（便宜上、『距離Ａ』と呼ぶ）は、第１電極に隣接した撮像素子における第１電極と電荷蓄積用電極との間の距離（便宜上、『距離Ｂ』と呼ぶ）よりも長いことが、各撮像素子から第１電極への電荷の移動を確実なものとするために好ましい。また、第１電極から離れて位置する撮像素子ほど、距離Ａの値を大きくすることが好ましい。尚、以上の説明は、第１構成〜第２構成の固体撮像装置だけでなく、本開示の第１の態様〜第２の態様に係る固体撮像装置に対して適用することもできる。
更には、以上に説明した各種の好ましい形態、構成を含む本開示の撮像素子等において、第２電極側から光が入射し、第２電極よりの光入射側には遮光層が形成されている形態とすることができる。あるいは又、第２電極側から光が入射し、第１電極（場合によっては、第１電極及び転送制御用電極）には光が入射しない形態とすることができる。そして、この場合、第２電極よりの光入射側であって、第１電極（場合によっては、第１電極及び転送制御用電極）の上方には遮光層が形成されている構成とすることができるし、あるいは又、電荷蓄積用電極及び第２電極の上方にはオンチップ・マイクロ・レンズが設けられており、オンチップ・マイクロ・レンズに入射する光は、電荷蓄積用電極に集光される構成とすることができる。ここで、遮光層は、第２電極の光入射側の面よりも上方に配設されてもよいし、第２電極の光入射側の面の上に配設されてもよい。場合によっては、第２電極に遮光層が形成されていてもよい。遮光層を構成する材料として、クロム（Ｃｒ）や銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、タングステン（Ｗ）、光を通さない樹脂（例えば、ポリイミド樹脂）を例示することができる。
本開示の撮像素子等として、具体的には、青色光（４２５ｎｍ乃至４９５ｎｍの光）を吸収する光電変換層あるいは光電変換部（便宜上、『第１タイプの青色光用光電変換層』あるいは『第１タイプの青色光用光電変換部』と呼ぶ）を備えた青色光に感度を有する撮像素子（便宜上、『第１タイプの青色光用撮像素子』と呼ぶ）、緑色光（４９５ｎｍ乃至５７０ｎｍの光）を吸収する光電変換層あるいは光電変換部（便宜上、『第１タイプの緑色光用光電変換層』あるいは『第１タイプの緑色光用光電変換部』と呼ぶ）を備えた緑色光に感度を有する撮像素子（便宜上、『第１タイプの緑色光用撮像素子』と呼ぶ）、赤色光（６２０ｎｍ乃至７５０ｎｍの光）を吸収する光電変換層あるいは光電変換部（便宜上、『第１タイプの赤色光用光電変換層』あるいは『第１タイプの赤色光用光電変換部』と呼ぶ）を備えた赤色光に感度を有する撮像素子（便宜上、『第１タイプの赤色光用撮像素子』と呼ぶ）を挙げることができる。また、電荷蓄積用電極を備えていない従来の撮像素子であって、青色光に感度を有する撮像素子を、便宜上、『第２タイプの青色光用撮像素子』と呼び、緑色光に感度を有する撮像素子を、便宜上、『第２タイプの緑色光用撮像素子』と呼び、赤色光に感度を有する撮像素子を、便宜上、『第２タイプの赤色光用撮像素子』と呼び、第２タイプの青色光用撮像素子を構成する光電変換層あるいは光電変換部を、便宜上、『第２タイプの青色光用光電変換層』あるいは『第２タイプの青色光用光電変換部』と呼び、第２タイプの緑色光用撮像素子を構成する光電変換層あるいは光電変換部を、便宜上、『第２タイプの緑色光用光電変換層』あるいは『第２タイプの緑色光用光電変換部』と呼び、第２タイプの赤色光用撮像素子を構成する光電変換層あるいは光電変換部を、便宜上、『第２タイプの赤色光用光電変換層』あるいは『第２タイプの赤色光用光電変換部』と呼ぶ。
本開示の積層型撮像素子は、少なくとも本開示の撮像素子等（光電変換素子）を１つ有するが、具体的には、例えば、
［Ａ］第１タイプの青色光用光電変換部、第１タイプの緑色光用光電変換部及び第１タイプの赤色光用光電変換部が、垂直方向に積層され、
第１タイプの青色光用撮像素子、第１タイプの緑色光用撮像素子及び第１タイプの赤色光用撮像素子の制御部のそれぞれが、半導体基板に設けられた構成、構造
［Ｂ］第１タイプの青色光用光電変換部及び第１タイプの緑色光用光電変換部が、垂直方向に積層され、
これらの２層の第１タイプの光電変換部の下方に、第２タイプの赤色光用光電変換部が配置され、
第１タイプの青色光用撮像素子、第１タイプの緑色光用撮像素子及び第２タイプの赤色光用撮像素子の制御部のそれぞれが、半導体基板に設けられた構成、構造
［Ｃ］第１タイプの緑色光用光電変換部の下方に、第２タイプの青色光用光電変換部及び第２タイプの赤色光用光電変換部が配置され、
第１タイプの緑色光用撮像素子、第２タイプの青色光用撮像素子及び第２タイプの赤色光用撮像素子の制御部のそれぞれが、半導体基板に設けられた構成、構造
［Ｄ］第１タイプの青色光用光電変換部の下方に、第２タイプの緑色光用光電変換部及び第２タイプの赤色光用光電変換部が配置され、
第１タイプの青色光用撮像素子、第２タイプの緑色光用撮像素子及び第２タイプの赤色光用撮像素子の制御部のそれぞれが、半導体基板に設けられた構成、構造
を挙げることができる。これらの撮像素子の光電変換部の垂直方向における配置順は、光入射方向から青色光用光電変換部、緑色光用光電変換部、赤色光用光電変換部の順、あるいは、光入射方向から緑色光用光電変換部、青色光用光電変換部、赤色光用光電変換部の順であることが好ましい。これは、より短い波長の光がより入射表面側において効率良く吸収されるからである。赤色は３色の中では最も長い波長であるので、光入射面から見て赤色光用光電変換部を最下層に位置させることが好ましい。これらの撮像素子の積層構造によって、１つの画素が構成される。また、第１タイプの近赤外光用光電変換部（あるいは、赤外光用光電変換部）を備えていてもよい。ここで、第１タイプの赤外光用光電変換部の光電変換層は、例えば、有機系材料から構成され、第１タイプの撮像素子の積層構造の最下層であって、第２タイプの撮像素子よりも上に配置することが好ましい。あるいは又、第１タイプの光電変換部の下方に、第２タイプの近赤外光用光電変換部（あるいは、赤外光用光電変換部）を備えていてもよい。
第１タイプの撮像素子にあっては、例えば、第１電極が、半導体基板の上に設けられた層間絶縁層上に形成されている。半導体基板に形成された撮像素子は、裏面照射型とすることもできるし、表面照射型とすることもできる。
光電変換層を有機系材料から構成する場合、光電変換層を、
（１）ｐ型有機半導体から構成する。
（２）ｎ型有機半導体から構成する。
（３）ｐ型有機半導体層／ｎ型有機半導体層の積層構造から構成する。ｐ型有機半導体層／ｐ型有機半導体とｎ型有機半導体との混合層（バルクヘテロ構造）／ｎ型有機半導体層の積層構造から構成する。ｐ型有機半導体層／ｐ型有機半導体とｎ型有機半導体との混合層（バルクヘテロ構造）の積層構造から構成する。ｎ型有機半導体層／ｐ型有機半導体とｎ型有機半導体との混合層（バルクヘテロ構造）の積層構造から構成する。
（４）ｐ型有機半導体とｎ型有機半導体の混合（バルクヘテロ構造）から構成する。
の４態様のいずれかとすることができる。但し、積層順は任意に入れ替えた構成とすることができる。
ｐ型有機半導体として、ナフタレン誘導体、アントラセン誘導体、フェナントレン誘導体、ピレン誘導体、ペリレン誘導体、テトラセン誘導体、ペンタセン誘導体、キナクリドン誘導体、チオフェン誘導体、チエノチオフェン誘導体、ベンゾチオフェン誘導体、ベンゾチエノベンゾチオフェン誘導体、トリアリルアミン誘導体、カルバゾール誘導体、ペリレン誘導体、ピセン誘導体、クリセン誘導体、フルオランテン誘導体、フタロシアニン誘導体、サブフタロシアニン誘導体、サブポルフィラジン誘導体、複素環化合物を配位子とする金属錯体、ポリチオフェン誘導体、ポリベンゾチアジアゾール誘導体、ポリフルオレン誘導体等を挙げることができる。ｎ型有機半導体として、フラーレン及びフラーレン誘導体〈例えば、Ｃ６０や、Ｃ７０，Ｃ７４等のフラーレン（高次フラーレン）、内包フラーレン等）又はフラーレン誘導体（例えば、フラーレンフッ化物やＰＣＢＭフラーレン化合物、フラーレン多量体等）〉、ｐ型有機半導体よりもＨＯＭＯ及びＬＵＭＯが大きい（深い）有機半導体、透明な無機金属酸化物を挙げることができる。ｎ型有機半導体として、具体的には、窒素原子、酸素原子、硫黄原子を含有する複素環化合物、例えば、ピリジン誘導体、ピラジン誘導体、ピリミジン誘導体、トリアジン誘導体、キノリン誘導体、キノキサリン誘導体、イソキノリン誘導体、アクリジン誘導体、フェナジン誘導体、フェナントロリン誘導体、テトラゾール誘導体、ピラゾール誘導体、イミダゾール誘導体、チアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ベンゾイミダゾール誘導体、ベンゾトリアゾール誘導体、ベンゾオキサゾール誘導体、ベンゾオキサゾール誘導体、カルバゾール誘導体、ベンゾフラン誘導体、ジベンゾフラン誘導体、サブポルフィラジン誘導体、ポリフェニレンビニレン誘導体、ポリベンゾチアジアゾール誘導体、ポリフルオレン誘導体等を分子骨格の一部に有する有機分子、有機金属錯体やサブフタロシアニン誘導体を挙げることができる。フラーレン誘導体に含まれる基等として、ハロゲン原子；直鎖、分岐若しくは環状のアルキル基若しくはフェニル基；直鎖若しくは縮環した芳香族化合物を有する基；ハロゲン化物を有する基；パーシャルフルオロアルキル基；パーフルオロアルキル基；シリルアルキル基；シリルアルコキシ基；アリールシリル基；アリールスルファニル基；アルキルスルファニル基；アリールスルホニル基；アルキルスルホニル基；アリールスルフィド基；アルキルスルフィド基；アミノ基；アルキルアミノ基；アリールアミノ基；ヒドロキシ基；アルコキシ基；アシルアミノ基；アシルオキシ基；カルボニル基；カルボキシ基；カルボキソアミド基；カルボアルコキシ基；アシル基；スルホニル基；シアノ基；ニトロ基；カルコゲン化物を有する基；ホスフィン基；ホスホン基；これらの誘導体を挙げることができる。有機系材料から構成された光電変換層（『有機光電変換層』と呼ぶ場合がある）の厚さは、限定するものではないが、例えば、１×１０-8ｍ乃至５×１０-7ｍ、好ましくは２．５×１０-8ｍ乃至３×１０-7ｍ、より好ましくは２．５×１０-8ｍ乃至２×１０-7ｍ、一層好ましくは１×１０-7ｍ乃至１．８×１０-7ｍを例示することができる。尚、有機半導体は、ｐ型、ｎ型と分類されることが多いが、ｐ型とは正孔を輸送し易いという意味であり、ｎ型とは電子を輸送し易いという意味であり、無機半導体のように熱励起の多数キャリアとして正孔又は電子を有しているという解釈に限定されない。
あるいは又、緑色光を光電変換する有機光電変換層を構成する材料として、例えば、ローダミン系色素、メラシアニン系色素、キナクリドン誘導体、サブフタロシアニン系色素（サブフタロシアニン誘導体）等を挙げることができるし、青色光を光電変換する有機光電変換層を構成する材料として、例えば、クマリン酸色素、トリス−８−ヒドリキシキノリアルミニウム（Ａｌｑ３）、メラシアニン系色素等を挙げることができるし、赤色光を光電変換する有機光電変換層を構成する材料として、例えば、フタロシアニン系色素、サブフタロシアニン系色素（サブフタロシアニン誘導体）を挙げることができる。
あるいは又、光電変換層を構成する無機系材料として、結晶シリコン、アモルファスシリコン、微結晶シリコン、結晶セレン、アモルファスセレン、及び、カルコパライト系化合物であるＣＩＧＳ（ＣｕＩｎＧａＳｅ）、ＣＩＳ（ＣｕＩｎＳｅ2）、ＣｕＩｎＳ2、ＣｕＡｌＳ2、ＣｕＡｌＳｅ2、ＣｕＧａＳ2、ＣｕＧａＳｅ2、ＡｇＡｌＳ2、ＡｇＡｌＳｅ2、ＡｇＩｎＳ2、ＡｇＩｎＳｅ2、あるいは又、ＩＩＩ−Ｖ族化合物であるＧａＡｓ、ＩｎＰ、ＡｌＧａＡｓ、ＩｎＧａＰ、ＡｌＧａＩｎＰ、ＩｎＧａＡｓＰ、更には、ＣｄＳｅ、ＣｄＳ、Ｉｎ2Ｓｅ3、Ｉｎ2Ｓ3、Ｂｉ2Ｓｅ3、Ｂｉ2Ｓ3、ＺｎＳｅ、ＺｎＳ、ＰｂＳｅ、ＰｂＳ等の化合物半導体を挙げることができる。加えて、これらの材料から成る量子ドットを光電変換層に使用することも可能である。
本開示の第１の態様〜第２の態様に係る固体撮像装置、第１構成〜第２構成の固体撮像装置によって、単板式カラー固体撮像装置を構成することができる。
積層型撮像素子を備えた本開示の第２の態様に係る固体撮像装置にあっては、ベイヤ配列の撮像素子を備えた固体撮像装置と異なり（即ち、カラーフィルタ層を用いて青色、緑色、赤色の分光を行うのではなく）、同一画素内で光の入射方向において、複数種の波長の光に対して感度を有する撮像素子を積層して１つの画素を構成するので、感度の向上及び単位体積当たりの画素密度の向上を図ることができる。また、有機系材料は吸収係数が高いため、有機光電変換層の膜厚を従来のＳｉ系光電変換層と比較して薄くすることができ、隣接画素からの光漏れや、光の入射角の制限が緩和される。更には、従来のＳｉ系撮像素子では３色の画素間で補間処理を行って色信号を作成するために偽色が生じるが、積層型撮像素子を備えた本開示の第２の態様に係る固体撮像装置にあっては、偽色の発生が抑えられる。有機光電変換層それ自体がカラーフィルタ層としても機能するので、カラーフィルタ層を配設しなくとも色分離が可能である。
一方、本開示の第１の態様に係る固体撮像装置にあっては、カラーフィルタ層を用いることで、青色、緑色、赤色の分光特性への要求を緩和することができるし、また、高い量産性を有する。本開示の第１の態様に係る固体撮像装置における撮像素子の配列として、ベイヤ配列の他、インターライン配列、ＧストライプＲＢ市松配列、ＧストライプＲＢ完全市松配列、市松補色配列、ストライプ配列、斜めストライプ配列、原色色差配列、フィールド色差順次配列、フレーム色差順次配列、ＭＯＳ型配列、改良ＭＯＳ型配列、フレームインターリーブ配列、フィールドインターリーブ配列を挙げることができる。ここで、１つの撮像素子によって１つの画素（あるいは副画素）が構成される。
カラーフィルタ層（波長選択手段）として、赤色、緑色、青色だけでなく、場合によっては、シアン色、マゼンダ色、黄色等の特定波長を透過させるフィルタ層を挙げることができる。カラーフィルタ層を、顔料や染料等の有機化合物を用いた有機材料系のカラーフィルタ層から構成するだけでなく、フォトニック結晶や、プラズモンを応用した波長選択素子（導体薄膜に格子状の穴構造を設けた導体格子構造を有するカラーフィルタ層。例えば、特開２００８−１７７１９１号公報参照）、アモルファスシリコン等の無機材料から成る薄膜から構成することもできる。
本開示の撮像素子等あるいは本開示における積層型撮像素子が複数配列された画素領域は、２次元アレイ状に規則的に複数配列された画素から構成される。画素領域は、通常、実際に光を受光し光電変換によって生成された信号電荷を増幅して駆動回路に読み出す有効画素領域と、黒レベルの基準になる光学的黒を出力するための黒基準画素領域（光学的黒画素領域（ＯＰＢ）とも呼ばれる）とから構成されている。黒基準画素領域は、通常は、有効画素領域の外周部に配置されている。
以上に説明した各種の好ましい形態、構成を含む本開示の撮像素子等において、光が照射され、光電変換層で光電変換が生じ、正孔（ホール）と電子がキャリア分離される。そして、正孔が取り出される電極を陽極、電子が取り出される電極を陰極とする。第１電極が陽極を構成し、第２電極が陰極を構成する形態もあるし、逆に、第１電極が陰極を構成し、第２電極が陽極を構成する形態もある。
第１電極、電荷蓄積用電極、転送制御用電極、電荷移動制御電極、電荷排出電極及び第２電極は透明導電材料から成る構成とすることができる。第１電極、電荷蓄積用電極、転送制御用電極、電荷移動制御電極及び電荷排出電極を総称して、『第１電極等』と呼ぶ場合がある。あるいは又、本開示の撮像素子等が、例えばベイヤ配列のように平面に配される場合には、第２電極は透明導電材料から成り、第１電極等は金属材料から成る構成とすることができ、この場合、具体的には、光入射側に位置する第２電極は透明導電材料から成り、第１電極等は、例えば、Ａｌ−Ｎｄ（アルミニウム及びネオジウムの合金）又はＡＳＣ（アルミニウム、サマリウム及び銅の合金）から成る構成とすることができる。透明導電材料から成る電極を『透明電極』と呼ぶ場合がある。ここで、透明導電材料のバンドギャップエネルギーは、２．５ｅＶ以上、好ましくは３．１ｅＶ以上であることが望ましい。透明電極を構成する透明導電材料として、導電性のある金属酸化物を挙げることができ、具体的には、酸化インジウム、インジウム−錫酸化物（ＩＴＯ，Indium Tin Oxide，ＳｎドープのＩｎ2Ｏ3、結晶性ＩＴＯ及びアモルファスＩＴＯを含む）、酸化亜鉛にドーパントとしてインジウムを添加したインジウム−亜鉛酸化物（ＩＺＯ，Indium Zinc Oxide）、酸化ガリウムにドーパントとしてインジウムを添加したインジウム−ガリウム酸化物（ＩＧＯ）、酸化亜鉛にドーパントとしてインジウムとガリウムを添加したインジウム−ガリウム−亜鉛酸化物（ＩＧＺＯ，Ｉｎ−ＧａＺｎＯ4）、酸化亜鉛にドーパントとしてインジウムと錫を添加したインジウム−錫−亜鉛酸化物（ＩＴＺＯ）、ＩＦＯ（ＦドープのＩｎ2Ｏ3）、酸化錫（ＳｎＯ2）、ＡＴＯ（ＳｂドープのＳｎＯ2）、ＦＴＯ（ＦドープのＳｎＯ2）、酸化亜鉛（他元素をドープしたＺｎＯを含む）、酸化亜鉛にドーパントとしてアルミニウムを添加したアルミニウム−亜鉛酸化物（ＡＺＯ）、酸化亜鉛にドーパントとしてガリウムを添加したガリウム−亜鉛酸化物（ＧＺＯ）、酸化チタン（ＴｉＯ2）、酸化チタンにドーパントとしてニオブを添加したニオブ−チタン酸化物(ＴＮＯ)、酸化アンチモン、ＣｕＩ、ＩｎＳｂＯ4、ＺｎＭｇＯ、ＣｕＩｎＯ2、ＭｇＩｎ2Ｏ4、ＣｄＯ、ＺｎＳｎＯ3、スピネル型酸化物、ＹｂＦｅ2Ｏ4構造を有する酸化物を例示することができる。あるいは又、ガリウム酸化物、チタン酸化物、ニオブ酸化物、ニッケル酸化物等を母層とする透明電極を挙げることができる。透明電極の厚さとして、２×１０-8ｍ乃至２×１０-7ｍ、好ましくは３×１０-8ｍ乃至１×１０-7ｍを挙げることができる。第１電極が透明性を要求される場合、製造プロセスの簡素化といった観点から、電荷排出電極も透明導電材料から構成することが好ましい。
あるいは又、透明性が不要である場合、電子を取り出す電極としての機能を有する陰極を構成する導電材料として、低仕事関数（例えば、φ＝３．５ｅＶ〜４．５ｅＶ）を有する導電材料から構成することが好ましく、具体的には、アルカリ金属（例えばＬｉ、Ｎａ、Ｋ等）及びそのフッ化物又は酸化物、アルカリ土類金属（例えばＭｇ、Ｃａ等）及びそのフッ化物又は酸化物、アルミニウム（Ａｌ）、亜鉛（Ｚｎ）、錫（Ｓｎ）、タリウム（Ｔｌ）、ナトリウム−カリウム合金、アルミニウム−リチウム合金、マグネシウム−銀合金、インジウム、イッテリビウム等の希土類金属、あるいは、これらの合金を挙げることができる。また、正孔を取り出す電極としての機能を有する陽極を構成する導電材料として、高仕事関数（例えば、φ＝４．５ｅＶ〜５．５ｅＶ）を有する導電材料から構成することが好ましく、具体的には、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、クロム（Ｃｒ）、ニッケル（Ｎｉ）、パラジウム（Ｐｄ）、白金（Ｐｔ）、鉄（Ｆｅ）、イリジウム（Ｉｒ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、オスミウム（Ｏｓ）、レニウム（Ｒｅ）、テルル（Ｔｅ）を例示することができる。あるいは又、陰極や陽極を構成する材料として、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、クロム（Ｃｒ）、ニッケル（Ｎｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、銅（Ｃｕ）、チタン（Ｔｉ）、インジウム（Ｉｎ）、錫（Ｓｎ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、モリブデン（Ｍｏ）等の金属、あるいは、これらの金属元素を含む合金、これらの金属から成る導電性粒子、これらの金属を含む合金の導電性粒子、不純物を含有したポリシリコン、炭素系材料、酸化物半導体材料、カーボン・ナノ・チューブ、グラフェン等の導電性材料を挙げることができるし、これらの元素を含む層の積層構造とすることもできる。更には、陰極や陽極を構成する材料として、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）／ポリスチレンスルホン酸［ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ］といった有機材料（導電性高分子）を挙げることもできる。また、これらの導電性材料をバインダー（高分子）に混合してペースト又はインクとしたものを硬化させ、電極として用いてもよい。
第１電極等や第２電極（陰極や陽極）の成膜方法として、乾式法あるいは湿式法を用いることが可能である。乾式法として、物理的気相成長法（ＰＶＤ法）及び化学的気相成長法（ＣＶＤ法）を挙げることができる。ＰＶＤ法の原理を用いた成膜方法として、抵抗加熱あるいは高周波加熱を用いた真空蒸着法、ＥＢ（電子ビーム）蒸着法、各種スパッタリング法（マグネトロンスパッタリング法、ＲＦ−ＤＣ結合形バイアススパッタリング法、ＥＣＲスパッタリング法、対向ターゲットスパッタリング法、高周波スパッタリング法）、イオンプレーティング法、レーザアブレーション法、分子線エピタキシー法、レーザ転写法を挙げることができる。また、ＣＶＤ法として、プラズマＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、有機金属（ＭＯ）ＣＶＤ法、光ＣＶＤ法を挙げることができる。一方、湿式法として、電解メッキ法や無電解メッキ法、スピンコート法、インクジェット法、スプレーコート法、スタンプ法、マイクロコンタクトプリント法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、グラビア印刷法、ディップ法等の方法を挙げることができる。パターニング法として、シャドーマスク、レーザ転写、フォトリソグラフィー等の化学的エッチング、紫外線やレーザ等による物理的エッチング等を挙げることができる。第１電極等や第２電極の平坦化技術として、レーザ平坦化法、リフロー法、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）法等を用いることができる。
