JPWO2019193463A5 - 半導体装置 - Google Patents
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Claims (6)
- 第１の絶縁体、第２の絶縁体、第１の導電体、第２の導電体、および半導体層、を有し、
前記第１の絶縁体は、前記半導体層を露出する開口部を有し、
前記第１の導電体は、前記開口部の底面に、前記半導体層と接して配置され、
前記第２の絶縁体は、前記第１の導電体の上面および前記開口部内の側面と接して配置され、
前記第２の導電体は、前記第１の導電体の上面と接し、前記第２の絶縁体を介して前記開口部内に配置され、
前記第２の絶縁体は、ハフニウム、アルミニウム、ホウ素、ガリウム、亜鉛、イットリウム、ジルコニウム、タングステン、チタン、タンタル、ニッケル、ゲルマニウム、または、マグネシウムなどから選ばれた一種、または二種以上が含まれた酸化物、またはアルミニウムまたはシリコンを含む窒化物を含む半導体装置。 - 請求項１において、
前記半導体層は、Ｉｎと、元素Ｍ（ＭはＡｌ、Ｇａ、Ｙ、またはＳｎ）と、Ｚｎと、を有する半導体装置。 - 第１の絶縁体、第２の絶縁体、第１の導電体、第２の導電体、および第３の導電体、を有し、
前記第１の絶縁体は、前記第３の導電体を露出する開口部を有し、
前記第１の導電体は、前記開口部の底面に、前記第３の導電体と接して配置され、
前記第２の絶縁体は、酸素に対してバリア性を有し、かつ、前記第１の導電体の上面および前記開口部内の側面と接して配置され、
前記第２の導電体は、前記第１の導電体の上面と接し、前記第２の絶縁体を介して前記開口部内に配置され、
前記第２の絶縁体は、ハフニウム、アルミニウム、ホウ素、ガリウム、亜鉛、イットリウム、ジルコニウム、タングステン、チタン、タンタル、ニッケル、ゲルマニウム、または、マグネシウムなどから選ばれた一種、または二種以上が含まれた酸化物、またはアルミニウムまたはシリコンを含む窒化物を含む半導体装置。 - 請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記第１の導電体は、難酸化性である半導体装置。 - 請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記第１の導電体は、前記第２の導電体よりも、投影面積が大きい半導体装置。 - 請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
前記第１の絶縁体は過剰酸素を有し、前記第２の絶縁体は酸素に対するバリア性を有する半導体装置。
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