JPWO2019203079A1 - 発光装置 - Google Patents

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Abstract

発光装置(A)は、レーザー光(100)を放つレーザー光源(1)と、底壁部(3)と側壁部とを有する筐体(2A)と、側壁部に設けられ、第一の蛍光体を含む第一の波長変換体(20)と、を備える。そして、レーザー光源から筐体の底壁部にレーザー光が照射され、第一の蛍光体は底壁部で拡散したレーザー光の拡散光で励起される。このような構成により、出力光のパワー密度を高めつつ、色均一性及び色度の自在性を向上させることが可能な発光装置(A)を得ることができる。

Description

本発明は、発光装置に関する。
従来、レーザー光を励起光とした蛍光体のフォトルミネッセンスを利用し、レーザー光の一部と蛍光体から放出される蛍光との混合によって白色光を得る発光装置が知られている。
近年、発光装置の光出力を向上させるために、パワー密度の高い励起光を蛍光体に照射することが望まれている。ただ、励起光のハイパワー化に伴い、蛍光体の蛍光出力飽和が発生することが知られており、結果として、レーザー光から白色光への変換効率が低下する場合がある。また、蛍光は等方的に拡散する配向分布(無指向性)を有する一方、レーザー光は直進性(指向性)が高い特性を有する。このような蛍光とレーザー光の特性に起因し、出力光の照射スポットに色ムラが生じ、色均一性が低下する場合がある。
そこで、特許文献1では、レーザー光を出射する励起光源と、セラミックス材料と励起光源から出射された励起光により発光する蛍光体とをバインダを用いて焼結させ、内部に粒界を有する焼結発光体と、を備える発光装置が開示されている。このように、蛍光体内部の粒界でレーザー光を散乱させることで、レーザー光の配向分布を等方的に変換し、白色光の色均一性を改善することが可能である。
特許第5090549号公報
しかしながら、特許文献1の発光装置では、蛍光体内部の光散乱が過剰となることで、出射部からの光の取り出し効率が低下する場合があった。また、光の取り出し効率の低下と共に蛍光体の光吸収率も低下するため、例えば励起光が波長440nm〜490nmの青色である場合、低色温度帯の色調が得難く、色度の自在性に乏しい発光装置になるという問題があった。
本発明は、このような従来技術の有する課題に鑑みてなされたものである。そして、本発明の目的は、出力光のパワー密度を高めつつ、色均一性及び色度の自在性を向上させることが可能な発光装置を提供することにある。
上記課題を解決するために、本発明の態様に係る発光装置は、レーザー光を放つレーザー光源と、底壁部と側壁部とを有する筐体と、側壁部に設けられ、第一の蛍光体を含む第一の波長変換体と、を備える。そして、レーザー光源から筐体の底壁部にレーザー光が照射され、第一の蛍光体は底壁部で拡散したレーザー光の拡散光で励起される。
図1は、第一実施形態に係る発光装置の例を示す概略図である。図1(a)は発光装置の斜視図であり、図1(b)は図1(a)のI−I線に沿った断面図である。 図2は、第二実施形態に係る発光装置の例を示す概略図である。図2(a)は発光装置の斜視図であり、図2(b)は図2(a)のII−II線に沿った断面図である。 図3は、第二実施形態に係る発光装置の他の例を示す断面図である。 図4は、第三実施形態に係る発光装置の一例を示す概略図である。図4(a)は発光装置の斜視図であり、図4(b)は図4(a)のIV−IV線に沿った断面図である。 図5は、第三実施形態に係る発光装置の他の例を示す概略図である。図5(a)は発光装置の斜視図であり、図5(b)は図5(a)のV−V線に沿った断面図である。 図6は、第三実施形態に係る発光装置の他の例を示す概略図である。図6(a)は発光装置の斜視図であり、図6(b)は図6(a)のVI−VI線に沿った断面図である。 図7は、第三実施形態に係る発光装置の他の例を示す概略図である。図7(a)は発光装置の斜視図であり、図7(b)は図7(a)のVII−VII線に沿った断面図である。 図8は、第四実施形態に係る発光装置の例を示す概略断面図である。 図9は、第四実施形態に係る発光装置の他の例を示す概略図である。 図10は、実施例に係る発光装置を組み立てる工程を説明するための概略斜視図である。 図11は、実施例及び比較例に係る発光装置の評価方法を説明するための断面図である。 図12は、実施例及び比較例に係る発光装置における入射レーザー光のパワー密度と出力光のパワーとの関係を示すグラフである。
以下、本実施形態について、図面を参照しながら説明する。なお、以下に説明する実施形態は、いずれも本実施形態の好ましい具体例を示すものである。したがって、以下の実施形態で示される、数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置位置及び接続形態などは、あくまで一例であって、本実施形態を限定する趣旨ではない。なお、図1乃至図11は模式図であり、必ずしも厳密に図示されたものではない。また、図1乃至図11において、実質的に同一の構成に対しては同一の符号を付し、重複する説明は省略又は簡略化する。
[第一実施形態]
本実施形態の発光装置Aは、図1に示すように、レーザー光を放つレーザー光源1と、底壁部3と側壁部とを有する筐体2Aとを備えている。さらに、筐体2Aには、側壁部に設けられ、第一の蛍光体を含む第一の波長変換体20が設けられている。
(レーザー光源)
レーザー光源1は、レーザー光100を放射する発光素子である。このようなレーザー光源1は特に限定されないが、例えば、面発光レーザーダイオード等のレーザーダイオードを用いることができる。また、レーザー光源1としては、無機又は有機のエレクトロルミネッセンス素子を用いることもできる。
レーザー光源1が発するレーザー光100は、後述するように、第一の波長変換体に含まれる第一の蛍光体により吸収され得る任意の波長を持つ光である。レーザー光は、パワー密度が一般的な拡散光に比べて高く、直進性及び指向性が高いことを特徴とする。
レーザー光源1が発するレーザー光100としては、紫外線を放射する紫外線レーザー光及び可視光線を放射する可視レーザー光の少なくとも一方を用いることができる。また、レーザー光100は、440nm以上470nm未満、好ましくは445nm以上460nm未満の波長領域内に強度最大値を有することが好ましい。これにより、第一の蛍光体を効率よく励起することが可能となる。また、レーザー光が上記波長領域内に強度最大値を有する場合には、レーザー光が視認性のよい青色光になり、蛍光体の励起光としてだけでなく、発光装置の出力光としても無駄なく利用することができる。また、このようなレーザー光を利用する構成にすると、比較的安価で、かつ、高い実用実績を持つ青色半導体レーザー素子をレーザー光源として利用できるので、工業生産に適する発光装置となる。
レーザー光100における光密度の具体的な数値は特に限定されないが、例えば3W/mm以上100W/mm未満であることが好ましい。レーザー光100の光密度が3W/mm以上の場合には、LED照明との違いが明確となるため、差別化商品としての価値が高い発光装置を得ることができる。レーザー光100における光密度が100W/mm未満の場合には、波長変換体のエネルギー損失に起因する発熱が低い発光装置を得ることができる。
なお、一般照明用として好ましいレーザー光100の光密度の最大値は、3W/mm以上20W/mm未満である。内視鏡用として好ましいレーザー光100の光密度の最大値は、10W/mm以上50W/mm未満である。プロジェクタ用として好ましいレーザー光100の光密度の最大値は、40W/mm以上100W/mm未満である。
(筐体)
図1に示す発光装置Aは、第一の蛍光体を含む第一の波長変換体20を内部に保持する筐体2Aを備えている。具体的には、筐体2Aは、底壁部3と、側壁部である右側壁4、左側壁5、前側壁6及び後側壁7とを備え、外観視した場合に略直方体の形状を有している。また、筐体2Aは、底壁部3、右側壁4、左側壁5、前側壁6及び後側壁7により仕切られてなる内部空間を有している。筐体2Aは上面に開口部8を備え、開口部8は内部空間と連通していることから、開口部8を通じて当該内部空間にレーザー光100が照射される。
筐体2Aの内部空間における底壁部3の上面3aには、無機粒子を含有する光拡散層10が保持されている。さらに、右側壁4、左側壁5、前側壁6及び後側壁7の内面には、第一の蛍光体を含有する第一の波長変換体20が保持されている。そして、図1に示すように、無機粒子を含有する光拡散層10は、形状が板状又はフィルム状であり、底壁部3に固定されていることが好ましい。同様に、第一の蛍光体を含有する第一の波長変換体20も、形状が板状又はフィルム状であり、右側壁4、左側壁5、前側壁6及び後側壁7に固定されていることが好ましい。これにより、光拡散層10及び第一の波長変換体20の形状が安定化し、効率的にレーザー光100を拡散して波長変換することが可能となる。