絶縁層を構成する材料として、酸化ケイ素系材料；窒化ケイ素（ＳｉＮY）；酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）等の金属酸化物高誘電絶縁材料に例示される無機系絶縁材料だけでなく、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）；ポリビニルフェノール（ＰＶＰ）；ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）；ポリイミド；ポリカーボネート（ＰＣ）；ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）；ポリスチレン；Ｎ−２（アミノエチル）３−アミノプロピルトリメトキシシラン（ＡＥＡＰＴＭＳ）、３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン（ＭＰＴＭＳ）、オクタデシルトリクロロシラン（ＯＴＳ）等のシラノール誘導体（シランカップリング剤）；ノボラック型フェノール樹脂；フッ素系樹脂；オクタデカンチオール、ドデシルイソシアネイト等の一端に制御電極と結合可能な官能基を有する直鎖炭化水素類にて例示される有機系絶縁材料（有機ポリマー）を挙げることができるし、これらの組み合わせを用いることもできる。酸化ケイ素系材料として、酸化シリコン（ＳｉＯX）、ＢＰＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＡｓＳＧ、ＰｂＳＧ、酸化窒化シリコン（ＳｉＯＮ）、ＳＯＧ（スピンオングラス）、低誘電率絶縁材料（例えば、ポリアリールエーテル、シクロパーフルオロカーボンポリマー及びベンゾシクロブテン、環状フッ素樹脂、ポリテトラフルオロエチレン、フッ化アリールエーテル、フッ化ポリイミド、アモルファスカーボン、有機ＳＯＧ）を例示することができる。絶縁層は、単層構成とすることもできるし、複数層（例えば、２層）が積層された構成とすることもできる。後者の場合、少なくとも電荷蓄積用電極の上、及び、電荷蓄積用電極と第１電極との間の領域に、絶縁層・下層を形成し、絶縁層・下層に平坦化処理を施すことで少なくとも電荷蓄積用電極と第１電極との間の領域に絶縁層・下層を残し、残された絶縁層・下層及び電荷蓄積用電極の上に絶縁層・上層を形成すればよく、これによって、絶縁層の平坦化を確実に達成することができる。各種層間絶縁層や保護材料層、絶縁材料層を構成する材料も、これらの材料から適宜選択すればよい。
制御部を構成する浮遊拡散層、増幅トランジスタ、リセット・トランジスタ及び選択トランジスタの構成、構造は、従来の浮遊拡散層、増幅トランジスタ、リセット・トランジスタ及び選択トランジスタの構成、構造と同様とすることができる。駆動回路も周知の構成、構造とすることができる。
第１電極は、浮遊拡散層及び増幅トランジスタのゲート部に接続されているが、第１電極と浮遊拡散層及び増幅トランジスタのゲート部との接続のためにコンタクトホール部を形成すればよい。コンタクトホール部を構成する材料として、不純物がドーピングされたポリシリコンや、タングステン、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｃｕ、ＴｉＷ、ＴｉＮ、ＴｉＮＷ、ＷＳｉ2、ＭｏＳｉ2等の高融点金属や金属シリサイド、これらの材料から成る層の積層構造（例えば、Ｔｉ／ＴｉＮ／Ｗ）を例示することができる。
酸化物半導体層と第１電極との間に、第１キャリアブロッキング層を設けてもよいし、有機光電変換層と第２電極との間に、第２キャリアブロッキング層を設けてもよい。また、第１キャリアブロッキング層と第１電極との間に第１電荷注入層を設けてもよいし、第２キャリアブロッキング層と第２電極との間に第２電荷注入層を設けてもよい。例えば、電子注入層を構成する材料として、例えば、リチウム（Ｌｉ）、ナトリウム（Ｎａ）、カリウム（Ｋ）といったアルカリ金属及びそのフッ化物や酸化物、マグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）といったアルカリ土類金属及びそのフッ化物や酸化物を挙げることができる。
各種有機層の成膜方法として、乾式成膜法及び湿式成膜法を挙げることができる。乾式成膜法として、抵抗加熱あるいは高周波加熱、電子ビーム加熱を用いた真空蒸着法、フラッシュ蒸着法、プラズマ蒸着法、ＥＢ蒸着法、各種スパッタリング法（２極スパッタリング法、直流スパッタリング法、直流マグネトロンスパッタリング法、高周波スパッタリング法、マグネトロンスパッタリング法、ＲＦ−ＤＣ結合形バイアススパッタリング法、ＥＣＲスパッタリング法、対向ターゲットスパッタリング法、高周波スパッタリング法、イオンビームスパッタリング法）、ＤＣ（Direct Current）法、ＲＦ法、多陰極法、活性化反応法、電界蒸着法、高周波イオンプレーティング法や反応性イオンプレーティング法等の各種イオンプレーティング法、レーザアブレーション法、分子線エピタキシー法、レーザ転写法、分子線エピタキシー法（ＭＢＥ法）を挙げることができる。また、ＣＶＤ法として、プラズマＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、ＭＯＣＶＤ法、光ＣＶＤ法を挙げることができる。一方、湿式法として、具体的には、スピンコート法；浸漬法；キャスト法；マイクロコンタクトプリント法；ドロップキャスト法；スクリーン印刷法やインクジェット印刷法、オフセット印刷法、グラビア印刷法、フレキソ印刷法といった各種印刷法；スタンプ法；スプレー法；エアドクタコーター法、ブレードコーター法、ロッドコーター法、ナイフコーター法、スクイズコーター法、リバースロールコーター法、トランスファーロールコーター法、グラビアコーター法、キスコーター法、キャストコーター法、スプレーコーター法、スリットオリフィスコーター法、カレンダーコーター法といった各種コーティング法を例示することができる。塗布法においては、溶媒として、トルエン、クロロホルム、ヘキサン、エタノールといった無極性又は極性の低い有機溶媒を例示することができる。パターニング法として、シャドーマスク、レーザ転写、フォトリソグラフィー等の化学的エッチング、紫外線やレーザ等による物理的エッチング等を挙げることができる。各種有機層の平坦化技術として、レーザ平坦化法、リフロー法等を用いることができる。
撮像素子あるいは固体撮像装置には、前述したとおり、必要に応じて、オンチップ・マイクロ・レンズや遮光層を設けてもよいし、撮像素子を駆動するための駆動回路や配線が設けられている。必要に応じて、撮像素子への光の入射を制御するためのシャッターを配設してもよいし、固体撮像装置の目的に応じて光学カットフィルタを具備してもよい。
また、第１構成〜第２構成の固体撮像装置にあっては、１つの本開示の撮像素子等の上方に１つのオンチップ・マイクロ・レンズが配設されている形態とすることができるし、あるいは又、２つの本開示の撮像素子等から撮像素子ブロックが構成されており、撮像素子ブロックの上方に１つのオンチップ・マイクロ・レンズが配設されている形態とすることができる。
例えば、固体撮像装置を読出し用集積回路（ＲＯＩＣ）と積層する場合、読出し用集積回路及び銅（Ｃｕ）から成る接続部が形成された駆動用基板と、接続部が形成された撮像素子とを、接続部同士が接するように重ね合わせ、接続部同士を接合することで、積層することができるし、接続部同士をハンダバンプ等を用いて接合することもできる。
また、本開示の第１の態様〜第２の態様に係る固体撮像装置を駆動するための駆動方法にあっては、
全ての撮像素子において、一斉に、酸化物半導体層（あるいは、酸化物半導体層及び光電変換層）に電荷を蓄積しながら、第１電極における電荷を系外に排出し、その後、
全ての撮像素子において、一斉に、酸化物半導体層（あるいは、酸化物半導体層及び光電変換層）に蓄積された電荷を第１電極に転送し、転送完了後、順次、各撮像素子において第１電極に転送された電荷を読み出す、
各工程を繰り返す固体撮像装置の駆動方法とすることができる。
このような固体撮像装置の駆動方法にあっては、各撮像素子は、第２電極側から入射した光が第１電極には入射しない構造を有し、全ての撮像素子において、一斉に、酸化物半導体層等に電荷を蓄積しながら、第１電極における電荷を系外に排出するので、全撮像素子において同時に第１電極のリセットを確実に行うことができる。そして、その後、全ての撮像素子において、一斉に、酸化物半導体層等に蓄積された電荷を第１電極に転送し、転送完了後、順次、各撮像素子において第１電極に転送された電荷を読み出す。それ故、所謂グローバルシャッター機能を容易に実現することができる。
以下、実施例１の撮像素子、固体撮像装置の詳細な説明を行う。
実施例１の撮像素子１０は、半導体基板（より具体的には、シリコン半導体層）７０を更に備えており、光電変換部は、半導体基板７０の上方に配置されている。また、半導体基板７０に設けられ、第１電極２１及び第２電極２２が接続された駆動回路を有する制御部を更に備えている。ここで、半導体基板７０における光入射面を上方とし、半導体基板７０の反対側を下方とする。半導体基板７０の下方には複数の配線から成る配線層６２が設けられている。
半導体基板７０には、制御部を構成する少なくとも浮遊拡散層ＦＤ1及び増幅トランジスタＴＲ１ampが設けられており、第１電極２１は、浮遊拡散層ＦＤ1及び増幅トランジスタＴＲ１ampのゲート部に接続されている。半導体基板７０には、更に、制御部を構成するリセット・トランジスタＴＲ１rst及び選択トランジスタＴＲ１selが設けられている。浮遊拡散層ＦＤ1は、リセット・トランジスタＴＲ１rstの一方のソース／ドレイン領域に接続されており、増幅トランジスタＴＲ１ampの他方のソース／ドレイン領域は、選択トランジスタＴＲ１selの一方のソース／ドレイン領域に接続されており、選択トランジスタＴＲ１selの他方のソース／ドレイン領域は信号線ＶＳＬ1に接続されている。これらの増幅トランジスタＴＲ１amp、リセット・トランジスタＴＲ１rst及び選択トランジスタＴＲ１selは、駆動回路を構成する。
具体的には、実施例１の撮像素子、積層型撮像素子は、裏面照射型の撮像素子、積層型撮像素子であり、緑色光を吸収する第１タイプの緑色光用光電変換層を備えた緑色光に感度を有する第１タイプの実施例１の緑色光用撮像素子（以下、『第１撮像素子』と呼ぶ）、青色光を吸収する第２タイプの青色光用光電変換層を備えた青色光に感度を有する第２タイプの従来の青色光用撮像素子（以下、『第２撮像素子』と呼ぶ）、赤色光を吸収する第２タイプの赤色光用光電変換層を備えた赤色光に感度を有する第２タイプの従来の赤色光用撮像素子（以下、『第３撮像素子』と呼ぶ）の３つの撮像素子が積層された構造を有する。ここで、赤色光用撮像素子（第３撮像素子）１２及び青色光用撮像素子（第２撮像素子）１１は半導体基板７０内に設けられており、第２撮像素子１１の方が第３撮像素子１２よりも光入射側に位置する。また、緑色光用撮像素子（第１撮像素子１０）は、青色光用撮像素子（第２撮像素子１１）の上方に設けられている。第１撮像素子１０、第２撮像素子１１及び第３撮像素子１２の積層構造によって、１画素が構成される。カラーフィルタ層は設けられていない。
第１撮像素子１０にあっては、層間絶縁層８１上に、第１電極２１及び電荷蓄積用電極２４が、離間して形成されている。層間絶縁層８１及び電荷蓄積用電極２４は、絶縁層８２によって覆われている。絶縁層８２上には酸化物半導体層２３Ｃ、酸化膜２３Ｂ及び光電変換層２３Ａが形成され、光電変換層２３Ａ上には第２電極２２が形成されている。第２電極２２を含む全面には、保護材料層８３が形成されており、保護材料層８３上にオンチップ・マイクロ・レンズ１４が設けられている。カラーフィルタ層は設けられていない。第１電極２１、電荷蓄積用電極２４及び第２電極２２は、例えば、ＩＴＯ（仕事関数：約４．４ｅＶ）から成る透明電極から構成されている。酸化物半導体層２３Ｃ及び酸化膜２３Ｂは前述した材料から構成され、光電変換層２３Ａは、少なくとも緑色光に感度を有する周知の有機光電変換材料（例えば、ローダミン系色素、メラシアニン系色素、キナクリドン等の有機系材料）を含む層から構成されている。層間絶縁層８１や絶縁層８２、保護材料層８３は、周知の絶縁材料（例えば、ＳｉＯ2やＳｉＮ）から構成されている。酸化物半導体層２３Ｃと第１電極２１とは、絶縁層８２に設けられた接続部６７によって接続されている。接続部６７内には、酸化物半導体層２３Ｃが延在している。即ち、酸化物半導体層２３Ｃは、絶縁層８２に設けられた開口部８４内を延在し、第１電極２１と接続されている。
電荷蓄積用電極２４は駆動回路に接続されている。具体的には、電荷蓄積用電極２４は、層間絶縁層８１内に設けられた接続孔６６、パッド部６４及び配線ＶOAを介して、駆動回路を構成する垂直駆動回路１１２に接続されている。
電荷蓄積用電極２４の大きさは第１電極２１よりも大きい。電荷蓄積用電極２４の面積をｓ1’、第１電極２１の面積をｓ1としたとき、限定するものではないが、
４≦ｓ1’／ｓ1
を満足することが好ましく、実施例１にあっては、限定するものではないが、例えば、
ｓ1’／ｓ1＝８
とした。
半導体基板７０の第１面（おもて面）７０Ａの側には素子分離領域７１が形成され、また、半導体基板７０の第１面７０Ａには絶縁材料膜７２が形成されている。更には、半導体基板７０の第１面側には、第１撮像素子１０の制御部を構成するリセット・トランジスタＴＲ１rst、増幅トランジスタＴＲ１amp及び選択トランジスタＴＲ１selが設けられ、更に、第１浮遊拡散層ＦＤ1が設けられている。
リセット・トランジスタＴＲ１rstは、ゲート部５１、チャネル形成領域５１Ａ、及び、ソース／ドレイン領域５１Ｂ，５１Ｃから構成されている。リセット・トランジスタＴＲ１rstのゲート部５１はリセット線ＲＳＴ1に接続され、リセット・トランジスタＴＲ１rstの一方のソース／ドレイン領域５１Ｃは、第１浮遊拡散層ＦＤ1を兼ねており、他方のソース／ドレイン領域５１Ｂは、電源ＶDDに接続されている。
第１電極２１は、層間絶縁層８１内に設けられた接続孔６５、パッド部６３、半導体基板７０及び層間絶縁層７６に形成されたコンタクトホール部６１、層間絶縁層７６に形成された配線層６２を介して、リセット・トランジスタＴＲ１rstの一方のソース／ドレイン領域５１Ｃ（第１浮遊拡散層ＦＤ1）に接続されている。
増幅トランジスタＴＲ１ampは、ゲート部５２、チャネル形成領域５２Ａ、及び、ソース／ドレイン領域５２Ｂ，５２Ｃから構成されている。ゲート部５２は配線層６２を介して、第１電極２１及びリセット・トランジスタＴＲ１rstの一方のソース／ドレイン領域５１Ｃ（第１浮遊拡散層ＦＤ1）に接続されている。また、一方のソース／ドレイン領域５２Ｂは、電源ＶDDに接続されている。
選択トランジスタＴＲ１selは、ゲート部５３、チャネル形成領域５３Ａ、及び、ソース／ドレイン領域５３Ｂ，５３Ｃから構成されている。ゲート部５３は、選択線ＳＥＬ1に接続されている。また、一方のソース／ドレイン領域５３Ｂは、増幅トランジスタＴＲ１ampを構成する他方のソース／ドレイン領域５２Ｃと領域を共有しており、他方のソース／ドレイン領域５３Ｃは、信号線（データ出力線）ＶＳＬ1（１１７）に接続されている。
第２撮像素子１１は、半導体基板７０に設けられたｎ型半導体領域４１を光電変換層として備えている。縦型トランジスタから成る転送トランジスタＴＲ２trsのゲート部４５が、ｎ型半導体領域４１まで延びており、且つ、転送ゲート線ＴＧ2に接続されている。また、転送トランジスタＴＲ２trsのゲート部４５の近傍の半導体基板７０の領域４５Ｃには、第２浮遊拡散層ＦＤ2が設けられている。ｎ型半導体領域４１に蓄積された電荷は、ゲート部４５に沿って形成される転送チャネルを介して第２浮遊拡散層ＦＤ2に読み出される。
第２撮像素子１１にあっては、更に、半導体基板７０の第１面側に、第２撮像素子１１の制御部を構成するリセット・トランジスタＴＲ２rst、増幅トランジスタＴＲ２amp及び選択トランジスタＴＲ２selが設けられている。
リセット・トランジスタＴＲ２rstは、ゲート部、チャネル形成領域、及び、ソース／ドレイン領域から構成されている。リセット・トランジスタＴＲ２rstのゲート部はリセット線ＲＳＴ2に接続され、リセット・トランジスタＴＲ２rstの一方のソース／ドレイン領域は電源ＶDDに接続され、他方のソース／ドレイン領域は、第２浮遊拡散層ＦＤ2を兼ねている。
増幅トランジスタＴＲ２ampは、ゲート部、チャネル形成領域、及び、ソース／ドレイン領域から構成されている。ゲート部は、リセット・トランジスタＴＲ２rstの他方のソース／ドレイン領域（第２浮遊拡散層ＦＤ2）に接続されている。また、一方のソース／ドレイン領域は、電源ＶDDに接続されている。
選択トランジスタＴＲ２selは、ゲート部、チャネル形成領域、及び、ソース／ドレイン領域から構成されている。ゲート部は、選択線ＳＥＬ2に接続されている。また、一方のソース／ドレイン領域は、増幅トランジスタＴＲ２ampを構成する他方のソース／ドレイン領域と領域を共有しており、他方のソース／ドレイン領域は、信号線（データ出力線）ＶＳＬ2に接続されている。
第３撮像素子１２は、半導体基板７０に設けられたｎ型半導体領域４３を光電変換層として備えている。転送トランジスタＴＲ３trsのゲート部４６は転送ゲート線ＴＧ3に接続されている。また、転送トランジスタＴＲ３trsのゲート部４６の近傍の半導体基板７０の領域４６Ｃには、第３浮遊拡散層ＦＤ3が設けられている。ｎ型半導体領域４３に蓄積された電荷は、ゲート部４６に沿って形成される転送チャネル４６Ａを介して第３浮遊拡散層ＦＤ3に読み出される。
第３撮像素子１２にあっては、更に、半導体基板７０の第１面側に、第３撮像素子１２の制御部を構成するリセット・トランジスタＴＲ３rst、増幅トランジスタＴＲ３amp及び選択トランジスタＴＲ３selが設けられている。
リセット・トランジスタＴＲ３rstは、ゲート部、チャネル形成領域、及び、ソース／ドレイン領域から構成されている。リセット・トランジスタＴＲ３rstのゲート部はリセット線ＲＳＴ3に接続され、リセット・トランジスタＴＲ３rstの一方のソース／ドレイン領域は電源ＶDDに接続され、他方のソース／ドレイン領域は、第３浮遊拡散層ＦＤ3を兼ねている。
増幅トランジスタＴＲ３ampは、ゲート部、チャネル形成領域、及び、ソース／ドレイン領域から構成されている。ゲート部は、リセット・トランジスタＴＲ３rstの他方のソース／ドレイン領域（第３浮遊拡散層ＦＤ3）に接続されている。また、一方のソース／ドレイン領域は、電源ＶDDに接続されている。
選択トランジスタＴＲ３selは、ゲート部、チャネル形成領域、及び、ソース／ドレイン領域から構成されている。ゲート部は、選択線ＳＥＬ3に接続されている。また、一方のソース／ドレイン領域は、増幅トランジスタＴＲ３ampを構成する他方のソース／ドレイン領域と領域を共有しており、他方のソース／ドレイン領域は、信号線（データ出力線）ＶＳＬ3に接続されている。
リセット線ＲＳＴ1，ＲＳＴ2，ＲＳＴ3、選択線ＳＥＬ1，ＳＥＬ2，ＳＥＬ3、転送ゲート線ＴＧ2，ＴＧ3は、駆動回路を構成する垂直駆動回路１１２に接続され、信号線（データ出力線）ＶＳＬ1，ＶＳＬ2，ＶＳＬ3は、駆動回路を構成するカラム信号処理回路１１３に接続されている。
ｎ型半導体領域４３と半導体基板７０の表面７０Ａとの間にはｐ+層４４が設けられており、暗電流発生を抑制している。ｎ型半導体領域４１とｎ型半導体領域４３との間には、ｐ+層４２が形成されており、更には、ｎ型半導体領域４３の側面の一部はｐ+層４２によって囲まれている。半導体基板７０の裏面７０Ｂの側には、ｐ+層７３が形成されており、ｐ+層７３から半導体基板７０の内部のコンタクトホール部６１を形成すべき部分には、ＨｆＯ2膜７４及び絶縁材料膜７５が形成されている。層間絶縁層７６には、複数の層に亙り配線が形成されているが、図示は省略した。
ＨｆＯ2膜７４は、負の固定電荷を有する膜であり、このような膜を設けることによって、暗電流の発生を抑制することができる。ＨｆＯ2膜の代わりに、酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）膜、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ2）膜、酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5）膜、酸化チタン（ＴｉＯ2）膜、酸化ランタン（Ｌａ2Ｏ3）膜、酸化プラセオジム（Ｐｒ2Ｏ3）膜、酸化セリウム（ＣｅＯ2）膜、酸化ネオジム（Ｎｄ2Ｏ3）膜、酸化プロメチウム（Ｐｍ2Ｏ3）膜、酸化サマリウム（Ｓｍ2Ｏ3）膜、酸化ユウロピウム（Ｅｕ2Ｏ3）膜、酸化ガドリニウム（（Ｇｄ2Ｏ3）膜、酸化テルビウム（Ｔｂ2Ｏ3）膜、酸化ジスプロシウム（Ｄｙ2Ｏ3）膜、酸化ホルミウム（Ｈｏ2Ｏ3）膜、酸化ツリウム（Ｔｍ2Ｏ3）膜、酸化イッテルビウム（Ｙｂ2Ｏ3）膜、酸化ルテチウム（Ｌｕ2Ｏ3）膜、酸化イットリウム（Ｙ2Ｏ3）膜、窒化ハフニウム膜、窒化アルミニウム膜、酸窒化ハフニウム膜、酸窒化アルミニウム膜を用いることもできる。これらの膜の成膜方法として、例えば、ＣＶＤ法、ＰＶＤ法、ＡＬＤ法が挙げることができる。
以下、図６、図７Ａを参照して、実施例１の電荷蓄積用電極を備えた積層型撮像素子（第１撮像素子１０）の動作を説明する。実施例１の撮像素子は、半導体基板７０に設けられ、駆動回路を有する制御部を更に備えており、第１電極２１、第２電極２２及び電荷蓄積用電極２４は、駆動回路に接続されている。ここで、第１電極２１の電位を第２電極２２の電位よりも高くした。即ち、例えば、第１電極２１を正の電位とし、第２電極２２を負の電位とし、光電変換層２３Ａにおいて光電変換によって生成した電子が浮遊拡散層に読み出される。他の実施例においても同様とする。尚、第１電極２１を負の電位とし、第２電極２２を正の電位とし、光電変換部において光電変換に基づき生成した正孔が浮遊拡散層に読み出される形態にあっては、以下の述べる電位の高低を逆にすればよい。
図６、後述する実施例５における図２１、図２２中で使用している符号は、以下のとおりである。
ＰA ・・・・・電荷蓄積用電極２４あるいは転送制御用電極（電荷転送電極）２５と第１電極２１の中間に位置する領域と対向した光電変換部の領域の点ＰAにおける電位
ＰB ・・・・・電荷蓄積用電極２４と対向した光電変換部の領域の点ＰBにおける電位
ＰC ・・・・・転送制御用電極（電荷転送電極）２５と対向した光電変換部の領域の点ＰCにおける電位
ＦＤ・・・・・第１浮遊拡散層ＦＤ1における電位
ＶOA・・・・・電荷蓄積用電極２４における電位
ＶOT ・・・・・転送制御用電極（電荷転送電極）２５における電位
ＲＳＴ・・・・リセット・トランジスタＴＲ１rstのゲート部５１における電位
ＶDD・・・・・電源の電位
ＶＳＬ1 ・・・信号線（データ出力線）ＶＳＬ1
ＴＲ１rst ・・リセット・トランジスタＴＲ１rst
ＴＲ１amp ・・増幅トランジスタＴＲ１amp
ＴＲ１sel ・・選択トランジスタＴＲ１sel
電荷蓄積期間においては、駆動回路から、第１電極２１に電位Ｖ11が印加され、電荷蓄積用電極２４に電位Ｖ31が印加される。光電変換層２３Ａに入射された光によって光電変換層２３Ａにおいて光電変換が生じる。光電変換によって生成した正孔は、第２電極２２から配線ＶOUを介して駆動回路へと送出される。一方、第１電極２１の電位を第２電極２２の電位よりも高くしたので、即ち、例えば、第１電極２１に正の電位が印加され、第２電極２２に負の電位が印加されるとしたので、Ｖ31≧Ｖ11、好ましくは、Ｖ31＞Ｖ11とする。これによって、光電変換によって生成した電子は、電荷蓄積用電極２４に引き付けられ、電荷蓄積用電極２４と対向した酸化物半導体層２３Ｃ、あるいは、酸化物半導体層２３Ｃ及び光電変換層２３Ａ、あるいは酸化物半導体層２３Ｃ、酸化膜２３Ｂ及び光電変換層２３Ａ（以下、これらを総称して、『酸化物半導体層２３Ｃ等』と呼ぶ）の領域に止まる。即ち、酸化物半導体層２３Ｃ等に電荷が蓄積される。Ｖ31＞Ｖ11であるが故に、光電変換層２３Ａの内部に生成した電子が、第１電極２１に向かって移動することはない。光電変換の時間経過に伴い、電荷蓄積用電極２４と対向した酸化物半導体層２３Ｃ等の領域における電位は、より負側の値となる。
