JPWO2019235179A1 - 撮像装置 - Google Patents
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Abstract
Description
複数の撮像素子−Aを備え、光電変換によって生成された信号電荷を増幅して駆動回路に読み出す有効画素領域、及び、
複数の撮像素子−Bを備え、有効画素領域を取り囲み、黒レベルの基準となる光学的黒を出力するオプティカルブラック領域、
から構成されており、
複数の撮像素子−A及び撮像素子−Bを構成する光電変換層は共通であり、
共通の光電変換層は、オプティカルブラック領域の外側に位置し、オプティカルブラック領域を取り囲む外縁領域へと延びており、
外縁領域には、外縁電極が配置されている。
複数の撮像素子−Aを備え、光電変換によって生成された信号電荷を増幅して駆動回路に読み出す有効画素領域、
複数の撮像素子−Bを備え、有効画素領域を取り囲み、黒レベルの基準となる光学的黒を出力するオプティカルブラック領域、及び、
複数の撮像素子−Cを備え、オプティカルブラック領域を取り囲む外縁領域、
から構成されており、
複数の撮像素子−A、撮像素子−B及び撮像素子−Cを構成する光電変換層は共通であり、
撮像素子−Cは、撮像装置の動作時、常時、動作状態にある。
1.本開示の第1の態様〜第2の態様に係る撮像装置、全般に関する説明
2.実施例1(本開示の第1の態様に係る撮像装置)
3.実施例2(実施例1の変形)
4.実施例3(実施例1〜実施例2の変形)
5.実施例4(実施例1〜実施例3の変形)
6.実施例5(実施例1〜実施例4の変形)
7.実施例6(実施例1〜実施例5の変形)
8.実施例7(本開示の第2の態様に係る撮像装置)
9.実施例8(実施例1〜実施例7の変形)
10.実施例9(実施例8の変形)
11.実施例10(実施例8〜実施例9の変形)
12.実施例11(実施例8〜実施例10の変形)
13.実施例12(実施例8〜実施例11の変形)
14.実施例13(実施例8〜実施例12の変形)
15.実施例14(実施例8〜実施例13の変形、第1構成及び第6構成の撮像素子)
16.実施例15(第2構成及び第6構成の撮像素子)
17.実施例16(第3構成の撮像素子)
18.実施例17(第4構成の撮像素子)
19.実施例18(第5構成の撮像素子)
20.実施例19(第6構成の撮像素子)
21.その他
本開示の第1の態様に係る撮像装置において、外縁電極は、絶縁層を介して共通の光電変換層と対向して配置されている形態とすることができる。そして、この場合、外縁電極には、信号電荷と同じ符号の電位が印加される形態とすることができ、更には、外縁電極には、撮像装置の動作時、常時、信号電荷と同じ符号の電位が印加される形態とすることができる。
撮像素子−A及び撮像素子−Bのそれぞれは、
第1電極、光電変換層及び第2電極が積層されて成る光電変換部を備えており、
光電変換部は、更に、第1電極と離間して配置され、且つ、絶縁層を介して光電変換層と対向して配置された電荷蓄積用電極を備えており、
撮像素子−Aを構成する光電変換層と撮像素子−Bを構成する光電変換層とは、共通の光電変換層から構成されており、
撮像素子−Aを構成する第2電極と撮像素子−Bを構成する第2電極とは、共通の第2電極から構成されており、
共通の第2電極側から光が入射する構成とすることができる。そして、この場合、共通の光電変換層を基準として、外縁電極は第1電極側に配置されている構成とすることができるし、あるいは又、共通の光電変換層を基準として、外縁電極は第2電極側に配置されている構成とすることができる。
第1電極、光電変換層及び第2電極が積層されて成る光電変換部を備えており、
光電変換部は、更に、第1電極と離間して配置され、且つ、絶縁層を介して光電変換層と対向して配置された電荷蓄積用電極を備えており、
撮像素子−Aを構成する光電変換層と撮像素子−Bを構成する光電変換層と撮像素子−Cを構成する光電変換層とは、共通の光電変換層から構成されており、
撮像素子−Aを構成する第2電極と撮像素子−Bを構成する第2電極と撮像素子−Cを構成する第2電極とは、共通の第2電極から構成されており、
撮像素子−Cを構成する第1電極には、撮像装置の動作時、常時、信号電荷と反対の符号の電位が印加され、
撮像素子−Cを構成する電荷蓄積用電極には、撮像装置の動作時、常時、信号電荷と同じ符号の電位が印加される形態とすることができる。
4≦S1’/S1
を満足することが好ましく、実施例1にあっては、限定するものではないが、例えば、
S1’/S1=8
とした。尚、後述する実施例13〜実施例17にあっては、3つの光電変換部セグメント10’1,10’2,10’3)の大きさを同じ大きさとし、平面形状も同じとした。