このような筐体2Aを用いた発光装置Aは、反射型と呼ばれる構造を持つ発光装置である。反射型の発光装置Aは、レーザー光100が、光拡散層10によって反射される方向に出力光を放つ。
反射型の発光装置Aでは、筐体2Aの底壁部3は、レーザー光100を反射する反射部材からなり、レーザー光100は、筐体2Aの開口部8から内部空間に入射することが好ましい。底壁部3として反射部材を用いることにより、後述するように、レーザー光100が光拡散層10及び/又は底壁部3により反射し、反射光により第一の波長変換体20中の第一の蛍光体を効率的に励起することが可能となる。
反射部材はレーザー光100を反射できるならば特に限定されず、任意の固体物質からなる部材を用いることができる。反射部材としては、金属又は金属酸化物を少なくとも表面に備えた部材を用いることができる。反射部材の金属としてはアルミニウムを挙げることができ、金属酸化物としてはアルミナを挙げることができる。また、このような材料からなる反射部材は、レーザー光100の照射により発生した熱を効率よく排熱できるため好ましい。
側壁部を構成する部材は特に限定されず、任意の固体物質からなる部材を用いることができる。側壁部を構成する部材としては、底壁部3と同様に、金属又は金属酸化物を含有する部材を用いることができる。このような材料を含有する側壁部は、レーザー光100の散乱光が照射されることにより発生した熱を効率よく排熱できるため好ましい。
(第一の波長変換体)
本実施形態において、第一の波長変換体20は、少なくとも第一の蛍光体を含有している。第一の蛍光体としては、レーザー光100が拡散してなる光の一部のエネルギーを吸収し、レーザー光100とは異なる波長の蛍光を等方的な配向分布で放出する蛍光体を用いることができる。このような蛍光体としては、例えばCe3+を発光中心として含有するCe3+付活蛍光体を用いることができる。
Ce3+付活蛍光体としては、ガーネットの結晶構造を持つ化合物、例えばアルミン酸塩、珪酸塩、アルミノ珪酸塩などを母体とする蛍光体を挙げることができる。このような蛍光体としては、例えば、LuGa(AlO:Ce3+、LuAl(AlO:Ce3+、YGa(AlO:Ce3+、YAl(AlO:Ce3+、(Y,Gd)Al(AlO:Ce3+、CaSc(SiO:Ce3+、LuCaMg(SiO:Ce3+、(Lu,Ca)(Al,Mg)((Al,Si)O:Ce3+からなる群より選ばれる少なくとも一つを用いることができる。
Ce3+付活蛍光体としては、希土類元素又はアルカリ土類金属を含む複合酸化物、例えばリン酸塩、珪酸塩、アルミン酸塩を母体とする蛍光体を挙げることができる。このような蛍光体としては、例えば、LaPO:Ce3+、YPO:Ce3+、YSiO:Ce3+、CaMgSi:Ce3+、YAlO:Ce3+、CeMgAl1119からなる群より選ばれる少なくとも一つを用いることができる。
Ce3+付活蛍光体としては、希土類元素又はアルカリ土類金属を含む窒化物又は酸窒化物を母体とする蛍光体を挙げることができる。このような蛍光体としては、例えば、YSi:Ce3+、LaSi11:Ce3+、CaAlSiN:Ce3+、Ca(Al,Si)(N,O):Ce3+からなる群より選ばれる少なくとも一つを用いることができる。
第一の蛍光体としては、残光が比較的長く、レーザー光100を直接照射した場合に蛍光出力飽和しやすい蛍光体を用いることもできる。このような蛍光体としては、パリティー禁制型及びスピン禁制型の少なくとも一方の電子エネルギー遷移によって蛍光を放つイオンを含む蛍光体を挙げることができる。本実施形態の発光装置は、蛍光体の励起にエネルギーの低い散乱レーザー光を用いるため、レーザー光による励起条件下で高い蛍光出力を期待できなかった蛍光体も積極的に利用することができる。
パリティー禁制型及びスピン禁制型の少なくとも一方の電子エネルギー遷移によって蛍光を放つイオンとしては、例えば、希土類元素のf電子準位間の遷移や遷移金属元素のd電子準位間の遷移による蛍光を放つイオンが挙げられる。このようなイオンとしては、Ce3+を除く三価の希土類イオン(Pr3+、Eu3+、Gd3+、Tb3+)や、3dの電子配置を持つ一価から四価の遷移金属イオン(Cr3+(3d)、Mn2+(3d)、Mn4+(3d)、Fe3+(3d))を挙げることができる。
第一の蛍光体は、発光中心として、Eu2+、Eu3+、Tb3+及びMn4+からなる群より選ばれる一つのイオンを含むことが好ましい。このような蛍光体は、照明用途に好適な可視光を放つため、照明光を設計しやすい発光装置を得ることができる。
Eu2+付活蛍光体としては、アルカリ土類金属の複合酸化物を母体とする蛍光体を挙げることができる。このような蛍光体としては、AESiO:Eu2+などのアルカリ土類金属珪酸塩、AEMgAl1017:Eu2+などのアルカリ土類金属アルミン酸塩、AE10(POCl:Eu2+などのアルカリ土類金属ハロリン酸塩、AE:Eu2+などのアルカリ土類金属リン酸塩からなる群より選ばれる少なくとも一つを用いることができる。なお、AEは、Ca、Sr、及びBaからなる群より選ばれる少なくとも一つを示す。
Eu2+付活蛍光体としては、アルカリ土類金属(AE)の複合窒化物を母体とする蛍光体を挙げることができる。このような蛍光体としては、AESi:Eu2+、AEAlSi:Eu2+、AEAlSiN:Eu2+からなる群より選ばれる少なくとも一つを用いることができる。また、Eu2+付活蛍光体としては、アルカリ土類金属(AE)の複合酸窒化物を母体とする蛍光体を挙げることができる。このような蛍光体としては、AESi:Eu2+、AESi12:Eu2+からなる群より選ばれる少なくとも一つを用いることができる。
また、Eu3+付活蛍光体としては、希土類元素の酸化物又は複合酸化物を母体とする蛍光体を挙げることができる。このような蛍光体としては、RE:Eu3+などの希土類酸化物、REVO:Eu3+やRE(P,V)O:Eu3+などの希土類バナジン酸塩、REPO:Eu3+などの希土類リン酸塩、RESiO:Eu3+などの希土類珪酸塩、REAl12:Eu3+などの希土類アルミン酸塩、REBO:Eu3+などの希土類硼酸塩からなる群より選ばれる少なくとも一つを用いることができる。なお、REは、Sc、Y、La及びGdからなる群より選ばれる少なくとも一つを示す。
Eu3+付活蛍光体としては、希土類元素(RE)の酸硫化物を母体とする蛍光体を挙げることができる。このような蛍光体としては、RES:Eu3+を挙げることができる。
また、Tb3+付活蛍光体としては、希土類元素の酸化物あるいは複合酸化物を母体とする蛍光体を挙げることができる。このような蛍光体としては、RE:Tb3+などの希土類酸化物、REVO:Tb3+やRE(P,V)O:Tb3+などの希土類バナジン酸塩、REPO:Tb3+などの希土類リン酸塩、RESiO:Tb3+などの希土類珪酸塩、REAl12:Tb3+などの希土類アルミン酸塩、例えばREBO:Tb3+などの希土類硼酸塩からなる群より選ばれる少なくとも一つを用いることができる。なお、REは、Sc、Y、La、Gdからなる群より選ばれる少なくとも一つを示す。
Tb3+付活蛍光体としては、希土類元素(RE)の複合窒化物、複合酸窒化物、複合炭窒化物を母体とする蛍光体を挙げることができる。このような蛍光体としては、YSiC:Tb3+を用いることができる。また、Tb3+付活蛍光体としては、希土類元素(RE)の酸硫化物を母体とする蛍光体を挙げることができる。このような蛍光体としては、RES:Tb3+を用いることができる。
また、Mn4+付活蛍光体としては、マグネシウムを含むゲルマン酸塩を母体とする蛍光体を挙げることができる。このような蛍光体としては、3.5MgO・0.5MgF・GeO:Mn4+を用いることができる。また、Mn4+付活蛍光体としては、アルカリ金属複合フッ化物を挙げることができる。このような蛍光体としては、KSiF:Mn4+を用いることができる。
なお、第一の波長変換体20に含まれる第一の蛍光体は、600nm以上660nm未満、特に610nm以上640nm未満の波長範囲内に蛍光ピークを持つ赤色系の蛍光を放つ赤色蛍光体であることが好ましい。これにより、発光装置の出力光に赤色系の蛍光成分が含まれるようになるため、高い演色性、特に平均演色評価数Raや特殊演色評価数R9が求められる照明用途向けに有利な発光装置となる。
このような赤色蛍光体としては、例えば、Eu2+で付活された窒化物系の蛍光体やMn4+で付活されたフッ化物蛍光体などがあり、特に窒化物系の蛍光体が好ましい。このような赤色蛍光体は、LED照明用としての研究が進み、高い実用実績を持つので、信頼性に優れる発光装置を得ることができる。