電荷蓄積期間の後期において、リセット動作がなされる。これによって、第１浮遊拡散層ＦＤ1の電位がリセットされ、第１浮遊拡散層ＦＤ1の電位は電源の電位ＶDDとなる。
リセット動作の完了後、電荷の読み出しを行う。即ち、電荷転送期間において、駆動回路から、第１電極２１に電位Ｖ12が印加され、電荷蓄積用電極２４に電位Ｖ32が印加される。ここで、Ｖ32＜Ｖ12とする。これによって、電荷蓄積用電極２４と対向した酸化物半導体層２３Ｃ等の領域に止まっていた電子は、第１電極２１、更には、第１浮遊拡散層ＦＤ1へと読み出される。即ち、酸化物半導体層２３Ｃ等に蓄積された電荷が制御部に読み出される。
以上で、電荷蓄積、リセット動作、電荷転送といった一連の動作が完了する。
第１浮遊拡散層ＦＤ1へ電子が読み出された後の増幅トランジスタＴＲ１amp、選択トランジスタＴＲ１selの動作は、従来のこれらのトランジスタの動作と同じである。また、第２撮像素子１１、第３撮像素子１２の電荷蓄積、リセット動作、電荷転送といった一連の動作は、従来の電荷蓄積、リセット動作、電荷転送といった一連の動作と同様である。また、第１浮遊拡散層ＦＤ1のリセットノイズは、従来と同様に、相関２重サンプリング（ＣＤＳ，Correlated Double Sampling）処理によって除去することができる。
以上のとおり、実施例１にあっては、第１電極と離間して配置され、且つ、絶縁層を介して光電変換層と対向して配置された電荷蓄積用電極が備えられているので、光電変換層に光が照射され、光電変換層において光電変換されるとき、酸化物半導体層等と絶縁層と電荷蓄積用電極とによって一種のキャパシタが形成され、酸化物半導体層等に電荷を蓄えることができる。それ故、露光開始時、電荷蓄積部を完全空乏化し、電荷を消去することが可能となる。その結果、ｋＴＣノイズが大きくなり、ランダムノイズが悪化し、撮像画質の低下をもたらすといった現象の発生を抑制することができる。また、全画素を一斉にリセットすることができるので、所謂グローバルシャッター機能を実現することができる。
図８に、実施例１の固体撮像装置の概念図を示す。実施例１の固体撮像装置１００は、積層型撮像素子１０１が２次元アレイ状に配列された撮像領域１１１、並びに、その駆動回路（周辺回路）としての垂直駆動回路１１２、カラム信号処理回路１１３、水平駆動回路１１４、出力回路１１５及び駆動制御回路１１６等から構成されている。これらの回路は周知の回路から構成することができるし、また、他の回路構成（例えば、従来のＣＣＤ撮像装置やＣＭＯＳ撮像装置にて用いられる各種の回路）を用いて構成することができることは云うまでもない。図８において、積層型撮像素子１０１における参照番号「１０１」の表示は、１行のみとした。
駆動制御回路１１６は、垂直同期信号、水平同期信号及びマスター・クロックに基づいて、垂直駆動回路１１２、カラム信号処理回路１１３及び水平駆動回路１１４の動作の基準となるクロック信号や制御信号を生成する。そして、生成されたクロック信号や制御信号は、垂直駆動回路１１２、カラム信号処理回路１１３及び水平駆動回路１１４に入力される。
垂直駆動回路１１２は、例えば、シフトレジスタによって構成され、撮像領域１１１の各積層型撮像素子１０１を行単位で順次垂直方向に選択走査する。そして、各積層型撮像素子１０１における受光量に応じて生成した電流（信号）に基づく画素信号（画像信号）は、信号線（データ出力線）１１７，ＶＳＬを介してカラム信号処理回路１１３に送られる。
カラム信号処理回路１１３は、例えば、積層型撮像素子１０１の列毎に配置されており、１行分の積層型撮像素子１０１から出力される画像信号を撮像素子毎に黒基準画素（図示しないが、有効画素領域の周囲に形成される）からの信号によって、ノイズ除去や信号増幅の信号処理を行う。カラム信号処理回路１１３の出力段には、水平選択スイッチ（図示せず）が水平信号線１１８との間に接続されて設けられる。
水平駆動回路１１４は、例えばシフトレジスタによって構成され、水平走査パルスを順次出力することによって、カラム信号処理回路１１３の各々を順次選択し、カラム信号処理回路１１３の各々から信号を水平信号線１１８に出力する。
出力回路１１５は、カラム信号処理回路１１３の各々から水平信号線１１８を介して順次供給される信号に対して、信号処理を行って出力する。
実施例１の撮像素子、積層型撮像素子の変形例の等価回路図を図９に示し、第１電極及び電荷蓄積用電極並びに制御部を構成するトランジスタの模式的な配置図を図１０に示すように、リセット・トランジスタＴＲ１rstの他方のソース／ドレイン領域５１Ｂを、電源ＶDDに接続する代わりに、接地してもよい。
実施例１の撮像素子、積層型撮像素子は、例えば、以下の方法で作製することができる。即ち、先ず、ＳＯＩ基板を準備する。そして、ＳＯＩ基板の表面に第１シリコン層をエピタキシャル成長法に基づき形成し、この第１シリコン層に、ｐ+層７３、ｎ型半導体領域４１を形成する。次いで、第１シリコン層上に第２シリコン層をエピタキシャル成長法に基づき形成し、この第２シリコン層に、素子分離領域７１、絶縁材料膜７２、ｐ+層４２、ｎ型半導体領域４３、ｐ+層４４を形成する。また、第２シリコン層に、撮像素子の制御部を構成する各種トランジスタ等を形成し、更にその上に、配線層６２や層間絶縁層７６、各種配線を形成した後、層間絶縁層７６と支持基板（図示せず）とを貼り合わせる。その後、ＳＯＩ基板を除去して第１シリコン層を露出させる。第２シリコン層の表面が半導体基板７０の表面７０Ａに該当し、第１シリコン層の表面が半導体基板７０の裏面７０Ｂに該当する。また、第１シリコン層と第２シリコン層を纏めて半導体基板７０と表現している。次いで、半導体基板７０の裏面７０Ｂの側に、コンタクトホール部６１を形成するための開口部を形成し、ＨｆＯ2膜７４、絶縁材料膜７５及びコンタクトホール部６１を形成し、更に、パッド部６３，６４、層間絶縁層８１、接続孔６５，６６、第１電極２１、電荷蓄積用電極２４、絶縁層８２を形成する。次に、接続部６７を開口し、酸化物半導体層２３Ｃ、酸化膜２３Ｂ、光電変換層２３Ａ、第２電極２２、保護材料層８３及びオンチップ・マイクロ・レンズ１４を形成する。以上によって、実施例１の撮像素子、積層型撮像素子を得ることができる。
また、図示は省略するが、絶縁層８２を、絶縁層・下層と絶縁層・上層の２層構成とすることもできる。即ち、少なくとも、電荷蓄積用電極２４の上、及び、電荷蓄積用電極２４と第１電極２１との間の領域に、絶縁層・下層を形成し（より具体的には、電荷蓄積用電極２４を含む層間絶縁層８１上に絶縁層・下層を形成し）、絶縁層・下層に平坦化処理を施した後、絶縁層・下層及び電荷蓄積用電極２４の上に絶縁層・上層を形成すればよく、これによって、絶縁層８２の平坦化を確実に達成することができる。そして、こうして得られた絶縁層８２に接続部６７を開口すればよい。
実施例１の撮像素子を構成する第１電極及び電荷蓄積用電極の別の変形例の模式的な配置図を図１１に示すが、この例にあっては、４つの撮像素子において、４つの電荷蓄積用電極２４に対応して共通の１つの第１電極２１が設けられている。
実施例２は実施例１の変形である。実施例１においては、酸化膜２３Ｂを、例えば、厚さ１０ｎｍのＴｉＯ2といった金属酸化物から構成し、酸化物半導体層２３Ｃを、例えば、厚さ５０ｎｍのＩＧＺＯから構成した。一方、実施例２においては、ＴｉＯ2から成る酸化膜２３Ｂに、シリコン（Ｓｉ）を１．５８原子％添加した。具体的には、酸化物半導体層２３Ｃ上に、ＡＬＤ法に基づき１原子層分のＴｉＯ2層を、所望の層数、積層し、次いで、その上に、ＡＬＤ法に基づき所望の１原子層分のＳｉ層を、１層、形成するといった操作を、所望の回数、繰り返し行った後、熱処理を施すことで、Ｓｉが添加されたＴｉＯ2から成る酸化膜２３Ｂを得ることができる。但し、このような方法に限定するものではなく、例えば、コ・スパッタリング法に基づき酸化膜を形成することもできる。
ＴｉＯ2から成る酸化膜２３ＢにＳｉを添加することによって、撮像素子の製造工程における例えば３５０゜Ｃの熱処理において、酸化膜の結晶化を抑制することができる。シリコン（Ｓｉ）を添加していない場合のＴｉＯ2膜における単位面積当たりの結晶粒数を「１．００」としたとき、シリコン（Ｓｉ）を添加している場合のＴｉＯ2膜における単位面積当たりの結晶粒数は、０．０４３となり、シリコン（Ｓｉ）を添加している場合のＴｉＯ2膜における単位面積当たりの結晶粒数は、シリコン（Ｓｉ）を添加していない場合のＴｉＯ2膜における単位面積当たりの結晶粒数と比較して、激減していることが判った。尚、ニオブ（Ｎｂ）、タングステン（Ｗ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、アルミニウム（Ａｌ）、炭素（Ｃ）や窒素（Ｎ）を添加することでも、同様の効果を得ることができた。
実施例３は、実施例１〜実施例２の変形である。図１２に模式的な一部断面図を示す実施例３の撮像素子、積層型撮像素子は、表面照射型の撮像素子、積層型撮像素子であり、緑色光を吸収する第１タイプの緑色光用光電変換層を備えた緑色光に感度を有する第１タイプの実施例１〜実施例２の緑色光用撮像素子（第１撮像素子１０）、青色光を吸収する第２タイプの青色光用光電変換層を備えた青色光に感度を有する第２タイプの従来の青色光用撮像素子（第２撮像素子１１）、赤色光を吸収する第２タイプの赤色光用光電変換層を備えた赤色光に感度を有する第２タイプの従来の赤色光用撮像素子（第３撮像素子１２）の３つの撮像素子が積層された構造を有する。ここで、赤色光用撮像素子（第３撮像素子１２）及び青色光用撮像素子（第２撮像素子１１）は半導体基板７０内に設けられており、第２撮像素子１１の方が第３撮像素子１２よりも光入射側に位置する。また、緑色光用撮像素子（第１撮像素子１０）は、青色光用撮像素子（第２撮像素子１１）の上方に設けられている。
尚、図１７、図２４、図３９、図４０、図４１及び図４２においては、酸化膜２３Ｂ及び酸化物半導体層２３Ｃを纏めて参照番号２３Ｄにて図示するし、図２６、図３２、図３３Ａ、図３３Ｂ、図３６Ａ及び図３６Ｂにおいては、光電変換層２３Ａ、酸化膜２３Ｂ及び酸化物半導体層２３Ｃを纏めて『光電変換積層体２３』として図示する。
半導体基板７０の表面７０Ａ側には、実施例１と同様に制御部を構成する各種トランジスタが設けられている。これらのトランジスタは、実質的に実施例１において説明したトランジスタと同様の構成、構造とすることができる。また、半導体基板７０には、第２撮像素子１１、第３撮像素子１２が設けられているが、これらの撮像素子も、実質的に実施例１において説明した第２撮像素子１１、第３撮像素子１２と同様の構成、構造とすることができる。
半導体基板７０の表面７０Ａの上方には層間絶縁層８１が形成されており、層間絶縁層８１の上方に、実施例１〜実施例２の撮像素子と同様に、第１電極２１、酸化物半導体層２３Ｃ、酸化膜２３Ｂ、光電変換層２３Ａ及び第２電極２２、並びに、電荷蓄積用電極２４等が設けられている。
このように、表面照射型である点を除き、実施例３の撮像素子、積層型撮像素子の構成、構造は、実施例１〜実施例２の撮像素子、積層型撮像素子の構成、構造と同様とすることができるので、詳細な説明は省略する。
実施例４は、実施例１〜実施例３の変形である。
図１３に模式的な一部断面図を示す実施例４の撮像素子、積層型撮像素子は、裏面照射型の撮像素子、積層型撮像素子であり、第１タイプの実施例１の第１撮像素子１０、及び、第２タイプの第３撮像素子１２の２つの撮像素子が積層された構造を有する。また、図１４に模式的な一部断面図を示す実施例４の撮像素子、積層型撮像素子の変形例は、表面照射型の撮像素子、積層型撮像素子であり、第１タイプの実施例１の第１撮像素子１０、及び、第２タイプの第３撮像素子１２の２つの撮像素子が積層された構造を有する。ここで、第１撮像素子１０は原色の光を吸収し、第３撮像素子１２は補色の光を吸収する。あるいは又、第１撮像素子１０は白色光を吸収し、第３撮像素子１２は赤外線を吸収する。
図１５に模式的な一部断面図を示す実施例４の撮像素子の変形例は、裏面照射型の撮像素子であり、第１タイプの実施例１の第１撮像素子１０から構成されている。また、図１６に模式的な一部断面図を示す実施例４の撮像素子の変形例は、表面照射型の撮像素子であり、第１タイプの実施例１の第１撮像素子１０から構成されている。ここで、第１撮像素子１０は、赤色光を吸収する撮像素子（赤色光用撮像素子）、緑色光を吸収する撮像素子（緑色光用撮像素子）、青色光を吸収する撮像素子（青色光用撮像素子）の３種類の撮像素子から構成されている。更には、これらの撮像素子の複数から、本開示の第１の態様に係る固体撮像装置が構成される。複数のこれらの撮像素子の配置として、ベイヤ配列を挙げることができる。
第１タイプの実施例１の撮像素子を１つ、設ける代わりに、２つ、積層する形態（即ち、光電変換部を２つ、積層し、半導体基板に２つの光電変換部の制御部を設ける形態）、あるいは又、３つ、積層する形態（即ち、光電変換部を３つ、積層し、半導体基板に３つの光電変換部の制御部を設ける形態）とすることもできる。第１タイプの撮像素子と第２タイプの撮像素子の積層構造例を、以下の表に例示する。
Figure 2020017330
実施例５は、実施例１〜実施例４の変形であり、本開示の転送制御用電極（電荷転送電極）を備えた撮像素子等に関する。実施例５の撮像素子、積層型撮像素子の一部分の模式的な一部断面図を図１７に示し、実施例５の撮像素子、積層型撮像素子の等価回路図を図１８及び図１９に示し、実施例５の撮像素子を構成する第１電極、転送制御用電極及び電荷蓄積用電極並びに制御部を構成するトランジスタの模式的な配置図を図２０に示し、実施例５の撮像素子の動作時の各部位における電位の状態を模式的に図２１及び図２２に示し、実施例５の撮像素子の各部位を説明するための等価回路図を図７Ｂに示す。
実施例５の撮像素子、積層型撮像素子にあっては、第１電極２１と電荷蓄積用電極２４との間に、第１電極２１及び電荷蓄積用電極２４と離間して配置され、且つ、絶縁層８２を介して酸化物半導体層２３Ｃと対向して配置された転送制御用電極（電荷転送電極）２５を更に備えている。転送制御用電極２５は、層間絶縁層８１内に設けられた接続孔６８Ｂ、パッド部６８Ａ及び配線ＶOTを介して、駆動回路を構成する画素駆動回路に接続されている。
以下、図２１、図２２を参照して、実施例５の撮像素子（第１撮像素子１０）の動作を説明する。尚、図２１と図２２とでは、特に、電荷蓄積用電極２４に印加される電位及び点ＰCにおける電位の値が相違している。
電荷蓄積期間において、駆動回路から、第１電極２１に電位Ｖ11が印加され、電荷蓄積用電極２４に電位Ｖ31が印加され、転送制御用電極２５に電位Ｖ51が印加される。光電変換層２３Ａに入射された光によって光電変換層２３Ａにおいて光電変換が生じる。光電変換によって生成した正孔は、第２電極２２から配線ＶOUを介して駆動回路へと送出される。一方、第１電極２１の電位を第２電極２２の電位よりも高くしたので、即ち、例えば、第１電極２１に正の電位が印加され、第２電極２２に負の電位が印加されるとしたので、Ｖ31＞Ｖ51（例えば、Ｖ31＞Ｖ11＞Ｖ51、又は、Ｖ11＞Ｖ31＞Ｖ51）とする。これによって、光電変換によって生成した電子は、電荷蓄積用電極２４に引き付けられ、電荷蓄積用電極２４と対向した酸化物半導体層２３Ｃ等の領域に止まる。即ち、酸化物半導体層２３Ｃ等に電荷が蓄積される。Ｖ31＞Ｖ51であるが故に、光電変換層２３Ａの内部に生成した電子が、第１電極２１に向かって移動することを確実に防止することができる。光電変換の時間経過に伴い、電荷蓄積用電極２４と対向した酸化物半導体層２３Ｃ等の領域における電位は、より負側の値となる。
電荷蓄積期間の後期において、リセット動作がなされる。これによって、第１浮遊拡散層ＦＤ1の電位がリセットされ、第１浮遊拡散層ＦＤ1の電位は電源の電位ＶDDとなる。
リセット動作の完了後、電荷の読み出しを行う。即ち、電荷転送期間において、駆動回路から、第１電極２１に電位Ｖ12が印加され、電荷蓄積用電極２４に電位Ｖ32が印加され、転送制御用電極２５に電位Ｖ52が印加される。ここで、Ｖ32≦Ｖ52≦Ｖ12（好ましくは、Ｖ32＜Ｖ52＜Ｖ12）とする。これによって、電荷蓄積用電極２４と対向した酸化物半導体層２３Ｃ等の領域に止まっていた電子は、第１電極２１、更には、第１浮遊拡散層ＦＤ1へと確実に読み出される。即ち、酸化物半導体層２３Ｃ等に蓄積された電荷が制御部に読み出される。
以上で、電荷蓄積、リセット動作、電荷転送といった一連の動作が完了する。
第１浮遊拡散層ＦＤ1へ電子が読み出された後の増幅トランジスタＴＲ１amp、選択トランジスタＴＲ１selの動作は、従来のこれらのトランジスタの動作と同じである。また、例えば、第２撮像素子１１、第３撮像素子１２の電荷蓄積、リセット動作、電荷転送といった一連の動作は、従来の電荷蓄積、リセット動作、電荷転送といった一連の動作と同様である。
実施例５の撮像素子の変形例を構成する第１電極及び電荷蓄積用電極並びに制御部を構成するトランジスタの模式的な配置図を図２３に示すように、リセット・トランジスタＴＲ１rstの他方のソース／ドレイン領域５１Ｂを、電源ＶDDに接続する代わりに、接地してもよい。
また、第１電極２１に最も近い位置から電荷蓄積用電極２４に向けて、複数の転送制御用電極を設けてもよい。
実施例６は、実施例１〜実施例５の変形であり、本開示の電荷排出電極を備えた撮像素子等に関する。実施例６の撮像素子の一部分の模式的な一部断面図を図２４に示し、実施例６の撮像素子の電荷蓄積用電極を備えた光電変換部を構成する第１電極、電荷蓄積用電極及び電荷排出電極の模式的な配置図を図２５に示す。
実施例６の撮像素子にあっては、接続部６９を介して酸化物半導体層２３Ｃに接続され、第１電極２１及び電荷蓄積用電極２４と離間して配置された電荷排出電極２６を更に備えている。ここで、電荷排出電極２６は、第１電極２１及び電荷蓄積用電極２４を取り囲むように（即ち、額縁状に）配置されている。電荷排出電極２６は、駆動回路を構成する画素駆動回路に接続されている。接続部６９内には、酸化物半導体層２３Ｃ及び酸化膜２３Ｂが延在している。即ち、酸化物半導体層２３Ｃ及び酸化膜２３Ｂは、絶縁層８２に設けられた第２開口部８５内を延在し、電荷排出電極２６と接続されている。電荷排出電極２６は、複数の撮像素子において共有化（共通化）されている。第２開口部８５の側面には上方に向かって広がる傾斜が形成されていてもよい。電荷排出電極２６は、例えば、光電変換部のフローティングディフュージョンやオーバーフロードレインとして用いることができる。
実施例６にあっては、電荷蓄積期間において、駆動回路から、第１電極２１に電位Ｖ11が印加され、電荷蓄積用電極２４に電位Ｖ31が印加され、電荷排出電極２６に電位Ｖ61が印加され、酸化物半導体層２３Ｃ等に電荷が蓄積される。光電変換層２３Ａに入射された光によって光電変換層２３Ａにおいて光電変換が生じる。光電変換によって生成した正孔は、第２電極２２から配線ＶOUを介して駆動回路へと送出される。一方、第１電極２１の電位を第２電極２２の電位よりも高くしたので、即ち、例えば、第１電極２１に正の電位が印加され、第２電極２２に負の電位が印加されるとしたので、Ｖ61＞Ｖ11（例えば、Ｖ31＞Ｖ61＞Ｖ11）とする。これによって、光電変換によって生成した電子は、電荷蓄積用電極２４に引き付けられ、電荷蓄積用電極２４と対向した酸化物半導体層２３Ｃ等の領域に止まり、第１電極２１に向かって移動することを確実に防止することができる。但し、電荷蓄積用電極２４による引き付けが充分ではなく、あるいは又、酸化物半導体層２３Ｃ等に蓄積しきれなかった電子（所謂オーバーフローした電子）は、電荷排出電極２６を経由して、駆動回路に送出される。
電荷蓄積期間の後期において、リセット動作がなされる。これによって、第１浮遊拡散層ＦＤ1の電位がリセットされ、第１浮遊拡散層ＦＤ1の電位は電源の電位ＶDDとなる。
リセット動作の完了後、電荷の読み出しを行う。即ち、電荷転送期間において、駆動回路から、第１電極２１に電位Ｖ12が印加され、電荷蓄積用電極２４に電位Ｖ32が印加され、電荷排出電極２６に電位Ｖ62が印加される。ここで、Ｖ62＜Ｖ12（例えば、Ｖ62＜Ｖ32＜Ｖ12）とする。これによって、電荷蓄積用電極２４と対向した酸化物半導体層２３Ｃ等の領域に止まっていた電子は、第１電極２１、更には、第１浮遊拡散層ＦＤ1へと確実に読み出される。即ち、酸化物半導体層２３Ｃ等に蓄積された電荷が制御部に読み出される。
以上で、電荷蓄積、リセット動作、電荷転送といった一連の動作が完了する。
第１浮遊拡散層ＦＤ1へ電子が読み出された後の増幅トランジスタＴＲ１amp、選択トランジスタＴＲ１selの動作は、従来のこれらのトランジスタの動作と同じである。また、例えば、第２撮像素子、第３撮像素子の電荷蓄積、リセット動作、電荷転送といった一連の動作は、従来の電荷蓄積、リセット動作、電荷転送といった一連の動作と同様である。
実施例６にあっては、所謂オーバーフローした電子は電荷排出電極２６を経由して駆動回路に送出されるので、隣接画素の電荷蓄積部への漏れ込みを抑制することができ、ブルーミングの発生を抑えることができる。そして、これにより、撮像素子の撮像性能を向上させることができる。
実施例７は、実施例１〜実施例６の変形であり、本開示の電荷移動制御電極を備えた撮像素子等、具体的には、本開示の下部電荷移動制御電極（下方・電荷移動制御電極）を備えた撮像素子等に関する。実施例７の撮像素子の一部分の模式的な一部断面図を図２６に示し、実施例７の撮像素子を構成する第１電極及び電荷蓄積用電極等並びに制御部を構成するトランジスタの模式的な配置図を図２７に示し、実施例７の撮像素子の電荷蓄積用電極を備えた光電変換部を構成する第１電極、電荷蓄積用電極及び下部電荷移動制御電極の模式的な配置図を図２８、図２９に示す。
実施例７の撮像素子において、隣接する撮像素子の間に位置する光電変換積層体２３の領域（光電変換層の領域−Ａ）２３Aに絶縁層８２を介して対向する領域には、下部電荷移動制御電極２７が形成されている。云い換えれば、隣接する撮像素子のそれぞれを構成する電荷蓄積用電極２４と電荷蓄積用電極２４とによって挟まれた領域（領域−ａ）における絶縁層８２の部分（絶縁層８２の領域−Ａ）８２Aの下に、下部電荷移動制御電極２７が形成されている。下部電荷移動制御電極２７は、電荷蓄積用電極２４と離間して設けられている。あるいは又、云い換えれば、下部電荷移動制御電極２７は、電荷蓄積用電極２４を取り囲んで、電荷蓄積用電極２４と離間して設けられており、下部電荷移動制御電極２７は絶縁層８２を介して、光電変換層の領域−Ａ（２３A）と対向して配置されている。下部電荷移動制御電極２７は撮像素子において共通化されている。そして、下部電荷移動制御電極２７も駆動回路に接続されている。具体的には、下部電荷移動制御電極２７は、層間絶縁層８１内に設けられた接続孔２７Ａ、パッド部２７Ｂ及び配線ＶOBを介して、駆動回路を構成する垂直駆動回路１１２に接続されている。下部電荷移動制御電極２７は、第１電極２１あるいは電荷蓄積用電極２４と同じレベルに形成されていてもよいし、異なるレベル（具体的には、第１電極２１あるいは電荷蓄積用電極２４よりも下方のレベル）に形成されていてもよい。前者の場合、電荷移動制御電極２７と光電変換層２３Ａとの間の距離を短くできるので、ポテンシャルを制御し易い。一方、後者の場合、電荷移動制御電極２７と電荷蓄積用電極２４との間の距離を短くすることができるため、微細化に有利である。
