JPWO2019183056A5 - - Google Patents

Claims (20)

1. 基板をパターニングするための方法であって、当該方法は、
   特定のフォトリソグラフィ露光プロセスで処理された複数の基板の組を特徴付ける複合限界寸法特性を受容するステップであって、前記特定のフォトリソグラフィ露光プロセスは、マスクベースのフォトリソグラフィ露光を含み、前記複合限界寸法特性は、前記複数の基板の各々から限界寸法を測定し、前記複数の基板の組にわたるそれぞれの座標位置で繰り返される、再現限界寸法値を特定することによって形成される、ステップと、
   前記特定のフォトリソグラフィ露光プロセスで処理される基板を受容するステップと、
   前記基板にフォトレジスト膜をコーティングするステップと、
   前記フォトレジスト膜上に、化学放射線の第１のパターンを投影するステップであって、前記化学放射線の第１のパターンは、マスクレス投影システムを使用して投影され、前記化学放射線の第１のパターンは、前記複合限界寸法特性の前記再現限界寸法値を使用して作成される、ステップと、
   前記マスクベースのフォトリソグラフィ露光を含む前記特定のフォトリソグラフィ露光プロセス用のシステムに、処理される基板を移動させるステップと、
   前記システムが、前記フォトレジスト膜に投影される化学放射線の第２のパターンとして、前記マスクベースのフォトリソグラフィ露光を含む前記特定のフォトリソグラフィ露光プロセスで前記基板を処理した後に、前記システムから前記処理される基板を受容するステップと、
   前記基板を現像して、前記フォトレジスト膜の一部を除去するステップであって、前記一部は、前記化学放射線の第１のパターン及び前記化学放射線の第２のパターンの結果として可溶となる、ステップと、
   を含む、方法。
2. 前記フォトレジスト膜は、第１の光の波長に反応する第１の光反応剤と、第２の光の波長に反応する第２の光反応剤とを含む、請求項１に記載の方法。
3. 前記基板に前記フォトレジスト膜をコーティングするステップは、
   前記第１の光反応剤を含む第１のフォトレジスト層を堆積させるステップと、
   その後、前記第１のフォトレジスト層上に第２のフォトレジスト層を堆積させるステップであって、前記第２のフォトレジスト層は、前記第２の光反応剤を含む、ステップと、
   を含む、請求項２に記載の方法。
4. 前記基板に前記フォトレジスト膜をコーティングするステップは、自己分離フォトレジスト混合物を堆積させるステップを含み、
   前記第２の光反応剤は、前記フォトレジスト膜の上部に移動し、前記第１の光反応剤は、前記フォトレジスト膜の下部に移動する、請求項２に記載の方法。
5. 前記第１の光反応剤は、光酸発生剤（ＰＡＧ）、熱酸発生剤（ＴＡＧ）、及び光破壊塩基（ＰＤＢ）からなる群から選択され、前記第２の光反応剤は、光酸発生剤（ＰＡＧ）、熱酸発生剤（ＴＡＧ）、及び光破壊塩基（ＰＤＢ）からなる群から選択される、請求項２に記載の方法。
6. 前記基板に前記フォトレジスト膜をコーティングするステップは、第１のフォトレジストと第２のフォトレジストとの組み合わせを一度の分配作業で堆積させるステップを含む、請求項１に記載の方法。
7. 前記化学放射線の第２のパターンは、前記フォトレジスト膜内に潜像パターンを形成するために所定の露光量を必要とし、
   前記化学放射線の第１のパターンは、前記化学放射線の第２のパターンの前記所定の露光量の０．１％～５％である露光量で投影される、請求項１に記載の方法。
8. 前記化学放射線の第１のパターンを投影するステップは、前記フォトレジスト膜内に潜像を形成するための総露光量を計算するステップと、前記マスクレス投影システムを使用して、前記総露光量の０．１％～７％を投影するステップと、を含み、
   前記マスクベースのフォトリソグラフィ露光は、前記総露光量の残りの部分により行われる、請求項１に記載の方法。
9. 前記複合限界寸法特性は、前記複数の基板にわたって繰り返される限界寸法変動パターンを特定する、請求項１に記載の方法。
10. 前記化学放射線の第１のパターンを投影するステップは、サイズ過小な特徴部を有すると特定された基板位置に、相対的に多量の化学放射線を投影するステップと、サイズ過大な特徴部を有すると特定された基板位置に、相対的に少量の化学放射線を投影するステップと、を含む、請求項１に記載の方法。