ここで、第一の蛍光体は、粉末状の蛍光体であることが好ましい。このような粉末状の蛍光体は、入手が容易なだけでなく、これまでの光源技術やディスプレイ装置技術で培われたオーソドックスな成膜技術を利用して波長変換体を製造できる。そのため、工業生産の面で有利な発光装置になる。
第一の波長変換体20に含まれる第一の蛍光体は粒子群であり、第一の蛍光体の平均粒子径は15μm以上50μm未満であることが好ましい。また、第一の蛍光体の平均粒子径は、20μm以上40μm未満であることがより好ましく、25μm以上35μm未満であることがさらに好ましい。第一の蛍光体が、複数の粒子からなる粒子群であり、当該蛍光体の平均粒子径が上記範囲内であることにより、第一の波長変換体20中の第一の蛍光体が、散乱したレーザー光100を効率よく吸収し、高強度の蛍光を発することが可能となる。
なお、本明細書において、蛍光体の平均粒子径は、波長変換体を走査型電子顕微鏡で観察し、複数の蛍光体の粒子径を測定することにより、求めることができる。
また、第一の波長変換体20は、特許文献1に示されるような焼結体であってもよく、蛍光体の多結晶体であってもよく、さらに蛍光体の単結晶体であってもよい。
本実施形態において、第一の波長変換体20は、無機化合物のみからなる波長変換体であることが好ましい。これにより、第一の波長変換体20は、蛍光体の放熱に有利な熱伝導性に優れるものになる。その結果、高出力のレーザー光100を利用して蛍光体を励起できるようになることから、高出力化しやすい発光装置を得ることができる。また、第一の波長変換体20が焦げる恐れが無くなるので、比較的高いエネルギー密度のレーザー光を照射できるようにもなり、発光装置の高出力化を図ることが可能となる。
ここで、無機化合物からなる波長変換体としては、蛍光体の単結晶、蛍光体の焼結体、蛍光体の圧粉体、蛍光体粒子をガラス封止した構造物、無機化合物からなる結着剤及び/又は微粒子で蛍光体粒子を接合した構造物、蛍光体と化合物を融着させてなる複合体からなる群より選ばれる少なくとも一つを用いることができる。また、波長変換体としては、これらと他の蛍光体粒子とを組み合わせてなる複合体を用いることができる。なお、蛍光体と化合物を融着させてなる複合体としては、蛍光体とアルミナを融着させてなる複合体を挙げることができる。
第一の波長変換体20は、第一の蛍光体を樹脂材料で封止してなる波長変換体であることが好ましい。樹脂材料で封止することにより得られる波長変換体は製造が比較的容易であるため、所望の波長変換体を安価に製造することができる。なお、樹脂材料としては、例えば、シリコーン樹脂などの透明有機材料を用いることができる。
第一の波長変換体20は、側壁部である右側壁4、左側壁5、前側壁6及び後側壁7の内面全体に設けられる必要はない。また、本実施形態の発光装置は、側壁部の内面に設けられる第一の波長変換体20の面積により、発光装置の出力や色度を調整することが可能となる。
図1に示すように、発光装置Aにおいて、第一の波長変換体20は、光拡散層10を直接照射するレーザー光100の光軸上に配置されていないことが好ましい。つまり、レーザー光源1の中心を連ねる直線上に光拡散層10は配置されているが、第一の波長変換体20は配置されていないことが好ましい。これにより、第一の蛍光体に、高光密度のレーザー光100が照射される恐れが少なくなる。さらに、十分に散乱された低密度のレーザー光100により、第一の蛍光体を励起することができる。そのため、第一の蛍光体に対する蛍光出力飽和の軽減と、第一の蛍光体から放出される光成分の増強を容易にすることが可能となる。
(光拡散層)
上述のように、本実施形態における筐体2Aの底壁部3は、レーザー光100を拡散する光拡散層10を備える。光拡散層10は、筐体2Aの内部でレーザー光100を拡散できればよく、その構成は特に限定されない。また、光拡散層10は、レーザー光100を反射させることが可能な層であってもよく、またレーザー光100を透過させることが可能な層であってもよい。
光拡散層10は、光を拡散反射させる物質を含むことが好ましく、無機物からなる無機粒子群を含むことが好ましい。このような無機粒子群を用いることで、レーザー光100を反射して散乱させることが可能となる。
無機粒子の平均粒子径は、1μm以上100μm未満であることがより好ましい。無機粒子が、複数の粒子からなる粒子群であり、当該無機粒子の平均粒子径が上記範囲内であることにより、光拡散層10におけるレーザー光100の照射面(表面10a)の単位面積当たりの凹凸数が増加する。また、光拡散層10における単位深さあたりの無機粒子の数も増加する。そのため、光拡散層10によりレーザー光100が散乱しやすくなり、レーザー光100の散乱の度合いが大きくなる。その結果、光拡散層10によって、第一の波長変換体20に対するパワー密度が小さな散乱レーザー光を生成することができる。そのため、強いレーザー光100を光拡散層10に照射した場合であっても、第一の蛍光体が蛍光出力飽和を引き起こすまでに至り難い構成となることから、発光装置の高出力化を図ることが可能となる。
なお、本明細書において、無機粒子の平均粒子径は、光拡散層10を走査型電子顕微鏡で観察し、複数の無機粒子の粒子径を測定することにより、求めることができる。
本実施形態において、光拡散層10がレーザー光100及び第一の蛍光体から発せられる蛍光に対して、反射率が高いことが望ましい。また、レーザー光100及び第一の蛍光体から発せられる蛍光の反射率が90%以上であることが好ましい。これらの反射率が極力高い場合には、発光装置の発光効率が高まるため、好ましい。
光拡散層10は、底壁部3の内面全体に設けられる必要はない。また、本実施形態の発光装置は、底壁部3の内面に設けられる光拡散層10の面積により、発光装置の出力や色度を調整することが可能となる。
本実施形態において、光拡散層10は無機物のみからなることが好ましい。この場合には、高いエネルギー強度のレーザー光100を照射しても、光拡散層10は変質し難いものになるため、高出力化に適する発光装置を得ることができる。ここで、無機物のみからなる光拡散体としては、無機化合物の単結晶、無機化合物の焼結体、無機化合物の圧粉体、無機化合物粒子をガラス封止した構造物、無機化合物粒子を結着剤や微粒子で接合した構造物、複数種類の無機化合物を融着させてなる複合体を挙げることができる。
光拡散層10は、透光性を持つ無機粉末を少なくとも一部に含んでなることが好ましい。このような光拡散層10は、オーソドックスな無機粉末を利用して比較的容易に製造できるので、工業生産に有利である。また、透光性を持つ無機粉末を用いることで、比較的高い拡散性と反射率を備えた光拡散層を得ることができる。
本実施形態において、光拡散層10は、非発光性の無機粒子を含む光拡散体であり、第一の波長変換体20は、レーザー光を光拡散層10へ照射することによって拡散された拡散光によって励起されることが好ましい。上述のように、光拡散層10は、レーザー光100を筐体2Aの内部で拡散できればよいため、無機粒子として非発光性の粒子を好適に使用することができる。
言い換えれば、光拡散層10は、蛍光体を含まない光拡散体であることが好ましい。この場合、光拡散層10は、蛍光体による波長変換が生じない光拡散体になるため、波長変換によるエネルギー損失によって生じる発熱が発生し難くなる。そのため、高エネルギー強度のレーザー光100を光拡散層10に照射しても、光拡散層10が温度上昇し難い、高出力用として適する発光装置を得ることができる。
非発光性の無機粒子としては金属酸化物を使用することが好ましく、例えばアルミナ及びジルコニアの少なくとも一方を使用することが好ましい。また、光拡散層10として、金属酸化物の粒子の凝集体を用いることが好ましい。金属酸化物の粒子の凝集体を光拡散層10として用いることにより、比較的高い拡散性と反射率が得られるため、好ましい。
さらに、非発光性の無機粒子としては、硫酸バリウム及び金属粒子の少なくとも一方を使用することもできる。当該金属粒子は板状及び薄膜状など、様々な形態のものが利用可能である。
また、光拡散層10は、少なくとも一部に有機粒子を含んでいてもよい。
本実施形態において、光拡散層10は、第二の蛍光体を含む第二の波長変換体であり、第一の波長変換体20は、レーザー光100を光拡散層10へ照射することによって拡散された拡散光によって励起されることが好ましい。光拡散層10が第二の蛍光体を含むことにより、第二の蛍光体がレーザー光100を吸収して蛍光を発するため、レーザー光100と、第一の蛍光体及び第二の蛍光体から発せられた蛍光とが加法混色された出力光を放つことが可能となる。