実施例７の撮像素子にあっては、光電変換層２３Ａに光が入射して光電変換層２３Ａにおいて光電変換が生じるとき、電荷蓄積用電極２４に対向する光電変換層２３Ａの部分に加えられる電位の絶対値は、光電変換層２３Ａの領域−Ａに加えられる電位の絶対値よりも大きな値であるが故に、光電変換によって生成した電荷は電荷蓄積用電極２４に対向する酸化物半導体層２３Ｃの部分に強く引き付けられる。その結果、光電変換によって生成した電荷が隣接する撮像素子に流れ込むことを抑制することができるので、撮影された映像（画像）に品質劣化が生じることが無い。あるいは又、光電変換層２３Ａの領域−Ａに絶縁層を介して対向する領域には下部電荷移動制御電極２７が形成されているが故に、下部電荷移動制御電極２７の上方に位置する光電変換層２３Ａの領域−Ａの電界や電位を制御することができる。その結果、光電変換によって生成した電荷が隣接する撮像素子に流れ込むことを下部電荷移動制御電極２７によって抑制することができるので、撮影された映像（画像）に品質劣化が生じることが無い。
図２８及び図２９に示す例にあっては、電荷蓄積用電極２４と電荷蓄積用電極２４とによって挟まれた領域（領域−ａ）における絶縁層８２の部分８２Aの下に、下部電荷移動制御電極２７が形成されている。一方、図３０、図３１Ａ、図３１Ｂに示す例にあっては、４つの電荷蓄積用電極２４によって囲まれた領域における絶縁層８２の部分の下に、下部電荷移動制御電極２７が形成されている。尚、図３０、図３１Ａ、図３１Ｂに示す例は、第１構成及び第２構成の固体撮像装置でもある。そして、４つの撮像素子において、４つの電荷蓄積用電極２４に対応して共通の１つの第１電極２１が設けられている。
図３１Ｂに示す例では、４つの撮像素子において、４つの電荷蓄積用電極２４に対応して共通の１つの第１電極２１が設けられており、４つの電荷蓄積用電極２４によって囲まれた領域における絶縁層８２の部分の下に、下部電荷移動制御電極２７が形成されており、更には、４つの電荷蓄積用電極２４によって囲まれた領域における絶縁層８２の部分の下に電荷排出電極２６が形成されている。前述したとおり、電荷排出電極２６は、例えば、光電変換部のフローティングディフュージョンやオーバーフロードレインとして用いることができる。
実施例８は、実施例１〜実施例７の変形であり、本開示の上部電荷移動制御電極（上方・電荷移動制御電極）を備えた撮像素子等に関する。実施例８の撮像素子（並置された２つの撮像素子）の一部分の模式的な断面図を図３２に示し、実施例８の撮像素子（並置された２×２の撮像素子）の一部分の模式的な平面図を図３４及び図３５に示す。実施例８の撮像素子において、隣接する撮像素子の間に位置する光電変換積層体２３の領域２３Aの上には、第２電極２２が形成される代わりに、上部電荷移動制御電極２８が形成されている。上部電荷移動制御電極２８は、第２電極２２と離間して設けられている。云い換えれば、第２電極２２は撮像素子毎に設けられており、上部電荷移動制御電極２８は、第２電極２２の少なくとも一部を取り囲んで、第２電極２２と離間して、光電変換積層体２３の領域−Ａの上に設けられている。上部電荷移動制御電極２８は、第２電極２２と同じレベルに形成されている。
また、実施例８の撮像素子（並置された２つの撮像素子）の一部分の模式的な断面図を図３３Ａに示すように、第２電極２２が複数に分割され、各分割された第２電極２２に個別に異なる電位を印加してもよい。更には、図３３Ｂに示すように、分割された第２電極２２と第２電極２２との間に上部電荷移動制御電極２８が設けられていてもよい。
尚、図３４に示す例にあっては、１つの撮像素子において、１つの第１電極２１に対応して１つの電荷蓄積用電極２４が設けられている。一方、図３５に示す変形例にあっては、２つの撮像素子において、２つの電荷蓄積用電極２４に対応して共通の１つの第１電極２１が設けられている。図３２に示す実施例８の撮像素子（並置された２つの撮像素子）の一部分の模式的な断面図は図３５に対応する。
実施例８にあっては、光入射側に位置する第２電極２２は、図３４の紙面、左右方向に配列された撮像素子において共通化されているし、図３４の紙面、上下方向に配列された一対の撮像素子において共通化されている。また、上部電荷移動制御電極２８も、図３４の紙面、左右方向に配列された撮像素子において共通化されているし、図３４の紙面、上下方向に配列された一対の撮像素子において共通化されている。第２電極２２及び上部電荷移動制御電極２８は、光電変換積層体２３の上に第２電極２２及び上部電荷移動制御電極２８を構成する材料層を成膜した後、この材料層をパターニングすることで得ることができる。第２電極２２、上部電荷移動制御電極２８のそれぞれは、別々に配線（図示せず）に接続されており、これらの配線は駆動回路に接続されている。第２電極２２に接続された配線は、複数の撮像素子において共通化されている。上部電荷移動制御電極２８に接続された配線も、複数の撮像素子において共通化されている。
実施例８の撮像素子にあっては、電荷蓄積期間において、駆動回路から、第２電極２２に電位Ｖ21が印加され、上部電荷移動制御電極２８に電位Ｖ41が印加され、光電変換積層体２３に電荷が蓄積され、電荷転送期間において、駆動回路から、第２電極２２に電位Ｖ22が印加され、上部電荷移動制御電極２８に電位Ｖ42が印加され、光電変換積層体２３に蓄積された電荷が第１電極２１を経由して制御部に読み出される。ここで、第１電極２１の電位が第２電極２２の電位よりも高いとしたので、
Ｖ21≧Ｖ41、且つ、Ｖ22≧Ｖ42
である。
以上のとおり、実施例８の撮像素子にあっては、隣接する撮像素子の間に位置する光電変換層の領域の上には、第２電極が形成される代わりに、電荷移動制御電極が形成されているが故に、光電変換によって生成した電荷が隣接する撮像素子に流れ込むことを電荷移動制御電極によって抑制することができるので、撮影された映像（画像）に品質劣化が生じることが無い。
実施例８の撮像素子（並置された２つの撮像素子）の変形例の一部分の模式的な断面図を図３６Ａに示し、一部分の模式的な平面図を図３７Ａ及び図３７Ｂに示す。この変形例において、第２電極２２は撮像素子毎に設けられており、上部電荷移動制御電極２８は、第２電極２２の少なくとも一部を取り囲んで、第２電極２２と離間して設けられており、上部電荷移動制御電極２８の下方には、電荷蓄積用電極２４の一部が存在する。第２電極２２は、電荷蓄積用電極２４の上方に、電荷蓄積用電極２４より小さい大きさで設けられている。
実施例８の撮像素子（並置された２つの撮像素子）の変形例の一部分の模式的な断面図を図３６Ｂに示し、一部分の模式的な平面図を、図３８Ａ及び図３８Ｂに示す。この変形例において、第２電極２２は撮像素子毎に設けられており、上部電荷移動制御電極２８は、第２電極２２の少なくとも一部を取り囲んで、第２電極２２と離間して設けられており、上部電荷移動制御電極２８の下方には、電荷蓄積用電極２４の一部が存在し、しかも、上部電荷移動制御電極（上方・電荷移動制御電極）２８の下方には、下部電荷移動制御電極（下方・電荷移動制御電極）２７が設けられている。第２電極２２の大きさは、図３６Ａに示した変形例よりも小さい。即ち、上部電荷移動制御電極２８と対向する第２電極２２の領域は、図３６Ａに示した変形例における上部電荷移動制御電極２８と対向する第２電極２２の領域よりも、第１電極２１側に位置する。電荷蓄積用電極２４は、下部電荷移動制御電極２７によって囲まれている。
以上、本開示を好ましい実施例に基づき説明したが、本開示はこれらの実施例に限定されるものではない。実施例にて説明した撮像素子、積層型撮像素子、固体撮像装置の構造や構成、製造条件、製造方法、使用した材料は例示であり、適宜変更することができる。各実施例の撮像素子を、適宜、組み合わせることができる。本開示の撮像素子の構成、構造を、発光素子、例えば、有機ＥＬ素子に適用することもできるし、薄膜トランジスタのチャネル形成領域に適用することもできる。
場合によっては、前述したとおり、浮遊拡散層ＦＤ1，ＦＤ2，ＦＤ3，５１Ｃ，４５Ｃ，４６Ｃを共有化することもできる。
また、図３９に、例えば、実施例１において説明した撮像素子、積層型撮像素子の変形例を示すように、第２電極２２の側から光が入射し、第２電極２２よりの光入射側には遮光層１５が形成されている構成とすることもできる。尚、光電変換層よりも光入射側に設けられた各種配線を遮光層として機能させることもできる。
尚、図３９に示した例では、遮光層１５は、第２電極２２の上方に形成されているが、即ち、第２電極２２よりの光入射側であって、第１電極２１の上方に遮光層１５が形成されているが、図４０に示すように、第２電極２２の光入射側の面の上に配設されてもよい。また、場合によっては、図４１に示すように、第２電極２２に遮光層１５が形成されていてもよい。
あるいは又、第２電極２２側から光が入射し、第１電極２１には光が入射しない構造とすることもできる。具体的には、図３９に示したように、第２電極２２よりの光入射側であって、第１電極２１の上方には遮光層１５が形成されている。あるいは又、図４３に示すように、電荷蓄積用電極２４及び第２電極２２の上方にはオンチップ・マイクロ・レンズ１４が設けられており、オンチップ・マイクロ・レンズ１４に入射する光は、電荷蓄積用電極２４に集光され、第１電極２１には到達しない構造とすることもできる。尚、実施例５において説明したように、転送制御用電極２５が設けられている場合、第１電極２１及び転送制御用電極２５には光が入射しない形態とすることができ、具体的には、図４２に図示するように、第１電極２１及び転送制御用電極２５の上方には遮光層１５が形成されている構造とすることもできる。あるいは又、オンチップ・マイクロ・レンズ１４に入射する光は、第１電極２１あるいは第１電極２１及び転送制御用電極２５には到達しない構造とすることもできる。
これらの構成、構造を採用することで、あるいは又、電荷蓄積用電極２４の上方に位置する光電変換部の部分のみに光が入射するように遮光層１５を設け、あるいは又、オンチップ・マイクロ・レンズ１４を設計することで、第１電極２１の上方（あるいは、第１電極２１及び転送制御用電極２５の上方）に位置する光電変換部の部分は光電変換に寄与しなくなるので、全画素をより確実に一斉にリセットすることができ、グローバルシャッター機能を一層容易に実現することができる。即ち、これらの構成、構造を有する撮像素子を、複数、備えた固体撮像装置の駆動方法にあっては、
全ての撮像素子において、一斉に、酸化物半導体層２３Ｃ等に電荷を蓄積しながら、第１電極２１における電荷を系外に排出し、その後、
全ての撮像素子において、一斉に、酸化物半導体層２３Ｃ等に蓄積された電荷を第１電極２１に転送し、転送完了後、順次、各撮像素子において第１電極２１に転送された電荷を読み出す、
各工程を繰り返す。
このような固体撮像装置の駆動方法にあっては、各撮像素子は、第２電極側から入射した光が第１電極には入射しない構造を有し、全ての撮像素子において、一斉に、酸化物半導体層等に電荷を蓄積しながら、第１電極における電荷を系外に排出するので、全撮像素子において同時に第１電極のリセットを確実に行うことができる。そして、その後、全ての撮像素子において、一斉に、酸化物半導体層等に蓄積された電荷を第１電極に転送し、転送完了後、順次、各撮像素子において第１電極に転送された電荷を読み出す。それ故、所謂グローバルシャッター機能を容易に実現することができる。
複数の撮像素子において共通化された１層の酸化物半導体層２３Ｃ及び酸化膜２３Ｂが形成されている場合、酸化物半導体層２３Ｃ及び酸化膜２３Ｂの端部は、少なくとも光電変換層２３Ａで覆われていることが、酸化物半導体層２３Ｃ及び酸化膜２３Ｂの端部の保護といった観点から望ましい。このような場合の撮像素子の構造は、模式的な断面図を図２に示した酸化物半導体層２３Ｃ及び酸化膜２３Ｂの右端に図示するような構造とすればよい。
図４４に模式的な一部断面図を示す実施例４の撮像素子の変形例において、各撮像素子（青色光用撮像素子１０Ｂ、緑色光用撮像素子１０Ｇ及び赤色光用撮像素子１０Ｒ）の光入射側には、青色、緑色、赤色の分光を行うためのカラーフィルタ層１６Ｂ，１６Ｇ，１６Ｒが配設されている。この場合、撮像素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂは、白色光を吸収する光電変換層２３Ａが形成された裏面照射型あるいは表面照射型の撮像素子から構成すればよい。撮像素子１０Ｂ，１０Ｇ，１０Ｒは、カラーフィルタ層１６Ｂ，１６Ｇ，１６Ｒが異なる点を除き、同じ構成、構造を有する。また、光電変換層２３Ａは、撮像素子１０Ｂ，１０Ｇ，１０Ｒにおいて共通とすることができる。
実施例においては、電子を信号電荷としており、半導体基板に形成された光電変換層の導電型をｎ型としたが、正孔を信号電荷とする固体撮像装置にも適用できる。この場合には、各半導体領域を逆の導電型の半導体領域で構成すればよく、半導体基板に形成された光電変換層の導電型はｐ型とすればよい。
また、実施例にあっては、入射光量に応じた信号電荷を物理量として検知する単位画素が行列状に配置されて成るＣＭＯＳ型固体撮像装置に適用した場合を例に挙げて説明したが、ＣＭＯＳ型固体撮像装置への適用に限られるものではなく、ＣＣＤ型固体撮像装置に適用することもできる。後者の場合、信号電荷は、ＣＣＤ型構造の垂直転送レジスタによって垂直方向に転送され、水平転送レジスタによって水平方向に転送され、増幅されることにより画素信号（画像信号）が出力される。また、画素が２次元マトリクス状に形成され、画素列毎にカラム信号処理回路を配置して成るカラム方式の固体撮像装置全般に限定するものでもない。更には、場合によっては、選択トランジスタを省略することもできる。
更には、本開示の撮像素子、積層型撮像素子は、可視光の入射光量の分布を検知して画像として撮像する固体撮像装置への適用に限らず、赤外線やＸ線、あるいは、粒子等の入射量の分布を画像として撮像する固体撮像装置にも適用可能である。また、広義には、圧力や静電容量等、他の物理量の分布を検知して画像として撮像する指紋検出センサ等の固体撮像装置（物理量分布検知装置）全般に対して適用可能である。
更には、撮像領域の各単位画素を行単位で順に走査して各単位画素から画素信号を読み出す固体撮像装置に限られるものではない。画素単位で任意の画素を選択して、選択画素から画素単位で画素信号を読み出すＸ−Ｙアドレス型の固体撮像装置に対しても適用可能である。固体撮像装置はワンチップとして形成された形態であってもよいし、撮像領域と、駆動回路又は光学系とを纏めてパッケージングされた撮像機能を有するモジュール状の形態であってもよい。
また、固体撮像装置への適用に限られるものではなく、撮像装置にも適用可能である。ここで、撮像装置とは、デジタルスチルカメラやビデオカメラ等のカメラシステムや、携帯電話機等の撮像機能を有する電子機器を指す。電子機器に搭載されるモジュール状の形態、即ち、カメラモジュールを撮像装置とする場合もある。
本開示の撮像素子、積層型撮像素子から構成された固体撮像装置２０１を電子機器（カメラ）２００に用いた例を、図５０に概念図として示す。電子機器２００は、固体撮像装置２０１、光学レンズ２１０、シャッタ装置２１１、駆動回路２１２、及び、信号処理回路２１３を有する。光学レンズ２１０は、被写体からの像光（入射光）を固体撮像装置２０１の撮像面上に結像させる。これにより固体撮像装置２０１内に、一定期間、信号電荷が蓄積される。シャッタ装置２１１は、固体撮像装置２０１への光照射期間及び遮光期間を制御する。駆動回路２１２は、固体撮像装置２０１の転送動作等及びシャッタ装置２１１のシャッタ動作を制御する駆動信号を供給する。駆動回路２１２から供給される駆動信号（タイミング信号）により、固体撮像装置２０１の信号転送を行う。信号処理回路２１３は、各種の信号処理を行う。信号処理が行われた映像信号は、メモリ等の記憶媒体に記憶され、あるいは、モニタに出力される。このような電子機器２００では、固体撮像装置２０１における画素サイズの微細化及び転送効率の向上を達成することができるので、画素特性の向上が図られた電子機器２００を得ることができる。固体撮像装置２０１を適用できる電子機器２００としては、カメラに限られるものではなく、デジタルスチルカメラ、携帯電話機等のモバイル機器向けカメラモジュール等の撮像装置に適用可能である。
本開示に係る技術（本技術）は、様々な製品へ応用することができる。例えば、本開示に係る技術は、自動車、電気自動車、ハイブリッド電気自動車、自動二輪車、自転車、パーソナルモビリティ、飛行機、ドローン、船舶、ロボット等のいずれかの種類の移動体に搭載される装置として実現されてもよい。
図５２は、本開示に係る技術が適用され得る移動体制御システムの一例である車両制御システムの概略的な構成例を示すブロック図である。
車両制御システム１２０００は、通信ネットワーク１２００１を介して接続された複数の電子制御ユニットを備える。図５２に示した例では、車両制御システム１２０００は、駆動系制御ユニット１２０１０、ボディ系制御ユニット１２０２０、車外情報検出ユニット１２０３０、車内情報検出ユニット１２０４０、及び統合制御ユニット１２０５０を備える。また、統合制御ユニット１２０５０の機能構成として、マイクロコンピュータ１２０５１、音声画像出力部１２０５２、及び車載ネットワークＩ／Ｆ（ｉｎｔｅｒｆａｃｅ）１２０５３が図示されている。
駆動系制御ユニット１２０１０は、各種プログラムにしたがって車両の駆動系に関連する装置の動作を制御する。例えば、駆動系制御ユニット１２０１０は、内燃機関又は駆動用モータ等の車両の駆動力を発生させるための駆動力発生装置、駆動力を車輪に伝達するための駆動力伝達機構、車両の舵角を調節するステアリング機構、及び、車両の制動力を発生させる制動装置等の制御装置として機能する。
ボディ系制御ユニット１２０２０は、各種プログラムにしたがって車体に装備された各種装置の動作を制御する。例えば、ボディ系制御ユニット１２０２０は、キーレスエントリシステム、スマートキーシステム、パワーウィンドウ装置、あるいは、ヘッドランプ、バックランプ、ブレーキランプ、ウィンカー又はフォグランプ等の各種ランプの制御装置として機能する。この場合、ボディ系制御ユニット１２０２０には、鍵を代替する携帯機から発信される電波又は各種スイッチの信号が入力され得る。ボディ系制御ユニット１２０２０は、これらの電波又は信号の入力を受け付け、車両のドアロック装置、パワーウィンドウ装置、ランプ等を制御する。
車外情報検出ユニット１２０３０は、車両制御システム１２０００を搭載した車両の外部の情報を検出する。例えば、車外情報検出ユニット１２０３０には、撮像部１２０３１が接続される。車外情報検出ユニット１２０３０は、撮像部１２０３１に車外の画像を撮像させるとともに、撮像された画像を受信する。車外情報検出ユニット１２０３０は、受信した画像に基づいて、人、車、障害物、標識又は路面上の文字等の物体検出処理又は距離検出処理を行ってもよい。
撮像部１２０３１は、光を受光し、その光の受光量に応じた電気信号を出力する光センサである。撮像部１２０３１は、電気信号を画像として出力することもできるし、測距の情報として出力することもできる。また、撮像部１２０３１が受光する光は、可視光であっても良いし、赤外線等の非可視光であっても良い。
車内情報検出ユニット１２０４０は、車内の情報を検出する。車内情報検出ユニット１２０４０には、例えば、運転者の状態を検出する運転者状態検出部１２０４１が接続される。運転者状態検出部１２０４１は、例えば運転者を撮像するカメラを含み、車内情報検出ユニット１２０４０は、運転者状態検出部１２０４１から入力される検出情報に基づいて、運転者の疲労度合い又は集中度合いを算出してもよいし、運転者が居眠りをしていないかを判別してもよい。
マイクロコンピュータ１２０５１は、車外情報検出ユニット１２０３０又は車内情報検出ユニット１２０４０で取得される車内外の情報に基づいて、駆動力発生装置、ステアリング機構又は制動装置の制御目標値を演算し、駆動系制御ユニット１２０１０に対して制御指令を出力することができる。例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、車両の衝突回避あるいは衝撃緩和、車間距離に基づく追従走行、車速維持走行、車両の衝突警告、又は車両のレーン逸脱警告等を含むＡＤＡＳ（Ａｄｖａｎｃｅｄ Ｄｒｉｖｅｒ Ａｓｓｉｓｔａｎｃｅ Ｓｙｓｔｅｍ）の機能実現を目的とした協調制御を行うことができる。
また、マイクロコンピュータ１２０５１は、車外情報検出ユニット１２０３０又は車内情報検出ユニット１２０４０で取得される車両の周囲の情報に基づいて駆動力発生装置、ステアリング機構又は制動装置等を制御することにより、運転者の操作に拠らずに自律的に走行する自動運転等を目的とした協調制御を行うことができる。
また、マイクロコンピュータ１２０５１は、車外情報検出ユニット１２０３０で取得される車外の情報に基づいて、ボディ系制御ユニット１２０２０に対して制御指令を出力することができる。例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、車外情報検出ユニット１２０３０で検知した先行車又は対向車の位置に応じてヘッドランプを制御し、ハイビームをロービームに切り替える等の防眩を図ることを目的とした協調制御を行うことができる。
音声画像出力部１２０５２は、車両の搭乗者又は車外に対して、視覚的又は聴覚的に情報を通知することが可能な出力装置へ音声及び画像のうちの少なくとも一方の出力信号を送信する。図５２の例では、出力装置として、オーディオスピーカ１２０６１、表示部１２０６２及びインストルメントパネル１２０６３が例示されている。表示部１２０６２は、例えば、オンボードディスプレイ及びヘッドアップディスプレイの少なくとも一つを含んでいてもよい。
図５３は、撮像部１２０３１の設置位置の例を示す図である。
図５３では、車両１２１００は、撮像部１２０３１として、撮像部１２１０１，１２１０２，１２１０３，１２１０４，１２１０５を有する。