PB ・・・・・電荷蓄積用電極24と対向した光電変換層23の領域の点PBにおける電位
PC1 ・・・・・電荷蓄積用電極セグメント24Aと対向した光電変換層23の領域の点PC1における電位
PC2 ・・・・・電荷蓄積用電極セグメント24Bと対向した光電変換層23の領域の点PC2における電位
PC3 ・・・・・電荷蓄積用電極セグメント24Cと対向した光電変換層23の領域の点PC3における電位
PD ・・・・・転送制御用電極(電荷転送電極)25と対向した光電変換層23の領域の点PDにおける電位
FD・・・・・第1浮遊拡散層FD1における電位
VOA・・・・・電荷蓄積用電極24における電位
VOA-A・・・・電荷蓄積用電極セグメント24Aにおける電位
VOA-B・・・・電荷蓄積用電極セグメント24Bにおける電位
VOA-C・・・・電荷蓄積用電極セグメント24Cにおける電位
VOT ・・・・・転送制御用電極(電荷転送電極)25における電位
RST・・・・リセット・トランジスタTR1rstのゲート部51における電位
VDD・・・・・電源の電位
VSL1 ・・・信号線(データ出力線)VSL1
TR1rst ・・リセット・トランジスタTR1rst
TR1amp ・・増幅トランジスタTR1amp
TR1sel ・・選択トランジスタTR1sel
E2−E1≧0.1eV
より好ましくは、
E2−E1>0.1eV
を満足することが望ましい。このように、光電変換層を2層構造とすることで、電荷蓄積時の再結合を防止することができ、光電変換層に蓄積した電荷の第1電極への転送効率を増加させることができるし、暗電流の生成を抑制することができる。
半導体基板を更に備えており、
光電変換部は、半導体基板の上方に配置されている形態とすることができる。尚、第1電極、電荷蓄積用電極及び第2電極は、駆動回路に接続されている。
第1電極の頂面の縁部は絶縁層で覆われており、
開口部の底面には第1電極が露出しており、
第1電極の頂面と接する絶縁層の面を第1面、電荷蓄積用電極と対向する光電変換層の部分と接する絶縁層の面を第2面としたとき、開口部の側面は、第1面から第2面に向かって広がる傾斜を有する形態とすることができ、更には、第1面から第2面に向かって広がる傾斜を有する開口部の側面は、電荷蓄積用電極側に位置する形態とすることができる。尚、光電変換層と第1電極との間に他の層が形成されている形態(例えば、光電変換層と第1電極との間に電荷蓄積に適した材料層が形成されている形態)を包含する。
半導体基板に設けられ、駆動回路を有する制御部を更に備えており、
第1電極及び電荷蓄積用電極は、駆動回路に接続されており、
電荷蓄積期間において、駆動回路から、第1電極に電位V11が印加され、電荷蓄積用電極に電位V12が印加され、光電変換層に電荷が蓄積され、
電荷転送期間において、駆動回路から、第1電極に電位V21が印加され、電荷蓄積用電極に電位V22が印加され、光電変換層に蓄積された電荷が第1電極を経由して制御部に読み出される構成とすることができる。但し、第1電極の電位が第2電極の電位よりも高い場合、
V12≧V11、且つ、V22<V21
であり、第1電極の電位が第2電極の電位よりも低い場合、
V12≦V11、且つ、V22>V21
である。
半導体基板に設けられ、駆動回路を有する制御部を更に備えており、
第1電極、電荷蓄積用電極及び転送制御用電極は、駆動回路に接続されており、
電荷蓄積期間において、駆動回路から、第1電極に電位V11が印加され、電荷蓄積用電極に電位V12が印加され、転送制御用電極に電位V13が印加され、光電変換層に電荷が蓄積され、
電荷転送期間において、駆動回路から、第1電極に電位V21が印加され、電荷蓄積用電極に電位V22が印加され、転送制御用電極に電位V23が印加され、光電変換層に蓄積された電荷が第1電極を介して制御部に読み出される構成とすることができる。但し、第1電極の電位が第2電極の電位よりも高い場合、
V12>V13、且つ、V22≦V23≦V21
であり、第1電極の電位が第2電極の電位よりも低い場合、
V12<V13、且つ、V22≧V23≧V21
である。
光電変換層は、絶縁層に設けられた第2開口部内を延在し、電荷排出電極と接続されており、
電荷排出電極の頂面の縁部は絶縁層で覆われており、
第2開口部の底面には電荷排出電極が露出しており、
電荷排出電極の頂面と接する絶縁層の面を第3面、電荷蓄積用電極と対向する光電変換層の部分と接する絶縁層の面を第2面としたとき、第2開口部の側面は、第3面から第2面に向かって広がる傾斜を有する形態とすることができる。
半導体基板に設けられ、駆動回路を有する制御部を更に備えており、