ここで、第二の蛍光体としては、Ce3+付活蛍光体を用いることが好ましい。Ce3+は希土類イオンの中で最も短い発光寿命(10−8〜10−7s)を持つ発光中心であるため、Ce3+付活蛍光体では、励起状態にある蛍光体の電子エネルギーが極短時間で緩和される。このため、Ce3+付活蛍光体では、レーザー光照射による高密度励起下でも、励起状態にある蛍光体の電子エネルギーを極短時間で緩和することができる。したがって、光拡散層10に含まれる蛍光体としてCe3+付活蛍光体を用いることにより、発光飽和を抑制することができる。なお、発光飽和は、電子励起状態の数の増大による光出力の飽和現象である。
また、希土類イオンの安定な価数は三価であり、Ce3+は安定な三価の価数を持つ発光中心である。このため、Ce3+付活蛍光体は、レーザー光照射による高密度励起によって蛍光体が発熱したとしても、酸化による蛍光体結晶の変質が生じ難く、長期信頼性を高めることが可能となる。なお、Ce3+付活蛍光体としては、上述のものを使用することができる。
上述のような構成を備える発光装置Aでは、レーザー光源1から放出されたレーザー光100は、筐体2Aの開口部8を通過して内部空間に入射した後、光拡散層10に到達する。この際、レーザー光100は光拡散層10の表面10a及び/又は底壁部3の上面3aにより反射する。反射したレーザー光100は、右側壁4、左側壁5、前側壁6及び後側壁7により保持されている第一の波長変換体20に到達する。この際、レーザー光100の一部は第一の波長変換体20に含まれる第一の蛍光体に吸収され、光成分100Aに変換される。
なお、光拡散層10及び/又は底壁部3で反射したレーザー光100の一部は第一の蛍光体に吸収されるが、レーザー光100の一部は第一の波長変換体20並びに/又は右側壁4、左側壁5、前側壁6及び後側壁7で反射する。そして、レーザー光100と、第一の蛍光体から発せられた光成分100Aとが加法混色された出力光が、筐体2Aの開口部8から放出される。
このように、発光装置Aでは、レーザー光100を第一の蛍光体に直接照射することなく、光拡散層10に直接照射し、レーザー光100の散乱光を第一の蛍光体に照射している。レーザー光100は光拡散層10により一度拡散されることから、レーザー光100のパワー密度は極端に低下する。そして、拡散したレーザー光100は、複数箇所に存在する第一の波長変換体20に分割して照射されるため、第一の波長変換体20への照射パワー密度はさらに低下する。その結果、第一の波長変換体20に含まれる第一の蛍光体の蛍光出力飽和を抑制しやすくなり、レーザー光100の変換効率を高い状態に維持することが可能となる。
併せて、第一の波長変換体20がレーザー光100を蛍光に変換する過程において、レーザー光100のエネルギーの一部は熱となる場合がある。ただ、第一の波長変換体20に照射されるレーザー光100は、パワー密度が低下しているため、蛍光に変換する際の発熱が抑制され、第一の蛍光体の温度消光による光出力の飽和現象を低減することが可能となる。また、レーザー光100が光拡散層10により拡散される際、レーザー光100は、直進性や指向性を失い、蛍光と同じく等方的な配向分布となる。そのため、レーザー光100と、第一の蛍光体から発せられた光成分100Aとが加法混色された出力光の色均一性を高めやすくなる。
なお、上述の「レーザー光100を第一の蛍光体に直接照射することなく、光拡散層10を直接照射する」とは、レーザー光100が、第一の蛍光体よりも先に光拡散層10に照射されることを意味する。
上述のように、筐体2Aの開口部8は、レーザー光100が入射する箇所であり、さらに、拡散したレーザー光100と第一の蛍光体から発せられた光成分100Aとを含む出力光を放出する箇所でもある。そして、出力光は、レーザー光100及び光成分100Aの波長や強度比率を調整することで、任意の色調を呈する光となる。また、開口部8の面積を任意に調整することにより、出力光のスポット径を任意に変更することができる。例えば、開口部8の面積が大きい場合、ぎらつきの少ない照明器具向けの発光装置として好適に利用することができる。また、開口部8の面積が小さい場合、高い輝度を有するプロジェクタやディスプレイ向けの発光装置として好適に利用することができる。
また、出力光の色度は、第一の波長変換体20の材料や面積、厚さなどで自在に調整可能である。さらに、拡散したレーザー光100と光成分100Aの比率も、開口部8の面積や第一の波長変換体20の高さで調整可能である。そのため、発光装置Aの光出力は、高い色均一性を持ちながら高い色度の自在性を併せ持つ。
さらに、筐体2Aでは、底壁部3に光拡散層10が保持され、側壁部に第一の波長変換体20が保持されている。そのため、波長変換に伴い発熱する性質を持つ第一の波長変換体20の放熱設計も容易な構造になる。このため、第一の蛍光体の温度消光による効率低下の抑制も容易な、高出力化に適する発光装置を得ることができる。また、高出力化を実現するために利用可能になる第一の蛍光体の選択肢が増し、LED照明用などとして高い実績を持つ蛍光体を難なく利用できるようになるので、出力光の色調の調整を容易にすることが可能となる。
このように、本実施形態の発光装置Aは、レーザー光100を放つレーザー光源1と、底壁部3と側壁部とを有する筐体2Aと、側壁部に設けられ、第一の蛍光体を含む第一の波長変換体20とを備える。そして、レーザー光源1から筐体2Aの底壁部3に、レーザー光100が照射される。また、第一の蛍光体は、底壁部3で拡散したレーザー光100の拡散光で励起される。さらに、発光装置Aにおいて、レーザー光100を、第一の波長変換体20に直接照射することなく、筐体2Aの底壁部3に直接照射することが好ましい。これにより、レーザー光100のパワー密度を高めつつ、レーザー光100の変換効率を向上させ、さらに、出力光の色均一性と色度の自在性を高めることが可能となる。
なお、発光装置Aにおいて、底壁部3がレーザー光100を拡散することが可能な構成を有している場合には、光拡散層10は必須の構成要素ではない。ただ、レーザー光100を効率的に拡散してパワー密度を低下させる観点から、底壁部3は光拡散層10を備えることが好ましい。
発光装置Aにおいて、第一の波長変換体20と側壁部の間には、光反射膜を介在させてもよい。光反射膜は、拡散したレーザー光100及び第一の蛍光体から発せられる蛍光を反射するものである。光反射膜としては金属膜を用いることが好ましく、銀又はアルミニウムからなる膜を用いることがより好ましい。このような光反射膜を設けることにより、レーザー光100の変換効率及び出力光の取り出し効率をより向上させることが可能となる。
発光装置Aにおいて、レーザー光源1と筐体2Aとの間には、レーザー光源1から放射されたレーザー光100を光拡散層10に集光するためのレンズを介在させてもよい。また、レーザー光源1と筐体2Aとの間には、レーザー光源1から放射されたレーザー光100を光拡散層10に伝送して集光するための導光機構を介在させてもよい。導光機構としては、例えば光ファイバーを用いることができる。
図1に示す発光装置Aにおいて、レーザー光源1は筐体2Aの直上に位置しているが、発光装置Aはこのような態様に限定されない。例えば、レーザー光源1を発光装置Aの直上以外に位置させ、ミラーなどでレーザー光100の光路を変更してもよい。この場合、上述のように、レーザー光100は必ずしも空間を伝搬する必要はなく、レーザー光源1から筐体2Aへ入射する過程の一部に、光ファイバーなど任意の導光機構を備えてもよい。
発光装置Aにおいて、出力光は、照明光として利用されることが好ましい。これにより、産業上の利用価値が高く需要が多い発光装置となる。なお、発光装置Aは、屋外照明、店舗照明、調光システム、施設照明、海洋照明、及び内視鏡のいずれかの用途向けの装置であることが好ましい。また、当然のことながら、近年、技術の進展が目覚しいIoT又はAIを利用した発光装置とすることもできる。
[第二実施形態]
次に、第二実施形態に係る発光装置について、図面に基づき詳細に説明する。なお、第一実施形態の発光装置と同一構成には同一符号を付し、重複する説明は省略する。
本実施形態の発光装置Bは、図2に示すように、レーザー光を放つレーザー光源1と、底壁部3Aと側壁部とを有する筐体2Bとを備えている。さらに、筐体2Bには、側壁部に設けられ、第一の蛍光体を含む第一の波長変換体20が設けられている。筐体2Bは、底壁部3Aと、側壁部である右側壁4、左側壁5、前側壁6及び後側壁7とを備え、外観視した場合に略直方体の形状を有している。また、筐体2Bは、底壁部3A、右側壁4、左側壁5、前側壁6及び後側壁7により仕切られてなる内部空間を有している。筐体2Bは上面に開口部8を備え、開口部8は内部空間と連通している。