撮像部１２１０１，１２１０２，１２１０３，１２１０４，１２１０５は、例えば、車両１２１００のフロントノーズ、サイドミラー、リアバンパ、バックドア及び車室内のフロントガラスの上部等の位置に設けられる。フロントノーズに備えられる撮像部１２１０１及び車室内のフロントガラスの上部に備えられる撮像部１２１０５は、主として車両１２１００の前方の画像を取得する。サイドミラーに備えられる撮像部１２１０２，１２１０３は、主として車両１２１００の側方の画像を取得する。リアバンパ又はバックドアに備えられる撮像部１２１０４は、主として車両１２１００の後方の画像を取得する。撮像部１２１０１及び１２１０５で取得される前方の画像は、主として先行車両又は、歩行者、障害物、信号機、交通標識又は車線等の検出に用いられる。
なお、図５３には、撮像部１２１０１ないし１２１０４の撮影範囲の一例が示されている。撮像範囲１２１１１は、フロントノーズに設けられた撮像部１２１０１の撮像範囲を示し、撮像範囲１２１１２，１２１１３は、それぞれサイドミラーに設けられた撮像部１２１０２，１２１０３の撮像範囲を示し、撮像範囲１２１１４は、リアバンパ又はバックドアに設けられた撮像部１２１０４の撮像範囲を示す。例えば、撮像部１２１０１ないし１２１０４で撮像された画像データが重ね合わせられることにより、車両１２１００を上方から見た俯瞰画像が得られる。
撮像部１２１０１ないし１２１０４の少なくとも１つは、距離情報を取得する機能を有していてもよい。例えば、撮像部１２１０１ないし１２１０４の少なくとも１つは、複数の撮像素子からなるステレオカメラであってもよいし、位相差検出用の画素を有する撮像素子であってもよい。
例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、撮像部１２１０１ないし１２１０４から得られた距離情報を基に、撮像範囲１２１１１ないし１２１１４内における各立体物までの距離と、この距離の時間的変化（車両１２１００に対する相対速度）を求めることにより、特に車両１２１００の進行路上にある最も近い立体物で、車両１２１００と略同じ方向に所定の速度（例えば、０ｋｍ／ｈ以上）で走行する立体物を先行車として抽出することができる。さらに、マイクロコンピュータ１２０５１は、先行車の手前に予め確保すべき車間距離を設定し、自動ブレーキ制御（追従停止制御も含む）や自動加速制御（追従発進制御も含む）等を行うことができる。このように運転者の操作に拠らずに自律的に走行する自動運転等を目的とした協調制御を行うことができる。
例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、撮像部１２１０１ないし１２１０４から得られた距離情報を元に、立体物に関する立体物データを、２輪車、普通車両、大型車両、歩行者、電柱等その他の立体物に分類して抽出し、障害物の自動回避に用いることができる。例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、車両１２１００の周辺の障害物を、車両１２１００のドライバが視認可能な障害物と視認困難な障害物とに識別する。そして、マイクロコンピュータ１２０５１は、各障害物との衝突の危険度を示す衝突リスクを判断し、衝突リスクが設定値以上で衝突可能性がある状況であるときには、オーディオスピーカ１２０６１や表示部１２０６２を介してドライバに警報を出力することや、駆動系制御ユニット１２０１０を介して強制減速や回避操舵を行うことで、衝突回避のための運転支援を行うことができる。
撮像部１２１０１ないし１２１０４の少なくとも１つは、赤外線を検出する赤外線カメラであってもよい。例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、撮像部１２１０１ないし１２１０４の撮像画像中に歩行者が存在するか否かを判定することで歩行者を認識することができる。かかる歩行者の認識は、例えば赤外線カメラとしての撮像部１２１０１ないし１２１０４の撮像画像における特徴点を抽出する手順と、物体の輪郭を示す一連の特徴点にパターンマッチング処理を行って歩行者か否かを判別する手順によって行われる。マイクロコンピュータ１２０５１が、撮像部１２１０１ないし１２１０４の撮像画像中に歩行者が存在すると判定し、歩行者を認識すると、音声画像出力部１２０５２は、当該認識された歩行者に強調のための方形輪郭線を重畳表示するように、表示部１２０６２を制御する。また、音声画像出力部１２０５２は、歩行者を示すアイコン等を所望の位置に表示するように表示部１２０６２を制御してもよい。
また、例えば、本開示に係る技術は、内視鏡手術システムに適用されてもよい。
図５４は、本開示に係る技術（本技術）が適用され得る内視鏡手術システムの概略的な構成の一例を示す図である。
図５４では、術者（医師）１１１３１が、内視鏡手術システム１１０００を用いて、患者ベッド１１１３３上の患者１１１３２に手術を行っている様子が図示されている。図示するように、内視鏡手術システム１１０００は、内視鏡１１１００と、気腹チューブ１１１１１やエネルギー処置具１１１１２等の、その他の術具１１１１０と、内視鏡１１１００を支持する支持アーム装置１１１２０と、内視鏡下手術のための各種の装置が搭載されたカート１１２００と、から構成される。
内視鏡１１１００は、先端から所定の長さの領域が患者１１１３２の体腔内に挿入される鏡筒１１１０１と、鏡筒１１１０１の基端に接続されるカメラヘッド１１１０２と、から構成される。図示する例では、硬性の鏡筒１１１０１を有するいわゆる硬性鏡として構成される内視鏡１１１００を図示しているが、内視鏡１１１００は、軟性の鏡筒を有するいわゆる軟性鏡として構成されてもよい。
鏡筒１１１０１の先端には、対物レンズが嵌め込まれた開口部が設けられている。内視鏡１１１００には光源装置１１２０３が接続されており、当該光源装置１１２０３によって生成された光が、鏡筒１１１０１の内部に延設されるライトガイドによって当該鏡筒の先端まで導光され、対物レンズを介して患者１１１３２の体腔内の観察対象に向かって照射される。なお、内視鏡１１１００は、直視鏡であってもよいし、斜視鏡又は側視鏡であってもよい。
カメラヘッド１１１０２の内部には光学系及び撮像素子が設けられており、観察対象からの反射光（観察光）は当該光学系によって当該撮像素子に集光される。当該撮像素子によって観察光が光電変換され、観察光に対応する電気信号、すなわち観察像に対応する画像信号が生成される。当該画像信号は、ＲＡＷデータとしてカメラコントロールユニット（ＣＣＵ： Ｃａｍｅｒａ Ｃｏｎｔｒｏｌ Ｕｎｉｔ）１１２０１に送信される。
ＣＣＵ１１２０１は、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）やＧＰＵ（Ｇｒａｐｈｉｃｓ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）等によって構成され、内視鏡１１１００及び表示装置１１２０２の動作を統括的に制御する。さらに、ＣＣＵ１１２０１は、カメラヘッド１１１０２から画像信号を受け取り、その画像信号に対して、例えば現像処理（デモザイク処理）等の、当該画像信号に基づく画像を表示するための各種の画像処理を施す。
表示装置１１２０２は、ＣＣＵ１１２０１からの制御により、当該ＣＣＵ１１２０１によって画像処理が施された画像信号に基づく画像を表示する。
光源装置１１２０３は、例えばＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）等の光源から構成され、術部等を撮影する際の照射光を内視鏡１１１００に供給する。
入力装置１１２０４は、内視鏡手術システム１１０００に対する入力インタフェースである。ユーザは、入力装置１１２０４を介して、内視鏡手術システム１１０００に対して各種の情報の入力や指示入力を行うことができる。例えば、ユーザは、内視鏡１１１００による撮像条件（照射光の種類、倍率及び焦点距離等）を変更する旨の指示等を入力する。
処置具制御装置１１２０５は、組織の焼灼、切開又は血管の封止等のためのエネルギー処置具１１１１２の駆動を制御する。気腹装置１１２０６は、内視鏡１１１００による視野の確保及び術者の作業空間の確保の目的で、患者１１１３２の体腔を膨らめるために、気腹チューブ１１１１１を介して当該体腔内にガスを送り込む。レコーダ１１２０７は、手術に関する各種の情報を記録可能な装置である。プリンタ１１２０８は、手術に関する各種の情報を、テキスト、画像又はグラフ等各種の形式で印刷可能な装置である。
なお、内視鏡１１１００に術部を撮影する際の照射光を供給する光源装置１１２０３は、例えばＬＥＤ、レーザ光源又はこれらの組み合わせによって構成される白色光源から構成することができる。ＲＧＢレーザ光源の組み合わせにより白色光源が構成される場合には、各色（各波長）の出力強度及び出力タイミングを高精度に制御することができるため、光源装置１１２０３において撮像画像のホワイトバランスの調整を行うことができる。また、この場合には、ＲＧＢレーザ光源それぞれからのレーザ光を時分割で観察対象に照射し、その照射タイミングに同期してカメラヘッド１１１０２の撮像素子の駆動を制御することにより、ＲＧＢそれぞれに対応した画像を時分割で撮像することも可能である。当該方法によれば、当該撮像素子にカラーフィルタを設けなくても、カラー画像を得ることができる。
また、光源装置１１２０３は、出力する光の強度を所定の時間ごとに変更するようにその駆動が制御されてもよい。その光の強度の変更のタイミングに同期してカメラヘッド１１１０２の撮像素子の駆動を制御して時分割で画像を取得し、その画像を合成することにより、いわゆる黒つぶれ及び白とびのない高ダイナミックレンジの画像を生成することができる。
また、光源装置１１２０３は、特殊光観察に対応した所定の波長帯域の光を供給可能に構成されてもよい。特殊光観察では、例えば、体組織における光の吸収の波長依存性を利用して、通常の観察時における照射光（すなわち、白色光）に比べて狭帯域の光を照射することにより、粘膜表層の血管等の所定の組織を高コントラストで撮影する、いわゆる狭帯域光観察（Ｎａｒｒｏｗ Ｂａｎｄ Ｉｍａｇｉｎｇ）が行われる。あるいは、特殊光観察では、励起光を照射することにより発生する蛍光により画像を得る蛍光観察が行われてもよい。蛍光観察では、体組織に励起光を照射し当該体組織からの蛍光を観察すること（自家蛍光観察）、又はインドシアニングリーン（ＩＣＧ）等の試薬を体組織に局注するとともに当該体組織にその試薬の蛍光波長に対応した励起光を照射し蛍光像を得ること等を行うことができる。光源装置１１２０３は、このような特殊光観察に対応した狭帯域光及び／又は励起光を供給可能に構成され得る。
図５５は、図５４に示すカメラヘッド１１１０２及びＣＣＵ１１２０１の機能構成の一例を示すブロック図である。
カメラヘッド１１１０２は、レンズユニット１１４０１と、撮像部１１４０２と、駆動部１１４０３と、通信部１１４０４と、カメラヘッド制御部１１４０５と、を有する。ＣＣＵ１１２０１は、通信部１１４１１と、画像処理部１１４１２と、制御部１１４１３と、を有する。カメラヘッド１１１０２とＣＣＵ１１２０１とは、伝送ケーブル１１４００によって互いに通信可能に接続されている。
レンズユニット１１４０１は、鏡筒１１１０１との接続部に設けられる光学系である。鏡筒１１１０１の先端から取り込まれた観察光は、カメラヘッド１１１０２まで導光され、当該レンズユニット１１４０１に入射する。レンズユニット１１４０１は、ズームレンズ及びフォーカスレンズを含む複数のレンズが組み合わされて構成される。
撮像部１１４０２は、撮像素子で構成される。撮像部１１４０２を構成する撮像素子は、１つ（いわゆる単板式）であってもよいし、複数（いわゆる多板式）であってもよい。撮像部１１４０２が多板式で構成される場合には、例えば各撮像素子によってＲＧＢそれぞれに対応する画像信号が生成され、それらが合成されることによりカラー画像が得られてもよい。あるいは、撮像部１１４０２は、３Ｄ（Ｄｉｍｅｎｓｉｏｎａｌ）表示に対応する右目用及び左目用の画像信号をそれぞれ取得するための１対の撮像素子を有するように構成されてもよい。３Ｄ表示が行われることにより、術者１１１３１は術部における生体組織の奥行きをより正確に把握することが可能になる。なお、撮像部１１４０２が多板式で構成される場合には、各撮像素子に対応して、レンズユニット１１４０１も複数系統設けられ得る。
また、撮像部１１４０２は、必ずしもカメラヘッド１１１０２に設けられなくてもよい。例えば、撮像部１１４０２は、鏡筒１１１０１の内部に、対物レンズの直後に設けられてもよい。
駆動部１１４０３は、アクチュエータによって構成され、カメラヘッド制御部１１４０５からの制御により、レンズユニット１１４０１のズームレンズ及びフォーカスレンズを光軸に沿って所定の距離だけ移動させる。これにより、撮像部１１４０２による撮像画像の倍率及び焦点が適宜調整され得る。
通信部１１４０４は、ＣＣＵ１１２０１との間で各種の情報を送受信するための通信装置によって構成される。通信部１１４０４は、撮像部１１４０２から得た画像信号をＲＡＷデータとして伝送ケーブル１１４００を介してＣＣＵ１１２０１に送信する。
また、通信部１１４０４は、ＣＣＵ１１２０１から、カメラヘッド１１１０２の駆動を制御するための制御信号を受信し、カメラヘッド制御部１１４０５に供給する。当該制御信号には、例えば、撮像画像のフレームレートを指定する旨の情報、撮像時の露出値を指定する旨の情報、並びに／又は撮像画像の倍率及び焦点を指定する旨の情報等、撮像条件に関する情報が含まれる。
なお、上記のフレームレートや露出値、倍率、焦点等の撮像条件は、ユーザによって適宜指定されてもよいし、取得された画像信号に基づいてＣＣＵ１１２０１の制御部１１４１３によって自動的に設定されてもよい。後者の場合には、いわゆるＡＥ（Ａｕｔｏ Ｅｘｐｏｓｕｒｅ）機能、ＡＦ（Ａｕｔｏ Ｆｏｃｕｓ）機能及びＡＷＢ（Ａｕｔｏ Ｗｈｉｔｅ Ｂａｌａｎｃｅ）機能が内視鏡１１１００に搭載されていることになる。
カメラヘッド制御部１１４０５は、通信部１１４０４を介して受信したＣＣＵ１１２０１からの制御信号に基づいて、カメラヘッド１１１０２の駆動を制御する。
通信部１１４１１は、カメラヘッド１１１０２との間で各種の情報を送受信するための通信装置によって構成される。通信部１１４１１は、カメラヘッド１１１０２から、伝送ケーブル１１４００を介して送信される画像信号を受信する。
また、通信部１１４１１は、カメラヘッド１１１０２に対して、カメラヘッド１１１０２の駆動を制御するための制御信号を送信する。画像信号や制御信号は、電気通信や光通信等によって送信することができる。
画像処理部１１４１２は、カメラヘッド１１１０２から送信されたＲＡＷデータである画像信号に対して各種の画像処理を施す。
制御部１１４１３は、内視鏡１１１００による術部等の撮像、及び、術部等の撮像により得られる撮像画像の表示に関する各種の制御を行う。例えば、制御部１１４１３は、カメラヘッド１１１０２の駆動を制御するための制御信号を生成する。
また、制御部１１４１３は、画像処理部１１４１２によって画像処理が施された画像信号に基づいて、術部等が映った撮像画像を表示装置１１２０２に表示させる。この際、制御部１１４１３は、各種の画像認識技術を用いて撮像画像内における各種の物体を認識してもよい。例えば、制御部１１４１３は、撮像画像に含まれる物体のエッジの形状や色等を検出することにより、鉗子等の術具、特定の生体部位、出血、エネルギー処置具１１１１２の使用時のミスト等を認識することができる。制御部１１４１３は、表示装置１１２０２に撮像画像を表示させる際に、その認識結果を用いて、各種の手術支援情報を当該術部の画像に重畳表示させてもよい。手術支援情報が重畳表示され、術者１１１３１に提示されることにより、術者１１１３１の負担を軽減することや、術者１１１３１が確実に手術を進めることが可能になる。
カメラヘッド１１１０２及びＣＣＵ１１２０１を接続する伝送ケーブル１１４００は、電気信号の通信に対応した電気信号ケーブル、光通信に対応した光ファイバ、又はこれらの複合ケーブルである。
ここで、図示する例では、伝送ケーブル１１４００を用いて有線で通信が行われていたが、カメラヘッド１１１０２とＣＣＵ１１２０１との間の通信は無線で行われてもよい。
なお、ここでは、一例として内視鏡手術システムについて説明したが、本開示に係る技術は、その他、例えば、顕微鏡手術システム等に適用されてもよい。
尚、本開示は、以下のような構成を取ることもできる。
［Ａ０１］《撮像素子》
第１電極、光電変換層及び第２電極が積層されて成る光電変換部を備えており、
光電変換層の直下には、光電変換層側から、酸化膜及び酸化物半導体層が形成されている撮像素子。
［Ａ０２］酸化膜を構成する元素の少なくとも一部は、酸化物半導体層を構成する元素と異なる［Ａ０１］に記載の撮像素子。
［Ａ０３］酸化物半導体層の伝導帯の最大エネルギー値におけるエネルギー平均値をＥ2、酸化膜の伝導帯の最大エネルギー値におけるエネルギー平均値をＥ1としたとき、
Ｅ1−Ｅ2≧−０．４（ｅＶ）
を満足する［Ａ０１］又は［Ａ０２］に記載の撮像素子。
［Ａ０４］光電変換層のＬＵＭＯ値におけるエネルギー平均値をＥ0としたとき、
Ｅ0−Ｅ1≧−０．４（ｅＶ）
を満足する［Ａ０３］に記載の撮像素子。
［Ａ０５］Ｅ0≧Ｅ1≧Ｅ2
を満足する［Ａ０４］に記載の撮像素子。
［Ａ０６］酸化膜の価電子帯における最小エネルギー値のエネルギー平均値をＥ4、光電変換層のＨＯＭＯ値におけるエネルギー平均値をＥ3としたとき、
Ｅ3−Ｅ4≧−０．４（ｅＶ）
を満足する［Ａ０１］乃至［Ａ０５］のいずれか１項に記載の撮像素子。
［Ａ０７］酸化物半導体層の価電子帯の最小エネルギー値におけるエネルギー平均値をＥ5としたとき、
Ｅ4−Ｅ5≧−０．４（ｅＶ）
を満足する［Ａ０６］に記載の撮像素子。
［Ａ０８］Ｅ3≧Ｅ4≧Ｅ5
を満足する［Ａ０７］に記載の撮像素子。
［Ａ０９］酸化膜を構成する材料（酸化膜構成材料）は、金属酸化物から成る［Ａ０１］乃至［Ａ０８］のいずれか１項に記載の撮像素子。
［Ａ１０］金属酸化物は、タンタル、チタン、バナジウム、ニオブ、タングステン、ジルコニウム、ハフニウム、スカンジウム、イットリウム、ランタン、ガリウム及びマグネシウムから成る群から選択された少なくとも１種類の元素を含む［Ａ０９］に記載の撮像素子。
［Ａ１１］酸化膜には、シリコン（Ｓｉ）、タンタル（Ｔａ）、バナジウム（Ｖ）、ニオブ（Ｎｂ）、タングステン（Ｗ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ハフニウム（Ｈｆ）、スカンジウム（Ｓｃ）、イットリウム（Ｙ）、ランタン（Ｌａ）、ガリウム（Ｇａ）、マグネシウム（Ｍｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、ストロンチウム（Ｓｒ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、水素（Ｈ）、炭素（Ｃ）及び窒素（Ｎ）から成る群から選択された少なくとも１種類の元素（但し、金属酸化物を構成する元素とは異なる元素である）が添加されている［Ａ１０］に記載の撮像素子。
［Ａ１２］酸化膜には、シリコン（Ｓｉ）、ニオブ（Ｎｂ）、タングステン（Ｗ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、アルミニウム（Ａｌ）、炭素（Ｃ）及び窒素（Ｎ）から成る群から選択された少なくとも１種類の元素（但し、金属酸化物を構成する元素とは異なる元素である）が添加されている［Ａ１１］に記載の撮像素子。
［Ａ１３］酸化膜の厚さは、１原子層以上、１×１０-7ｍ以下である［Ａ０９］乃至［Ａ１２］のいずれか１項に記載の撮像素子。
［Ａ１４］酸化膜は、トンネル酸化膜から成る［Ａ０１］乃至［Ａ０８］のいずれか１項に記載の撮像素子。
［Ａ１５］トンネル酸化膜は、ＳｉＯX、ＳｉＯＮ、ＳｉＯＣ及びＡｌＯYから成る群から選択された少なくとも１種類の材料から構成されている［Ａ１４］に記載の撮像素子。
［Ａ１６］トンネル酸化膜の厚さは、１原子層以上、５×１０-9ｍ以下である［Ａ１４］又は［Ａ１５］に記載の撮像素子。
［Ａ１７］酸化膜は、金属酸化物から成る膜とトンネル酸化膜との積層構造を有する［Ａ０１］乃至［Ａ０８］のいずれか１項に記載の撮像素子。
［Ａ１８］金属酸化物は、タンタル、チタン、バナジウム、ニオブ、タングステン、ジルコニウム、ハフニウム、スカンジウム、イットリウム、ランタン、ガリウム及びマグネシウムから成る群から選択された少なくとも１種類の元素を含む［Ａ１７］に記載の撮像素子。
［Ａ１９］酸化膜には、シリコン（Ｓｉ）、タンタル（Ｔａ）、バナジウム（Ｖ）、ニオブ（Ｎｂ）、タングステン（Ｗ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ハフニウム（Ｈｆ）、スカンジウム（Ｓｃ）、イットリウム（Ｙ）、ランタン（Ｌａ）、ガリウム（Ｇａ）、マグネシウム（Ｍｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、ストロンチウム（Ｓｒ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、水素（Ｈ）、炭素（Ｃ）及び窒素（Ｎ）から成る群から選択された少なくとも１種類の元素（但し、金属酸化物を構成する元素とは異なる元素である）が添加されている［Ａ１８］に記載の撮像素子。
［Ａ２０］酸化膜には、シリコン（Ｓｉ）、ニオブ（Ｎｂ）、タングステン（Ｗ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、アルミニウム（Ａｌ）、炭素（Ｃ）及び窒素（Ｎ）から成る群から選択された少なくとも１種類の元素（但し、金属酸化物を構成する元素とは異なる元素である）が添加されている［Ａ１９］に記載の撮像素子。
［Ａ２１］金属酸化物から成る膜の厚さは、１原子層以上、１×１０-7ｍ以下である［Ａ１７］乃至［Ａ２０］のいずれか１項に記載の撮像素子。
［Ａ２２］トンネル酸化膜は、ＳｉＯX、ＳｉＯＮ、ＳｉＯＣ及びＡｌＯYから成る群から選択された少なくとも１種類の材料から構成されている［Ａ１７］乃至［Ａ２１］のいずれか１項に記載の撮像素子。
［Ａ２３］トンネル酸化膜の厚さは、１原子層以上、５×１０-9ｍ以下である［Ａ１７］乃至［Ａ２２］のいずれか１項に記載の撮像素子。
［Ａ２４］酸化膜と酸化物半導体層との界面近傍の酸化物半導体層の部分における水素原子濃度の平均値ＣｏｎｃH-1は、酸化物半導体層の厚さ方向に沿った中央部分における水素原子濃度の平均値ＣｏｎｃH-2よりも高い［Ａ０１］乃至［Ａ２３］のいずれか１項に記載の撮像素子。
［Ａ２５］ＣｏｎｃH-1／ＣｏｎｃH-2≧１．１
を満足する［Ａ２４］に記載の撮像素子。
［Ａ２６］酸化膜と酸化物半導体層との界面近傍の酸化物半導体層の部分における水素原子濃度の値をＣｏｎｃH-1、酸化膜と酸化物半導体層との界面近傍の酸化物半導体層の部分における酸化膜を構成する原子の濃度の値をＣｏｎｃM-1としたとき、酸化物半導体層の厚さ方向に沿った中央部分に向かうＣｏｎｃH-1の平均変化率ΔＣｏｎｃH-1は、酸化物半導体層の厚さ方向に沿った中央部分に向かうＣｏｎｃM-1の平均変化率ΔＣｏｎｃM-1よりも大きい［Ａ０１］乃至［Ａ２５］のいずれか１項に記載の撮像素子。