第1電極、電荷蓄積用電極及び電荷排出電極は、駆動回路に接続されており、
電荷蓄積期間において、駆動回路から、第1電極に電位V11が印加され、電荷蓄積用電極に電位V12が印加され、電荷排出電極に電位V14が印加され、光電変換層に電荷が蓄積され、
電荷転送期間において、駆動回路から、第1電極に電位V21が印加され、電荷蓄積用電極に電位V22が印加され、電荷排出電極に電位V24が印加され、光電変換層に蓄積された電荷が第1電極を介して制御部に読み出される構成とすることができる。但し、第1電極の電位が第2電極の電位よりも高い場合、
V14>V11、且つ、V24<V21
であり、第1電極の電位が第2電極の電位よりも低い場合、
V14<V11、且つ、V24>V21
である。
第1電極の電位が第2電極の電位よりも高い場合、電荷転送期間において、第1電極に最も近い所に位置する電荷蓄積用電極セグメント(第1番目の光電変換部セグメント)に印加される電位は、第1電極に最も遠い所に位置する電荷蓄積用電極セグメント(第N番目の光電変換部セグメント)に印加される電位よりも高く、
第1電極の電位が第2電極の電位よりも低い場合、電荷転送期間において、第1電極に最も近い所に位置する電荷蓄積用電極セグメント(第1番目の光電変換部セグメント)に印加される電位は、第1電極に最も遠い所に位置する電荷蓄積用電極セグメント(第N番目の光電変換部セグメント)に印加される電位よりも低い形態とすることができる。
半導体基板には、制御部を構成する少なくとも浮遊拡散層及び増幅トランジスタが設けられており、
第1電極は、浮遊拡散層及び増幅トランジスタのゲート部に接続されている構成とすることができる。そして、この場合、更には、
半導体基板には、更に、制御部を構成するリセット・トランジスタ及び選択トランジスタが設けられており、
浮遊拡散層は、リセット・トランジスタの一方のソース/ドレイン領域に接続されており、
増幅トランジスタの一方のソース/ドレイン領域は、選択トランジスタの一方のソース/ドレイン領域に接続されており、選択トランジスタの他方のソース/ドレイン領域は信号線に接続されている構成とすることができる。
4≦S1’/S1
を満足することが好ましい。
光電変換部は、N個(但し、N≧2)の光電変換部セグメントから構成されており、
光電変換層は、N個の光電変換層セグメントから構成されており、
絶縁層は、N個の絶縁層セグメントから構成されており、
第1構成〜第3構成の撮像素子にあっては、電荷蓄積用電極は、N個の電荷蓄積用電極セグメントから構成されており、
第4構成〜第5構成の撮像素子にあっては、電荷蓄積用電極は、相互に離間されて配置された、N個の電荷蓄積用電極セグメントから構成されており、
第n番目(但し、n=1,2,3・・・N)の光電変換部セグメントは、第n番目の電荷蓄積用電極セグメント、第n番目の絶縁層セグメント及び第n番目の光電変換層セグメントから構成されており、
nの値が大きい光電変換部セグメントほど、第1電極から離れて位置する。
第1構成〜第6構成の撮像素子を、複数、有しており、
複数の撮像素子から撮像素子ブロックが構成されており、
撮像素子ブロックを構成する複数の撮像素子において第1電極が共有されている撮像装置とすることができる。このような構成の撮像装置を、便宜上、『第1構成の撮像装置』と呼ぶ。あるいは又、本開示の第1の態様〜第2の態様に係る撮像装置の変形例として、
第1構成〜第6構成の撮像素子、あるいは又、第1構成〜第6構成の撮像素子を少なくとも1つ有する積層型撮像素子を、複数、有しており、
複数の撮像素子あるいは積層型撮像素子から撮像素子ブロックが構成されており、
撮像素子ブロックを構成する複数の撮像素子あるいは積層型撮像素子において第1電極が共有されている撮像装置とすることができる。このような構成の撮像装置を、便宜上、『第2構成の撮像装置』と呼ぶ。そして、このように撮像素子ブロックを構成する複数の撮像素子において第1電極を共有化すれば、撮像素子が複数配列された画素領域における構成、構造を簡素化、微細化することができる。
[A]第1タイプの青色光用光電変換部、第1タイプの緑色光用光電変換部及び第1タイプの赤色光用光電変換部が、垂直方向に積層され、
第1タイプの青色光用撮像素子、第1タイプの緑色光用撮像素子及び第1タイプの赤色光用撮像素子の制御部のそれぞれが、半導体基板に設けられた構成、構造
[B]第1タイプの青色光用光電変換部及び第1タイプの緑色光用光電変換部が、垂直方向に積層され、
これらの2層の第1タイプの光電変換部の下方に、第2タイプの赤色光用光電変換部が配置され、