11. 前記化学放射線の第１のパターンを投影するステップは、ランプ、イオンレーザ、固体レーザ、及びエキシマレーザからなる群から選択された光源を使用するステップを含む、請求項１に記載の方法。
12. 前記化学放射線の第１のパターンを投影するステップは、１７２ｎｍ、１９３ｎｍ、２４８ｎｍ、２５６ｎｍ、３６５ｎｍ、白色光、及び赤外線からなる群から選択された波長を有する化学放射線を投影するステップを含み、
    前記特定のフォトリソグラフィ露光プロセスは、１７２ｎｍ、１９３ｎｍ、２４８ｎｍ、２５６ｎｍ、３６５ｎｍ、白色光、及び赤外線からなる群から選択された波長を有する化学放射線を供給するステップを含む、請求項１に記載の方法。
13. 前記化学放射線の第１のパターンを投影するステップは、電磁放射線の第１の波長を使用するステップを含み、
    前記電磁放射線の第１の波長は、前記マスクベースのフォトリソグラフィ露光で使用される電磁放射線の第２の波長よりも長い、請求項１２に記載の方法。
14. 前記化学放射線の第１のパターンを投影するステップは、コーター現像システム内で行われ、
    前記マスクベースのフォトリソグラフィ露光は、マスクベースのフォトリソグラフィシステム内で行われる、請求項１に記載の方法。
15. 前記マスクベースのフォトリソグラフィ露光を含む、前記特定のフォトリソグラフィ露光プロセスで処理される基板を移動させるステップは、前記化学放射線の第１のパターンを前記フォトレジスト膜上に投影するステップの後に行われる、請求項１に記載の方法。
16. 前記マスクベースのフォトリソグラフィ露光を含む、前記特定のフォトリソグラフィ露光プロセスで処理される基板を移動させるステップは、前記化学放射線の第１のパターンを前記フォトレジスト膜上に投影するステップの前に行われる、請求項１に記載の方法。
17. 前記化学放射線の第１のパターンを投影するステップは、前記基板上のポイント位置によって投影される化学放射線の量を変えるように構成されたマイクロミラー投影システムを使用するステップを含む、請求項１に記載の方法。
18. 基板をパターニングするための方法であって、当該方法は、
    特定のフォトリソグラフィ露光プロセスで処理された複数の基板の組を特徴付ける複合限界寸法特性を受容するステップであって、前記特定のフォトリソグラフィ露光プロセスは、マスクベースのフォトリソグラフィ露光を含み、前記複合限界寸法特性は、前記複数の基板の各々から限界寸法を測定し、前記複数の基板の組にわたるそれぞれの座標位置で繰り返される再現限界寸法値を特定することによって形成される、ステップと、
    前記特定のフォトリソグラフィ露光プロセスで処理される基板を受容するステップと、
    前記基板にフォトレジスト膜をコーティングするステップと、
    前記フォトレジスト膜上に、化学放射線の第１のパターンを投影するステップであって、前記化学放射線の第１のパターンは、マスクレス投影システムを使用して投影され、前記化学放射線の第１のパターンは、前記複合限界寸法特性の前記再現限界寸法値を使用して作成される、ステップと、
    前記フォトレジスト膜上に化学放射線の第２のパターンを投影するステップであって、前記化学放射線の第２のパターンは、前記マスクベースのフォトリソグラフィ露光を含む前記特定のフォトリソグラフィ露光プロセスを使用して投影される、ステップと、
    前記フォトレジスト膜を現像して、前記フォトレジスト膜の一部を除去するステップであって、前記一部は、前記化学放射線の第１のパターン及び前記化学放射線の第２のパターンの結果として可溶となる、ステップと、
    を含む、方法。
19. 前記フォトレジスト膜上に前記化学放射線の第１のパターンを投影するステップは、前記フォトレジスト膜上に前記化学放射線の第２のパターンを投影するステップの前に行われる、請求項１８に記載の方法。
20. 前記フォトレジスト膜上に前記化学放射線の第１のパターンを投影するステップは、前記フォトレジスト膜上に前記化学放射線の第２のパターンを投影するステップの後に行われる、請求項１８に記載の方法。