［Ａ２７］第２電極の上方にはカラーフィルター層が設けられており、光電変換層は白色光を吸収する［Ａ０１］乃至［Ａ２６］のいずれか１項に記載の撮像素子。
［Ａ２８］光電変換層において生成した電荷は、酸化膜及び酸化物半導体層を介して第１電極へと移動する［Ａ０１］乃至［Ａ２７］のいずれか１項に記載の撮像素子。
［Ａ２９］電荷は電子である［Ａ２８］に記載の撮像素子。
［Ｂ０１］光電変換部は、更に、絶縁層、及び、第１電極と離間して配置され、且つ、絶縁層を介して酸化物半導体層と対向して配置された電荷蓄積用電極を備えている［Ａ０１］乃至［Ａ２９］のいずれか１項に記載の撮像素子。
［Ｂ０２］光電変換層において生成した電荷は、酸化膜及び酸化物半導体層を介して第１電極へと移動する［Ａ０１］乃至［Ｂ０１］のいずれか１項に記載の撮像素子。
［Ｂ０３］電荷は電子である［Ｂ０２］に記載の撮像素子。
［Ｂ０４］酸化物半導体層のキャリア移動度は１０ｃｍ2／Ｖ・ｓ以上である［Ａ０１］乃至［Ｂ０３］のいずれか１項に記載の撮像素子。
［Ｂ０５］酸化物半導体層のキャリア濃度（キャリア密度）は１×１０16／ｃｍ3未満である［Ａ０１］乃至［Ｂ０４］のいずれか１項に記載の撮像素子。
［Ｂ０６］酸化物半導体層は、非晶質である［Ａ０１］乃至［Ｂ０５］のいずれか１項に記載の撮像素子。
［Ｂ０７］酸化物半導体層の厚さは、１×１０-8ｍ乃至１．５×１０-7ｍである［Ａ０１］乃至［Ｂ０６］のいずれか１項に記載の撮像素子。
［Ｃ０１］半導体基板を更に備えており、
光電変換部は、半導体基板の上方に配置されている［Ａ０１］乃至［Ｂ０７］のいずれか１項に記載の撮像素子。
［Ｃ０２］第１電極は、絶縁層に設けられた開口部内を延在し、酸化物半導体層と接続されている［Ａ０１］乃至［Ｃ０１］のいずれか１項に記載の撮像素子。
［Ｃ０３］酸化物半導体層及び保護層は、絶縁層に設けられた開口部内を延在し、第１電極と接続されている［Ａ０１］乃至［Ｃ０１］のいずれか１項に記載の撮像素子。
［Ｃ０４］第１電極の頂面の縁部は絶縁層で覆われており、
開口部の底面には第１電極が露出しており、
第１電極の頂面と接する絶縁層の面を第１面、電荷蓄積用電極と対向する酸化物半導体層の部分と接する絶縁層の面を第２面としたとき、開口部の側面は、第１面から第２面に向かって広がる傾斜を有する［Ｃ０３］に記載の撮像素子。
［Ｃ０５］第１面から第２面に向かって広がる傾斜を有する開口部の側面は、電荷蓄積用電極側に位置する［Ｃ０４］に記載の撮像素子。
［Ｃ０６］《第１電極及び電荷蓄積用電極の電位の制御》
半導体基板に設けられ、駆動回路を有する制御部を更に備えており、
第１電極及び電荷蓄積用電極は、駆動回路に接続されており、
電荷蓄積期間において、駆動回路から、第１電極に電位Ｖ11が印加され、電荷蓄積用電極に電位Ｖ31が印加され、酸化物半導体層（あるいは、酸化物半導体層、保護層及び光電変換層）に電荷が蓄積され、
電荷転送期間において、駆動回路から、第１電極に電位Ｖ12が印加され、電荷蓄積用電極に電位Ｖ32が印加され、酸化物半導体層（あるいは、酸化物半導体層、保護層及び光電変換層）に蓄積された電荷が第１電極を経由して制御部に読み出される［Ａ０１］乃至［Ｃ０５］のいずれか１項に記載の撮像素子。
但し、第１電極の電位は第２電極の電位よりも高く、
Ｖ31≧Ｖ11、且つ、Ｖ32＜Ｖ12
である。
［Ｃ０７］《下部電荷移動制御電極》
隣接する撮像素子の間に位置する光電変換層の領域に絶縁層を介して対向する領域には、下部電荷移動制御電極が形成されている［Ａ０１］乃至［Ｃ０６］のいずれか１項に記載の撮像素子。
［Ｃ０８］《第１電極、電荷蓄積用電極及び下部電荷移動制御電極の電位の制御》
半導体基板に設けられ、駆動回路を有する制御部を更に備えており、
第１電極、第２電極、電荷蓄積用電極及び下部電荷移動制御電極は、駆動回路に接続されており、
電荷蓄積期間において、駆動回路から、第１電極に電位Ｖ11が印加され、電荷蓄積用電極に電位Ｖ31が印加され、下部電荷移動制御電極に電位Ｖ41が印加され、酸化物半導体層（あるいは、酸化物半導体層、保護層及び光電変換層）に電荷が蓄積され、
電荷転送期間において、駆動回路から、第１電極に電位Ｖ12が印加され、電荷蓄積用電極に電位Ｖ32が印加され、下部電荷移動制御電極に電位Ｖ42が印加され、酸化物半導体層（あるいは、酸化物半導体層、保護層及び光電変換層）に蓄積された電荷が第１電極を経由して制御部に読み出される［Ｃ０７］に記載の撮像素子。
但し、
Ｖ31≧Ｖ11、Ｖ31＞Ｖ41、且つ、Ｖ12＞Ｖ32＞Ｖ42
である。
［Ｃ０９］《上部電荷移動制御電極》
隣接する撮像素子の間に位置する光電変換層の領域の上には、第２電極が形成される代わりに、上部電荷移動制御電極が形成されている［Ａ０１］乃至［Ｃ０６］のいずれか１項に記載の撮像素子。
［Ｃ１０］第２電極は撮像素子毎に設けられており、上部電荷移動制御電極は、第２電極の少なくとも一部を取り囲んで、第２電極と離間して、光電変換層の領域−Ａの上に設けられている［Ｃ０９］に記載の撮像素子。
［Ｃ１１］第２電極は撮像素子毎に設けられており、上部電荷移動制御電極は、第２電極の少なくとも一部を取り囲んで、第２電極と離間して設けられており、上部電荷移動制御電極の下方には、電荷蓄積用電極の一部が存在する［Ｃ０９］に記載の撮像素子。
［Ｃ１２］第２電極は撮像素子毎に設けられており、上部電荷移動制御電極は、第２電極の少なくとも一部を取り囲んで、第２電極と離間して設けられており、上部電荷移動制御電極の下方には、電荷蓄積用電極の一部が存在し、しかも、上部電荷移動制御電極の下方には、下部電荷移動制御電極が形成されている［Ｃ０９］乃至［Ｃ１１］のいずれか１項に記載の撮像素子。
［Ｃ１３］《第１電極、電荷蓄積用電極及び電荷移動制御電極の電位の制御》
半導体基板に設けられ、駆動回路を有する制御部を更に備えており、
第１電極、第２電極、電荷蓄積用電極及び電荷移動制御電極は、駆動回路に接続されており、
電荷蓄積期間において、駆動回路から、第２電極に電位Ｖ21が印加され、電荷移動制御電極に電位Ｖ41が印加され、酸化物半導体層（あるいは、酸化物半導体層、保護層及び光電変換層）に電荷が蓄積され、
電荷転送期間において、駆動回路から、第２電極に電位Ｖ22が印加され、電荷移動制御電極に電位Ｖ42が印加され、酸化物半導体層（あるいは、酸化物半導体層、保護層及び光電変換層）に蓄積された電荷が第１電極を経由して制御部に読み出される［Ｃ０９］乃至［Ｃ１２］のいずれか１項に記載の撮像素子。
但し、
Ｖ21≧Ｖ41、且つ、Ｖ22≧Ｖ42
である。
［Ｃ１４］《転送制御用電極》
第１電極と電荷蓄積用電極との間に、第１電極及び電荷蓄積用電極と離間して配置され、且つ、絶縁層を介して酸化物半導体層と対向して配置された転送制御用電極を更に備えている［Ａ０１］乃至［Ｃ１３］のいずれか１項に記載の撮像素子。
［Ｃ１５］《第１電極、電荷蓄積用電極及び転送制御用電極の電位の制御》
半導体基板に設けられ、駆動回路を有する制御部を更に備えており、
第１電極、電荷蓄積用電極及び転送制御用電極は、駆動回路に接続されており、
電荷蓄積期間において、駆動回路から、第１電極に電位Ｖ11が印加され、電荷蓄積用電極に電位Ｖ31が印加され、転送制御用電極に電位Ｖ51が印加され、酸化物半導体層（あるいは、酸化物半導体層、保護層及び光電変換層）に電荷が蓄積され、
電荷転送期間において、駆動回路から、第１電極に電位Ｖ12が印加され、電荷蓄積用電極に電位Ｖ32が印加され、転送制御用電極に電位Ｖ52が印加され、酸化物半導体層（あるいは、酸化物半導体層、保護層及び光電変換層）に蓄積された電荷が第１電極を介して制御部に読み出される［Ｃ１４］に記載の撮像素子。
但し、第１電極の電位は第２電極の電位よりも高く、
Ｖ31＞Ｖ51、且つ、Ｖ32≦Ｖ52≦Ｖ12
である。
［Ｃ１６］《電荷排出電極》
酸化物半導体層に接続され、第１電極及び電荷蓄積用電極と離間して配置された電荷排出電極を更に備えている［Ａ０１］乃至［Ｃ１５］のいずれか１項に記載の撮像素子。
［Ｃ１７］電荷排出電極は、第１電極及び電荷蓄積用電極を取り囲むように配置されている［Ｃ１６］に記載の撮像素子。
［Ｃ１８］酸化物半導体層及び保護層は、絶縁層に設けられた第２開口部内を延在し、電荷排出電極と接続されており、
電荷排出電極の頂面の縁部は絶縁層で覆われており、
第２開口部の底面には電荷排出電極が露出しており、
電荷排出電極の頂面と接する絶縁層の面を第３面、電荷蓄積用電極と対向する酸化物半導体層の部分と接する絶縁層の面を第２面としたとき、第２開口部の側面は、第３面から第２面に向かって広がる傾斜を有する［Ｃ１６］又は［Ｃ１７］に記載の撮像素子。
［Ｃ１９］《第１電極、電荷蓄積用電極及び電荷排出電極の電位の制御》
半導体基板に設けられ、駆動回路を有する制御部を更に備えており、
第１電極、電荷蓄積用電極及び電荷排出電極は、駆動回路に接続されており、
電荷蓄積期間において、駆動回路から、第１電極に電位Ｖ11が印加され、電荷蓄積用電極に電位Ｖ31が印加され、電荷排出電極に電位Ｖ61が印加され、酸化物半導体層（あるいは、酸化物半導体層、保護層及び光電変換層）に電荷が蓄積され、
電荷転送期間において、駆動回路から、第１電極に電位Ｖ12が印加され、電荷蓄積用電極に電位Ｖ32が印加され、電荷排出電極に電位Ｖ62が印加され、酸化物半導体層（あるいは、酸化物半導体層、保護層及び光電変換層）に蓄積された電荷が第１電極を介して制御部に読み出される［Ｃ１６］乃至［Ｃ１８］のいずれか１項に記載の撮像素子。
但し、第１電極の電位は第２電極の電位よりも高く、
Ｖ61＞Ｖ11、且つ、Ｖ62＜Ｖ12
である。
［Ｃ２０］《電荷蓄積用電極セグメント》
電荷蓄積用電極は、複数の電荷蓄積用電極セグメントから構成されている［Ａ０１］乃至［Ｃ１９］のいずれか１項に記載の撮像素子。
［Ｃ２１］第１電極の電位が第２電極の電位よりも高い場合、電荷転送期間において、第１電極に最も近い所に位置する電荷蓄積用電極セグメントに印加される電位は、第１電極に最も遠い所に位置する電荷蓄積用電極セグメントに印加される電位よりも高く、
第１電極の電位が第２電極の電位よりも低い場合、電荷転送期間において、第１電極に最も近い所に位置する電荷蓄積用電極セグメントに印加される電位は、第１電極に最も遠い所に位置する電荷蓄積用電極セグメントに印加される電位よりも低い［Ｃ２０］に記載の撮像素子。
［Ｃ２２］半導体基板には、制御部を構成する少なくとも浮遊拡散層及び増幅トランジスタが設けられており、
第１電極は、浮遊拡散層及び増幅トランジスタのゲート部に接続されている［Ａ０１］乃至［Ｃ２１］のいずれか１項に記載の撮像素子。
［Ｃ２３］半導体基板には、更に、制御部を構成するリセット・トランジスタ及び選択トランジスタが設けられており、
浮遊拡散層は、リセット・トランジスタの一方のソース／ドレイン領域に接続されており、
増幅トランジスタの一方のソース／ドレイン領域は、選択トランジスタの一方のソース／ドレイン領域に接続されており、選択トランジスタの他方のソース／ドレイン領域は信号線に接続されている［Ｃ２２］に記載の撮像素子。
［Ｃ２４］電荷蓄積用電極の大きさは第１電極よりも大きい［Ａ０１］乃至［Ｃ２３］のいずれか１項に記載の撮像素子。
［Ｃ２５］第２電極側から光が入射し、第２電極より光入射側には遮光層が形成されている［Ａ０１］乃至［Ｃ２４］のいずれか１項に記載の撮像素子。
［Ｃ２６］第２電極側から光が入射し、第１電極には光が入射しない［Ａ０１］乃至［Ｃ２４］のいずれか１項に記載の撮像素子。
［Ｃ２７］第２電極より光入射側であって、第１電極の上方には遮光層が形成されている［Ｃ２６］に記載の撮像素子。
［Ｃ２８］電荷蓄積用電極及び第２電極の上方にはオンチップ・マイクロ・レンズが設けられており、
オンチップ・マイクロ・レンズに入射する光は、電荷蓄積用電極に集光される［Ｃ２６］に記載の撮像素子。
［Ｃ２９］《撮像素子：第１構成》
光電変換部は、Ｎ個（但し、Ｎ≧２）の光電変換部セグメントから構成されており、
酸化物半導体層、保護層及び光電変換層は、Ｎ個の光電変換層セグメントから構成されており、
絶縁層は、Ｎ個の絶縁層セグメントから構成されており、
電荷蓄積用電極は、Ｎ個の電荷蓄積用電極セグメントから構成されており、
第ｎ番目（但し、ｎ＝１，２，３・・・Ｎ）の光電変換部セグメントは、第ｎ番目の電荷蓄積用電極セグメント、第ｎ番目の絶縁層セグメント及び第ｎ番目の光電変換層セグメントから構成されており、
ｎの値が大きい光電変換部セグメントほど、第１電極から離れて位置し、
第１番目の光電変換部セグメントから第Ｎ番目の光電変換部セグメントに亙り、絶縁層セグメントの厚さが、漸次、変化している［Ａ０１］乃至［Ｃ２８］のいずれか１項に記載の撮像素子。
［Ｃ３０］《撮像素子：第２構成》
光電変換部は、Ｎ個（但し、Ｎ≧２）の光電変換部セグメントから構成されており、
酸化物半導体層、保護層及び光電変換層は、Ｎ個の光電変換層セグメントから構成されており、
絶縁層は、Ｎ個の絶縁層セグメントから構成されており、
電荷蓄積用電極は、Ｎ個の電荷蓄積用電極セグメントから構成されており、
第ｎ番目（但し、ｎ＝１，２，３・・・Ｎ）の光電変換部セグメントは、第ｎ番目の電荷蓄積用電極セグメント、第ｎ番目の絶縁層セグメント及び第ｎ番目の光電変換層セグメントから構成されており、
ｎの値が大きい光電変換部セグメントほど、第１電極から離れて位置し、
第１番目の光電変換部セグメントから第Ｎ番目の光電変換部セグメントに亙り、光電変換層セグメントの厚さが、漸次、変化している［Ａ０１］乃至［Ｃ２８］のいずれか１項に記載の撮像素子。
［Ｃ３１］《撮像素子：第３構成》
光電変換部は、Ｎ個（但し、Ｎ≧２）の光電変換部セグメントから構成されており、
酸化物半導体層、保護層及び光電変換層は、Ｎ個の光電変換層セグメントから構成されており、
絶縁層は、Ｎ個の絶縁層セグメントから構成されており、
電荷蓄積用電極は、Ｎ個の電荷蓄積用電極セグメントから構成されており、
第ｎ番目（但し、ｎ＝１，２，３・・・Ｎ）の光電変換部セグメントは、第ｎ番目の電荷蓄積用電極セグメント、第ｎ番目の絶縁層セグメント及び第ｎ番目の光電変換層セグメントから構成されており、
ｎの値が大きい光電変換部セグメントほど、第１電極から離れて位置し、
隣接する光電変換部セグメントにおいて、絶縁層セグメントを構成する材料が異なる［Ａ０１］乃至［Ｃ２８］のいずれか１項に記載の撮像素子。
［Ｃ３２］《撮像素子：第４構成》
光電変換部は、Ｎ個（但し、Ｎ≧２）の光電変換部セグメントから構成されており、
酸化物半導体層、保護層及び光電変換層は、Ｎ個の光電変換層セグメントから構成されており、
絶縁層は、Ｎ個の絶縁層セグメントから構成されており、
電荷蓄積用電極は、相互に離間されて配置された、Ｎ個の電荷蓄積用電極セグメントから構成されており、
第ｎ番目（但し、ｎ＝１，２，３・・・Ｎ）の光電変換部セグメントは、第ｎ番目の電荷蓄積用電極セグメント、第ｎ番目の絶縁層セグメント及び第ｎ番目の光電変換層セグメントから構成されており、
ｎの値が大きい光電変換部セグメントほど、第１電極から離れて位置し、
隣接する光電変換部セグメントにおいて、電荷蓄積用電極セグメントを構成する材料が異なる［Ａ０１］乃至［Ｃ２８］のいずれか１項に記載の撮像素子。
［Ｃ３３］《撮像素子：第５構成》
光電変換部は、Ｎ個（但し、Ｎ≧２）の光電変換部セグメントから構成されており、
酸化物半導体層、保護層及び光電変換層は、Ｎ個の光電変換層セグメントから構成されており、
絶縁層は、Ｎ個の絶縁層セグメントから構成されており、
電荷蓄積用電極は、相互に離間されて配置された、Ｎ個の電荷蓄積用電極セグメントから構成されており、
第ｎ番目（但し、ｎ＝１，２，３・・・Ｎ）の光電変換部セグメントは、第ｎ番目の電荷蓄積用電極セグメント、第ｎ番目の絶縁層セグメント及び第ｎ番目の光電変換層セグメントから構成されており、
ｎの値が大きい光電変換部セグメントほど、第１電極から離れて位置し、
第１番目の光電変換部セグメントから第Ｎ番目の光電変換部セグメントに亙り、電荷蓄積用電極セグメントの面積が、漸次、小さくなっている［Ａ０１］乃至［Ｃ２８］のいずれか１項に記載の撮像素子。
［Ｃ３４］《撮像素子：第６構成》
電荷蓄積用電極と絶縁層と酸化物半導体層と光電変換層の積層方向をＺ方向、第１電極から離れる方向をＸ方向としたとき、ＹＺ仮想平面で電荷蓄積用電極と絶縁層と酸化物半導体層と光電変換層が積層された積層部分を切断したときの積層部分の断面積は、第１電極からの距離に依存して変化する［Ａ０１］乃至［Ｃ２８］のいずれか１項に記載の撮像素子。
［Ｄ０１］《積層型撮像素子》
［Ａ０１］乃至［Ｃ３４］のいずれか１項に記載の撮像素子を少なくとも１つ有する積層型撮像素子。
［Ｅ０１］《固体撮像装置：第１の態様》
［Ａ０１］乃至［Ｃ３４］のいずれか１項に記載の撮像素子を、複数、備えた固体撮像装置。
［Ｅ０２］《固体撮像装置：第２の態様》
［Ｄ０１］に記載の積層型撮像素子を、複数、備えた固体撮像装置。
［Ｆ０１］《固体撮像装置：第１構成》
第１電極、光電変換層及び第２電極が積層されて成る光電変換部を備えており、
光電変換部は、［Ａ０１］乃至［Ｃ３４］のいずれか１項に記載の撮像素子を、複数、有しており、
複数の撮像素子から撮像素子ブロックが構成されており、
撮像素子ブロックを構成する複数の撮像素子において第１電極が共有されている固体撮像装置。
［Ｆ０２］《固体撮像装置：第２構成》
［Ｃ０１］に記載の積層型撮像素子を、複数、有しており、
複数の撮像素子から撮像素子ブロックが構成されており、
撮像素子ブロックを構成する複数の撮像素子において第１電極が共有されている固体撮像装置。
［Ｆ０３］１つの撮像素子の上方に１つのオンチップ・マイクロ・レンズが配設されている［Ｆ０１］又は［Ｆ０２］に記載の固体撮像装置。
［Ｆ０４］２つの撮像素子から撮像素子ブロックが構成されており、
撮像素子ブロックの上方に１つのオンチップ・マイクロ・レンズが配設されている［Ｆ０１］又は［Ｆ０２］に記載の固体撮像装置。
［Ｆ０５］複数の撮像素子に対して１つの浮遊拡散層が設けられている［Ｆ０１］乃至［Ｆ０４］のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
［Ｆ０６］第１電極は、各撮像素子の電荷蓄積用電極に隣接して配置されている［Ｆ０１］乃至［Ｆ０５］のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
［Ｆ０７］第１電極が、複数の撮像素子の一部の電荷蓄積用電極に隣接して配置されており、複数の撮像素子の残りの電荷蓄積用電極とは隣接して配置されてはいない［Ｆ０１］乃至［Ｆ０６］のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
［Ｆ０８］撮像素子を構成する電荷蓄積用電極と撮像素子を構成する電荷蓄積用電極との間の距離は、第１電極に隣接した撮像素子における第１電極と電荷蓄積用電極との間の距離よりも長い［Ｆ０７］に記載の固体撮像装置。
［Ｇ０１］《固体撮像装置の駆動方法》
第１電極、光電変換層及び第２電極が積層されて成る光電変換部を備えており、
光電変換部は、更に、第１電極と離間して配置され、且つ、絶縁層を介して光電変換層と対向して配置された電荷蓄積用電極を備えており、
第２電極側から光が入射し、第１電極には光が入射しない構造を有する撮像素子を、複数、備えた固体撮像装置の駆動方法であって、
全ての撮像素子において、一斉に、酸化物半導体層に電荷を蓄積しながら、第１電極における電荷を系外に排出し、その後、
全ての撮像素子において、一斉に、酸化物半導体層に蓄積された電荷を第１電極に転送し、転送完了後、順次、各撮像素子において第１電極に転送された電荷を読み出す、
各工程を繰り返す固体撮像装置の駆動方法。
１０，１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ・・・撮像素子（積層型撮像素子、第１撮像素子）、１１・・・第２撮像素子、１２・・・第３撮像素子、１３・・・層間絶縁層より下方に位置する各種の撮像素子構成要素、１４・・・オンチップ・マイクロ・レンズ（ＯＣＬ）、１５・・・遮光層、１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂ・・・カラーフィルタ層、２１・・・第１電極、２２・・・第２電極、２３・・・光電変換積層体、２３Ａ・・・光電変換層、２３Ｂ・・・酸化膜、２３Ｃ・・・酸化物半導体層、２４・・・電荷蓄積用電極、２５・・・転送制御用電極（電荷転送電極）、２６・・・電荷排出電極、２７・・・下部電荷移動制御電極（下方・電荷移動制御電極）、２７Ａ・・・接続孔、２７Ｂ・・・パッド部、２８・・・上部電荷移動制御電極（上方・電荷移動制御電極）、４１・・・第２撮像素子を構成するｎ型半導体領域、４３・・・第３撮像素子を構成するｎ型半導体領域、４２，４４，７３・・・ｐ+層、４５，４６・・・転送トランジスタのゲート部、５１・・・リセット・トランジスタＴＲ１rstのゲート部、５１Ａ・・・リセット・トランジスタＴＲ１rstのチャネル形成領域、５１Ｂ，５１Ｃ・・・リセット・トランジスタＴＲ１rstのソース／ドレイン領域、５２・・・増幅トランジスタＴＲ１ampのゲート部、５２Ａ・・・増幅トランジスタＴＲ１ampのチャネル形成領域、５２Ｂ，５２Ｃ・・・増幅トランジスタＴＲ１ampのソース／ドレイン領域、５３・・・選択トランジスタＴＲ１selのゲート部、５３Ａ・・・選択トランジスタＴＲ１selのチャネル形成領域、５３Ｂ，５３Ｃ・・・選択トランジスタＴＲ１selのソース／ドレイン領域、６１・・・コンタクトホール部、６２・・・配線層、６３，６４，６８Ａ・・・パッド部、６５，６８Ｂ・・・接続孔、６６，６７，６９・・・接続部、７０・・・半導体基板、７０Ａ・・・半導体基板の第１面（おもて面）、７０Ｂ・・・半導体基板の第２面（裏面）、７１・・・素子分離領域、７２，７５・・・絶縁材料膜、７４・・・ＨｆＯ2膜、７６，８１・・・層間絶縁層、８２・・・絶縁層、８２A・・・隣接する撮像素子の間の領域（領域−ａ）、８３・・・保護材料層、８４・・・開口部、８５・・・第２開口部、１００・・・固体撮像装置、１０１・・・積層型撮像素子、１１１・・・撮像領域、１１２・・・垂直駆動回路、１１３・・・カラム信号処理回路、１１４・・・水平駆動回路、１１５・・・出力回路、１１６・・・駆動制御回路、１１７・・・信号線（データ出力線）、１１８・・・水平信号線、２００・・・電子機器（カメラ）、２０１・・・固体撮像装置、２１０・・・光学レンズ、２１１・・・シャッタ装置、２１２・・・駆動回路、２１３・・・信号処理回路、ＦＤ1，ＦＤ2，ＦＤ3，４５Ｃ，４６Ｃ・・・浮遊拡散層、ＴＲ１trs，ＴＲ２trs，ＴＲ３trs・・・転送トランジスタ、ＴＲ１rst，ＴＲ２rst，ＴＲ３rst・・・リセット・トランジスタ、ＴＲ１amp，ＴＲ２amp，ＴＲ３amp・・・増幅トランジスタ、ＴＲ１sel，ＴＲ３sel，ＴＲ３sel・・・選択トランジスタ、ＶDD・・・電源、ＲＳＴ1，ＲＳＴ2，ＲＳＴ3・・・リセット線、ＳＥＬ1，ＳＥＬ2，ＳＥＬ3・・・選択線、１１７，ＶＳＬ，ＶＳＬ1，ＶＳＬ2，ＶＳＬ3・・・信号線（データ出力線）、ＴＧ2，ＴＧ3・・・転送ゲート線、ＶOA，ＶOB，ＶOT，ＶOU・・・配線