第1タイプの青色光用撮像素子、第1タイプの緑色光用撮像素子及び第2タイプの赤色光用撮像素子の制御部のそれぞれが、半導体基板に設けられた構成、構造
[C]第1タイプの緑色光用光電変換部の下方に、第2タイプの青色光用光電変換部及び第2タイプの赤色光用光電変換部が配置され、
第1タイプの緑色光用撮像素子、第2タイプの青色光用撮像素子及び第2タイプの赤色光用撮像素子の制御部のそれぞれが、半導体基板に設けられた構成、構造
[D]第1タイプの青色光用光電変換部の下方に、第2タイプの緑色光用光電変換部及び第2タイプの赤色光用光電変換部が配置され、
第1タイプの青色光用撮像素子、第2タイプの緑色光用撮像素子及び第2タイプの赤色光用撮像素子の制御部のそれぞれが、半導体基板に設けられた構成、構造
を挙げることができる。これらの撮像素子の光電変換部の垂直方向における配置順は、光入射方向から青色光用光電変換部、緑色光用光電変換部、赤色光用光電変換部の順、あるいは、光入射方向から緑色光用光電変換部、青色光用光電変換部、赤色光用光電変換部の順であることが好ましい。これは、より短い波長の光がより入射表面側において効率良く吸収されるからである。赤色は3色の中では最も長い波長であるので、光入射面から見て赤色光用光電変換部を最下層に位置させることが好ましい。これらの撮像素子の積層構造によって、1つの画素が構成される。また、第1タイプの近赤外光用光電変換部(あるいは、赤外光用光電変換部)を備えていてもよい。ここで、第1タイプの赤外光用光電変換部の光電変換層は、例えば、有機系材料から構成され、第1タイプの撮像素子の積層構造の最下層であって、第2タイプの撮像素子よりも上に配置することが好ましい。あるいは又、第1タイプの光電変換部の下方に、第2タイプの近赤外光用光電変換部(あるいは、赤外光用光電変換部)を備えていてもよい。
(1)p型有機半導体から構成する。
(2)n型有機半導体から構成する。
(3)p型有機半導体層/n型有機半導体層の積層構造から構成する。p型有機半導体層/p型有機半導体とn型有機半導体との混合層(バルクヘテロ構造)/n型有機半導体層の積層構造から構成する。p型有機半導体層/p型有機半導体とn型有機半導体との混合層(バルクヘテロ構造)の積層構造から構成する。n型有機半導体層/p型有機半導体とn型有機半導体との混合層(バルクヘテロ構造)の積層構造から構成する。
(4)p型有機半導体とn型有機半導体の混合(バルクヘテロ構造)から構成する。
の4態様のいずれかとすることができる。但し、積層順は任意に入れ替えた構成とすることができる。
全ての撮像素子において、一斉に、光電変換層に電荷を蓄積しながら、第1電極における電荷を系外に排出し、その後、
全ての撮像素子において、一斉に、光電変換層に蓄積された電荷を第1電極に転送し、転送完了後、順次、各撮像素子において第1電極に転送された電荷を読み出す、
各工程を繰り返す撮像装置の駆動方法とすることができる。
光電変換部は、N個(但し、N≧2)の光電変換部セグメント(具体的には、3つの光電変換部セグメント10’1,10’2,10’3)から構成されており、
酸化物半導体材料層23B及び有機半導体材料層23Aは、N個の光電変換層セグメント(具体的には、3つの光電変換層セグメント23’1,23’2,23’3)から構成されており、
絶縁層82は、N個の絶縁層セグメント(具体的には、3つの絶縁層セグメント82’1,82’2,82’3)から構成されており、
実施例14〜実施例16において、電荷蓄積用電極24は、N個の電荷蓄積用電極セグメント(具体的には、各実施例にあっては、3つの電荷蓄積用電極セグメント24’1,24’2,24’3)から構成されており、
実施例17〜実施例18において、場合によっては、実施例16において、電荷蓄積用電極24は、相互に離間されて配置された、N個の電荷蓄積用電極セグメント(具体的には、3つの電荷蓄積用電極セグメント24’1,24’2,24’3)から構成されており、
第n番目(但し、n=1,2,3・・・N)の光電変換部セグメント10’nは、第n番目の電荷蓄積用電極セグメント24’n、第n番目の絶縁層セグメント82’n及び第n番目の光電変換層セグメント23’nから構成されており、
nの値が大きい光電変換部セグメントほど、第1電極21から離れて位置する。ここで、光電変換層セグメント23’1,23’2,23’3は、有機半導体材料層と無機酸化物半導体材料層とが積層されて成るセグメントを指し、図面では、図面の簡素化のため、1層で表現している。以下においても同様である。
第1電極21、酸化物半導体材料層23B、有機半導体材料層23A及び第2電極22が積層されて成る光電変換部を備えており、