第一実施形態に係る発光装置Aは、反射型と呼ばれる構造を持つ発光装置である。つまり、発光装置Aは、レーザー光100が光拡散層10及び/又は底壁部3Aによって反射される方向に出力光を放つ装置である。これに対して、本実施形態に係る発光装置Bは、透過型と呼ばれる構造を持つ発光装置である。つまり、発光装置Bは、レーザー光100が光拡散層10及び底壁部3Aを透過する方向に出力光を放つ装置である。
図2に示すように、発光装置Bでは、レーザー光源1から放出されたレーザー光100は、筐体2Bの底壁部3Aを透過し、光拡散層10に到達する。この際、レーザー光100は光拡散層10を透過しつつ、無機粒子により散乱する。散乱したレーザー光100は、右側壁4、左側壁5、前側壁6及び後側壁7により保持されている第一の波長変換体20に到達する。この際、レーザー光100の一部は第一の波長変換体20に含まれる第一の蛍光体に吸収され、光成分100Aに変換される。
なお、光拡散層10で散乱したレーザー光100の一部は第一の蛍光体に吸収されるが、レーザー光100の一部は第一の波長変換体20並びに/又は右側壁4、左側壁5、前側壁6及び後側壁7で反射する。そして、レーザー光100と、第一の蛍光体から発せられた光成分100Aとが加法混色された出力光が、筐体2Bの開口部8から放出される。
ここで、透過型の発光装置Bでは、筐体2Bの底壁部3Aは、レーザー光100を透過する透光性部材からなり、レーザー光100は、筐体2Bの底壁部3Aから内部空間に入射することが好ましい。底壁部3Aとして透光性部材を用いることにより、レーザー光100が光拡散層10により散乱し、散乱光により第一の波長変換体20を効率的に励起することが可能となる。
透光性部材は、少なくともレーザー光100を透光できる基板であることが好ましく、例えばサファイアからなる基板を用いることが好ましい。サファイアは、可視光域の透過率が高く、放熱性が比較的高いため、レーザー光100の変換効率や発光装置の放熱性を効率的に高めることが可能となる。
図3に示すように、発光装置Bにおいて、光拡散層10と底壁部3Aとの間に波長選択性反射体30が設けられてもよい。波長選択性反射体30は、特定の波長帯の光に対しては透過性を有するが、他の波長帯の光に対しては反射性を有する膜である。波長選択性反射体30としては、例えば、青色の波長帯に対して透過性を有するが、それ以外の可視光波長帯に対して反射性を有する膜が挙げられる。このような波長選択性反射体30を使用することにより、第一の波長変換体20に吸収され易い特定の波長の光を、光拡散層10に優先的に入射させて拡散させることができる。そのため、発光装置の出力や入射光の変換効率をより高めることが可能となる。波長選択性反射体30は、例えばダイクロイックミラーを使用することができる。ダイクロイックミラーは、屈折率の異なる薄膜の積層体であり、所望の透過及び反射特性を得ることができる。
また、図3に示すように、発光装置Bにおいて、第一の波長変換体20と側壁部の間には、光反射膜40を介在させてもよい。光反射膜40は、拡散したレーザー光100及び第一の蛍光体から発せられる蛍光を反射するものである。光反射膜40としては金属膜を用いることが好ましく、銀又はアルミニウムからなる膜を用いることがより好ましい。このような光反射膜40を設けることにより、レーザー光100の変換効率及び出力光の取り出し効率をより向上させることが可能となる。
このように、本実施形態の発光装置Bは、レーザー光100を放つレーザー光源1と、底壁部3Aと側壁部とを有する筐体2Bと、側壁部に設けられ、第一の蛍光体を含む第一の波長変換体20とを備える。そして、レーザー光源1から筐体2Bの底壁部3Aに、レーザー光100が照射される。また、レーザー光100は、筐体2Bの底壁部3Aから内部空間に向けて入射し、光拡散層10により散乱する。そして、第一の蛍光体は、底壁部3Aで拡散したレーザー光100の拡散光で励起される。これにより、レーザー光100のパワー密度を高めつつ、レーザー光100の変換効率を向上させ、さらに、出力光の色均一性と色度の自在性を高めることが可能となる。
なお、図1乃至図3において、発光装置A及び発光装置Bの筐体2A,2Bは、開口を有する略直方体、いわゆる桝形の構造体として図示されている。しかしながら、筐体2A,2Bはこのような形状に限定されず、後述するように、円筒形や多角形であっても、上述の効果を発揮することができる。
[第三実施形態]
次に、第三実施形態に係る発光装置について、図面に基づき詳細に説明する。なお、第一及び第二実施形態の発光装置と同一構成には同一符号を付し、重複する説明は省略する。
上述のように、第一及び第二実施形態の発光装置A,Bは、底壁部3,3Aと、側壁部である右側壁4、左側壁5、前側壁6及び後側壁7とを備え、外観視した場合に略直方体状の筐体2A,2Bを有している。しかしながら、本実施形態の発光装置に用いられる筐体の形状は、このような略直方体状に限定されず、図4乃至図7に示す形状であってもよい。なお、図4乃至図7では、レーザー光源1の記載は省略している。
図4では、反射型の発光装置の変形例を示している。図4に示す発光装置Cは、底壁部3と、側壁部である右側壁4、左側壁5、前側壁6及び後側壁7とからなる筐体2Cを備えている。筐体2Cは、外観視した場合に略四角錐台状であり、上面が開口している。そして、筐体2Cにおいて、底壁部3には光拡散層10が保持され、右側壁4、左側壁5、前側壁6及び後側壁7には第一の波長変換体20が保持されている。
発光装置Cにおいて、レーザー光源1から放出されたレーザー光100は、筐体2Cの開口部8を通過して内部空間に入射した後、光拡散層10に到達して反射する。反射したレーザー光100は、第一の波長変換体20に到達して、光成分100Aに変換される。そして、レーザー光100と、第一の蛍光体から発せられた光成分100Aとが加法混色された出力光が、筐体2Cの開口部8から放出される。
ここで、図4に示すように、レーザー光源1から底壁部3に向かって放出されるレーザー光100の光軸に沿って見た場合、筐体2Cの内部空間に通じる開口部8の面積は、光拡散層10の面積よりも小さいことが好ましい。光拡散層10よりも開口部8の面積が小さい場合には、第一の波長変換体20が目立つ体色を有しているときでも、第一の波長変換体20が筐体2Cの外部から実質的に見えないようになる。これにより、外観上の不快感を解消することができることから、意匠性に優れる発光装置を得ることができる。また、光拡散層10よりも開口部8の面積が小さい場合には、レーザー光100が筐体2Cの内部空間で散乱し、第一の波長変換体20に吸収され易くなる。そのため、発光装置は、第一の波長変換体20が放つ蛍光成分を比較的多く含む出力光を放出することが可能となる。
図5に示す発光装置Dは、図1に示す発光装置Aと同様に、底壁部3と、底壁部3を囲むように設けられた右側壁4、左側壁5、前側壁6及び後側壁7とを備えた略直方体状の筐体2Dを有している。さらに筐体2Dは、上面の一部を覆うように上壁部9を備えており、上壁部9には内部空間と連通する開口部8が形成されている。そして、筐体2Dの内部空間において、底壁部3には光拡散層10が保持され、右側壁4、左側壁5、前側壁6及び後側壁7には第一の波長変換体20が保持され、上壁部9にも第一の波長変換体20が保持されている。
発光装置Dも発光装置Cと同様に、レーザー光源1から放出されたレーザー光100は、筐体2Cの開口部8を通過して内部空間に入射した後、光拡散層10に到達して反射する。反射したレーザー光100は、第一の波長変換体20に到達して、光成分100Aに変換される。そして、レーザー光100と、第一の蛍光体から発せられた光成分100Aとが加法混色された出力光が開口部8から放出される。
そして、図5に示すように、レーザー光源1から底壁部3に向かって放出されるレーザー光100の光軸に沿って見た場合、筐体2Dの内部空間に通じる開口部8の面積は、光拡散層10の面積よりも小さくなっている。そのため、図4の発光装置Cと同様に、意匠性に優れ、かつ、第一の波長変換体20が放つ蛍光成分を比較的多く含む出力光を放出することが可能な発光装置とすることができる。
図6に示す発光装置Eは、底壁部3と、底壁部3を囲むように設けられた側壁部4Aとを備えた略半球状の筐体2Eを有している。そして、筐体2Eの内部空間において、底壁部3には光拡散層10が保持され、側壁部4Aには第一の波長変換体20が保持されている。なお、筐体2Eでは、底壁部3と側壁部4Aの境界が明確ではなく、底壁部3と側壁部4Aが一体化した構成を有している。
発光装置Eも発光装置Cと同様に、レーザー光源1から放出されたレーザー光100は、筐体2Eの開口部8を通過して内部空間に入射した後、光拡散層10に到達して反射する。反射したレーザー光100は、第一の波長変換体20に到達して、光成分100Aに変換される。そして、レーザー光100と、第一の蛍光体から発せられた光成分100Aとが加法混色された出力光が開口部8から放出される。