Claims (23)

  1. 第１電極、光電変換層及び第２電極が積層されて成る光電変換部を備えており、
    光電変換層の直下には、光電変換層側から、酸化膜及び酸化物半導体層が形成されている撮像素子。
  2. 酸化膜を構成する元素の少なくとも一部は、酸化物半導体層を構成する元素と異なる請求項１に記載の撮像素子。
  3. 酸化物半導体層の伝導帯の最大エネルギー値におけるエネルギー平均値をＥ2、酸化膜の伝導帯の最大エネルギー値におけるエネルギー平均値をＥ1としたとき、
    Ｅ1−Ｅ2≧−０．４（ｅＶ）
    を満足する請求項１に記載の撮像素子。
  4. 光電変換層のＬＵＭＯ値におけるエネルギー平均値をＥ0としたとき、
    Ｅ0−Ｅ1≧−０．４（ｅＶ）
    を満足する請求項３に記載の撮像素子。
  5. Ｅ0≧Ｅ1≧Ｅ2
    を満足する請求項４に記載の撮像素子。
  6. 酸化膜の価電子帯における最小エネルギー値のエネルギー平均値をＥ4、光電変換層のＨＯＭＯ値におけるエネルギー平均値をＥ3としたとき、
    Ｅ3−Ｅ4≧−０．４（ｅＶ）
    を満足する請求項１に記載の撮像素子。
  7. 酸化物半導体層の価電子帯の最小エネルギー値におけるエネルギー平均値をＥ5としたとき、
    Ｅ4−Ｅ5≧−０．４（ｅＶ）
    を満足する請求項６に記載の撮像素子。
  8. Ｅ3≧Ｅ4≧Ｅ5
    を満足する請求項７に記載の撮像素子。
  9. 酸化膜を構成する材料は、金属酸化物から成る請求項１に記載の撮像素子。
  10. 金属酸化物は、タンタル、チタン、バナジウム、ニオブ、タングステン、ジルコニウム、ハフニウム、スカンジウム、イットリウム、ランタン、ガリウム及びマグネシウムから成る群から選択された少なくとも１種類の元素を含む請求項９に記載の撮像素子。
  11. 酸化膜には、シリコン、タンタル、バナジウム、ニオブ、タングステン、ジルコニウム、ハフニウム、スカンジウム、イットリウム、ランタン、ガリウム、マグネシウム、アルミニウム、ストロンチウム、ゲルマニウム、水素、炭素及び窒素から成る群から選択された少なくとも１種類の元素（但し、金属酸化物を構成する元素とは異なる元素である）が添加されている請求項１０に記載の撮像素子。
  12. 酸化膜の厚さは、１原子層以上、１×１０-7ｍ以下である請求項９に記載の撮像素子。
  13. 酸化膜は、トンネル酸化膜から成る請求項１に記載の撮像素子。
  14. トンネル酸化膜は、ＳｉＯX、ＳｉＯＮ、ＳｉＯＣ及びＡｌＯYから成る群から選択された少なくとも１種類の材料から構成されている請求項１３に記載の撮像素子。
  15. トンネル酸化膜の厚さは、１原子層以上、５×１０-9ｍ以下である請求項１３に記載の撮像素子。
  16. 酸化膜は、金属酸化物から成る膜とトンネル酸化膜との積層構造を有する請求項１に記載の撮像素子。
  17. 酸化膜と酸化物半導体層との界面近傍の酸化物半導体層の部分における水素原子濃度の値ＣｏｎｃH-1は、酸化物半導体層の厚さ方向に沿った中央部分における水素原子濃度の値ＣｏｎｃH-2よりも高い請求項１に記載の撮像素子。
  18. 酸化膜と酸化物半導体層との界面近傍の酸化物半導体層の部分における水素原子濃度の値をＣｏｎｃH-1、酸化膜と酸化物半導体層との界面近傍の酸化物半導体層の部分における酸化膜を構成する原子の濃度の値をＣｏｎｃM-1としたとき、酸化物半導体層の厚さ方向に沿った中央部分に向かうＣｏｎｃH-1の平均変化率ΔＣｏｎｃH-1は、酸化物半導体層の厚さ方向に沿った中央部分に向かうＣｏｎｃM-1の平均変化率ΔＣｏｎｃM-1よりも大きい請求項１に記載の撮像素子。
  19. 光電変換層において生成した電荷は、酸化膜及び酸化物半導体層を介して第１電極へと移動する請求項１に記載の撮像素子。
  20. 電荷は電子である請求項１９に記載の撮像素子。
  21. 請求項１乃至請求項２０のいずれか１項に記載の撮像素子を少なくとも１つ有する積層型撮像素子。
  22. 請求項１乃至請求項２０のいずれか１項に記載の撮像素子を、複数、備えた固体撮像装置。
  23. 請求項２１に記載の積層型撮像素子を、複数、備えた固体撮像装置。
JP2020531227A 2018-07-17 2019-07-03 撮像素子、積層型撮像素子及び固体撮像装置 Active JP7407708B2 (ja)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018134012 2018-07-17
JP2018134012 2018-07-17
JP2019123550 2019-07-02
JP2019123550 2019-07-02
PCT/JP2019/026474 WO2020017330A1 (ja) 2018-07-17 2019-07-03 撮像素子、積層型撮像素子及び固体撮像装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPWO2020017330A1 true JPWO2020017330A1 (ja) 2021-08-12
JP7407708B2 JP7407708B2 (ja) 2024-01-04