光電変換部は、更に、第1電極21と離間して配置され、且つ、絶縁層82を介して酸化物半導体材料層23Bと対向して配置された電荷蓄積用電極24を備えており、
電荷蓄積用電極24と絶縁層82と酸化物半導体材料層23Bと有機半導体材料層23Aの積層方向をZ方向、第1電極21から離れる方向をX方向としたとき、YZ仮想平面で電荷蓄積用電極24と絶縁層82と酸化物半導体材料層23Bと有機半導体材料層23Aが積層された積層部分を切断したときの積層部分の断面積は、第1電極からの距離に依存して変化する。
[A01]《撮像装置:第1の態様》
複数の撮像素子−Aを備え、光電変換によって生成された信号電荷を増幅して駆動回路に読み出す有効画素領域、及び、
複数の撮像素子−Bを備え、有効画素領域を取り囲み、黒レベルの基準となる光学的黒を出力するオプティカルブラック領域、
から構成されており、
複数の撮像素子−A及び撮像素子−Bを構成する光電変換層は共通であり、
共通の光電変換層は、オプティカルブラック領域の外側に位置し、オプティカルブラック領域を取り囲む外縁領域へと延びており、
外縁領域には、外縁電極が配置されている撮像装置。
[A02]外縁電極は、絶縁層を介して共通の光電変換層と対向して配置されている[A01]に記載の撮像装置。
[A03]外縁電極には、信号電荷と同じ符号の電位が印加される[A02]に記載の撮像装置。
[A04]外縁電極には、撮像装置の動作時、常時、信号電荷と同じ符号の電位が印加される[A03]に記載の撮像装置。
[A05]外縁電極は、共通の光電変換層に接続されている[A01]に記載の撮像装置。
[A06]外縁電極は、絶縁層を介して共通の光電変換層と対向して配置された第1外縁電極、及び、第1外縁電極より外側に配置され、共通の光電変換層に接続された第2外縁電極から構成されている[A01]に記載の撮像装置。
[A07]外縁電極は、オプティカルブラック領域を取り囲んでいる[A01]乃至[A06]のいずれか1項に記載の撮像装置。
[A08]オプティカルブラック領域を取り囲んでいる外縁電極は、連続して形成されている[A07]に記載の撮像装置。
[A09]オプティカルブラック領域を取り囲んでいる外縁電極は、不連続に形成されている[A07]に記載の撮像装置。
[A10]撮像素子−A及び撮像素子−Bのそれぞれは、
第1電極、光電変換層及び第2電極が積層されて成る光電変換部を備えており、
光電変換部は、更に、第1電極と離間して配置され、且つ、絶縁層を介して光電変換層と対向して配置された電荷蓄積用電極を備えており、
撮像素子−Aを構成する光電変換層と撮像素子−Bを構成する光電変換層とは、共通の光電変換層から構成されており、
撮像素子−Aを構成する第2電極と撮像素子−Bを構成する第2電極とは、共通の第2電極から構成されており、
共通の第2電極側から光が入射する[A01]乃至[A09]のいずれか1項に記載の撮像装置。
[A11]共通の光電変換層を基準として、外縁電極は第1電極側に配置されている[A10]に記載の撮像装置。
[A12]共通の光電変換層を基準として、外縁電極は第2電極側に配置されている[A10]に記載の撮像装置。
[A13]《撮像装置:第2の態様》
複数の撮像素子−Aを備え、光電変換によって生成された信号電荷を増幅して駆動回路に読み出す有効画素領域、
複数の撮像素子−Bを備え、有効画素領域を取り囲み、黒レベルの基準となる光学的黒を出力するオプティカルブラック領域、及び、
複数の撮像素子−Cを備え、オプティカルブラック領域を取り囲む外縁領域、
から構成されており、
複数の撮像素子−A、撮像素子−B及び撮像素子−Cを構成する光電変換層は共通であり、
撮像素子−Cは、撮像装置の動作時、常時、動作状態にある撮像装置。
[A14]撮像素子−A、撮像素子−B及び撮像素子−Cのそれぞれは、
第1電極、光電変換層及び第2電極が積層されて成る光電変換部を備えており、
光電変換部は、更に、第1電極と離間して配置され、且つ、絶縁層を介して光電変換層と対向して配置された電荷蓄積用電極を備えており、
撮像素子−Aを構成する光電変換層と撮像素子−Bを構成する光電変換層と撮像素子−Cを構成する光電変換層とは、共通の光電変換層から構成されており、
撮像素子−Aを構成する第2電極と撮像素子−Bを構成する第2電極と撮像素子−Cを構成する第2電極とは、共通の第2電極から構成されており、
撮像素子−Cを構成する第1電極には、撮像装置の動作時、常時、信号電荷と反対の符号の電位が印加され、
撮像素子−Cを構成する電荷蓄積用電極には、撮像装置の動作時、常時、信号電荷と同じ符号の電位が印加される[A13]に記載の撮像装置。
[A15]撮像素子−Cを構成する絶縁層の厚さは、撮像素子−A及び撮像素子−Bを構成する絶縁層の厚さよりも薄い[A13]又は[A14]に記載の撮像装置。