ここで、図6に示すように、レーザー光源1から底壁部3に向かって放出されるレーザー光100の光軸に沿って見た場合、筐体2Eの内部空間に通じる開口部8の面積は、光拡散層10の面積よりも大きいことが好ましい。光拡散層10よりも開口部8の面積が大きい場合には、光拡散層10で拡散したレーザー光100が、第一の波長変換体20に略均一に照射されて光成分100Aに変換される。そのため、色斑の少ない出力光を放つ発光装置Eとすることができる。
図7に示す発光装置Fは、底壁部3と、底壁部3を囲むように設けられた側壁部4Aとを備えた略多角錐台状の筐体2Fを有している。そして、筐体2Fの内部空間において、底壁部3には光拡散層10が保持され、側壁部4Aには第一の波長変換体20が保持されている。
発光装置Fも発光装置Cと同様に、レーザー光源1から放出されたレーザー光100は、筐体2Fの開口部8を通過して内部空間に入射した後、光拡散層10に到達して反射する。反射したレーザー光100は、第一の波長変換体20に到達して、光成分100Aに変換される。そして、レーザー光100と、第一の蛍光体から発せられた光成分100Aとが加法混色された出力光が開口部8から放出される。
そして、図7に示すように、レーザー光源1から底壁部3に向かって放出されるレーザー光100の光軸に沿って見た場合、筐体2Fの内部空間に通じる開口部8の面積は、光拡散層10の面積よりも大きくなっている。そのため、色斑の少ない出力光を放つ発光装置Fとすることができる。さらに、筐体2Fの側壁部4Aは、ひだ折り状となっているため、側壁部4Aに保持されている第一の波長変換体20の表面積が大きくなっている。そのため、筐体2Fのサイズを小さくしつつも、高出力の出力光を放つ発光装置Fを得ることができる。
なお、図4乃至図7に示す発光装置は反射型となっているが、このような態様に限定されず、第二実施形態で説明した透過型であってもよい。また、図4及び図7に示す発光装置の筐体は多角錐台状であるが、このような態様に限定されず、筐体は円錐台状であってもよい。さらに、図1、図2、図3及び図5に示す発光装置の筐体は略直方体状であるが、このような態様に限定されず、筐体は略円柱状であってもよい。
[第四実施形態]
次に、第四実施形態に係る発光装置について、図面に基づき詳細に説明する。なお、第一乃至第三実施形態の発光装置と同一構成には同一符号を付し、重複する説明は省略する。
第二実施形態で説明したように、透過型の発光装置Bでは、レーザー光源1から放出されたレーザー光100は、筐体2Bの底壁部3Aを透過し、光拡散層10に到達して散乱する。そして、散乱したレーザー光100の一部は第一の波長変換体20に含まれる第一の蛍光体に吸収され、光成分100Aに変換される。その結果、発光装置Bでは、レーザー光100と、第一の蛍光体から発せられた光成分100Aとが加法混色された出力光が、筐体2Bの開口部8から放出される。このような発光装置Bにおいて、例えば、第一の波長変換体20の材料や面積、厚さなどを変えることにより、所望の光色を持つ出力光を得ることができる。
そして、本実施形態の発光装置は、レーザー光源1と筐体2Bとの間に介在し、かつ、レーザー光源1から放射されたレーザー光100を底壁部3Aに導光するための導光機構を備えることが好ましい。さらに、導光機構は、脱着可能な接続部を備えることが好ましい。これにより、筐体2Bのみ、又は筐体2Bと導光機構の一部を、レーザー光源1から脱着できる構造になる。そのため、筐体2Bのみ、又は筐体2Bと導光機構の一部を別のものと交換することができることから、用途や好みに応じた出力光の光色が得られるように、筐体2Bに変更することが可能となる。また、比較的高価な部材を多用して構成することが多いレーザー光源1及び/又は導光機構を再利用することも容易になるため、環境に優しく経済性にも優れる発光装置とすることができる。
具体的には、図8に示すように、発光装置Gは、レーザー光源1と筐体2Bとの間に設けられた導光機構を備えている。導光機構は、筐体2Bの底壁部3Aに向かってレーザー光100を出射する光ファイバー110と、光ファイバー110の先端である光出射部111の周囲を支持する光ファイバー支持体120とを備えている。光ファイバー支持体120の中心には、光ファイバー110の外周を保持する長孔状の支持部121が形成されている。光ファイバー支持体120は、後述する筐体支持体130に設けられた係合凸部131と係合する被係合凹部122を備えている。
導光機構は、さらに、筐体2Bを支持する筐体支持体130を備えている。筐体支持体130は、筐体2Bを埋め込むための凹部132と、光ファイバー110の光出射部111から出射されたレーザー光100を、筐体2Bの底壁部3Aに導光するための中空部133とを有している。さらに、筐体支持体130は、光ファイバー支持体120の被係合凹部122と係合する係合凸部131を有しており、係合凸部131の中心には中空部133が形成されている。なお、筐体支持体130において、筐体2Bから出力光が放出される側の面134には、保護膜140が設けられている。保護膜140は、筐体2Bからの出力光を透光することが可能ならば、その構成は特に限定されない。
発光装置Gにおいて、導光機構は、接続部である光ファイバー支持体120と筐体支持体130とを備えており、光ファイバー支持体120と筐体支持体130は、被係合凹部122及び係合凸部131を介して脱着可能な構成となっている。そのため、発光装置Gでは、筐体2B及び筐体支持体130を光ファイバー支持体120から取り外し、別の筐体及び筐体支持体と交換することができる。その結果、用途や好みに応じた出力光の光色を得ることができると共に、レーザー光源1、光ファイバー110及び光ファイバー支持体120を再利用することが可能となる。
ここで、本実施形態の発光装置において、接続部は、レーザー光源1側の接続部材及び筐体2B側の接続部材の少なくとも一方を回転させることによって、レーザー光源1側の接続部材と筐体2B側の接続部材とを接続する接続構造を持つことが好ましい。具体的には、発光装置Gにおいて、レーザー光源1側の接続部材は光ファイバー支持体120であり、筐体2B側の接続部材は筐体支持体130である。そして、上述のように、筐体支持体130は係合凸部131を備えており、光ファイバー支持体120は係合凸部131と係合する被係合凹部122を備えている。光ファイバー支持体120の被係合凹部122の内面及び筐体支持体130の係合凸部131の外周には、対応するようにねじ切りが施されている。そのため、光ファイバー支持体120の被係合凹部122はソケット形状となっており、筐体支持体130の係合凸部131は口金形状となっている。
このような構成では、光ファイバー支持体120及び筐体支持体130の少なくとも一方を回転させることによって、光ファイバー支持体120の被係合凹部122と筐体支持体130の係合凸部131が互いに係合する。そのため、摩擦力により、光ファイバー支持体120に対して筐体支持体130を接続して、固定することが可能となる。
このように、導光機構における接続部は、ねじ構造又は引っ掛け構造のように、レーザー光源1側の接続部材及び筐体2B側の接続部材の少なくとも一方を回転させることによって、両者を接続する接続構造とすることが好ましい。このような構成により、筐体2Bの脱着を円滑に行うことが可能となる。また、導光機構における接続部は嵌め合い構造であってもよく、この場合には市販の光コネクタを利用することもできる。このような嵌め合い構造であっても、筐体2Bの脱落を抑制することができる。
上述のように、発光装置Gにおいて、導光機構は、レーザー光源1が放つレーザー光100を導光して出射する光ファイバー110の光出射部111を支持する光ファイバー支持体120を備えることが好ましい。導光機構は、さらに、筐体2Bを支持し、かつ、レーザー光100を筐体2Bの底壁部3Aに導光する筐体支持体130を備えることが好ましい。そして、光ファイバー支持体120と筐体支持体130との間には、光ファイバー支持体120と筐体支持体130とを接続するためのねじ構造を有することが好ましい。このようなねじ構造を設けることにより、レーザー光100を出射する光ファイバー110の光出射部111と、レーザー光100が照射される底壁部3Aとの距離を微調整することができる。そして、底壁部3Aに照射するレーザー光100の焦点を変えることによって、筐体2Bからの出力光の配光特性や色調などを容易に調整することが可能となる。