Family

ID=69164334

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2020531227A Active JP7407708B2 (ja) 2018-07-17 2019-07-03 撮像素子、積層型撮像素子及び固体撮像装置

Country Status (7)

Country Link
US (2) US11641750B2 (ja)
JP (1) JP7407708B2 (ja)
KR (1) KR20210031677A (ja)
CN (1) CN112385044A (ja)
DE (1) DE112019003606T5 (ja)
TW (1) TW202006960A (ja)
WO (1) WO2020017330A1 (ja)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7256808B2 (ja) * 2018-07-30 2023-04-12 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 固体撮像素子及び電子装置
WO2021002090A1 (ja) * 2019-07-02 2021-01-07 ソニー株式会社 撮像素子、積層型撮像素子及び固体撮像装置
JPWO2021200508A1 (ja) * 2020-03-31 2021-10-07
US20230215880A1 (en) * 2020-03-31 2023-07-06 Sony Group Corporation Imaging element and imaging device
TWI788818B (zh) * 2020-05-28 2023-01-01 日商索尼半導體解決方案公司 攝像裝置及攝像方法
JP2022018480A (ja) * 2020-07-15 2022-01-27 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 固体撮像装置及びその製造方法
JP2022101950A (ja) * 2020-12-25 2022-07-07 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 固体撮像素子およびその製造方法、並びに電子機器
TW202347747A (zh) * 2022-02-14 2023-12-01 日商索尼半導體解決方案公司 光電轉換元件及光檢測裝置
WO2023153106A1 (ja) * 2022-02-14 2023-08-17 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 固体撮像装置及び固体撮像装置の製造方法
WO2024106235A1 (ja) * 2022-11-15 2024-05-23 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 光検出装置および光検出装置の製造方法ならびに電子機器

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2016009693A1 (ja) * 2014-07-17 2016-01-21 ソニー株式会社 光電変換素子、撮像装置、光センサ及び光電変換素子の製造方法
US20160037098A1 (en) * 2014-07-31 2016-02-04 Samsung Electronics Co., Ltd. Image Sensors Including Semiconductor Channel Patterns
JP2018107799A (ja) * 2016-12-27 2018-07-05 株式会社半導体エネルギー研究所 撮像装置および電子機器

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7570292B2 (en) * 2004-03-19 2009-08-04 Fujifilm Corporation Photoelectric conversion film, photoelectric conversion element, imaging element, method of applying electric field thereto and electric field-applied element
JP2008072090A (ja) * 2006-08-14 2008-03-27 Fujifilm Corp 光電変換素子及び固体撮像素子
JP5509846B2 (ja) 2009-12-28 2014-06-04 ソニー株式会社 固体撮像装置とその製造方法、及び電子機器
JP2016063165A (ja) 2014-09-19 2016-04-25 株式会社東芝 撮像素子及び固体撮像装置
JP5889998B1 (ja) * 2014-11-19 2016-03-22 株式会社東芝 有機薄膜太陽電池
JP6976858B2 (ja) * 2015-12-25 2021-12-08 出光興産株式会社 積層体
JP6780421B2 (ja) * 2016-03-01 2020-11-04 ソニー株式会社 撮像素子、積層型撮像素子及び固体撮像装置、並びに、固体撮像装置の駆動方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2016009693A1 (ja) * 2014-07-17 2016-01-21 ソニー株式会社 光電変換素子、撮像装置、光センサ及び光電変換素子の製造方法
US20160037098A1 (en) * 2014-07-31 2016-02-04 Samsung Electronics Co., Ltd. Image Sensors Including Semiconductor Channel Patterns
JP2018107799A (ja) * 2016-12-27 2018-07-05 株式会社半導体エネルギー研究所 撮像装置および電子機器

Also Published As

Publication number Publication date
US20230269953A1 (en) 2023-08-24
KR20210031677A (ko) 2021-03-22
CN112385044A (zh) 2021-02-19
DE112019003606T5 (de) 2021-06-02
WO2020017330A1 (ja) 2020-01-23
TW202006960A (zh) 2020-02-01
US11641750B2 (en) 2023-05-02
JP7407708B2 (ja) 2024-01-04
US20210288111A1 (en) 2021-09-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7407708B2 (ja) 撮像素子、積層型撮像素子及び固体撮像装置
KR102653048B1 (ko) 촬상 소자, 적층형 촬상 소자 및 고체 촬상 장치
KR102656300B1 (ko) 촬상 소자, 적층형 촬상 소자 및 고체 촬상 장치
KR102596578B1 (ko) 촬상 소자, 적층형 촬상 소자 및 고체 촬상 장치
JPWO2019203213A1 (ja) 撮像素子、積層型撮像素子及び固体撮像装置
JPWO2019203222A1 (ja) 撮像素子、積層型撮像素子及び固体撮像装置
JPWO2019235179A1 (ja) 撮像装置
WO2020241165A1 (ja) 撮像素子、積層型撮像素子及び固体撮像装置、並びに、無機酸化物半導体材料
JPWO2020008801A1 (ja) 撮像素子及び固体撮像装置
TWI826526B (zh) 攝像元件、積層型攝像元件及固體攝像裝置
WO2021161699A1 (ja) 撮像素子、積層型撮像素子及び固体撮像装置、並びに、無機酸化物半導体材料
WO2020202902A1 (ja) 撮像素子、積層型撮像素子及び固体撮像装置、並びに、撮像素子の製造方法
WO2020241168A1 (ja) 撮像素子、積層型撮像素子及び固体撮像装置、並びに、無機酸化物半導体材料
JP7428131B2 (ja) 撮像素子、積層型撮像素子及び固体撮像装置
JPWO2020008802A1 (ja) 固体撮像装置
JP7441785B2 (ja) 固体撮像装置
WO2021002090A1 (ja) 撮像素子、積層型撮像素子及び固体撮像装置
WO2020241169A1 (ja) 撮像素子、積層型撮像素子及び固体撮像装置、並びに、撮像素子の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422

Effective date: 20211019

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20220608

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20230801

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20230823

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20231121

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20231219

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7407708

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150