[B01]光電変換部は、更に、絶縁層、及び、第1電極と離間して配置され、且つ、絶縁層を介して光電変換層と対向して配置された電荷蓄積用電極を備えている[A10]又は[A14]に記載の撮像装置。
[B01]半導体基板を更に備えており、
光電変換部は、半導体基板の上方に配置されている[A10]又は[A14]に記載の撮像装置。
[B02]第1電極は、絶縁層に設けられた開口部内を延在し、光電変換層と接続されている[B01]に記載の撮像装置。
[B03]光電変換層は、絶縁層に設けられた開口部内を延在し、第1電極と接続されている[B01]に記載の撮像装置。
[B04]《第1電極及び電荷蓄積用電極の電位の制御》
半導体基板に設けられ、駆動回路を有する制御部を更に備えており、
第1電極及び電荷蓄積用電極は、駆動回路に接続されており、
電荷蓄積期間において、駆動回路から、第1電極に電位V11が印加され、電荷蓄積用電極に電位V12が印加され、光電変換層に電荷が蓄積され、
電荷転送期間において、駆動回路から、第1電極に電位V21が印加され、電荷蓄積用電極に電位V22が印加され、光電変換層に蓄積された電荷が第1電極を経由して制御部に読み出される[B01]乃至[B03]のいずれか1項に記載の撮像装置。
但し、第1電極の電位は第2電極の電位よりも高く、
V12≧V11、且つ、V22<V21
である。
[B05]《転送制御用電極》
第1電極と電荷蓄積用電極との間に、第1電極及び電荷蓄積用電極と離間して配置され、且つ、絶縁層を介して光電変換層と対向して配置された転送制御用電極を更に備えている[B01]乃至[B04]のいずれか1項に記載の撮像装置。
[B06]《第1電極、電荷蓄積用電極及び転送制御用電極の電位の制御》
半導体基板に設けられ、駆動回路を有する制御部を更に備えており、
第1電極、電荷蓄積用電極及び転送制御用電極は、駆動回路に接続されており、
電荷蓄積期間において、駆動回路から、第1電極に電位V11が印加され、電荷蓄積用電極に電位V12が印加され、転送制御用電極に電位V13が印加され、光電変換層に電荷が蓄積され、
電荷転送期間において、駆動回路から、第1電極に電位V21が印加され、電荷蓄積用電極に電位V22が印加され、転送制御用電極に電位V23が印加され、光電変換層に蓄積された電荷が第1電極を介して制御部に読み出される[B05]に記載の撮像装置。
但し、第1電極の電位は第2電極の電位よりも高く、
V12>V13、且つ、V22≦V23≦V21
である。
[B07]《電荷排出電極》
光電変換層に接続され、第1電極及び電荷蓄積用電極と離間して配置された電荷排出電極を更に備えている[B01]乃至[B06]のいずれか1項に記載の撮像装置。
[B08]電荷排出電極は、第1電極及び電荷蓄積用電極を取り囲むように配置されている[B07]に記載の撮像装置。
[B09]《第1電極、電荷蓄積用電極及び電荷排出電極の電位の制御》
半導体基板に設けられ、駆動回路を有する制御部を更に備えており、
第1電極、電荷蓄積用電極及び電荷排出電極は、駆動回路に接続されており、
電荷蓄積期間において、駆動回路から、第1電極に電位V11が印加され、電荷蓄積用電極に電位V12が印加され、電荷排出電極に電位V14が印加され、光電変換層に電荷が蓄積され、
電荷転送期間において、駆動回路から、第1電極に電位V21が印加され、電荷蓄積用電極に電位V22が印加され、電荷排出電極に電位V24が印加され、光電変換層に蓄積された電荷が第1電極を介して制御部に読み出される[B10]乃至[B08]のいずれか1項に記載の撮像装置。
但し、第1電極の電位は第2電極の電位よりも高く、
V14>V11、且つ、V24<V21
である。
[B10]《電荷蓄積用電極セグメント》
電荷蓄積用電極は、複数の電荷蓄積用電極セグメントから構成されている[B01]乃至[B09]のいずれか1項に記載の撮像装置。
[B11]第1電極の電位が第2電極の電位よりも高い場合、電荷転送期間において、第1電極に最も近い所に位置する電荷蓄積用電極セグメントに印加される電位は、第1電極に最も遠い所に位置する電荷蓄積用電極セグメントに印加される電位よりも高く、
第1電極の電位が第2電極の電位よりも低い場合、電荷転送期間において、第1電極に最も近い所に位置する電荷蓄積用電極セグメントに印加される電位は、第1電極に最も遠い所に位置する電荷蓄積用電極セグメントに印加される電位よりも低い[B10]に記載の撮像装置。
[B12]半導体基板には、制御部を構成する少なくとも浮遊拡散層及び増幅トランジスタが設けられており、
第1電極は、浮遊拡散層及び増幅トランジスタのゲート部に接続されている[B01]乃至[B11]のいずれか1項に記載の撮像装置。