発光装置Gの導光機構において、接続部は、光ファイバー支持体120と筐体支持体130とにより構成されている。ただ、本実施形態はこのような構成に限定されず、例えば光ファイバー110に接続部を設けてもよい。具体的には、図9に示すように、光ファイバー110は、接続部150を介して二分割できるような構成であってもよい。図9の発光装置Hでは、レーザー光源1に第一の光ファイバー110Aの一端が接続され、光ファイバー支持体120に第二の光ファイバー110Bの一端が接続されている。そして、第一の光ファイバー110Aの他端には第一のコネクタ151が接続され、第二の光ファイバー110Bの他端には第二のコネクタ152が接続されている。第一のコネクタ151及び第二のコネクタ152は、例えばフェルール同士をスリーブで軸合わせすることで、これらを接続することができる。
このような構成の発光装置Hでは、レーザー光源1から射出されたレーザー光100が、第一の光ファイバー110Aのコアに入射して第一の光ファイバー110A内を導光する。そして、レーザー光100は、接続部150の第一のコネクタ151から第二のコネクタ152に向けて射出される。第二のコネクタ152に照射されたレーザー光100は、第二の光ファイバー110Bのコアに入射して第二の光ファイバー110B内を導光する。そして、第二の光ファイバー110Bの光出射部111から出射したレーザー光100は、筐体2Bの底壁部3Aに照射される。
このように、発光装置Hでは、接続部150を分離することで、光ファイバー支持体120、筐体支持体130及び第二の光ファイバー110Bを取り外し、別のものと交換することができる。その結果、用途や好みに応じた出力光の光色を得ることができると共に、レーザー光源1及び第一の光ファイバー110Aを再利用することが可能となる。なお、発光装置Hにおいて、光ファイバー支持体120及び筐体支持体130は脱着可能な構成である必要はないことから、光ファイバー支持体120及び筐体支持体130は一体化していてもよい。
なお、図8に示す発光装置G及び図9に示す発光装置Hでは、筐体として第二実施形態の筐体2Bを用いて説明したが、これらの発光装置は筐体2Bに限定されず、他の透過型の筐体を用いてもよい。
以下、本実施形態を実施例によりさらに詳細に説明するが、本実施形態はこれらの実施例に限定されるものではない。
[実施例]
(波長変換部材の作製)
縦20mm、横20mm、厚み0.8mmのシリコン小片に、スパッタリング法により銀を130nmの厚さで成膜した。これにより、シリコン小片の表面に光反射膜を備えた基板Aを得た。
次に、イットリウム・アルミニウム・ガーネット(YAG)粒子、ペルヒドロポリシラザン、及びフッ化マグネシウム粒子を質量比で5:1:0.05となるように秤量した後、混練した。イットリウム・アルミニウム・ガーネット(YAG)粒子は、株式会社ネモト・ルミマテリアル社製で平均粒子径が20μmのものを使用した。ペルヒドロポリシラザンは、メルクパフォーマンスマテリアル株式会社製の品番NA−120NLを使用した。フッ化マグネシウム粒子は、平均粒子径40nmのものを使用した。そして、得られた混練物を、バーコーターを用いて基板Aに塗布した。
混練物を塗布した基板Aを150℃のホットプレートで乾燥させた後、400℃の電気炉により焼成した。これにより、YAG粒子を含む波長変換体と基板Aとが一体化した波長変換部材を得た。
波長変換部材を目視で観察した結果、基板A上の波長変換体は黄色を呈する膜であった。また、触針式段差計(ブルカー社製、触針式プロファイリングシステムDektak)を用いて、基板Aの表面と波長変換体の表面との段差を測定した結果、波長変換体は厚さが100μmの膜であった。
(光拡散部材の作製)
アルミナ粒子、ペルヒドロポリシラザン、及びフッ化マグネシウム粒子を質量比で5:1:0.05となるように秤量した後、混練した。アルミナ粒子は、平均粒子径が20μmのものを使用し、ペルヒドロポリシラザンは、メルクパフォーマンスマテリアル株式会社製の品番NA−120NLを使用した。フッ化マグネシウム粒子は、平均粒子径40nmのものを使用した。そして、得られた混練物を、バーコーターを用いて、実施例1で作製した基板Aに塗布した。
混練物を塗布した基板Aを150℃のホットプレートで乾燥させた後、250℃の電気炉により焼成した。これにより、アルミナ粒子を含む光拡散層と基板Aとが一体化した光拡散部材を得た。
光拡散部材を目視で観察した結果、基板A上の光拡散層は白色を呈する膜であった。また、触針式段差計(ブルカー社製、触針式プロファイリングシステムDektak)を用いて、基板Aの表面と光拡散層の表面との段差を測定した結果、光拡散層は厚さが150μmの膜であった。
(筐体の作製)
図10に示すように、1枚の光拡散部材の周囲を、4枚の波長変換部材で取り囲むことにより、本例の試験サンプルである略矩形状の筐体を得た。
[比較例]
実施例で作製した波長変換部材を、本例の試験サンプルとして使用した。
[評価]
図11の評価装置を用いて、実施例及び比較例の試験サンプルから発せられる出力光の強度を測定した。
図11に示すように、まず、半球型の積分球200に、レーザー光の光源210を、導光ファイバー211を用いて接続した。レーザー光の光源210としては、波長444nmの青色レーザー光源を使用し、青色レーザー光源としては、株式会社島津製作所製、ファイバ結合型高輝度青色ダイレクトダイオードレーザーBLUE IMPACT(登録商標)を使用した。そして、積分球200に対して、光源210を、積分球200の内部に向けてレーザー光100が出射するように設置した。この際、レーザー光100は、試験サンプル230に対して垂直方向から入射するように調整した。
さらに、積分球200の側面には、分光光度計220を、導光ファイバー221を用いて接続した。分光光度計は、大塚電子株式会社製、マルチチャンネル分光器MCPD−9800を使用した。
次に、図11に示すように、試験サンプル230に対してレーザー光100を垂直方向から入射させた。つまり、実施例の試験サンプルでは、光拡散部材に対して垂直方向からレーザー光100を照射した。また、比較例の試験サンプルでは、波長変換部材に対して垂直方向からレーザー光100を照射した。
そして、積分球200の内部で拡散するレーザー光100の拡散光と試験サンプルから放出された蛍光との混合光の一部を取り出し、分光光度計により出力光のパワー(放射束量)及び色度を測定した。なお、試験サンプルに照射するレーザー光100のスポット径は約1mmΦとし、そのパワー密度は3.8W/mm〜100W/mmの間で調整した。このようにして、試験サンプルから発せられる出力光のパワー及び色温度を測定した。
図12では、入射レーザー光のパワー密度と、実施例及び比較例の試験サンプルから発せられる出力光のパワーとの関係を示している。図12では、さらに、各測定点における色温度も示している。
図12に示すように、比較例の試験サンプルは、入射したレーザー光100のパワー密度が増加するにつれて出力が飽和している。これは、レーザー光100のパワー密度が大きくなることによる、波長変換体の出力飽和が発現していることを示唆している。これに対して、実施例の試験サンプルは、比較例で見られた出力飽和の挙動がなく、比較的線形的に出力が向上していることが分かる。
また、比較例の試験サンプルでは、レーザー光100のパワー密度が大きくなるにつれて色温度が高まり、黄色成分が放出され難くなることが分かる。これに対して、実施例の試験サンプルでは、レーザー光100のパワー密度が大きくなっても、色温度が変化し難いことが分かる。
以上、本実施形態を実施例によって説明したが、本実施形態はこれらに限定されるものではなく、本実施形態の要旨の範囲内で種々の変形が可能である。
特願2018−080467号(出願日:2018年4月19日)及び特願2018−209007号(出願日:2018年11月6日)の全内容は、ここに援用される。
本開示によれば、出力光のパワー密度を高めつつ、色均一性及び色度の自在性を向上させることが可能な発光装置を得ることができる。
1 レーザー光源
2A,2B,2C,2D,2E,2F 筐体
3,3A 底壁部
4A 側壁部
8 開口部
10 光拡散層
20 第一の波長変換体
100 レーザー光
110 光ファイバー
111 光出射部
120 光ファイバー支持体
130 筐体支持体
150 接続部
A,B,C,D,E,F,G,H 発光装置

Claims (13)

  1. レーザー光を放つレーザー光源と、
    底壁部と側壁部とを有する筐体と、
    前記側壁部に設けられ、第一の蛍光体を含む第一の波長変換体と、
    を備え、
    前記レーザー光源から前記筐体の底壁部に、前記レーザー光が照射され、
    前記第一の蛍光体は、前記底壁部で拡散した前記レーザー光の拡散光で励起される、発光装置。
  2. 前記底壁部は、前記レーザー光を拡散する光拡散層を備える、請求項1に記載の発光装置。