[B13]半導体基板には、更に、制御部を構成するリセット・トランジスタ及び選択トランジスタが設けられており、
浮遊拡散層は、リセット・トランジスタの一方のソース/ドレイン領域に接続されており、
増幅トランジスタの一方のソース/ドレイン領域は、選択トランジスタの一方のソース/ドレイン領域に接続されており、選択トランジスタの他方のソース/ドレイン領域は信号線に接続されている[B12]に記載の撮像装置。
[B14]電荷蓄積用電極の大きさは第1電極よりも大きい[B01]乃至[B13]のいずれか1項に記載の撮像装置。
[B15]《撮像素子:第1構成》
光電変換部は、N個(但し、N≧2)の光電変換部セグメントから構成されており、
光電変換層及び光電変換層は、N個の光電変換層セグメントから構成されており、
絶縁層は、N個の絶縁層セグメントから構成されており、
電荷蓄積用電極は、N個の電荷蓄積用電極セグメントから構成されており、
第n番目(但し、n=1,2,3・・・N)の光電変換部セグメントは、第n番目の電荷蓄積用電極セグメント、第n番目の絶縁層セグメント及び第n番目の光電変換層セグメントから構成されており、
nの値が大きい光電変換部セグメントほど、第1電極から離れて位置し、
第1番目の光電変換部セグメントから第N番目の光電変換部セグメントに亙り、絶縁層セグメントの厚さが、漸次、変化している[B01]乃至[B14]のいずれか1項に記載の撮像装置。
[B16]《撮像素子:第2構成》
光電変換部は、N個(但し、N≧2)の光電変換部セグメントから構成されており、
光電変換層及び光電変換層は、N個の光電変換層セグメントから構成されており、
絶縁層は、N個の絶縁層セグメントから構成されており、
電荷蓄積用電極は、N個の電荷蓄積用電極セグメントから構成されており、
第n番目(但し、n=1,2,3・・・N)の光電変換部セグメントは、第n番目の電荷蓄積用電極セグメント、第n番目の絶縁層セグメント及び第n番目の光電変換層セグメントから構成されており、
nの値が大きい光電変換部セグメントほど、第1電極から離れて位置し、
第1番目の光電変換部セグメントから第N番目の光電変換部セグメントに亙り、光電変換層セグメントの厚さが、漸次、変化している[B01]乃至[B14]のいずれか1項に記載の撮像装置。
[B17]《撮像素子:第3構成》
光電変換部は、N個(但し、N≧2)の光電変換部セグメントから構成されており、
光電変換層及び光電変換層は、N個の光電変換層セグメントから構成されており、
絶縁層は、N個の絶縁層セグメントから構成されており、
電荷蓄積用電極は、N個の電荷蓄積用電極セグメントから構成されており、
第n番目(但し、n=1,2,3・・・N)の光電変換部セグメントは、第n番目の電荷蓄積用電極セグメント、第n番目の絶縁層セグメント及び第n番目の光電変換層セグメントから構成されており、
nの値が大きい光電変換部セグメントほど、第1電極から離れて位置し、
隣接する光電変換部セグメントにおいて、絶縁層セグメントを構成する材料が異なる[B01]乃至[B14]のいずれか1項に記載の撮像装置。
[B18]《撮像素子:第4構成》
光電変換部は、N個(但し、N≧2)の光電変換部セグメントから構成されており、
光電変換層及び光電変換層は、N個の光電変換層セグメントから構成されており、
絶縁層は、N個の絶縁層セグメントから構成されており、
電荷蓄積用電極は、相互に離間されて配置された、N個の電荷蓄積用電極セグメントから構成されており、
第n番目(但し、n=1,2,3・・・N)の光電変換部セグメントは、第n番目の電荷蓄積用電極セグメント、第n番目の絶縁層セグメント及び第n番目の光電変換層セグメントから構成されており、
nの値が大きい光電変換部セグメントほど、第1電極から離れて位置し、
隣接する光電変換部セグメントにおいて、電荷蓄積用電極セグメントを構成する材料が異なる[B01]乃至[B14]のいずれか1項に記載の撮像装置。
[B19]《撮像素子:第5構成》
光電変換部は、N個(但し、N≧2)の光電変換部セグメントから構成されており、
光電変換層及び光電変換層は、N個の光電変換層セグメントから構成されており、
絶縁層は、N個の絶縁層セグメントから構成されており、
電荷蓄積用電極は、相互に離間されて配置された、N個の電荷蓄積用電極セグメントから構成されており、
第n番目(但し、n=1,2,3・・・N)の光電変換部セグメントは、第n番目の電荷蓄積用電極セグメント、第n番目の絶縁層セグメント及び第n番目の光電変換層セグメントから構成されており、
nの値が大きい光電変換部セグメントほど、第1電極から離れて位置し、
第1番目の光電変換部セグメントから第N番目の光電変換部セグメントに亙り、電荷蓄積用電極セグメントの面積が、漸次、小さくなっている[B01]乃至[B14]のいずれか1項に記載の撮像装置。
[B20]《撮像素子:第6構成》
電荷蓄積用電極と絶縁層と光電変換層と光電変換層の積層方向をZ方向、第1電極から離れる方向をX方向としたとき、YZ仮想平面で電荷蓄積用電極と絶縁層と光電変換層と光電変換層が積層された積層部分を切断したときの積層部分の断面積は、第1電極からの距離に依存して変化する[B01]乃至[B14]のいずれか1項に記載の撮像装置。
Claims (15)
- 複数の撮像素子−Aを備え、光電変換によって生成された信号電荷を増幅して駆動回路に読み出す有効画素領域、及び、
複数の撮像素子−Bを備え、有効画素領域を取り囲み、黒レベルの基準となる光学的黒を出力するオプティカルブラック領域、
から構成されており、
複数の撮像素子−A及び撮像素子−Bを構成する光電変換層は共通であり、
共通の光電変換層は、オプティカルブラック領域の外側に位置し、オプティカルブラック領域を取り囲む外縁領域へと延びており、
外縁領域には、外縁電極が配置されている撮像装置。 - 外縁電極は、絶縁層を介して共通の光電変換層と対向して配置されている請求項1に記載の撮像装置。
- 外縁電極には、信号電荷と同じ符号の電位が印加される請求項2に記載の撮像装置。
- 外縁電極には、撮像装置の動作時、常時、信号電荷と同じ符号の電位が印加される請求項3に記載の撮像装置。
- 外縁電極は、共通の光電変換層に接続されている請求項1に記載の撮像装置。
- 外縁電極は、絶縁層を介して共通の光電変換層と対向して配置された第1外縁電極、及び、第1外縁電極より外側に配置され、共通の光電変換層に接続された第2外縁電極から構成されている請求項1に記載の撮像装置。
- 外縁電極は、オプティカルブラック領域を取り囲んでいる請求項1に記載の撮像装置。
- オプティカルブラック領域を取り囲んでいる外縁電極は、連続して形成されている請求項7に記載の撮像装置。
- オプティカルブラック領域を取り囲んでいる外縁電極は、不連続に形成されている請求項7に記載の撮像装置。
- 撮像素子−A及び撮像素子−Bのそれぞれは、
第1電極、光電変換層及び第2電極が積層されて成る光電変換部を備えており、
光電変換部は、更に、第1電極と離間して配置され、且つ、絶縁層を介して光電変換層と対向して配置された電荷蓄積用電極を備えており、
撮像素子−Aを構成する光電変換層と撮像素子−Bを構成する光電変換層とは、共通の光電変換層から構成されており、
撮像素子−Aを構成する第2電極と撮像素子−Bを構成する第2電極とは、共通の第2電極から構成されており、
共通の第2電極側から光が入射する請求項1に記載の撮像装置。 - 共通の光電変換層を基準として、外縁電極は第1電極側に配置されている請求項10に記載の撮像装置。
- 共通の光電変換層を基準として、外縁電極は第2電極側に配置されている請求項10に記載の撮像装置。
- 複数の撮像素子−Aを備え、光電変換によって生成された信号電荷を増幅して駆動回路に読み出す有効画素領域、
複数の撮像素子−Bを備え、有効画素領域を取り囲み、黒レベルの基準となる光学的黒を出力するオプティカルブラック領域、及び、
複数の撮像素子−Cを備え、オプティカルブラック領域を取り囲む外縁領域、
から構成されており、
複数の撮像素子−A、撮像素子−B及び撮像素子−Cを構成する光電変換層は共通であり、
撮像素子−Cは、撮像装置の動作時、常時、動作状態にある撮像装置。 - 撮像素子−A、撮像素子−B及び撮像素子−Cのそれぞれは、
第1電極、光電変換層及び第2電極が積層されて成る光電変換部を備えており、
光電変換部は、更に、第1電極と離間して配置され、且つ、絶縁層を介して光電変換層と対向して配置された電荷蓄積用電極を備えており、
撮像素子−Aを構成する光電変換層と撮像素子−Bを構成する光電変換層と撮像素子−Cを構成する光電変換層とは、共通の光電変換層から構成されており、
撮像素子−Aを構成する第2電極と撮像素子−Bを構成する第2電極と撮像素子−Cを構成する第2電極とは、共通の第2電極から構成されており、
撮像素子−Cを構成する第1電極には、撮像装置の動作時、常時、信号電荷と反対の符号の電位が印加され、
撮像素子−Cを構成する電荷蓄積用電極には、撮像装置の動作時、常時、信号電荷と同じ符号の電位が印加される請求項13に記載の撮像装置。 - 撮像素子−Cを構成する絶縁層の厚さは、撮像素子−A及び撮像素子−Bを構成する絶縁層の厚さよりも薄い請求項13に記載の撮像装置。
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