  3. 前記光拡散層は、非発光性の無機粒子を含む光拡散体であり、
    前記第一の波長変換体は、前記レーザー光を前記光拡散層へ照射することによって拡散された拡散光によって励起される、請求項2に記載の発光装置。
  4. 前記光拡散層は、第二の蛍光体を含む第二の波長変換体であり、
    前記第一の波長変換体は、前記レーザー光を前記光拡散層へ照射することによって拡散された拡散光によって励起される、請求項2に記載の発光装置。
  5. 前記光拡散層は無機物のみからなる、請求項2乃至4のいずれか一項に記載の発光装置。
  6. 前記レーザー光を、前記第一の波長変換体に直接照射することなく、前記筐体の底壁部に直接照射する、請求項1乃至5のいずれか一項に記載の発光装置。
  7. 前記筐体の底壁部は、前記レーザー光を反射する反射部材からなり、
    前記レーザー光は、前記筐体の開口部から内部空間に入射する、請求項1乃至6のいずれか一項に記載の発光装置。
  8. 前記筐体の底壁部は、前記レーザー光を透過する透光性部材からなり、
    前記レーザー光は、前記筐体の底壁部から内部空間に入射する、請求項1乃至6のいずれか一項に記載の発光装置。
  9. 前記レーザー光源から前記底壁部に向かって放出される前記レーザー光の光軸に沿って見た場合、前記筐体の内部空間に通じる開口部の面積は、前記光拡散層の面積よりも小さい、請求項2乃至5のいずれか一項に記載の発光装置。
  10. 前記レーザー光源から前記底壁部に向かって放出される前記レーザー光の光軸に沿って見た場合、前記筐体の内部空間に通じる開口部の面積は、前記光拡散層の面積よりも大きい、請求項2乃至5のいずれか一項に記載の発光装置。
  11. 前記レーザー光源と前記筐体との間に介在し、かつ、前記レーザー光源から放射された前記レーザー光を前記底壁部に導光するための導光機構をさらに備え、
    前記導光機構は、脱着可能な接続部を備える、請求項8に記載の発光装置。
  12. 前記接続部は、前記レーザー光源側の接続部材及び前記筐体側の接続部材の少なくとも一方を回転させることによって、前記レーザー光源側の接続部材と前記筐体の接続部材とを接続する接続構造を持つ、請求項11に記載の発光装置。
  13. 前記導光機構は、前記レーザー光源が放つ前記レーザー光を導光して出射する光ファイバーの光出射部を支持する光ファイバー支持体と、前記筐体を支持し、かつ、前記レーザー光を前記筐体の底壁部に導光する筐体支持体と、を備え、
    前記光ファイバー支持体と前記筐体支持体との間には、前記光ファイバー支持体と前記筐体支持体とを接続するためのねじ構造を有する、請求項11又は12に記載の発光装置。
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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008509516A (ja) * 2004-08-06 2008-03-27 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 高性能ledランプシステム
JP2010534411A (ja) * 2007-07-25 2010-11-04 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 色変換素子、及び色制御が可能な光出力装置

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7040774B2 (en) * 2003-05-23 2006-05-09 Goldeneye, Inc. Illumination systems utilizing multiple wavelength light recycling
US7497581B2 (en) * 2004-03-30 2009-03-03 Goldeneye, Inc. Light recycling illumination systems with wavelength conversion
US7144131B2 (en) * 2004-09-29 2006-12-05 Advanced Optical Technologies, Llc Optical system using LED coupled with phosphor-doped reflective materials
EP2153114B1 (en) * 2007-05-24 2014-06-25 Koninklijke Philips N.V. Color-tunable illumination system
WO2008149250A1 (en) * 2007-06-04 2008-12-11 Koninklijke Philips Electronics N.V. Color-tunable illumination system, lamp and luminaire
US8096668B2 (en) * 2008-01-16 2012-01-17 Abu-Ageel Nayef M Illumination systems utilizing wavelength conversion materials
WO2009112961A1 (en) * 2008-03-10 2009-09-17 Koninklijke Philips Electronics N.V. Laser light source and luminaire
JP2011065979A (ja) * 2009-08-18 2011-03-31 Sharp Corp 光源装置
JP2012099279A (ja) 2010-10-29 2012-05-24 Sharp Corp 発光装置、照明装置および車両用前照灯
JP5658600B2 (ja) * 2011-03-07 2015-01-28 スタンレー電気株式会社 発光装置
US9346395B2 (en) 2011-03-08 2016-05-24 Sharp Kabushiki Kaisha Light-emitting apparatus, illumination system, vehicle headlamp, projector, and method for manufacturing light-emitting apparatus
JP5090549B2 (ja) 2011-03-08 2012-12-05 シャープ株式会社 焼結発光体、発光装置、照明装置、車両用前照灯、及び焼結発光体の作製方法
US8449129B2 (en) * 2011-08-02 2013-05-28 Xicato, Inc. LED-based illumination device with color converting surfaces
WO2014073237A1 (ja) * 2012-11-06 2014-05-15 東芝ライテック株式会社 固体照明装置
JP2014179231A (ja) * 2013-03-14 2014-09-25 Toshiba Lighting & Technology Corp 光源装置及び照明装置
CZ307024B6 (cs) * 2014-05-05 2017-11-22 Crytur, Spol.S R.O. Světelný zdroj
JP6235081B2 (ja) * 2016-07-06 2017-11-22 シャープ株式会社 投光装置および車両用前照灯
CN109906340A (zh) * 2016-11-10 2019-06-18 亮锐控股有限公司 Led照明单元
JP6682419B2 (ja) 2016-11-14 2020-04-15 Ykk Ap株式会社 枠体及び建具
JP2017083907A (ja) 2017-02-07 2017-05-18 Necディスプレイソリューションズ株式会社 プロジェクタおよび画像形成素子への照明光の照射方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008509516A (ja) * 2004-08-06 2008-03-27 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 高性能ledランプシステム
JP2010534411A (ja) * 2007-07-25 2010-11-04 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 色変換素子、及び色制御が可能な光出力装置

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